JP2007531996A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002286636A (ja) * 2001-01-19 2002-10-03 Advantest Corp 化学物質検出方法及び装置
JP2005033173A (ja) * 2003-06-16 2005-02-03 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置の製造方法
KR100605942B1 (ko) * 2004-07-16 2006-08-02 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자용 금속 배선의 후처리 방법
US7862683B2 (en) * 2005-12-02 2011-01-04 Tokyo Electron Limited Chamber dry cleaning
JP2007287935A (ja) * 2006-04-17 2007-11-01 Toshiba Corp 気相成長装置とそれを用いた半導体装置の製造方法
US8292698B1 (en) 2007-03-30 2012-10-23 Lam Research Corporation On-line chamber cleaning using dry ice blasting
US20100024840A1 (en) * 2008-07-29 2010-02-04 Chang-Lin Hsieh Chamber plasma-cleaning process scheme
KR101794069B1 (ko) * 2010-05-26 2017-12-04 삼성전자주식회사 반도체 제조설비 및 그의 시즈닝 공정 최적화 방법
DE102011056538A1 (de) * 2011-12-16 2013-06-20 Aixtron Se Verfahren zum Entfernen unerwünschter Rückstände aus einem MOCVD-Reaktor sowie zugehörige Vorrichtung
US9048066B2 (en) 2012-07-03 2015-06-02 Spts Technologies Limited Method of etching
WO2014123028A1 (ja) * 2013-02-05 2014-08-14 株式会社日立国際電気 クリーニング方法
US9824865B2 (en) * 2014-03-05 2017-11-21 Lam Research Corporation Waferless clean in dielectric etch process
US9478390B2 (en) * 2014-06-30 2016-10-25 Fei Company Integrated light optics and gas delivery in a charged particle lens
JP6661283B2 (ja) * 2015-05-14 2020-03-11 東京エレクトロン株式会社 クリーニング方法及びプラズマ処理方法
JP6638334B2 (ja) * 2015-11-05 2020-01-29 栗田工業株式会社 プラズマ処理装置部品のクリーニング方法及びクリーニング装置
US20170133284A1 (en) * 2015-11-05 2017-05-11 Texas Instruments Incorporated Smart in-situ chamber clean
JP6638360B2 (ja) * 2015-12-08 2020-01-29 栗田工業株式会社 プラズマ処理装置のクリーニング方法及びクリーニング装置
KR102304823B1 (ko) * 2016-03-31 2021-09-23 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 웨이퍼리스 건식 세정 광 방출 분광법을 사용한 건식 에칭 프로세스 특성 제어
JP7112620B2 (ja) 2016-11-18 2022-08-04 東京エレクトロン株式会社 製造プロセスにおける粒子によって誘発されるアークの検出のための方法および装置
JP2018107264A (ja) * 2016-12-26 2018-07-05 東京エレクトロン株式会社 消耗判定方法及びプラズマ処理装置
JP2020515063A (ja) 2017-03-17 2020-05-21 東京エレクトロン株式会社 エッチングメトリックを向上させるための表面改質制御
US10410845B2 (en) 2017-11-22 2019-09-10 Applied Materials, Inc. Using bias RF pulsing to effectively clean electrostatic chuck (ESC)
JP2020077750A (ja) * 2018-11-07 2020-05-21 東京エレクトロン株式会社 クリーニング方法及び成膜方法
US12032302B2 (en) 2021-03-26 2024-07-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and device for cleaning substrates
US12306044B2 (en) 2022-09-20 2025-05-20 Tokyo Electron Limited Optical emission spectroscopy for advanced process characterization
US12362158B2 (en) 2022-10-25 2025-07-15 Tokyo Electron Limited Method for OES data collection and endpoint detection
US12158374B2 (en) 2022-10-25 2024-12-03 Tokyo Electron Limited Time-resolved OES data collection

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5403434A (en) * 1994-01-06 1995-04-04 Texas Instruments Incorporated Low-temperature in-situ dry cleaning process for semiconductor wafer
TW394989B (en) * 1997-10-29 2000-06-21 Matsushita Electronics Corp Semiconductor device manufacturing and reaction room environment control method for dry etching device
US5993679A (en) * 1997-11-06 1999-11-30 Anelva Corporation Method of cleaning metallic films built up within thin film deposition apparatus
JP2000195830A (ja) 1998-12-28 2000-07-14 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置、半導体製造装置のクリ―ニング方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP2002289535A (ja) * 2001-03-26 2002-10-04 Seiko Epson Corp プラズマ気相化学堆積装置のクリーニング方法
US20020148816A1 (en) * 2001-04-17 2002-10-17 Jung Chang Bo Method and apparatus for fabricating printed circuit board using atmospheric pressure capillary discharge plasma shower
US6545245B2 (en) * 2001-05-02 2003-04-08 United Microelectronics Corp. Method for dry cleaning metal etching chamber
JP2003282465A (ja) * 2002-03-26 2003-10-03 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JP2004005923A (ja) * 2002-03-29 2004-01-08 Fujitsu Ltd 磁気ヘッドの製造方法および磁気ヘッド、パターン形成方法
US20040018715A1 (en) * 2002-07-25 2004-01-29 Applied Materials, Inc. Method of cleaning a surface of a material layer
US7097716B2 (en) * 2002-10-17 2006-08-29 Applied Materials, Inc. Method for performing fluorocarbon chamber cleaning to eliminate fluorine memory effect
US7122125B2 (en) * 2002-11-04 2006-10-17 Applied Materials, Inc. Controlled polymerization on plasma reactor wall
US7041608B2 (en) * 2004-02-06 2006-05-09 Eastman Kodak Company Providing fluorocarbon layers on conductive electrodes in making electronic devices such as OLED devices

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