DE10055307C2 - Dielektrische Keramikzusammensetzung, Verfahren zu deren Herstellung sowie ihre Verwendung - Google Patents

Dielektrische Keramikzusammensetzung, Verfahren zu deren Herstellung sowie ihre Verwendung

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Description

Die Erfindung bezieht sich auf dielektrische Keramikzusammensetzungen, welche zum Einsatz im Hochfrequenzbereich, wie z. B. dem Mikrowellenbereich und dem Millimeterwellenbereich, geeignet sind sowie ein Verfahren zu deren Herstellung. Insbesondere bezieht sich die Erfindung auf eine dielektrische Keramikzusammen­ setzung, welche für die Miniaturisierung von Produkten durch Laminieren von Me­ tallelektrodenschichten und Sintern des Laminats geeignet ist. Die Erfindung be­ zieht sich des weiteren auf die Verwendung einer solchen dielektrischen Keramik­ zusammensetzung für ein monolithisches Keramiksubstrat, eine elektronische Ke­ ramikkomponente und eine monolithische Keramikkomponente.
In den letzten Jahren wurden dielektrische Hochfrequenzkera­ miken umfassend genutzt, beispielsweise für dielektrische Re­ sonatoren und dielektrische Substrate für monolithische inte­ grierte Schaltkreise (MICs). Die wesentlichen Erfordernisse für die Erreichung der Miniaturisierung der dielektrischen Hochfrequenzkeramiken sind große Dielektrizitätskonstanten, große Q-Werte und geringe Abhängigkeit der Dielektrizitäts­ konstanten von der Temperatur.
Die ungeprüfte veröffentlichte japanische Patentanmeldung Nr. 6-333426 offenbart eine dielektrische Keramikzusammensetzung mit einer hohen spezifischen Dielektrizitätskonstante (εr) und einem hohen Q-Wert, bei dem 0,5 Gew.-% oder weniger MnO2 und 1,2 Gew.-% oder weniger Ta2O5 zu einer Hauptkomponente hinzugefügt werden, welche durch BaO.x{1 - y)TiO2.yZrO2} gebil­ det wird. Diese dielektrische Keramikzusammensetzung wird durch Sintern bei hoher Temperatur von mindestens 1.300°C er­ halten und hat eine spezifische Dielektrizitätskonstante (εr) von mindestens 38 und einen Q-Wert von mindestens 8.000.
Es ist notwendig, preiswerte Metalle mit geringem Widerstand, wie z. B. Ag und Cu, als Elektroden für den Einsatz in Hoch­ frequenzbereichen, wie z. B. dielektrischen Resonatoren, zu verwenden. Demzufolge müssen Metall und Keramik bei einer Temperatur gesintert werden, die niedriger ist als der Schmelzpunkt des Metalls.
Die Schmelzpunkte der obigen Metalle liegen jedoch in einem Bereich von 960°C bis 1063°C und sind signifikant niedriger als die oben beschriebene Sintertemperatur, d. h. mindestens 1.300°C für die dielektrische Keramikzusammensetzung. Demzu­ folge schließt die für Hochfrequenzbereiche geeignete oben beschriebene dielektrische Keramikzusammensetzung den Einsatz der genannten Metalle als interne Elektrodenmaterialien aus.
Die ungeprüfte veröffentlichte japanische Patentanmeldung Nr. 8-45344 offenbart eine dielektrische Keramikzusammensetzung, bei der mindestens eine Hilfskomponente von 0,1 bis 5 Gew.-% von GeO2 und 0,5 bis 5 Gew.-% von CuO zu einer durch xBaO- yTiO2 gebildeten Hauptkomponente hinzugefügt wird, wobei x in einem Bereich von 0,18 bis 0,20, y in einem Bereich von 0,80 bis 0,82 liegen und x + y = 1 ist. Die Hinzugabe von CuO und GeO2 erleichtert das Sintern bei einer geringeren Temperatur, d. h. 1.000°C.
Das in der obigen Zusammensetzung verwendete GeO2 ist jedoch relativ teuer und hat eine schlechte Wasserfestigkeit. Da Silber die höchste elektrische Leitfähigkeit aufweist und re­ lativ preiswert ist, ist es als Elektrodenmaterial, das in Luftumgebung gesintert werden kann, am geeignetsten. Jedoch hat Silber einen Schmelzpunkt von 962°C und kann demzufolge nicht zusammen mit der genannten dielektrischen Keramikzusam­ mensetzung gesintert werden.
Die ungeprüfte veröffentlichte japanische Patentanmeldung Nr. 5-325641 offenbart eine dielektrische Keramikzusammensetzung B-TiO2-ZrO2, die durch Hinzufügen von B2O3 bei einer geringen Temperatur von 900°C gesintert werden kann. Jedoch ist B2O3 hygroskopisch. Selbst wenn eine Glaskomponente, welche über­ schüssiges B2O3 enthält, statt der Hinzugabe von B2O3 verwen­ det wird, ist die Zusammensetzung aufgrund des Eluierens des B2O3 aus der Glaskomponente chemisch instabil. Darüber hinaus erhöht die Verwendung der Glaskomponente die Kosten. Da diese Zusammensetzung eine relativ geringe Sinterfähigkeit auf­ weist, müssen die Rohmaterialien auf eine durchschnittliche Korngröße von 0,6 µm oder weniger pulverisiert werden, bevor das Sintern erfolgt. Dies ist auch ein kostentreibender Fak­ tor.
Die ungeprüfte veröffentlichte japanische Patentanmeldung Nr. 10-167817 offenbart eine dielektrische Keramikzusammenset­ zung, welche 100 Gewichtsanteile BaO.x(Ti1-aZra)O2 als Haupt­ komponente, wobei 3,5 ≦ x ≦ 4,5 und 0 ≦ a ≦ 0,20, 4 bis 30 Gewichtsanteile einer Zinkverbindung berechnet als ZnO, 1 bis 20 Gewichtsteile einer Borverbindung berechnet als B2O3, 1 bis 10 Gewichtsanteile einer Alkalimetallverbindung berechnet als Alkalimetallkarbonat und 0,01 bis 7 Ge­ wichtsanteile einer Kupferverbindung berechnet als CuO enthält. Diese dielektri­ sche Keramikzusammensetzung kann aufgrund der Wirkungen dieser Höchstkom­ ponenten bei 900°C gesintert werden.
Diese dielektrische Keramikzusammensetzung enthält auch die Borverbindung. Da B2O3 in der Verbindung chemisch instabil ist, zeigt die Zusammensetzung eine Verschlechterung des Isolierwiderstandes in Umgebungen mit hoher Temperatur und hoher Luftfeuchtigkeit.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine dielektrische Keramikzusammensetzung zu liefern, die zusammen mit Elektro­ denmaterialien mit geringem Widerstand, wie z. B. Silber und Kupfer, bei einer niedrigen Temperatur von nicht mehr als 1.000°C gesintert werden kann, welche eine hohe Dielektrizi­ tätskonstante, einen hohen Q-Wert, einen geringen Wert der Veränderung bei den dielektrischen Eigenschaften bei Tempera­ turänderungen, überlegene Hochfrequenzmerkmale und überlegene Zuverlässigkeit in Umgebungen mit hoher Temperatur und hoher Luftfeuchtigkeit aufweist.
Erfindungsgemäß weist die dielektrische Keramikzusammensetzung 100 Ge­ wichtsanteile einer Hauptkomponente auf, die dargestellt wird durch die Formel BaO.x{(1 - y)TiO2.yZrO2}, wobei 3,5 ≦ x ≦ 4 und 0 ≦ y ≦ 0,2 ist, und zur Haupt­ komponente hinzugefügte Hilfskomponenten, die aus 6 bis 30 Gewichtsanteilen einer Zinkverbindung berechnet als ZnO, 0,5 bis 6 Gewichtsanteilen einer Silizium­ verbindung berechnet als SiO2, 0,1 bis 3 Gewichtsanteilen einer Alkalimetallverbin­ dung berechnet als Oxyd (R2O), worin R ein Alkalimetall ist, 0,1 bis 7 Gewichtsan­ teilen einer Kupferverbindung berechnet als CuO und einer Verbindung von 0,1 bis 6 Gewichtsanteilen einer Vanadiumverbindung berechnet als V2O5 und 0,1 bis 6 Gewichtsanteile einer Wismutverbindung berechnet als Bi2O3 bestehen.
Bei dieser dielektrischen Keramikzusammensetzung werden die spezifischen Mengen der Hilfskomponenten mit der durch die obige Formel dargestellten Hauptkomponente vermischt. Diese dielektrische Keramikzusammensetzung kann bei 1.000°C oder weniger gesintert werden und weist eine hohe Dielektrizitäts­ konstante, d. h. von ca. 30 oder mehr, sowie einen hohen Q- Wert, d. h. ungefähr 2.000 oder mehr bei 8 GHz auf.
Da die dielektrische Keramikzusammensetzung kein B2O3 ent­ hält, weist die Zusammensetzung eine hohe Stabilität in Umge­ bungen mit hoher Temperatur und hoher Luftfeuchtigkeit auf.
Da die dielektrische Keramikzusammensetzung bei niedrigeren Temperaturen gesintert werden kann, kann die Zusammensetzung zusammen mit preiswerten Metallen mit geringem Widerstand, wie z. B. Silber und Kupfer, gesintert werden. Das gleichzei­ tige Sintern der dielektrischen Keramikzusammensetzung nach der Erfindung und der Metalle mit niedrigem Widerstand er­ leichtert die Miniaturisierung von monolitischen elektroni­ schen Keramikkomponenten.
Die Gründe für die Einschränkung der Zusammensetzung nach der Erfindung sind folgende. Bei x < 3,5 oder x < 4,5 verändert sich der Temperaturkoeffizient der Resonanzfrequenz τf signi­ fikant zur positiven Seite hin, und die dielektrische Kera­ mikzusammensetzung weist eine starke Abhängigkeit der Dielek­ trizitätskonstante von der Temperatur auf.
Wenn ZrO2 teilweise durch TiO2 ersetzt wird, verändert sich der Temperaturkoeffizient der Resonanzfrequenz zur negativen Seite. Bei y < 0,2 jedoch nehmen die Dielektrizitätskonstante ε und der Q-Wert ab.
Vorzugsweise liegt x in einem Bereich von 4,30 × 4,4 und y in einem Bereich von 0 < y ≦ 0,1. In diesem Fall besteht die Zusammensetzung aus einer Einphasen-Ba2Ti9O20 und hat ei­ nen höheren Q-Wert.
Die Zinkverbindung trägt zu einem erhöhten Q-Wert und zur verbesserten Sinterfähigkeit bei niedrigen Temperaturen bei. Wenn die Dosierung der Zinkverbindung weniger als 5 Gewichts­ anteile ausmacht, hat die Zusammensetzung diese Vorteile nicht. Wenn die Dosierung 30 Gewichtsanteile überschreitet, nimmt die Dielektrizitätskonstante ε ab. Vorzugsweise wird die Zinkverbindung in einer Menge von 6 bis 13 Gewichtsantei­ le hinzugefügt.
Wenn der Anteil der Siliziumverbindung geringer ist als 0,5 Gewichtsanteile, nimmt die Feuchtigkeitsfestigkeit der Zusam­ mensetzung ab. Wenn die Dosierung 6 Gewichtsanteile über­ schreitet, kann die Zusammensetzung nicht bei einer Tempera­ tur von 1.000°C oder weniger gesintert werden. Vorzugsweise wird die Siliziumverbindung in einer Dosierung von 1 bis 4 Gewichtsanteilen hinzugefügt.
Die alkalische Metallverbindung wird hinzugefügt, um die Sin­ terfähigkeit bei niedrigen Temperaturen zu verbessern. Wenn deren Dosierung 30 Gewichtsanteile überschreitet, nimmt die Feuchtigkeitsfestigkeit ab. Wenn die Dosierung weniger als 0,1 Gewichtsanteile ist, kann die Zusammensetzung nicht bei niedrigen Temperaturen gesintert werden. Vorzugsweise wird die alkalische Metallverbindung in einer Dosierung von 0,5 bis 2 Gewichtsanteilen hinzugefügt.
Die Vanadium- oder Wismutverbindung verbessert die Sinterfä­ higkeit bei niedrigen Temperaturen. Wenn deren Dosierung 6 Gewichtsanteile überschreitet, nimmt die Feuchtkeitsfestig­ keit ab. Wenn die Dosierung geringer ist als 0,1 Gewichtsan­ teile, kann die Zusammensetzung nicht bei niedrigen Tempera­ turen gesintert werden. Vorzugsweise wird die Vanadiumverbin­ dung in einer Dosierung von 0,5 bis 2 Gewichtsanteilen hinzu­ gefügt, und die Wismutverbindung wird in einer Dosierung von 0,5 bis 3 Gewichtsanteilen hinzugefügt.
Die Kupferverbindung trägt zu verbesserter Sinterfähigkeit bei niedrigen Temperaturen und zu einer erhöhten Dielektrizi­ tätskonstante ε bei. Wenn die Dosierung derselben niedriger ist als 0,1 Gewichtsanteile, zeigt die Zusammensetzung diese Vorteile nicht. Wenn die Dosierung 7 Gewichtsanteile über­ schreitet, nimmt der Q-Wert ab. Vorzugsweise wird die Kupfer­ verbindung in einer Dosierung von 2 bis 6 Gewichtsanteilen beigegeben.
Die dielektrische Keramikzusammensetzung nach der Erfindung enthält vorzugsweise 0,5 Gewichtsanteile oder weniger und weiter vorzugsweise 0,3 Gewichtsanteile auf einer Manganver­ bindung MnO2-Basis und 1,2 Gewichtsanteile oder weniger und weiter vorzugsweise 1,0 Gewichtsanteile einer Tantalverbindung auf Ta2O5-Basis als Hilfsverbindungen. Die Manganverbin­ dung und die Tantalverbindung tragen zu einem weiter verbes­ serten Q-Wert bei. Der Q-Wert nimmt jedoch dann ab, wenn die Dosierung der Manganverbindung 0,5 Gewichtsanteile über­ schreitet oder wenn die Dosierung der Tantalverbindung 1,2 Gewichtsanteile überschreitet.
Mindestens jeweils eine der Zinkverbindungen der Siliziumver­ bindung, der alkalischen Metallverbindung, der Kupferverbin­ dung und der Wismutverbindung wird verglast und der dielek­ trischen Keramikzusammensetzung nach der Erfindung beigege­ ben. Da die Reaktivität bezogen auf die Hauptkomponente wei­ ter verbessert wird, kann die Zusammensetzung bei noch nied­ rigeren Temperaturen gesintert werden.
Jede Zinkverbindung, jede Siliziumverbindung, jede alkalische Metallverbindung, jede Kupferverbindung, jede Vanadiumverbin­ dung, jede Manganverbindung und jede Tantalverbindung kann uneingeschränkt erfindungsgemäß verwendet werden.
Beispiele von Zinkverbindungen umfassen ZnO, ZnCl2, ZnS, Zn, Zn2SiO4 und Ba3Ti12Zn7O34.
Beispiele von Siliziumverbindungen umfassen SiO2, Na4SiO4 und Si.
Beispiele von alkalischen Metallverbindungen umfassen Li2O, Li2SO4.H2O, Li3PO4, LiNO3, Li2C2O4 und Li2CO3. Alkalische Metalle der alkalischen Metallverbindungen sind in der Erfindung nicht eingeschränkt und schließen Lithium, Natrium und Kalium ein. Darunter ist Lithium vorzuziehen.
Beispiele von Kupferverbindungen umfassen CuO, Cu, CuSO4, Cu2O und CuCl.
Beispiele von Vanadiumverbindungen umfassen V2O5, VOCl3 und VOCl2.
Beispiele von Wismutverbindungen umfassen Bi2O3, BiCl3, Bi und BiC6H5O7.
Beispiele von Zinkverbindungen umfassen MnO2, MnCO3 und MnCl2.4H2O.
Beispiele von Tantalverbindungen umfassen Ta2O5, TaCl5 und Ta.
Wie oben beschrieben, weist die dielektrische Keramikzusam­ mensetzung nach der Erfindung die Hauptkomponenten und die Hilfskomponenten auf. Bei der Herstellung der dielektrischen Keramikzusammensetzung werden Rohmaterialien für die Haupt- und Hilfskomponenten gewogen, pulverisiert, gemischt, kalzi­ niert und dann erneut pulverisiert, um kalziniertes Pulver zu bilden. Das kalzinierte Pulver wird in eine vorher gewählte Form gebracht und gesintert.
Die dielektrische Keramikzusammensetzung nach der Erfindung kann bei einer niedrigen Temperatur gesintert werden, d. h. bei einer Temperatur von nicht mehr als 900°C in einer Luft- oder Sauerstoffatmosphäre.
Die Rohmaterialien können Hydroxide, Karbonate oder Hydrate sein, die während des Sinterns Oxyde bilden.
Nach einem weiteren Erfindungsmerkmal weist ein monolithi­ sches Keramiksubstrat ein Keramiksubstrat auf, das dielektri­ sche Keramikschichten aufweist, welche die obige dielektri­ sche Keramikzusammensetzung und eine Mehrzahl von in den die­ lektrischen Keramikschichten ausgebildeten internen Elektro­ den aufweisen. Bei diesem monolithischen Keramiksubstrat werden die dielektrischen Keramikschichten aus der erfindungsge­ mäßen dielektrischen Keramikzusammensetzung gebildet und wei­ sen eine Mehrzahl von internen Elektroden auf. So kann das monolithische Keramiksubstrat bei einer niedrigen Temperatur von 1.000°C oder weniger gesintert werden und weist eine hohe Dielektrizitätskonstante, einen hohen Q-Wert und eine geringe Rate der Veränderung der dielektrischen Eigenschaften mit der Temperatur auf.
Insbesondere wird auf mindestens einer Fläche jeder der di­ elektrischen Keramikschichten eine zweite Keramikschicht mit einer Dielektrizitätskonstante, welche niedriger ist als die­ jenige der dielektrischen Keramikschichten, ausgebildet.
Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung wird die Mehrzahl von internen Elektroden zumindest teilweise mit den dazwischen angeordneten dielektrischen Keramikschichten gestapelt, um einen monolithischen Kondensator zu bilden.
Noch spezifischer umfaßt die Mehrzahl von internen Elektroden interne Kondensatorelektroden, welche einen Kondensator bil­ den, wobei mindestens Teile der dielektrischen Keramikschich­ ten dazwischen angeordnet sind, und spulenförmige Leiter, die, indem sie miteinander verbunden werden, eine laminierte Induktivität bilden.
Nach einem weiteren Merkmal der Erfindung weist eine elektro­ nische Keramikkomponente das obige monolithische Kera­ miksubstrat und mindestens ein elektronisches Element auf, das auf dem monolithischen Keramiksubstrat montiert ist und zusammen mit der Mehrzahl von internen Elektroden einen Schaltkreis bildet.
Eine Kappe wird bevorzugt in der Weise auf dem monolithischen Keramiksubstrat angebracht, daß die elektronischen Elemente umschlossen werden. Weiter vorzugsweise wird als Kappe eine leitende Kappe verwendet.
Insbesondere weist die keramische elektronische Komponente des weiteren eine Mehrzahl von externen Elektroden auf, die lediglich an der Unterseite des monolithischen Kera­ miksubstrats ausgebildet sind, und eine Mehrzahl von durch­ gängigen Leitern, welche elektrisch mit den externen Elektro­ den und mit den internen Elektroden oder dem elektronischen Element verbunden sind.
Nach einem weiteren Erfindungsmerkmal weist eine monolithi­ sche elektronische Keramikkomponente einen gesinterten Kera­ mikkörper auf, welcher die oben beschriebene dielektrische Keramikzusammensetzung, eine Mehrzahl von internen in dem gesinterten Keramikkörper angeordneten Elektroden und eine Mehrzahl von auf den Außenflächen des gesinterten Keramikkör­ pers ausgebildeten externen Elektroden aufweist, welche je­ weils mit einer der internen Elektroden verbunden sind.
Insbesondere werden die internen Elektroden mit den dazwi­ schen angeordneten Keramikschichten in der Weise überlappend angeordnet, daß eine Kondensatoreinheit gebildet wird.
Vorzugsweise weist die Mehrzahl von internen Elektroden die die Kondensatoreinheit bildende interne Elektrode und eine Mehrzahl von spulenförmige Leitern auf, die miteinander elek­ trisch verbunden sind, um eine laminierte Induktoreneinheit zu bilden.
Weitere erfindungswesentliche Merkmale und Vorteile der Er­ findung gehen aus der nachstehenden Beschreibung hervor, in der mit Bezug auf die Zeichnungen Ausführungsbeispiele erläu­ tert werden. In den Zeichnungen zeigen
Fig. 1 eine Längsschnittansicht eines monolithischen Kera­ mikmoduls als elektronische Keramikkomponente, bei der ein Ausführungsbeispiel der Erfindung als mono­ lithisches Keramiksubstrat verwendet wird;
Fig. 2 eine Explosionszeichnung des in Fig. 1 gezeigten monolithischen Keramikmoduls;
Fig. 3 eine Explosionszeichnung von Keramikgrünfolien und darauf ausgebildeten Elektrodenmustern, die einge­ setzt werden, um eine monolithische elektronische Keramikkomponente entsprechend dem zweiten Ausfüh­ rungsbeispiel der Erfindung herzustellen;
Fig. 4 eine perspektivische Ansicht der monolithischen elektronischen Keramikkomponente entsprechend dem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung; und
Fig. 5 ein Schaltkreisdiagramm der in Fig. 4 gezeigten mo­ nolithischen elektronischen Keramikkomponente.
Die dielektrische Keramikzusammensetzung nach der Erfindung wird nun unter Bezugnahme auf folgende Beispiele beschrieben. Das monolithische Keramiksubstrat, die elektronische Keramik­ komponente und die monolithische elektronische Keramikkompo­ nente nach der Erfindung werden unter Bezugnahme auf die fol­ genden Beispiele beschrieben.
Als Ausgangsmaterialien wurden BaCO3, TiO2 und ZrO2 entspre­ chend den in den Tabellen 1 bis 6 angegebenen Formulierungen gemischt, um zusammengesetzte Mischungen zu bilden. Jede Mi­ schung wurde in einer Kugelmühle 16 Stunden lang naß ge­ mischt, dann dehydriert, getrocknet und während 2 Stunden bei 1.200°C kalziniert, um ein kalziniertes Material für die Hauptkomponente vorzubereiten.
Als Rohmaterialien für die Hilfskomponenten wurden ZnO, Li2CO3, SiO2, V2O5 oder B2O3, CuO, Ta2O5 und MnCO3 zusammen mit dem oben erwähnten kalzinierten Material für die Hauptkompo­ nenten entsprechend den in den Tabellen 1 bis 6 angegebenen Formulierungen zur Bildung von Keramikmischungen vermischt. Jede Mischung wurde in einer Kugelmühle 16 Stunden lang naß gemischt, um eine Keramikpaste zu bilden. Die Keramikpaste wurde getrocknet, um eine pulverförmige Mischung vorzuberei­ ten. Die pulverförmige Mischung wurde unter einem Druck von 200 MPa ausgeformt, um ein Plättchen mit einem Durchmesser von 10 mm und einer Stärke von 5 mm auszubilden. Das grüne Kompaktplättchen wurde 2 Stunden lang bei 900°C gesintert, um ein gesintertes Plättchen zu bilden.
Die spezifische Dielektrizitätskonstante εr bei einer Reso­ nanzfrequenz (ungefähr 8 GHz), der Q-Wert und der Resonanz­ frequenz-Temperaturkoeffizient τf jedes gesinterten Plätt­ chens wurden durch ein dielektrisches Resonatorverfahren ge­ messen (an beiden Enden eines dielektrischen Resonators kurz­ geschlossen), d. h. nach dem Hakki & Coleman-Verfahren. Die Ergebnisse werden in den Tabellen 1 bis 6 angegeben.
Unter Verwendung der oben beschriebenen Keramikpaste wurden Keramikgrünfolien, die jeweils eine Stärke von 50 µm hatten, unter Einsatz eines Abstreichmesserverfahrens ausgeformt. Ein Silberelektrodenmuster wird auf jede Keramikgrünfolie aufge­ druckt, um ein Laminat für die monolithische Keramikkomponen­ te zu bilden. Das Laminat wurde 30 Minuten lang bei 900°C gesintert, um einen rechteckigen parallelepipedonförmigen mo­ nolithischen Kondensator zu bilden.
An den rechteckigen parallelepipedonförmigen monolithischen Kondensator wurde eine Spannung von 50 Volt angelegt, und er wurde während 200 Stunden in einer Atmosphäre bei 120°C, ei­ ner relativen Luftfeuchtigkeit von 95% und 2 Atmosphären ausgesetzt, und es wurde der Isolierwiderstand der Probe ge­ messen. Proben mit Isolierwiderständen von 1010 Ω.cm oder weniger wurden als Proben mit geringer Feuchtigkeitsfestig­ keit eingestuft, und sie wurden in der Spalte Bemerkungen der Tabellen 1 bis 3 als Proben mit "niedriger Feuchtigkeitsfe­ stigkeit (LHR - low humidity resistance)" eingetragen.
In den Tabellen 1 bis 6 liegen Proben, die mit * gekennzeich­ net wurden, außerhalb des Rahmens der Erfindung liegen.
Wie in den Tabellen 1 bis 6 gezeigt, kann die dielektrische Keramikzusammensetzung nach der Erfindung dadurch gebildet werden, daß bei niedrigen Temperaturen von 1000°C oder weni­ ger gesintert wird, und sie weist bei ca. 8 GHz einen Q-Wert von 1.200 oder mehr sowie eine spezifische Dielektrizitäts­ konstante von ca. 25 oder mehr auf.
In den Tabellen 1 bis 6 wird der Anteil an Hilfskomponenten durch Gewichtsanteile bezogen auf 100 Gewichtsanteile der Hauptkomponente dargestellt.
Bei Probe 45 wurde verglastes Li2O-CuO-ZnO-SiO2-V2O5 als Hilfskomponente beigegeben, und bei Probe 145 wurde vergla­ stes Li2O-CuO-ZnO-SiO2-Bi2O3 als Hilfskomponente hinzugefügt.
Wie oben beschrieben kann die dielektrische Keramikzusammen­ setzung nach der Erfindung bei einer geringen Temperatur gesintert werden. Somit kann die dielektrische Keramikzusam­ mensetzung zusammen mit preiswerten Materialien mit geringem Widerstand gesintert werden, und es kann durch Laminieren der Folien der dielektrischen Keramikzusammensetzung ein mono­ lithischer Hochfrequenzresonator ausgebildet werden.
Nunmehr werden bevorzugte Ausführungsbeispiele des monolithi­ schen Keramiksubstrats unter Verwendung der erfindungsgemäßen dielektrischen Keramikzusammensetzung beschrieben.
Fig. 1 ist eine Querschnittsansicht eines monolithischen Ke­ ramikmoduls in Form einer elektronischen Keramikkomponente, welche ein monolithisches Keramiksubstrat nach einem Ausfüh­ rungsbeispiel der Erfindung aufweist, und Fig. 2 ist eine Ex­ plosionszeichnung des genannten monolithischen Keramikmoduls.
Das monolithische Keramikmodul 1 weist das monolithische Ke­ ramiksubstrat 2 auf. Das monolithische Keramiksubstrat 2 weist isolierende Keramikschichten 3a und 3b und dazwischen angeordnete dielektrische Keramikschichten 4 auf. Die dielek­ trischen Keramikschichten 4 bestehen aus der dielektrischen Keramikzusammensetzung nach der Erfindung und haben eine re­ lativ hohe Dielektrizitätskonstante.
Keramikmaterialien für die isolierenden Keramikschichten 3a und 3b sind nicht eingeschränkt, solange die Dielektrizitäts­ konstanten derselben niedriger sind als die der dielektri­ schen Keramikschichten 4. Beispiele von Keramikmaterialien umfassen Aluminiumoxyd und Quarz.
Eine Mehrzahl von internen Elektroden 5 ist auf den dielek­ trischen Keramikschichten 4 in dem monolithischen Kera­ miksubstrat 2 angeordnet, um monolithische Kondensatoreinhei­ ten C1 und C2 zu bilden. Eine Mehrzahl von durch Bohrungen geführten Elektroden 5 und 6a und interne Anschlüsse werden in den isolierenden Keramikschichten 3a und 3b und in den dielektrischen Keramikschichten 4 ausgebildet.
Elektronische Elemente 9 und 11 werden auf dem monolithischen Keramiksubstrat 2 montiert. Elektronische Elemente, wie z. B. Halbleitervorrichtungen und monolithische Chipkondensatoren, können als elektronische Elemente 9 bis 11 verwendet werden. Die durch Bohrungen geführten Elektroden 6 und die internen Anschlüsse verbinden die elektronischen Elemente 9 bis 11 elektrisch mit den Kondensatoreinheiten C1 und C2, so daß ein Schaltkreis des monolitischen Keramikmoduls 1 nach der Erfin­ dung ausgebildet wird.
Eine leitende Kappe 8 ist auf der oberen Seite des monolithi­ schen Keramiksubstrats 2 angeordnet. Die leitende Kappe 8 ist elektrisch mit den durch Bohrungen geführten Elektroden 6 verbunden, welche sich vertikal durch das monolithische Kera­ miksubstrat 2 erstrecken. Die externen Elektroden 7 werden an der Unterseite des monolithischen Keramiksubstrats 2 ausge­ bildet und sind mit den durch Bohrungen geführten Elektroden 6 bzw. 6a elektrisch verbunden. Zusätzlich werden weitere (in der Zeichnung nicht gezeigte) externe Elektroden an der Un­ terseite des monolithischen Keramiksubstrats 2 ausgebildet und über die internen Anschlüsse mit den elektronischen Ele­ menten 9 bis 11 und den Kondensatoreinheiten C1 und C2 elek­ trisch verbunden.
Da die externen Elektroden 7 lediglich an der Unterseite des monolithischen Keramiksubstrats 2 ausgebildet werden, kann das monolithische Keramikmodul mühelos auf eine Leiterplatte montiert werden, indem die Unterseite verwendet wird.
Da die Kappe 8 aus leitendem Material besteht und mit den ex­ ternen Elektroden über die durch Bohrungen geführten Elektro­ den 6a elektrisch verbunden ist, kann die leitende Kappe 8 die elektronischen Elemente 9 bis 11 elektromagnetisch ab­ schirmen. Die Kappe 8 kann jedoch aus einem anderen Material als einem leitenden Material bestehen.
Da das monolithische Keramikmodul 1, bei diesem Ausführungs­ beispiel die aus der dielektrischen Keramikzusammensetzung nach der Erfindung gebildeten Kondensatoreinheiten C1 und C2 in dem monolithischen Keramiksubstrat 2 aufweist, können die internen Elektroden 5, die externe Anschlüsse bildenden Elek­ troden und die durch Bohrungen geführten Elektroden 6 und 6a aus einem preiswerten Material mit niedrigem Widerstand, wie z. B. Silber oder Kupfer, hergestellt werden. Somit können die internen Elektroden 5, die Elektroden für externe Anschlüsse, und die durch Bohrungen geführten Elektroden 6 und 6a aus ei­ nem preiswerten Metall mit geringem Widerstand, wie z. B. Sil­ ber oder Kupfer, durch Sintern in einem Arbeitsgang ausge­ formt werden. Da die Kondensatoreinheiten C1 und C2 in dem durch das in einem Arbeitsgang erfolgende Sintern vorbereite­ ten monolithischen Keramiksubstrat 2 ausgeformt werden kön­ nen, ist es möglich, das monolithische Keramikmodul 1 zu mi­ niaturisieren. Da die dielektrischen Keramikschichten 4 aus der dielektrischen Keramikzusammensetzung nach der Erfindung bestehen, haben die dielektrischen Keramikschichten 4 eine hohe Dielektrizitätskonstante und einen hohen Q-Wert. Demzu­ folge ist das monolithische Keramikmodul 1 für den Einsatz im Hochfrequenzbereich geeignet.
Das monolithische Keramiksubstrat 2 kann durch einen an sich bekannten, in einem Arbeitsgang erfolgenden Keramiksinterungsprozeß ausgebildet werden. Aus der dielektrischen Kera­ mikzusammensetzung nach der Erfindung bestehende Keramikgrün­ folien werden vorbereitet. Ein vorherbestimmtes Elektrodenmu­ ster für die internen Elektroden 5, externe Anschlüsse, und die durch Bohrungen geführten Elektroden 6 und 6a werden auf jede Keramikgrünfolie aufgedruckt. Diese Keramikgrünfolien werden laminiert. Elektrodenmuster für die externen Anschlüs­ se und die durch Bohrungen geführten Elektroden 6 und 6a wer­ den auf einer vorherbestimmten Anzahl weiterer Keramikgrünfo­ lien für untere und obere isolierende Keramikschichten 3a und 3b ausgebildet. Diese Keramikgrünfolien werden laminiert und in Richtung der Dicke komprimiert. Das Laminat wird gesin­ tert, um das monolithische Keramiksubstrat 2 zu bilden.
Bei den monolithischen Kondensatoreinheiten C1 und C2 werden dielektrische Keramikschichten mit hoher Dielektrizitätskon­ stante zwischen den beiden nebeneinanderliegenden internen Elektroden 5 angeordnet, um elektrostatische Kapazitäten zu erzeugen. Damit kann eine relativ große elektrostatische Ka­ pazität zwischen den internen Elektroden 5, welche relativ kleine Flächen haben, erzeugt werden. Als Ergebnis kann die Vorrichtung miniaturisiert werden.
Die Fig. 3 bis 5 sind eine Explosionszeichnung, eine per­ spektivische Ansicht von außen bzw. ein Schaltkreisdiagramm der monolithischen elektronischen Keramikkomponente als zwei­ te Ausführungsform der Erfindung.
Die monolithische elektronische Keramikkomponente 20, welche in Fig. 4 gezeigt wird, ist ein LC-Filter. Ein Induktanzen L und eine elektrostatische Kapazität C bildender Schaltkreis wird, wie nachstehend beschrieben, in einem gesinterten Kera­ mikkörper 21 ausgebildet. Der gesinterte Keramikkörper 21 be­ steht aus einer dielektrischen Hochfrequenz-Keramikzusammen­ setzung nach der Erfindung. Externe Elektroden 23a, 23b, 24a und 24b werden an den Außenflächen des gesinterten Keramik­ körpers 21 ausgebildet. Ein LC-Resonanzschaltkreis wird zwi­ schen den externen Elektroden 23a, 23b, 24a und 24b gebildet.
Die Konfiguration des gesinterten Keramikkörpers 21 ergibt sich aus dem zur Herstellung desselben verwendeten Verfahren, das unter Bezugnahme auf Fig. 3 beschrieben wird.
Ein organischer Träger wird der erfindungsgemäßen dielektri­ schen Keramikzusammensetzung beigegeben, um eine Keramikpaste zu bilden. Eine Keramikgrünfolie wird durch ein an sich be­ kanntes Folien bildendes Verfahren unter Verwendung der Kera­ mikpaste ausgeformt. Die Keramikgrünfolie wird getrocknet und in vorherbestimmte rechteckige Keramikgrünfolien 21a bis 21m ausgestanzt, welche eine vorherbestimmte Größe haben.
Bohrungen für die durch Bohrungen geführten Elektroden 28 werden in den Keramikgrünfolien 21a bis 21m entsprechend ei­ nem vorherbestimmten Muster ausgebildet. Eine leitende Paste wird durch Offset-Druck aufgebracht, um spulenförmige Leiter 26a und 26b, interne Elektroden 27a bis 27c für Kondensato­ ren, spulenförmige Leiter 26d und 26d zu bilden und wird gleichzeitig in die Bohrungen eingegeben, um die durch Boh­ rungen geführten Elektroden 28 zu bilden.
Die Keramikgrünfolien 21a bis 21m werden, wie in der Zeich­ nung dargestellt, laminiert und in der Richtung der Dicke komprimiert, um ein grünes Laminat zu bilden.
Das grüne Laminat wird gesintert, um einen gesinterten Kera­ mikkörper 21 zu bilden. Die externen Elektroden 23a bis 24b werden, wie in Fig. 4 gezeigt, auf dem gesinterten Keramik­ körper 21 durch ein einen Dünnfilm bildendes Verfahren, wie Beschichten, Brennen, Aufdampfen, Plattieren oder Zerstäuben, ausgeformt. Damit wird eine monlithische Keramikkomponente hergestellt.
Wie in Fig. 3 gezeigt, bilden die spulenförmigen Leiter 26a und 26b eine in Fig. 5 gezeigte Induktanzeinheit L1, die spu­ lenförmigen Leiter 26c und 26d bilden eine weitere Induk­ tanzeinheit L2, und die 27a bis 27c bilden einen Kondensator C.
Da die monolithische elektronische Keramikkomponente 20 in dieser Ausführungsform einen LC-Filter aufweist und der gesinterte Keramikkörper 21 aus der erfindungsgemäßen dielek­ trischen Keramikzusammensetzung besteht, kann die monolithi­ sche elektronische Keramikkomponente 20 bei geringer Tempera­ tur durch einen in einem Arbeitsgang erfolgenden Sinterungs­ prozeß unter Verwendung eines Metalls mit niedrigem Schmelz­ punkt, wie z. B. Kupfer, Silber oder Gold, für die spulenför­ migen Leiter 26a bis 26c als interne Elektroden und für die internen Elektroden 27a bis 27c für den Kondensator verwendet werden. Der LC-Filter hat eine hohe spezifische Dielektrizi­ tätskonstante, einen hohen Q-Wert im Hochfrequenzbereich und eine geringe Veränderung beim Resonanzfrequenz-Temperatur­ koeffizienten τf und ist geeignet für Hochfrequenzbereiche.
Das monolithische Keramikmodul 1 und die monolithische elek­ tronische Keramikkomponente 20, die den LC-Filter bilden, werden als erste und zweite Ausführungsform beschrieben. Die elektronische Keramikkomponente und die monolithische elek­ tronische Keramikkomponente nach der Erfindung sind jedoch nicht auf die obigen Ausführungsbeispiele beschränkt. Bei­ spielsweise ist die Erfindung auch anwendbar auf verschiedene monolithische Keramiksubstrate, wie z. B. ein monolithisches Keramiksubstrat für ein Multichipmodul und ein monolithisches Keramiksubstrat für einen hybriden IC; verschiedene elektronische Keramikkomponenten, bei denen elektronische Elemente auf monolithische Keramiksubstrate montiert werden; und mono­ lithische Chipelektronikkomponenten, wie z. B. monolithische Chipkondensatoren und monolithische dielektrische Chipanten­ nen.
Bei der erfindungsgemäßen dielektrischen Keramikzusammenset­ zung werden die spezifischen Mengen der Hilfskomponenten mit der durch die oben angegebene Formel dargestellten Hauptkom­ ponente vermischt. Diese dielektrische Keramikzusammensetzung kann zusammen mit preiswerten Metallen mit geringem Wider­ stand, wie z. B. Silber und Kupfer, bei 1000°C oder weniger gesintert werden. Somit können diese Metalle als interne Elektrodenmaterialien beispielsweise bei monolithischen Kera­ miksubstraten und monolithischen elektronischen Keramikkompo­ nenten verwendet werden. Als Ergebnis können die monolithi­ schen Keramiksubstrate und die monolithischen elektronischen Keramikkomponenten miniaturisiert werden.
Die dielektrische Keramikzusammensetzung weist eine hohe Di­ elektrizitätskonstante auf, d. h. von ca. 30 oder mehr, und einen hohen Q-Wert, d. h. ungefähr 2000 oder mehr bei 8 GHz. Darüber hinaus hat die dielektrische Keramikzusammensetzung einen kleinen Resonanzfrequenz-Temperaturkoeffizienten. Dem­ zufolge kann die dielektrische Keramikzusammensetzung zweck­ mäßigerweise bei Kondensatoren und LC-Resonanzschaltkreisen für Hochfrequenzeinsatz verwendet werden.
Da die dielektrische Keramikzusammensetzung kein B2O3 als Hilfskomponente enthält, hat die Zusammensetzung eine hohe Feuchtigkeitsfestigkeit und erleichtert die Herstellung von hochzuverlässigen Hochfrequenzelektronikkomponenten.
Wenn die spezifizierten Mengen von Manganverbindungen und Tantalverbindungen hinzugefügt werden, wird der Q-Wert weiter gesteigert.
Wenn in der Formel 4,30 ≦ x ≦ 4,45 und y ≦ 0,1, wird der Q- Wert weiter gesteigert.
Wenn zumindest jeweils eine der Zinkverbindungen, Silizium­ verbindungen, alkalischen Metallverbindungen, Kupferverbin­ dungen und Wismutverbindungen verglast und hinzugegeben wird, kann die Zusammensetzung bei einer niedrigeren Temperatur gesintert werden.
Das monolithische Keramiksubstrat nach der Erfindung weist ein Keramiksubstrat auf, welches die oben beschriebene di­ elektrische Keramikzusammensetzung enthaltende dielektrische Keramikschichten und eine Mehrzahl von in den dielektrischen Keramikschichten ausgebildeten internen Elektroden enthält. Dieses monolithische Keramiksubstrat kann bei einer niedrigen Temperatur gesintert werden, und preiswerte Metalle mit ge­ ringem Widerstand, wie z. B. Silber und Kupfer, können für die internen Elektroden verwendet werden. Da die dielektrischen Keramikschichten eine hohe Dielektrizitätskonstante, einen hohen Q-Wert und bei Temperaturänderungen eine geringe Verän­ derung bei der Resonanzfrequenz aufweisen, ist das monolithi­ sche Keramiksubstrat für den Hochfrequenzeinsatz geeignet. Da die dielektrischen Keramikschichten kein B2O3 als Hilfskompo­ nente enthalten, hat das monolithische Keramiksubstrat eine hohe Feuchtigkeitsfestigkeit und eine große Widerstandsfähig­ keit gegen Umwelteinflüsse.
Wenn eine zweite Keramikschicht mit geringerer Dielektrizi­ tätskonstante als die der dielektrischen Keramikschicht min­ destens auf einer Oberfläche der dielektrischen Keramikschicht aufgebracht wird, können die Festigkeit bzw. Umwelt­ eigenschaften durch die Zusammensetzung und den laminierten Zustand der zweiten Keramikschicht angepaßt werden.
Wenn eine Mehrzahl von internen Elektroden übereinandergesta­ pelt und Teile der dielektrischen Keramikschichten dazwischen angeordnet werden, kann mühelos eine große elektrostatische Kapazität gebildet werden. Da die dielektrische Keramikzusam­ mensetzung eine hohe Dielektrizitätskonstante hat, kann die jeweils gegenüberliegende Fläche jeder externen Elektrode re­ duziert werden. Als Ergebnis kann die Größe des Kondensator­ teils reduziert werden.
Wenn die Mehrzahl von internen Elektroden interne Kondensa­ torelektroden aufweist, die einen Kondensator bilden, bei dem zumindest Teile der dielektrischen Keramikschichten jeweils dazwischen angeordnet sind, und eine laminierte Induktivität durch miteinander verbundene spulenförmige Leiter gebildet wird, kann mühelos ein kompakter, für den Einsatz im Hochfre­ quenzbereich geeigneter LC-Resonanzschaltkreis hergestellt werden.
Die elektronische Keramikkomponente nach der Erfindung, die das erfindungsgemäße monolithische Keramiksubstrat nach der Erfindung und mindestens ein auf dem monolithischen Kera­ miksubstrat ausgebildetes elektronisches Element aufweist, kann miniaturisiert werden und ist für den Einsatz im Hoch­ frequenzbereich geeignet.
Wenn an dem monolithischen Keramiksubstrat eine Kappe ange­ bracht wird, so daß die elektronischen Komponenten umschlos­ sen werden, hat die elektronische Kermaikkomponente aufgrund der Schutzwirkung der Kappe eine überlegene Feuchtigkeitsfe­ stigkeit.
Wenn als Kappe eine Kappe aus leitendem Material verwendet wird, können die elektronischen Elemente elektromagnetisch abgeschirmt werden.
Wenn externe Elektroden lediglich an der Unterseite des mono­ lithischen Keramiksubstrats ausgebildet werden, kann die Un­ terseite des monolithischen Keramiksubstrats mühelos auf ei­ ner Leiterplatte montiert werden.
Da in der dielektrischen Keramikzusammensetzung der mono­ lithischen elektronischen Keramikkomponente eine Mehrzahl von internen Elektroden ausgebildet wird, kann die Komponente bei geringer Temperatur gesintert werden, und preiswerte Metalle mit geringem Widerstand, wie z. B. Silber und Kupfer, können als Material für interne Elektroden verwendet werden.

Claims (15)

1. Dielektrische Keramikzusammensetzung, mit
100 Gewichtsanteilen der durch die Formel BaO.x{(1 - y)TiO.yZrO2} darge­ stellten Hauptkomponente, wobei 3,5 ≦ x ≦ 4,5 und 0 ≦ y ≦ 0,2 ist, und der Hauptkomponente hinzugefügten Hilfskomponenten, die umfassen:
5 bis 30 Gewichtsanteile einer Zinkverbindung berechnet als ZnO,
0,5 bis 6 Gewichtsanteile einer Siliziumverbindung berechnet als SiO2,
0,1 bis 3 Gewichtsanteile einer Alkalimetallverbindung berechnet als Oxyd (R2O), wobei R ein Alkalimetall ist,
0,1 bis 7 Gewichtsanteile einer Kupferverbindung berechnet als CuO und
eine Verbindung, die aus 0,1 bis 6 Gewichtsanteilen einer Vanadiumverbin­ dung berechnet als V2O5 und 0,1 bis 6 Gewichtsanteilen einer Wismutverbin­ dung berechnet als Bi2O3 ausgewählt ist.
2. Dielektrische Keramikzusammensetzung nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, dass die Hilfskomponenten des weiteren 0,5 Gewichtsanteile oder weniger einer Manganverbindung berechnet als MnO2 und 1,2 Gewichtsan­ teile oder weniger einer Tantalverbindung berechnet als Ta2O5 aufweisen.
3. Dielektrische Keramikzusammensetzung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass in der Formel BaO.x{(1 - y)TiO2.yZrO2} die Bezie­ hung 4,30 ≦ x ≦ 4,45 und 0 ≦ y ≦ 0,1 gilt.
4. Verfahren zur Herstellung einer dielektrischen Keramikzusammensetzung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine der Hilfskomponenten verglast und der Hauptkomponente hinzugefügt wird.
5. Verwendung der dielektrischen Keramikzusammensetzung nach einem der Ansprüche 1 bis 4 zur Herstellung eines Keramiksubstrats (2), wobei dielektri­ schen Keramikschichten (4) aus einer dielektrischen Keramikzusammenset­ zung nach einem der Ansprüche 1 bis 4 ausgebildet werden, in denen eine Mehrzahl interner Elektroden ausgeformt sind.
6. Verwendung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass eine zweite Keramikschicht (3a, 3b) mit einer Dielektrizitätskonstante, die niedriger ist als die der dielektrischen Keramikschichten (4), auf mindestens einer Seite jeder der dielektrischen Keramikschichten (4) ausgebildet wird.
7. Verwendung nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass eine Mehrzahl von internen Elektroden (5) vorgesehen wird, um einen Kondensator zu bilden.
8. Verwendung nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass eine Mehrzahl von internen Elektroden vorgesehen wird, um einen spulenförmigen Leiter (26a, 26b) zu bilden.
9. Verwendung der dielektrischen Keramikzusammensetzung nach einem der Ansprüche 1 bis 6 zur Herstellung einer elektronischen Keramikkomponente, die ein monolithisches Keramiksubstrat nach einem der Ansprüche 5 bis 8, und mindestens ein elektronisches Element (9, 11) aufweist, das auf dem mo­ nolithischen Keramiksubstrat (2) montiert wird und zusammen mit einer Mehr­ zahl von internen Elektroden (6) einen Schaltkreis bildet.
10. Verwendung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass des weiteren eine Kappe (8) in der Weise an dem monolithischen Keramiksubstrat (2) befe­ stigt wird, dass die elektronischen Elemente (9, 11) umschlossen werden.
11. Verwendung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die genannte Kappe eine leitende Kappe (8) ist.
12. Verwendung nach einem der Ansprüche 9 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass eine Mehrzahl von an der Unterseite des monolithischen Keramiksub­ strats (2) ausgebildeten externen Elektroden (7), und eine Mehrzahl von durchgängigen Leitern, die mit den externen Elektroden und mit den internen Elektroden oder dem elektronischen Element elektrisch verbunden sind.
13. Verwendung des Keramiksubstrats nach Anspruch 5 zur Herstellung einer monolithischen elektronischen Komponente, wobei eine Mehrzahl von an Au­ ßenflächen des gesinterten Keramiksubstrats ausgebildeten externen Elektro­ den jeweils mit einer der internen Elektroden (5) elektrisch verbunden wird.
14. Verwendung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Mehrzahl von internen Elektroden (5) mit den dazwischen angeordneten Keramik­ schichten in der Weise überlappend angeordnet sind, dass eine Kondensa­ toreinheit (C1, C2) gebildet wird.
15. Verwendung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Mehrzahl von internen Elektroden eine interne Elektrode aufweist, welche eine Konden­ satoreinheit bildet, und eine Mehrzahl von spulenförmigen Leitern, die elek­ trisch miteinander verbunden sind, um eine laminierte Induktivität zu bilden.
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