JP2007534579A - 安定化された理想的酸素析出シリコンウエハを製造する方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、一般に、電子部品の製造に用いられる半導体材料基材、特にシリコンウエハの製造に関する。特に、本発明は、安定化された酸素析出物、即ち1150℃を越えない温度へ急速に加熱されることに十分に耐える酸素析出物の寸法の理想的な不均一な深さ分布を形成するようにシリコンウエハを処理する方法に関する。
従って、本発明の目的には、1150℃を越えない温度へ急速に加熱されることに耐える酸素析出核形成中心の理想的な不均一深さ分布を有する単結晶シリコンウエハを製造する方法を提供すること;ウエハを核形成させ、酸素析出核形成中心を成長させるための独立した熱処理に付することなく、酸素析出核形成中心の理想的な不均一な深さの分布を有するウエハを製造する方法を提供すること;そのようなウエハにおいて析出物の無い領域の深さを調節する方法を提供すること;そのようなウエハにおいて安定化された酸素析出核形成中心の濃度プロファイルを制御するための方法を提供することが含まれる。
本発明によって、本質的にいずれかの電子デバイスを製造する方法の間に、イントリンシック・ゲッタリングのために十分な密度の酸素析出物を含むウエハバルク及び十分な深さのデヌーデッドゾーン(又は酸素析出物のない領域)を形成し得る、理想的な析出を行うウエハが見出された。有利なことに、この理想的な析出ウエハは、半導体シリコン製造工業において共通して用いられるツールを用いて、数分間で(又は短時間で)調製することができる。この方法によって、シリコン中に、酸素が最終的に析出することになる様式を決定又は「プリント」する「テンプレート(template)」が形成される。本発明において、このテンプレートを形成する方法は、ウエハバルク部に生成した酸素析出核形成中心が、間に熱安定化アニーリングを介在させることなく、その後の急速な熱処理(例えば、エピタキシャルデポジション及び/又は酸素注入)の後でも残存する(survive)ことができるように安定化されるように、制御される。換言すれば、ウエハが約1150℃を越えない温度へ急速に加熱されたとしても、本願発明の方法の間に生成した酸素析出核形成中心は、溶解しない程度に十分な大きさを有している。
本発明の理想的析出ウエハのための出発物質は、常套のチョクラルスキー結晶成長方法に従って成長させた単結晶インゴットからスライスされた単結晶シリコンウエハである。そのような方法は、シリコンのスライス、ラッピング、エッチング及びポリッシングの標準的な技術を含めて、F.Shimuraの「Semiconductor Silicon Crystal Technology」、Academic press, Inc., 1989年及びSilicon Chemical Etching(J. Grabmaier編)、Springer-Verlag, New York, 1982年(引用することによって本明細書に含めることとする)に開示されている。本発明のための出発物質は、ポリッシングされたシリコンウエハ、又は、ラッピング及びエッチングされているが、ポリッシングされていないシリコンウエハであってよい。更に、ウエハは、優勢な真性点欠陥として空孔又は自己格子間点欠陥を有することができる。例えば、ウエハは、中央部から周縁部にかけて空孔が優勢に存在していてもよいし、又は中央部から周縁部にかけて自己格子間原子が優勢に存在していてもよいし、あるいは、軸対称的なリングの形態の自己格子間原子優勢材料によって囲まれた空孔優勢材料の中央コアを有していてもよい。
本発明によれば、ウエハを熱処理工程、工程S2(場合によって行う工程S1については、より後段の部分にて説明する)に付することによって、ウエハを高温に加熱して、ウエハ1内において結晶格子空孔13を形成させ、及びそれによってその数密度を増大させる。この熱処理工程は、ウエハを目標温度TAへ急速に加熱し、その温度にて比較的短時間でアニーリング処理することが好ましい。例えば、ラピッド・サーマル・アニーラー(rapid thermal annealer)は、ウエハを室温から1200℃の温度へ数秒間で加熱することができる。そのような市販のRTA炉の1つには、STEAG AST Electronic GmbH(Dornstadt、ドイツ)から市販されているモデル2800炉がある。一般に、ウエハは、1150℃を越える温度であって、約1400℃以下の温度に付される。一般に、ウエハは、約1200℃〜1400℃の範囲の温度、より典型的には約1250℃〜1400℃の温度に加熱される。1つの態様では、温度TAは、約13000℃〜約1400℃の範囲の温度である。もう1つの態様では、温度TAは、約13500℃〜約1400℃の範囲の温度である。
工程S2が完了すると、ウエハは工程S3aにて、ウエハ中に不均一な空孔濃度プロファイルを形成するために、単結晶シリコン中で結晶格子空孔が比較的移動し得る温度範囲を通り、急速冷却される。この温度範囲は、プロファイル形成温度範囲(profile-formation temperature range)と称することができ、一般に、アニーリング温度TAから、移動し得る結晶格子空孔が酸化され、酸化された結晶格子空孔が核形成して、酸素析出核形成中心を形成し、酸素析出核形成中心が寸法を増大する(以下において詳細に説明する)ことができるような、核形成温度範囲内の温度にわたっている。
ウエハを急速冷却して、工程3aにおいて不均一な空孔濃度プロファイルを形成した後、工程3bは、移動し得る結晶格子空孔が酸化され、酸化された結晶格子空孔が核形成して、酸素析出核形成中心を形成し、酸素析出核形成中心が寸法を増大するような温度範囲内にウエハを維持すること、および/またはその温度範囲を通してウエハの冷却を制御することを含んでいる。工程3bの間、ウエハは、酸素析出物を安定化させるのに十分な時間tnで、いわゆる核形成温度範囲Tnに維持される、および/または、その範囲を通して冷却される(即ち、酸素析出物は、約1150℃までの温度にて溶解することができない寸法である)。
である。ラピッド・サーマル・アニーリング工程の間、TAは、シリコンの融点に近づくようにならず、CVOの値は比較的低い(1013cm−3以下)、例えば(1014cm−3のオーダーである)結晶成長によって組み入れられる値よりも実質的に低い。低いCVOでは、主として酸素によって空孔が結合され、酸化物粒子(酸素原子と空孔との結合凝集物)を形成することによって、空孔の生成が抑制される。工程S3bを除いて本発明と同様の方法に付されたシリコンにおいて、酸化物粒子の寸法は、空孔の外方拡散を防止するための高い冷却速度(例えば、20〜50℃/秒)によって、単に数原子程度である。対照的に、工程S3aの間にウエハを急速冷却することによって空孔濃度プロファイルを形成した後、本発明の工程S3bは、空孔がウエハ表面へ外方拡散しようとする傾向に反して、初期空孔濃度がCVOに近いウエハバルク部では、成長と酸化物粒子核形成の現象とを調和させる。従って、シリコン内の空孔濃度とアニーリング温度とに応じて、核形成温度範囲及び核形成持続時間tnは、導入された空孔濃度プロファイルが実質的に緩和されることなく、空孔に関連する反応(例えば、酸化、核形成及び成長)が進行するように選択される。例えば、核形成温度範囲及び核形成持続時間は、方法のこの核形成/成長部分の間における酸化された空孔および/または空孔の拡散長さが約200μm以下であるように、一般に制御される。
を解くことによって求められる。この式において、Iはある瞬間t’における核形成速度であり、Rはある瞬間t’において核形成された粒子の半径であり、瞬間t’から現在の瞬間tへの間の時間で成長し、DVOは酸素拡散率であり、γは消費された酸素原子1個あたりの消費された空孔の数である(γは約0.5である)。式(2)において、時間についての積分は、0からtまでである。酸化物粒子の核形成速度Iは、定常状態核形成速度について常套の表現によって特定される。この場合に、核形成は、寸法軸n(クラスター中の酸素原子の数)に沿ったランダム・ウォークであるが、その時点で消費された空孔の数はn、T及びCVの関数である。今日の空孔濃度CVは、すべての形態の空孔−遊離した空孔及び空孔−酸素種VO2(結合空孔)の両者によって構成される。核形成は、Tに依存し及び酸素濃度COXに依存するCVの一部を構成する遊離空孔によって制御される。COXについては、固定された値の8×1017cm−3が採用された。
工程S4において、ウエハを酸素析出物成長熱処理に付して、酸素析出物の中に酸素析出核形成中心を成長させる。例えば、ウエハは、約800℃〜約1000℃の範囲の温度にて16時間でアニーリングすることができる。別法として及び好ましくは、ウエハは、電子デバイス製造方法の最初の工程として、約800℃〜約1000℃の範囲の温度に加熱される炉の中に装入することができる。温度を800℃又はそれ以上に上昇させる場合、酸素析出核形成中心は空孔及び格子間酸素を消費することによって酸素析出物の中で成長し続ける一方で、表面近くの領域では、酸素析出核形成中心は形成されず、何も起こらない。
比較的均一な空孔濃度プロファイルを形成するように選択された1種またはそれ以上の気体からなる雰囲気にウエハをさらす上述した態様例の別法として、工程2,3aおよび/または3bの間に、均一でない空孔濃度プロファイルを与えるように、ウエハをさらす雰囲気の1種またはそれ以上の気体を選択することができる。例えば、1つの態様例において、わずかに自然の酸化物層を有する出発ウエハを窒化性雰囲気中で熱処理することによって、均一でない空孔濃度プロファイルを形成することもできる。特にそのようなウエハの前方表面及び後方表面を窒素にさらすことによって、ウエハの断面について一般に「U字形状」である、空孔濃度(数密度)プロファイルが得られる。すなわち、空孔の最大濃度は、前方表面及び後方表面の数マイクロメートルのところ又はそれ以内で生じることになり、比較的一定でより小さい濃度がウエハバルク部全体にわたって生じ、ウエハバルク部の最小濃度は、最初は、向上した酸化物層を有するウエハにおいて得られる濃度にほぼ等しいことになる。更に、アニーリング時間の増加は、自然な酸化物層以上のものを欠いて、ウエハ中の空孔濃度の増加を生じるであろう。
本発明の1つの態様例において、理想的析出ウエハの表面にエピタキシャル層を析出させることができる。本発明の上述した酸素析出物核形成及び安定化プロセスは、エピタキシャル析出の前または後のいずれかに実施することができる。安定した酸素析出核形成中心を形成することによって、導入された析出物プロファイルを熔融させることなく、エピタキシャル析出プロセスを実施することができることが有利である。
単結晶シリコン中の結晶格子空孔の測定は、白金拡散分析(platinum diffusion analysis)によって実施することができる。一般に、白金拡散においてFrank-Turnbull機構が優勢となるが、白金原子によって空孔修飾の安定状態に到達するのに十分であるように選択されるのが好ましい拡散の時間及び温度で、サンプルに蒸着し、水平表面に拡散する。本発明について典型的な空孔濃度を有するウエハについては、730℃及び20分間の拡散温度及び時間を使用することができるが、より低い温度、例えば約680℃でもより正確なトラッキングが達成できるようである。白金拡散技術は、例えばJacobら、J. Appl. Phys., vol. 82, 第182頁 (1997年); Zimmermann及びRyssel、"The Modeling of Platinum Diffusion In Silicon Under Non-Equilibrium Conditions, "J. Electrochemical Society, vol. 139, 第256頁(1992年); Zimmermann, Goesele, Seilenthal及びEichiner,"Vacancy Concentration Wafer Mapping InSilicon,"Journal of Crystal Growth, vol. 129, 第582頁(1993年)、Zimmermann 及び Falster,"Investigation Of The Nucleation of Oxygen Precipitates in Czochralski Silicon At An EarlyStage,"Appl. Phys. Lett., vol. 60, 第3250頁(1992年);並びにZimmermann及びRyssel, Appl. Phys. A, vol. 55, 第121頁(1992年)に説明されている。
Claims (22)
- 制御された酸素析出物挙動を有する単結晶シリコンウエハを製造する方法であって、
チョクラルスキー法によって成長させた単結晶シリコンインゴットからスライスされたウエハであって、前方表面、後方表面、前記前方表面及び後方表面の間の中央平面、該前方表面と、該前方表面から中央平面の方へ測定した距離Dとの間のウエハの領域を有する前方表面層、及び中央平面と前方表面層との間のウエハの領域を含んでなるバルク層を有するウエハを選択する工程;
前記ウエハを、アニーリング温度TAに加熱し、前方表面及びバルク層に結晶格子空孔を形成させる工程;
加熱したウエハを温度TAから上方核形成温度TUへ速度Rで冷却して、空孔のピーク濃度はバルク層にあり、濃度はピーク密度の位置からウエハの前方表面の向きに全体として減少する空孔濃度プロファイルをウエハに形成する工程;並びに、
空孔プロファイルされたウエハを、核形成時間tnの間、温度TU及び下側核形成温度TLによって境界が設けられる核形成温度範囲に維持し、表面層中に酸素析出核形成中心のない領域、及び、約1150℃以下の温度では溶解し得ないバルク層中に酸素析出核形成中心を生成させる工程
を含んでなる方法。 - TAは約1150℃以上である請求項1記載の方法。
- TAは約1200℃以上である請求項1記載の方法。
- TAは約1250℃〜約1400℃の範囲である請求項1記載の方法。
- TAは約1300℃〜約1400℃の範囲である請求項1記載の方法。
- TAは約1350℃〜約1400℃の範囲である請求項1記載の方法。
- Rは少なくとも約5℃/秒である請求項1記載の方法。
- Rは少なくとも約20℃/秒である請求項1記載の方法。
- Rは少なくとも約50℃/秒である請求項1記載の方法。
- Rは少なくとも約100℃/秒である請求項1記載の方法。
- Rは約100℃/秒〜約200℃/秒の範囲である請求項1記載の方法。
- Rは約30℃/秒〜約80℃/秒の範囲である請求項1記載の方法。
- Rは約40℃/秒〜約50℃/秒の範囲である請求項1記載の方法。
- TUは約920℃〜約1090℃の範囲であり、TLは約890℃〜約1080℃の範囲であり、TUとTLとの差は約40℃であって、TU及びTLが増加すると一般に減少し、tnは約10秒〜約360秒の範囲である請求項1記載の方法。
- TUは約970℃〜約1090℃の範囲であり、TLは約950℃〜約1080℃の範囲であり、TUとTLとの差は約25℃であって、TU及びTLが増加すると一般に減少し、tnは約10秒〜約90秒の範囲である請求項1記載の方法。
- TUは約1020℃〜約1090℃の範囲であり、TLは約1000℃〜約1080℃の範囲であり、TUとTLとの差は約20℃であって、TU及びTLが増加すると一般に減少し、tnは約10秒〜約30秒の範囲である請求項1記載の方法。
- TUは約1060℃〜約1090℃の範囲であり、TLは約1050℃〜約1080℃の範囲であり、TUとTLとの差は約15℃であって、TU及びTLが増加すると一般に減少し、tnは約10秒〜約15秒の範囲である請求項1記載の方法。
- 結晶格子空孔を形成する熱処理の前に、酸素含有雰囲気内でウエハを少なくとも約700℃の温度に加熱して、結晶格子空孔のためのシンクとして機能することができる表面二酸化ケイ素層を形成する請求項1記載の方法。
- バルク層に安定化された酸素析出核形成中心が形成された後、ウエハの少なくとも1つの表面にエピタキシャル層を析出させる請求項1記載の方法。
- 制御された酸素析出物挙動を有する単結晶シリコンウエハを製造する方法であって、
チョクラルスキー法によって成長させた単結晶シリコンインゴットからスライスされたウエハであって、前方表面、後方表面、前記前方表面及び後方表面の間の中央平面、該前方表面と、該前方表面から中央平面の方へ測定した距離Dとの間のウエハの領域を有する前方表面層、及び中央平面と前方表面層との間のウエハの領域を含んでなるバルク層を有するウエハを選択する工程;
前記ウエハを、少なくとも1300℃であるアニーリング温度TAに加熱し、前方表面及びバルク層に結晶格子空孔を形成させる工程;
加熱したウエハを温度TAから、約1020℃〜約1090℃の範囲である上方核形成温度TUへ約40〜50℃/秒の範囲の速度Rで冷却して、空孔のピーク密度はバルク層にあり、濃度はピーク密度の位置からウエハの前方表面の向きに全体として減少する空孔濃度プロファイルをウエハに形成する工程;並びに、
空孔濃度プロファイルされたウエハを、約10秒〜約30秒の範囲である核形成時間tnの間、温度TUと、約1000℃〜約1080℃の範囲である下側核形成温度TLとによって境界が設けられる核形成温度範囲に維持し、その場合に、温度TUとTLとの差は、約20℃以下であって、TU及びTLが上昇すると、一般に減少しており、表面層中に酸素析出核形成中心のない領域、及び、約1150℃以下の温度では溶解し得ないバルク層中に酸素析出核形成中心を生成させる工程
を含んでなる方法。 - 制御された酸素析出物挙動を有する単結晶シリコンウエハを製造する方法であって、
チョクラルスキー法によって成長させた単結晶シリコンインゴットからスライスされたウエハであって、前方表面、後方表面、前記前方表面及び後方表面の間の中央平面、該前方表面と、該前方表面から中央平面の方へ測定した距離Dとの間のウエハの領域を有する前方表面層、及び中央平面と前方表面層との間のウエハの領域を含んでなるバルク層を有するウエハを選択する工程;
前記ウエハを、少なくとも1350℃であるアニーリング温度TAに加熱し、前方表面及びバルク層に結晶格子空孔を形成させる工程;
加熱したウエハを温度TAから、約1060℃〜約1090℃の範囲である上方核形成温度TUへ約40〜50℃/秒の範囲の速度Rで冷却して、空孔のピーク密度はバルク層にあり、濃度はピーク密度の位置からウエハの前方表面の向きに全体として減少する空孔濃度プロファイルをウエハに形成する工程;並びに、
空孔濃度プロファイルされたウエハを、約10秒〜約15秒の範囲である核形成時間tnで、温度TUと、約1050℃〜約1080℃の範囲である下側核形成温度TLとによって境界が設けられる核形成温度範囲に維持し、その場合に、温度TUとTLとの差は、約15℃以下であって、TU及びTLが上昇すると、一般に減少しており、表面層中に酸素析出核形成中心のない領域、及び、約1150℃以下の温度では溶解し得ないバルク層中に酸素析出核形成中心を生成させる工程
を含んでなる方法。 - 制御された酸素析出物挙動を有する単結晶シリコンウエハを製造する方法であって、
チョクラルスキー法によって成長させた単結晶シリコンインゴットからスライスされたウエハであって、前方表面、後方表面、前記前方表面及び後方表面の間の中央平面、該前方表面と、該前方表面から中央平面の方へ測定した距離Dとの間のウエハの領域を有する前方表面層、中央平面と前方表面層との間のウエハの領域を含んでなるバルク層、及び前方表面及び後方表面の自然な酸化物層を有するウエハを選択する工程;
前記ウエハを窒素又は窒化性気体を含んでなる雰囲気にさらしながら、ウエハをアニーリング温度TAに加熱し、前方表面及びバルク層に結晶格子空孔を形成させる工程;
加熱したウエハを温度TAから上方核形成温度TUへ速度Rで冷却して、バルク層中の空孔のピーク密度は、濃度と共に、ピーク密度の位置からウエハの前方表面の向きに全体として減少する空孔濃度プロファイルをウエハに形成する工程;並びに
空孔濃度プロファイルされたウエハを核形成時間tnで温度TUと下側核形成温度TLとによって境界が設けられる核形成温度範囲に維持して、表面層中に酸素析出核形成中心のない領域、及び、約1150℃以下の温度では溶解し得ないバルク層中に酸素析出核形成中心を生成させる工程
を含んでなる方法。
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