JPH11274146A - ポリゲ―トエッチング用その場乾式清浄化法 - Google Patents
ポリゲ―トエッチング用その場乾式清浄化法Info
- Publication number
- JPH11274146A JPH11274146A JP11011254A JP1125499A JPH11274146A JP H11274146 A JPH11274146 A JP H11274146A JP 11011254 A JP11011254 A JP 11011254A JP 1125499 A JP1125499 A JP 1125499A JP H11274146 A JPH11274146 A JP H11274146A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- injecting
- gas
- cleaning
- inert gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 106
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 title description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 69
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 59
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 23
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 claims abstract description 18
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 13
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 31
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims description 14
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 10
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 claims description 8
- QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 6
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000004341 Octafluorocyclobutane Substances 0.000 claims description 5
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 5
- BCCOBQSFUDVTJQ-UHFFFAOYSA-N octafluorocyclobutane Chemical compound FC1(F)C(F)(F)C(F)(F)C1(F)F BCCOBQSFUDVTJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 235000019407 octafluorocyclobutane Nutrition 0.000 claims description 5
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 claims description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 3
- 239000008246 gaseous mixture Substances 0.000 claims 1
- FEXCMMPRRBSCRG-UHFFFAOYSA-N hexasulfur Chemical group S1SSSSS1 FEXCMMPRRBSCRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 abstract description 4
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 22
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000792914 Valeriana Species 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001010 compromised effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004836 empirical method Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000002147 killing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 229910052704 radon Inorganic materials 0.000 description 1
- SYUHGPGVQRZVTB-UHFFFAOYSA-N radon atom Chemical compound [Rn] SYUHGPGVQRZVTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32853—Hygiene
- H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、ポリゲートエッチング用その場乾
式清浄化法を提供する。 【解決手段】 本発明は半導体デバイスの作製に用いら
れる汚染されたチャンバを清浄化する方法を提供する。
一実施例において、方法は加圧下で汚染されたチャンバ
内にフッ素を含む気体と不活性気体の気体混合物を注入
する工程、注入工程中、汚染されたチャンバにラジオ周
波を照射する工程及び汚染されたチャンバ内をくり返し
ポンプ清浄化することにより、汚染されたチャンバから
揮発性副産物又は固体粒子を除去する工程を含む。
式清浄化法を提供する。 【解決手段】 本発明は半導体デバイスの作製に用いら
れる汚染されたチャンバを清浄化する方法を提供する。
一実施例において、方法は加圧下で汚染されたチャンバ
内にフッ素を含む気体と不活性気体の気体混合物を注入
する工程、注入工程中、汚染されたチャンバにラジオ周
波を照射する工程及び汚染されたチャンバ内をくり返し
ポンプ清浄化することにより、汚染されたチャンバから
揮発性副産物又は固体粒子を除去する工程を含む。
Description
【０００１】
【本発明の技術分野】本発明は一般的には中で半導体製
造プロセスが行われる汚染されたチャンバの清浄化方
法、より具体的にはフッ素含有気体及び不活性気体を含
む気体混合物を用いたポリゲートエッチのその場乾式清
浄化法に係る。
造プロセスが行われる汚染されたチャンバの清浄化方
法、より具体的にはフッ素含有気体及び不活性気体を含
む気体混合物を用いたポリゲートエッチのその場乾式清
浄化法に係る。
【０００２】
【発明の背景】半導体ウエハ製造は、今日、恒久的に清
浄化雰囲気を必要としている。清浄室、特にプロセスチ
ャンバ内のあらゆる汚染が、著しく競争の激しい半導体
製造産業において、企業の有益性に対する脅威となって
いる。欠陥密度Ｄo をゼロにする戦いは、この産業にお
ける共通の目標である。エッチングプロセスは非常に厳
密さを要する領域の１つで、その間著しい汚染が半導体
製造において生じる。
浄化雰囲気を必要としている。清浄室、特にプロセスチ
ャンバ内のあらゆる汚染が、著しく競争の激しい半導体
製造産業において、企業の有益性に対する脅威となって
いる。欠陥密度Ｄo をゼロにする戦いは、この産業にお
ける共通の目標である。エッチングプロセスは非常に厳
密さを要する領域の１つで、その間著しい汚染が半導体
製造において生じる。
【０００３】プラズマエッチングプロセスにおいて、チ
ャンバ内のウエハは化学プラズマに露出され、プロセス
を促進するため、ラジオ周波エネルギーが用いられる。
比較的不活性な気体分子から、化学的に反応性の物質
（原子、イオン等）を生成させるため、グロー放電が用
いられる。これらの物質は次に、化学的に反応し、対象
となるウエハの保護されていない領域を除去（エッチ）
する。エッチングプロセスの本質的な性質により、ウエ
ハから材料を除去し、プロセスチャンバ内の雰囲気中に
副生成物を漂わせる。これらの副生成物は最終的にいず
れかの可能な表面上に堆積する。チャンバの排気によ
り、エッチング汚染副生成物のほとんどが除去される
が、ある程度の材料はチャンバ自身の表面上に堆積する
のは避けられない。時間をかけすぎると、著しい堆積物
が積み重なり、それらがはがれ、シリコンウエハ上に到
達した時、汚染が害になる。たとえ最小量の汚染でも、
費用のかかる半導体製造プロセスにおいては、時間の損
失と不合格品を生じる。目的は操作を妨げ、集積回路の
信頼性を下る半導体デバイス上の汚染を完全になくすこ
とである。これと戦うには、エッチングチャンバ製造者
は予防保持（清浄）間隔及びプロセスを規定してきた。
清浄化プロセスの主な目的は、チャンバの雰囲気を経済
的に可能な限り、確実に一定に保ち、それによって各ウ
エハは前のウエハと正確に同様に処理することである。
チャンバ内に汚染が蓄積するにつれ、バッチ毎の半導体
デバイスの一貫性は危うくなる。
ャンバ内のウエハは化学プラズマに露出され、プロセス
を促進するため、ラジオ周波エネルギーが用いられる。
比較的不活性な気体分子から、化学的に反応性の物質
（原子、イオン等）を生成させるため、グロー放電が用
いられる。これらの物質は次に、化学的に反応し、対象
となるウエハの保護されていない領域を除去（エッチ）
する。エッチングプロセスの本質的な性質により、ウエ
ハから材料を除去し、プロセスチャンバ内の雰囲気中に
副生成物を漂わせる。これらの副生成物は最終的にいず
れかの可能な表面上に堆積する。チャンバの排気によ
り、エッチング汚染副生成物のほとんどが除去される
が、ある程度の材料はチャンバ自身の表面上に堆積する
のは避けられない。時間をかけすぎると、著しい堆積物
が積み重なり、それらがはがれ、シリコンウエハ上に到
達した時、汚染が害になる。たとえ最小量の汚染でも、
費用のかかる半導体製造プロセスにおいては、時間の損
失と不合格品を生じる。目的は操作を妨げ、集積回路の
信頼性を下る半導体デバイス上の汚染を完全になくすこ
とである。これと戦うには、エッチングチャンバ製造者
は予防保持（清浄）間隔及びプロセスを規定してきた。
清浄化プロセスの主な目的は、チャンバの雰囲気を経済
的に可能な限り、確実に一定に保ち、それによって各ウ
エハは前のウエハと正確に同様に処理することである。
チャンバ内に汚染が蓄積するにつれ、バッチ毎の半導体
デバイスの一貫性は危うくなる。
【０００４】製造者の一人、アプライド・マテリアルズ
社は彼らのプレシジョン５０００マークＩＩチャンバ内
で処理される３０００ウエハの全てを“湿式清浄化”す
ることを規定している。湿式清浄化は２種類の人、すな
わちチャンバを分解し、液体溶媒でチャンバ部分の表面
から、蓄積した汚染を、完全に洗い落とす人を必要とす
る。この物理的な清浄化と再組立ては、生産を再開する
前に、チャンバ当たり５時間（すなわち１０人・時間）
と排気に１時間プラス、プロセス／粒子計測（枯らし）
に２時間かかると見積もられる。従って、チャンバは処
理されるウエハ毎に、最低８時間、予防保持のため、生
産ラインからはずれる。実際に、清浄化、枯らし及び再
計測を行うには、容易に２４時間かかりうる。
社は彼らのプレシジョン５０００マークＩＩチャンバ内
で処理される３０００ウエハの全てを“湿式清浄化”す
ることを規定している。湿式清浄化は２種類の人、すな
わちチャンバを分解し、液体溶媒でチャンバ部分の表面
から、蓄積した汚染を、完全に洗い落とす人を必要とす
る。この物理的な清浄化と再組立ては、生産を再開する
前に、チャンバ当たり５時間（すなわち１０人・時間）
と排気に１時間プラス、プロセス／粒子計測（枯らし）
に２時間かかると見積もられる。従って、チャンバは処
理されるウエハ毎に、最低８時間、予防保持のため、生
産ラインからはずれる。実際に、清浄化、枯らし及び再
計測を行うには、容易に２４時間かかりうる。
【０００５】プレシジョン５０００マークＩＩチャンバ
の場合、３０００ウエハ毎の湿式清浄化の製造者の標準
的な予防保持は、３０％のオーバーエッチ（約２プラズ
マ分／ウエハ）で、０．４μｍのポリシリコンをエッチ
ングする典型的なプロセスに基づいている。実際の予防
保持周波数は具体的な生産用とは異なるため、ＲＦメー
タが累積プロセスを測定し、湿式清浄化は典型的な場合
４０ないし６０ＲＦ時間、場合によっては８０ＲＦ時間
で行われてきた。用途によっては、既知の数の粒子をそ
の上にもつ試験用ウエハをチャンバ内に置き、試験し、
取り出し、次に加わった粒子数を数える。標準的な粒子
の蓄積を行い、湿式清浄化がされたか否かを決める。そ
れにもかかわらず、この試験には貴重な生産時間をつい
やす。このように、従来技術は基本的に、生産プロセス
の劣化が起こる前の湿式清浄化を予測するために、オペ
レータの経験に依存する。しかし、経験的な方法は、き
わめて信頼性に欠ける。
の場合、３０００ウエハ毎の湿式清浄化の製造者の標準
的な予防保持は、３０％のオーバーエッチ（約２プラズ
マ分／ウエハ）で、０．４μｍのポリシリコンをエッチ
ングする典型的なプロセスに基づいている。実際の予防
保持周波数は具体的な生産用とは異なるため、ＲＦメー
タが累積プロセスを測定し、湿式清浄化は典型的な場合
４０ないし６０ＲＦ時間、場合によっては８０ＲＦ時間
で行われてきた。用途によっては、既知の数の粒子をそ
の上にもつ試験用ウエハをチャンバ内に置き、試験し、
取り出し、次に加わった粒子数を数える。標準的な粒子
の蓄積を行い、湿式清浄化がされたか否かを決める。そ
れにもかかわらず、この試験には貴重な生産時間をつい
やす。このように、従来技術は基本的に、生産プロセス
の劣化が起こる前の湿式清浄化を予測するために、オペ
レータの経験に依存する。しかし、経験的な方法は、き
わめて信頼性に欠ける。
【０００６】従来技術のその場清浄化プロセスは、清浄
化の間の平均時間（ＭＴＢＣ）を延ばすため努力してき
た。これらのプロセスにおいて、チャンバの内側を汚染
物質と反応させ、排気によりそれらを除去することによ
って清浄化するＲＦエネルギーの影響下で、プラズマは
特定の気体から成る。１つのその場方法は、フッ素化
物、典型的な場合、六フッ化イオウＳＦ6 及び酸素Ｏ2
の組合せを用いる。しかし、その場清浄化のこの方法の
付随的な効果は、清浄化プラズマ中の酸素が特定のプラ
スチック、特にアプライド・マテリアルズ・プレシジョ
ン５０００マークＩＩの場合、ベスペル部を侵食すると
いうことである。ベスペルはほとんどプラスチックでで
きており、炭化水素を基本とするプラスチックであるた
め、酸素の存在下で、ベスペルは劣化（酸化）する。こ
の乾式清浄化プロセスを行うと、実際にある程度のチャ
ンバ部を破壊し、汚染の問題をつけ加える。チャンバの
ベスペル部が劣化すると、やはり損傷を受けた部分をと
り代える時、チャンバの維持価格が増す。
化の間の平均時間（ＭＴＢＣ）を延ばすため努力してき
た。これらのプロセスにおいて、チャンバの内側を汚染
物質と反応させ、排気によりそれらを除去することによ
って清浄化するＲＦエネルギーの影響下で、プラズマは
特定の気体から成る。１つのその場方法は、フッ素化
物、典型的な場合、六フッ化イオウＳＦ6 及び酸素Ｏ2
の組合せを用いる。しかし、その場清浄化のこの方法の
付随的な効果は、清浄化プラズマ中の酸素が特定のプラ
スチック、特にアプライド・マテリアルズ・プレシジョ
ン５０００マークＩＩの場合、ベスペル部を侵食すると
いうことである。ベスペルはほとんどプラスチックでで
きており、炭化水素を基本とするプラスチックであるた
め、酸素の存在下で、ベスペルは劣化（酸化）する。こ
の乾式清浄化プロセスを行うと、実際にある程度のチャ
ンバ部を破壊し、汚染の問題をつけ加える。チャンバの
ベスペル部が劣化すると、やはり損傷を受けた部分をと
り代える時、チャンバの維持価格が増す。
【０００７】従って、この技術で必要なのは、エッチン
グチャンバ部への損傷を最小にしながら、蓄積したエッ
チング副産物の本質的にすべてを除く半導体デバイスの
製造に用いられる汚染したチャンバの清浄化方法であ
る。
グチャンバ部への損傷を最小にしながら、蓄積したエッ
チング副産物の本質的にすべてを除く半導体デバイスの
製造に用いられる汚染したチャンバの清浄化方法であ
る。
【０００８】
【本発明の要約】上述の従来技術の欠点を補うため、本
発明は半導体デバイスの製造に用いられる汚染されたチ
ャンバの清浄化方法を提供する。一実施例において、方
法は加圧下でフッ素含有気体と不活性気体を汚染された
チャンバに注入する工程、注入工程中ラジオ周波を汚染
されたチャンバに照射し、汚染されたチャンバ内でくり
返しポンプ清浄化を行うことにより、汚染されたチャン
バから揮発性副産物又は固体粒子を除く工程を含む。別
の実施例において、方法は更に、注入及び照射工程に続
き、チャンバに磁界を加える工程を更に含む。
発明は半導体デバイスの製造に用いられる汚染されたチ
ャンバの清浄化方法を提供する。一実施例において、方
法は加圧下でフッ素含有気体と不活性気体を汚染された
チャンバに注入する工程、注入工程中ラジオ周波を汚染
されたチャンバに照射し、汚染されたチャンバ内でくり
返しポンプ清浄化を行うことにより、汚染されたチャン
バから揮発性副産物又は固体粒子を除く工程を含む。別
の実施例において、方法は更に、注入及び照射工程に続
き、チャンバに磁界を加える工程を更に含む。
【０００９】１つの有利な実施例において、気体混合物
の注入工程は、フッ素を含む気体を注入する工程を含
み、気体は六フッ化イオン（ＳＦ6 ）である。あるいは
気体混合物は、四フッ化炭素（ＣＦ4 ）、エチルヘキサ
フロライド（Ｃ2Ｆ6）、三フッ化窒素（ＮＦ3 ）、オク
タフルオルシクロブタン（Ｃ4Ｆ8）及びトリフルオルメ
タン（ＣＨＦ3 ）から成るグループから選択してよい。
不活性気体は、窒素、ヘリウム、キセノン、アルゴン、
クリプトン又はラドンといった一般に良く知られた不活
性気体を含んでよい。しかし、具体的な一実施例におい
て、不活性気体は窒素（Ｎ2 ）あるいはヘリウム（Ｈ
ｅ）でよい。
の注入工程は、フッ素を含む気体を注入する工程を含
み、気体は六フッ化イオン（ＳＦ6 ）である。あるいは
気体混合物は、四フッ化炭素（ＣＦ4 ）、エチルヘキサ
フロライド（Ｃ2Ｆ6）、三フッ化窒素（ＮＦ3 ）、オク
タフルオルシクロブタン（Ｃ4Ｆ8）及びトリフルオルメ
タン（ＣＨＦ3 ）から成るグループから選択してよい。
不活性気体は、窒素、ヘリウム、キセノン、アルゴン、
クリプトン又はラドンといった一般に良く知られた不活
性気体を含んでよい。しかし、具体的な一実施例におい
て、不活性気体は窒素（Ｎ2 ）あるいはヘリウム（Ｈ
ｅ）でよい。
【００１０】別の実施例において、照射工程は半導体デ
バイスで行うエッチングプロセス中に用いられるものの
２倍のパワーで、ラジオ周波（ＲＦ）を汚染されたチャ
ンバに照射する。ある種の特に有用な実施例において、
ＲＦパワーは約１５０ワットないし６００ワットの範囲
でよい。
バイスで行うエッチングプロセス中に用いられるものの
２倍のパワーで、ラジオ周波（ＲＦ）を汚染されたチャ
ンバに照射する。ある種の特に有用な実施例において、
ＲＦパワーは約１５０ワットないし６００ワットの範囲
でよい。
【００１１】別の実施例において、方法は更に、除去工
程に続いて半導体デバイスの作製に用いられる生産用化
学物質を用いて、チャンバを枯らす工程を含む。そのよ
うな例において、本発明は量産の間にチャンバを清浄化
する便利なその場プロセスを提供し、中で次の半導体ウ
エハバッチをエッチする本質的に汚染のないチャンバを
供給する。
程に続いて半導体デバイスの作製に用いられる生産用化
学物質を用いて、チャンバを枯らす工程を含む。そのよ
うな例において、本発明は量産の間にチャンバを清浄化
する便利なその場プロセスを提供し、中で次の半導体ウ
エハバッチをエッチする本質的に汚染のないチャンバを
供給する。
【００１２】特に有利な一実施例において、注入工程は
約１００ｍＴｏｒｒないし約８００ｍＴｏｒｒの範囲の
圧力で、汚染されたチャンバ内に気体混合物を注入する
工程を含む。更に別の実施例において、くり返しポンプ
清浄化工程は、約１０ないし約４０周期のその場くり返
しポンプ清浄化を行う工程を含み、圧力は約４００ｍＴ
ｏｒｒないし約１０００ｍＴｏｒｒの範囲の圧力に増加
する。
約１００ｍＴｏｒｒないし約８００ｍＴｏｒｒの範囲の
圧力で、汚染されたチャンバ内に気体混合物を注入する
工程を含む。更に別の実施例において、くり返しポンプ
清浄化工程は、約１０ないし約４０周期のその場くり返
しポンプ清浄化を行う工程を含み、圧力は約４００ｍＴ
ｏｒｒないし約１０００ｍＴｏｒｒの範囲の圧力に増加
する。
【００１３】ある種の実施例においては、くり返しポン
プ清浄化工程は、清浄化周期中、汚染されたチャンバ中
に不活性気体を流す工程も含む。そのような実施例にお
いて、くり返しポンプ清浄化工程は約３秒ないし約１０
秒間、１ないし５ｍＴｏｒｒ程度の基準圧力に達するま
で、不活性気体をポンプ排気する工程を含む。
プ清浄化工程は、清浄化周期中、汚染されたチャンバ中
に不活性気体を流す工程も含む。そのような実施例にお
いて、くり返しポンプ清浄化工程は約３秒ないし約１０
秒間、１ないし５ｍＴｏｒｒ程度の基準圧力に達するま
で、不活性気体をポンプ排気する工程を含む。
【００１４】本発明の更に別の視点において、複数の半
導体デバイスを作製する方法が提供され、その方法はエ
ッチング内であらかじめ決められたエッチング化学物質
で複数の半導体デバイスをエッチングする工程を含み、
その場合エッチングによりエッチングチャンバは汚染さ
れ、エッチングに続きエッチングチャンバを清浄化する
工程が含まれる。この具体的な実施例において、清浄化
工程は約１００ｍＴｏｒｒないし約８００ｍＴｏｒｒの
範囲の圧力で、汚染されたチャンバ内にフッ素を含む気
体と不活性気体の混合物を注入する工程を含み、その場
合、気体は本質的に酸素を含まず、注入工程中、ラジオ
周波を半導体デバイスに対して行われるエッチングプロ
セスで用いられるパワーの２倍のパワーで、汚染された
チャンバに照射する工程が含まれる。更に、汚染された
チャンバ内をくり返しポンプ清浄化することにより、汚
染されたチャンバから揮発性副産物又は固体粒子を除去
する工程が含まれる。除去工程中、汚染されたチャンバ
内に不活性気体を流す。
導体デバイスを作製する方法が提供され、その方法はエ
ッチング内であらかじめ決められたエッチング化学物質
で複数の半導体デバイスをエッチングする工程を含み、
その場合エッチングによりエッチングチャンバは汚染さ
れ、エッチングに続きエッチングチャンバを清浄化する
工程が含まれる。この具体的な実施例において、清浄化
工程は約１００ｍＴｏｒｒないし約８００ｍＴｏｒｒの
範囲の圧力で、汚染されたチャンバ内にフッ素を含む気
体と不活性気体の混合物を注入する工程を含み、その場
合、気体は本質的に酸素を含まず、注入工程中、ラジオ
周波を半導体デバイスに対して行われるエッチングプロ
セスで用いられるパワーの２倍のパワーで、汚染された
チャンバに照射する工程が含まれる。更に、汚染された
チャンバ内をくり返しポンプ清浄化することにより、汚
染されたチャンバから揮発性副産物又は固体粒子を除去
する工程が含まれる。除去工程中、汚染されたチャンバ
内に不活性気体を流す。
【００１５】以上は本発明を概観し、その好ましい点及
び別の特徴を大ざっぱに述べたもので、当業者は以下の
本発明の詳細をより良く理解できるであろう。本発明の
つけ加えるべき特徴は、以下に述べるが、それらは本発
明の特許請求の範囲の対象である。当業者は明らかにさ
れた概念及び具体的な実施例を、本発明の同じ目的を実
施するための他の構造を設計又は修正するための基本と
して容易に使えることを、理解するはずである。また、
当業者はそのような等価な構成は、広義には本発明の精
神及び視野から離れないことを認識するに違いない。
び別の特徴を大ざっぱに述べたもので、当業者は以下の
本発明の詳細をより良く理解できるであろう。本発明の
つけ加えるべき特徴は、以下に述べるが、それらは本発
明の特許請求の範囲の対象である。当業者は明らかにさ
れた概念及び具体的な実施例を、本発明の同じ目的を実
施するための他の構造を設計又は修正するための基本と
して容易に使えることを、理解するはずである。また、
当業者はそのような等価な構成は、広義には本発明の精
神及び視野から離れないことを認識するに違いない。
【００１６】
【詳細な記述】最初に図１を参照すると、半導体デバイ
スの作製に用いられるエッチングチャンバの一実施例
が、概略的に示されている。一般的に（１００）と印さ
れたチャンバは、気密性で、その中で電荷をもたせた陰
極（カソード）（１１０）はエッチングプロセスのた
め、半導体ウエハ（１０１）を支えている。当業者はチ
ャンバは（ａ）標準的なダイオード型反応容器（磁界が
あるか又はない）、（ｂ）誘導的に結合された複数のパ
ワー源を有する高密度エッチング器、（ｃ）その他の型
の半導体エッチングチャンバのいずれでもよいことを、
認識するであろう。チャンバ壁（１２０）はシステム陽
極を構成する。磁気コイル（１４０）はプロセスの方策
に依存して、チャンバ（１００）内の磁界を制御する。
半導体ウエハ（１０１）をエッチングする前に、チャン
バ（１００）は真空ポート（１２５）を通して、低真空
に排気される。プロセス気体（生産用化学物質−エッチ
ングプロセス用に特別に設計された混合物）をプロセス
気体入力（１４０）を通して、加圧下でチャンバ（１０
０）中に注入する。示された実施例において、チャンバ
（１００）には、プロセス気体を混合するために、プロ
セス気体入力（１４０）の前に気体多岐管（１５０）が
備わっている。ラジオ周波（ＲＦ）エネルギーは、ＲＦ
入力（１６０）を通して、チャンバ（１００）中に伝え
られる。もし、プロセスの方策に必要なら、入力気体は
不活性気体入力（１４５）を通して注入してよい。エッ
チングプロセス中、イオン補助化学反応を通して、材料
は半導体ウエハ（１０１）の表面から侵食される。当業
者は、その侵食は本発明の視野及び意図に悪影響を及ぼ
さない方法及びプロセスにより、制御されることを認識
するであろう。エッチング副産物は基本的に真空ポート
（１２５）を通して除去される。しかし、ある種のエッ
チング副産物は、無秩序にチャンバ（１００）の内表面
（１６０）に付着する。続いてウエハ（１０１）が処理
されると、加わった副産物が内表面（１６０）に付着
し、先に堆積していたものは、それらが堆積核として働
く時、寸法は大きくなる。あらかじめ決められたＲＦ時
間に達したら、チャンバ（１００）の物理的清浄化が予
防保持のため必要である。
スの作製に用いられるエッチングチャンバの一実施例
が、概略的に示されている。一般的に（１００）と印さ
れたチャンバは、気密性で、その中で電荷をもたせた陰
極（カソード）（１１０）はエッチングプロセスのた
め、半導体ウエハ（１０１）を支えている。当業者はチ
ャンバは（ａ）標準的なダイオード型反応容器（磁界が
あるか又はない）、（ｂ）誘導的に結合された複数のパ
ワー源を有する高密度エッチング器、（ｃ）その他の型
の半導体エッチングチャンバのいずれでもよいことを、
認識するであろう。チャンバ壁（１２０）はシステム陽
極を構成する。磁気コイル（１４０）はプロセスの方策
に依存して、チャンバ（１００）内の磁界を制御する。
半導体ウエハ（１０１）をエッチングする前に、チャン
バ（１００）は真空ポート（１２５）を通して、低真空
に排気される。プロセス気体（生産用化学物質−エッチ
ングプロセス用に特別に設計された混合物）をプロセス
気体入力（１４０）を通して、加圧下でチャンバ（１０
０）中に注入する。示された実施例において、チャンバ
（１００）には、プロセス気体を混合するために、プロ
セス気体入力（１４０）の前に気体多岐管（１５０）が
備わっている。ラジオ周波（ＲＦ）エネルギーは、ＲＦ
入力（１６０）を通して、チャンバ（１００）中に伝え
られる。もし、プロセスの方策に必要なら、入力気体は
不活性気体入力（１４５）を通して注入してよい。エッ
チングプロセス中、イオン補助化学反応を通して、材料
は半導体ウエハ（１０１）の表面から侵食される。当業
者は、その侵食は本発明の視野及び意図に悪影響を及ぼ
さない方法及びプロセスにより、制御されることを認識
するであろう。エッチング副産物は基本的に真空ポート
（１２５）を通して除去される。しかし、ある種のエッ
チング副産物は、無秩序にチャンバ（１００）の内表面
（１６０）に付着する。続いてウエハ（１０１）が処理
されると、加わった副産物が内表面（１６０）に付着
し、先に堆積していたものは、それらが堆積核として働
く時、寸法は大きくなる。あらかじめ決められたＲＦ時
間に達したら、チャンバ（１００）の物理的清浄化が予
防保持のため必要である。
【００１７】図２を参照すると、本発明の原理に従って
構成されたその場清浄化プロセスの一実施例の流れ図が
示されている。次に、図３を参照すると、図２の流れ図
とともに使用されるチャンバ清浄化法の一実施例が示さ
れている。必要に応じて、図１、図２及び図３を参照す
る。チャンバ（１００）から加工されたウエハ（１０
１）をとり出すのに続いて、その場清浄化プロセスは開
始工程（２００）から始まる。最初の操作工程（２１
０）において、本質的に酸素を含まないフッ素を含む気
体と不活性気体の気体混合物を、加圧下で、汚染された
チャンバ（１００）中に注入する。工程（２２０）にお
いて、汚染されたチャンバ（１００）はフッ素を含む気
体と不活性気体の気体混合物で、４００ｍＴｏｒｒの圧
力に安定化される。好ましい実施例において（図３参
照）、フッ素を含む気体は六フッ化イオウ（ＳＦ6 ）
で、不活性気体は窒素（Ｎ2 ）である。別の実施例にお
いて、フッ素を含む気体は四フッ化炭素（ＣＦ4 ）、エ
チルヘキサフロライド（Ｃ2Ｆ6）、三フッ化窒素（ＮＦ
3 ）オクタフルオルシクロブタン（Ｃ4Ｆ8）及びトリフ
ルオルメタン（ＣＨＦ3 ）の中から選択してよい。先に
述べたいずれかの実施例において、もし必要なら、ヘリ
ウム（Ｈｅ）のような他の不活性気体を窒素（Ｎ2 ）に
置きかえてもよい。
構成されたその場清浄化プロセスの一実施例の流れ図が
示されている。次に、図３を参照すると、図２の流れ図
とともに使用されるチャンバ清浄化法の一実施例が示さ
れている。必要に応じて、図１、図２及び図３を参照す
る。チャンバ（１００）から加工されたウエハ（１０
１）をとり出すのに続いて、その場清浄化プロセスは開
始工程（２００）から始まる。最初の操作工程（２１
０）において、本質的に酸素を含まないフッ素を含む気
体と不活性気体の気体混合物を、加圧下で、汚染された
チャンバ（１００）中に注入する。工程（２２０）にお
いて、汚染されたチャンバ（１００）はフッ素を含む気
体と不活性気体の気体混合物で、４００ｍＴｏｒｒの圧
力に安定化される。好ましい実施例において（図３参
照）、フッ素を含む気体は六フッ化イオウ（ＳＦ6 ）
で、不活性気体は窒素（Ｎ2 ）である。別の実施例にお
いて、フッ素を含む気体は四フッ化炭素（ＣＦ4 ）、エ
チルヘキサフロライド（Ｃ2Ｆ6）、三フッ化窒素（ＮＦ
3 ）オクタフルオルシクロブタン（Ｃ4Ｆ8）及びトリフ
ルオルメタン（ＣＨＦ3 ）の中から選択してよい。先に
述べたいずれかの実施例において、もし必要なら、ヘリ
ウム（Ｈｅ）のような他の不活性気体を窒素（Ｎ2 ）に
置きかえてもよい。
【００１８】有利な一実施例において、気体混合物はプ
ロセス気体入力（１４０）の前の多岐管（１５０）で、
汚染されたチャンバ（１００）の外部において混合され
る。次に、プロセス気体入力（１４０）を通して約１０
０ｍＴｏｒｒないし約８００ｍＴｏｒｒの範囲の圧力で
注入する。別の実施例において、フッ素を含む気体は、
不活性気体入力（１４５）を通して窒素気体を注入する
のと同時に、プロセス気体入力（１４０）を通して注入
される。
ロセス気体入力（１４０）の前の多岐管（１５０）で、
汚染されたチャンバ（１００）の外部において混合され
る。次に、プロセス気体入力（１４０）を通して約１０
０ｍＴｏｒｒないし約８００ｍＴｏｒｒの範囲の圧力で
注入する。別の実施例において、フッ素を含む気体は、
不活性気体入力（１４５）を通して窒素気体を注入する
のと同時に、プロセス気体入力（１４０）を通して注入
される。
【００１９】工程（２２５）は工程（２２０）と同時
に、チャンバにラジオ周波エネルギーを照射することを
含む。工程（２２５）の好ましい実施例において、照射
のパワーレベル（約１５０ワットないし約６００ワッ
ト）は、半導体ウエハプロセス中用いられるパワーレベ
ルの２倍である。しかし、当業者にはＲＦ照射パワーレ
ベルは、本発明の最も広い視野から離れることなく、上
述の実施例から変えても良いことが理解されよう。
に、チャンバにラジオ周波エネルギーを照射することを
含む。工程（２２５）の好ましい実施例において、照射
のパワーレベル（約１５０ワットないし約６００ワッ
ト）は、半導体ウエハプロセス中用いられるパワーレベ
ルの２倍である。しかし、当業者にはＲＦ照射パワーレ
ベルは、本発明の最も広い視野から離れることなく、上
述の実施例から変えても良いことが理解されよう。
【００２０】図２に示された実施例において、注入（２
２０）及び照射（２２５）に続いて、工程（２３０）は
磁気コイル（１３０）にパワーを印加することを通し
て、チャンバ（１００）に磁界を印加する。注入（２２
０）及び照射（２２５）の工程に続いて、チャンバ（１
００）に磁界を印加するのが好ましい。工程（２４０）
において、約４００ｍＴｏｒｒないし約１０００ｍＴｏ
ｒｒの閾値圧力に達するまで、ポンプ排気することな
く、チャンバ（１００）に窒素（Ｎ2 ）を満たす。工程
（２５０）において、窒素（Ｎ2 ）清浄化気体を閉じ、
チャンバ（１００）は３ないし１０秒間又は５ｍＴｏｒ
ｒ以下の基準圧に達するまで、ポンプ排気する。工程
（２６０）において、ポンプ排気工程（２５０）を行っ
た回数を決めるため試験を行う。もし、ポンプ排気の周
期数があらかじめ決められた数ｎに等しくないなら、シ
ステムは清浄化工程（２４０）をくり返す工程まで戻
す。ポンプ排気工程（２５０）のあらかじめ決められた
周期数ｎは、１０ないし４０回である。各周期が完了す
る毎に、先に行われた作製プロセス及びちょうど完了し
たその場清浄化工程の揮発性副産物及び固体粒子が、チ
ャンバ（１００）から除去される。ポンプ周期があらか
じめ決められた数ｎに等しい時、システムは工程（２７
０）に進む。
２０）及び照射（２２５）に続いて、工程（２３０）は
磁気コイル（１３０）にパワーを印加することを通し
て、チャンバ（１００）に磁界を印加する。注入（２２
０）及び照射（２２５）の工程に続いて、チャンバ（１
００）に磁界を印加するのが好ましい。工程（２４０）
において、約４００ｍＴｏｒｒないし約１０００ｍＴｏ
ｒｒの閾値圧力に達するまで、ポンプ排気することな
く、チャンバ（１００）に窒素（Ｎ2 ）を満たす。工程
（２５０）において、窒素（Ｎ2 ）清浄化気体を閉じ、
チャンバ（１００）は３ないし１０秒間又は５ｍＴｏｒ
ｒ以下の基準圧に達するまで、ポンプ排気する。工程
（２６０）において、ポンプ排気工程（２５０）を行っ
た回数を決めるため試験を行う。もし、ポンプ排気の周
期数があらかじめ決められた数ｎに等しくないなら、シ
ステムは清浄化工程（２４０）をくり返す工程まで戻
す。ポンプ排気工程（２５０）のあらかじめ決められた
周期数ｎは、１０ないし４０回である。各周期が完了す
る毎に、先に行われた作製プロセス及びちょうど完了し
たその場清浄化工程の揮発性副産物及び固体粒子が、チ
ャンバ（１００）から除去される。ポンプ周期があらか
じめ決められた数ｎに等しい時、システムは工程（２７
０）に進む。
【００２１】高圧枯らし工程（２７０）において、生産
用化学物質はプロセス気体入力（１４０）を通して、３
００ｍＴｏｒｒ程度の圧力において、チャンバ（１０
０）中に導入される。工程（２７０）と同時に、照射工
程（２７５）ではＲＦ入力（１６０）を通して生産用パ
ワーの１５０パーセント程度のＲＦパワーを供給する。
工程（２７５）の実施例において、ＲＦパワーは６０秒
間供給される。次に、システムは低圧枯らし工程（２８
０）に進み、その工程は２０ｍＴｏｒｒ程度の圧力にお
いて、プロセス気体入力（１４０）を通して、生産用化
学物質を導入することを含む。工程（２８０）と同時
に、照射工程（２８５）ではＲＦ入力（１６０）を通し
て、生産用パワーの１００パーセント程度のＲＦパワー
を供給する。示された実施例において、工程（２８５）
中ＲＦパワーは６０秒間供給される。工程（２８０）及
び（２８５）と同時に、磁界印加工程（２８７）は磁気
コイル（１３０）にパワーを供給することを通し、チャ
ンバ（１００）に磁界を加える。
用化学物質はプロセス気体入力（１４０）を通して、３
００ｍＴｏｒｒ程度の圧力において、チャンバ（１０
０）中に導入される。工程（２７０）と同時に、照射工
程（２７５）ではＲＦ入力（１６０）を通して生産用パ
ワーの１５０パーセント程度のＲＦパワーを供給する。
工程（２７５）の実施例において、ＲＦパワーは６０秒
間供給される。次に、システムは低圧枯らし工程（２８
０）に進み、その工程は２０ｍＴｏｒｒ程度の圧力にお
いて、プロセス気体入力（１４０）を通して、生産用化
学物質を導入することを含む。工程（２８０）と同時
に、照射工程（２８５）ではＲＦ入力（１６０）を通し
て、生産用パワーの１００パーセント程度のＲＦパワー
を供給する。示された実施例において、工程（２８５）
中ＲＦパワーは６０秒間供給される。工程（２８０）及
び（２８５）と同時に、磁界印加工程（２８７）は磁気
コイル（１３０）にパワーを供給することを通し、チャ
ンバ（１００）に磁界を加える。
【００２２】ここでの記述及び示した実施例では、ＲＦ
パワーの設定、磁界密度、工程のタイミング、プラズマ
組成等を指定しているが、当業者は本発明の最も広い視
野及び意図の範囲内で、これらの要因を変化させてよい
ことを理解するであろう。
パワーの設定、磁界密度、工程のタイミング、プラズマ
組成等を指定しているが、当業者は本発明の最も広い視
野及び意図の範囲内で、これらの要因を変化させてよい
ことを理解するであろう。
【００２３】工程（２８０）が完了したら、清浄化プロ
セスは完了したと考えられ、チャンバは半導体ウエハ生
産を再開する準備ができており、方法は工程（２９０）
で終了する。
セスは完了したと考えられ、チャンバは半導体ウエハ生
産を再開する準備ができており、方法は工程（２９０）
で終了する。
【００２４】先に述べたその場清浄化プロセスを行った
ところ、湿式清浄化間の平均時間は、その場清浄化プロ
セスがない場合の５０ＲＦ時間に比べ、２００ＲＦ時間
に容易に増加できることが示された。ウエハの各バッチ
毎にその場プラズマ清浄化を行う時、プラズマ清浄化に
は１０ＲＦ分を必要とする。約３２．５ＲＦ分のエッチ
ングプロセス時間の時、清浄化を伴う各半導体バッチは
４２．５ＲＦ分（０．７０８ＲＦ時間）使う。従って、
２００ＲＦ時間の操作（２８２）で、半導体バッチが処
理される。清浄化時間当たり１０ＲＦ分と操作（２８
２）のバッチで、湿式清浄化間の全プラズマ清浄化時間
は、２８２０分（４７時間）のＲＦ時間となる。従っ
て、２００ＲＦ時間毎の清浄化に対して、システムが停
止している全時間は、約９６時間（清浄化当たり４回の
清浄化掛ける２４時間）から、約４７時間に減少する。
ところ、湿式清浄化間の平均時間は、その場清浄化プロ
セスがない場合の５０ＲＦ時間に比べ、２００ＲＦ時間
に容易に増加できることが示された。ウエハの各バッチ
毎にその場プラズマ清浄化を行う時、プラズマ清浄化に
は１０ＲＦ分を必要とする。約３２．５ＲＦ分のエッチ
ングプロセス時間の時、清浄化を伴う各半導体バッチは
４２．５ＲＦ分（０．７０８ＲＦ時間）使う。従って、
２００ＲＦ時間の操作（２８２）で、半導体バッチが処
理される。清浄化時間当たり１０ＲＦ分と操作（２８
２）のバッチで、湿式清浄化間の全プラズマ清浄化時間
は、２８２０分（４７時間）のＲＦ時間となる。従っ
て、２００ＲＦ時間毎の清浄化に対して、システムが停
止している全時間は、約９６時間（清浄化当たり４回の
清浄化掛ける２４時間）から、約４７時間に減少する。
【００２５】当業者はプラズマ気体混合物は完全に無酸
素でなくてよいことを認識しているが、清浄化プロセス
中の酸素の効果、従って酸素によるチャンバ部分の置換
は、実効的に取り除かれることを認識するであろう。
素でなくてよいことを認識しているが、清浄化プロセス
中の酸素の効果、従って酸素によるチャンバ部分の置換
は、実効的に取り除かれることを認識するであろう。
【００２６】これまで述べたことから、本発明により、
半導体デバイスの作製に用いられる汚染されたチャンバ
を清浄化する方法が提供されることがわかる。一実施例
において、方法は加圧下で、フッ素を含む気体と不活性
気体の気体混合物を、汚染されたチャンバ内に注入する
工程、注入工程中ラジオ周波を汚染されたチャンバに照
射する工程及び汚染されたチャンバ内をポンプ排気する
ことにより、汚染されたチャンバから揮発性の副産物又
は固体粒子を取り除く工程を含む。
半導体デバイスの作製に用いられる汚染されたチャンバ
を清浄化する方法が提供されることがわかる。一実施例
において、方法は加圧下で、フッ素を含む気体と不活性
気体の気体混合物を、汚染されたチャンバ内に注入する
工程、注入工程中ラジオ周波を汚染されたチャンバに照
射する工程及び汚染されたチャンバ内をポンプ排気する
ことにより、汚染されたチャンバから揮発性の副産物又
は固体粒子を取り除く工程を含む。
【００２７】加えて、本発明により、複数の半導体デバ
イス及び半導体材料を作製する方法が提供され、その方
法はエッチングチャンバ内で、あらかじめ決められた化
学物質で複数の半導体デバイスをエッチングする工程を
含み、その場合エッチングがエッチングチャンバを汚染
し、エッチング工程に続いてエッチングチャンバを清浄
化する工程が含まれる。この具体的な実施例において、
清浄化工程は約１００ｍＴｏｒｒないし約８００ｍＴｏ
ｒｒの範囲の圧力で、汚染されたチャンバ内にフッ素を
含む気体と不活性気体の気体混合物を注入する工程を含
み、気体は本質的に酸素を含まない。注入工程中、半導
体デバイスに対して行われるエッチングプロセスにおい
て用いられるパワーの２倍のパワーで、汚染されたチャ
ンバにラジオ周波を照射し、前記汚染チャンバ内をポン
プ排気することにより、汚染されたチャンバから揮発性
副産物又は固体粒子を除去する工程が含まれる。除去工
程中、汚染されたチャンバ中に不活性気体を流す。
イス及び半導体材料を作製する方法が提供され、その方
法はエッチングチャンバ内で、あらかじめ決められた化
学物質で複数の半導体デバイスをエッチングする工程を
含み、その場合エッチングがエッチングチャンバを汚染
し、エッチング工程に続いてエッチングチャンバを清浄
化する工程が含まれる。この具体的な実施例において、
清浄化工程は約１００ｍＴｏｒｒないし約８００ｍＴｏ
ｒｒの範囲の圧力で、汚染されたチャンバ内にフッ素を
含む気体と不活性気体の気体混合物を注入する工程を含
み、気体は本質的に酸素を含まない。注入工程中、半導
体デバイスに対して行われるエッチングプロセスにおい
て用いられるパワーの２倍のパワーで、汚染されたチャ
ンバにラジオ周波を照射し、前記汚染チャンバ内をポン
プ排気することにより、汚染されたチャンバから揮発性
副産物又は固体粒子を除去する工程が含まれる。除去工
程中、汚染されたチャンバ中に不活性気体を流す。
【００２８】本発明について詳細に述べてきたが、当業
者は本発明の最も広い精神及び視野を離れることなく、
さまざまな変更、置きかえ及び修正が可能であること
を、認識する必要がある。
者は本発明の最も広い精神及び視野を離れることなく、
さまざまな変更、置きかえ及び修正が可能であること
を、認識する必要がある。
【図１】半導体デバイスの作製に用いられるエッチング
チャンバの一実施例の概略図である。
チャンバの一実施例の概略図である。
【図２】本発明の原理に従って構成されたその場清浄化
プロセスの一実施例の流れ図である。
プロセスの一実施例の流れ図である。
【図３Ａ】図２の流れ図とともに用いるためのチャンバ
清浄化法の一実施例を示す図である。
清浄化法の一実施例を示す図である。
【図３Ｂ】図２の流れ図とともに用いるためのチャンバ
清浄化法の一実施例を示す図である。
清浄化法の一実施例を示す図である。
１００ チャンバ １０１ 半導体ウエハ １１０ 陰極 １２０ チャンバ壁 １２５ 真空ポート １３０ 磁気コイル １４０ プロセス気体入力 １４５ 不活性気体入力 １５０ 気体多岐管 １６０ ＲＦ入力、内表面 ２００ 開始工程 ２１０ 操作工程 ２２０ 工程、注入 ２２５ 工程、照射 ２３０ 工程 ２４０ 清浄化工程 ２５０ 工程、ポンプ排気 ２６０ 工程 ２７０ 工程、高圧枯らし工程 ２７５ 照射工程 ２８０ 工程 ２８２ 操作 ２８５ 工程 ２８７ 磁界印加工程 ２９０ 工程
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 シンシア シー． リー アメリカ合衆国 32821 フロリダ，オー ランド，アパートメント 1202，バンナー コート 11400 (72)発明者 エドワード エム． ミドルブルック アメリカ合衆国 34758 フロリダ，キス ミー，グレイド コート 510 (72)発明者 ジョン エム． スニーゴウスキー アメリカ合衆国 34786 フロリダ，ウイ ンダーメアー，ダウン レイクヴュー サ ークル 10301
Claims (31)
- 【請求項１】 加圧下で、フッ素を含む気体と不活性気
体の気体混合物を汚染したチャンバ内に注入する工程；
前記注入工程中、ラジオ周波を前記汚染されたチャンバ
に照射する工程；前記汚染されたチャンバ内をくり返し
ポンピング清浄化することにより、前記汚染されたチャ
ンバから揮発性副産物又は固体粒子を除去する工程を含
む半導体デバイスの作製に用いられる汚染されたチャン
バの清浄化方法。 - 【請求項２】 前記除去工程に続いて、前記半導体デバ
イスの作製に用いられる生産用化学物質を用いて、前記
チャンバを枯らす工程を更に含む請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 前記注入工程は約１００ｍＴｏｒｒない
し約８００ｍＴｏｒｒの範囲の圧力で、前記汚染された
チャンバ内に前記気体混合物を注入することを含む請求
項１記載の方法。 - 【請求項４】 前記くり返しポンプ清浄化工程は約１０
ないし約４０周期のその場くり返しポンプ清浄化を行
い、前記圧力を約４００ｍＴｏｒｒないし約１０００ｍ
Ｔｏｒｒの範囲の圧力に増加させる工程を含む請求項１
記載の方法。 - 【請求項５】 前記くり返しポンプ清浄化工程は、前記
不活性気体を前記汚染されたチャンバ内に流す工程を含
む請求項１記載の方法。 - 【請求項６】 前記くり返しポンプ清浄化工程は約３秒
ないし約１０秒間又は基準圧力に達するまで、前記不活
性気体をポンプ排気する工程を含む請求項５記載の方
法。 - 【請求項７】 前記不活性気体注入工程は、フッ素含有
気体が六フッ化イオウ（ＳＦ6 ）である注入工程を含む
請求項１記載の方法。 - 【請求項８】 前記気体混合物の注入工程は、 四フッ化炭素（ＣＦ4 ）、 エチルヘキサフロライド（Ｃ2Ｆ6）、 三フッ化窒素（ＮＦ3 ）、 オクタフルオルシクロブタン（Ｃ4Ｆ8）及びトリフルオ
ルメタン（ＣＨＦ3 ）から成る類から選択されたフッ素
を含む気体を注入する工程を含む請求項１記載の方法。 - 【請求項９】 前記不活性気体の前記注入工程は、窒素
（Ｎ2 ）を注入する工程を含む請求項１記載の方法。 - 【請求項１０】 前記不活性気体の前記注入工程は、ヘ
リウム（Ｈｅ）を注入する工程を含む請求項１記載の方
法。 - 【請求項１１】 前記照射工程は前記汚染されたチャン
バに、前記半導体デバイスに対して行うエッチングプロ
セス中用いるパワーの２倍のパワーで、ラジオ周波を照
射することを含む請求項１記載の方法。 - 【請求項１２】 前記パワーは約１５０ワットないし約
６００ワットの範囲である請求項１１記載の方法。 - 【請求項１３】 前記方法は更に、前記注入及び照射工
程に続き、前記チャンバに磁界を印加する工程を含む請
求項１記載の方法。 - 【請求項１４】 約１００ｍＴｏｒｒないし約８００ｍ
Ｔｏｒｒの範囲の圧力で、汚染されたチャンバ内に、フ
ッ素を含む気体と不活性気体の気体混合物を注入する工
程；前記注入工程中、半導体デバイスに対して行うエッ
チングプロセス中に用いるパワーの２倍のパワーで、前
記汚染されたチャンバにラジオ周波を照射する工程；前
記汚染されたチャンバ内をくり返しポンプ清浄化するこ
とにより、前記汚染されたチャンバから揮発性副産物又
は固体粒子を除去する工程；及び前記除去工程中、前記
汚染されたチャンバ内に前記不活性気体を流す工程を含
む半導体デバイスの作製に用いられる汚染されたチャン
バの清浄化方法。 - 【請求項１５】 前記除去工程に続き、前記半導体デバ
イスをエッチングするために用いられる生産用化学物質
を用いて、前記チャンバを枯らす工程を更に含む請求項
１４記載の方法。 - 【請求項１６】 前記くり返しポンプ清浄化工程は、約
１０ないし約４０周期のポンプ清浄化を行い、前記圧力
を約４００ｍＴｏｒｒないし約１０００ｍＴｏｒｒの範
囲の圧力に増加させる工程を含む請求項１４記載の方
法。 - 【請求項１７】 前記くり返しポンプ清浄化工程は、約
３秒ないし約１０秒又は基準圧力に達するまで、前記不
活性気体をポンプ排気する工程を含む請求項１４記載の
方法。 - 【請求項１８】 前記気体混合物注入工程は、六フッ化
ヘキサイオウ（ＳＦ6 ）であるフッ素含有気体を注入す
る工程を含む請求項１４記載の方法。 - 【請求項１９】 前記気体混合物注入工程は、 四フッ化炭素（ＣＦ4 ）、 エチルヘキサフロライド（Ｃ2Ｆ6）、 三フッ化窒素（ＮＦ3 ）、 オクタフルオルシクロブタン（Ｃ4Ｆ8）及びトリフルオ
ルメタン（ＣＨＦ3 ）から成る類から選択されたフッ素
含有気体を注入する工程を含む請求項１４記載の方法。 - 【請求項２０】 前記不活性気体の注入工程は、窒素
（Ｎ2 ）を注入する工程を含む請求項１４記載の方法。 - 【請求項２１】 前記不活性気体の注入工程は、ヘリウ
ム（Ｈｅ）を注入する工程を含む請求項１４記載の方
法。 - 【請求項２２】 前記パワーは約１５０ワットないし約
６００ワットの範囲である請求項１４記載の方法。 - 【請求項２３】 前記注入及び照射工程に続き、前記チ
ャンバに磁界を印加する工程を更に含む請求項１４記載
の方法。 - 【請求項２４】 エッチングチャンバ内であらかじめ決
められたエッチング化学物質で複数の半導体デバイスを
エッチングし、前記エッチングは前記エッチングチャン
バを汚染する工程；及び前記エッチング工程に続き、前
記エッチングチャンバを清浄化する工程を含み、前記清
浄化工程は、 約１００ｍＴｏｒｒないし約８００ｍＴｏｒｒの範囲の
圧力で、前記汚染されたチャンバ内に、フッ素を含む気
体と不活性気体の気体混合物を注入する工程；前記注入
工程中、前記半導体デバイスに対して行うエッチング中
用いられるパワーの２倍のパワーで、前記汚染されたチ
ャンバにラジオ周波を照射する工程；前記チャンバに磁
界を印加する工程；前記汚染されたチャンバ内をくり返
しポンプ清浄化することにより、前記汚染されたチャン
バから、揮発性副産物又は固体粒子を除去する工程；及
び前記除去工程中、前記汚染されたチャンバ内に前記不
活性気体を流す工程を含む複数の半導体デバイスの作製
方法。 - 【請求項２５】 前記除去工程に続いて、前記半導体デ
バイスをエッチングするために用いられる生産用化学物
質を用いて、前記チャンバを枯らす工程を更に含む請求
項２４記載の方法。 - 【請求項２６】 前記くり返しポンプ清浄化工程は、約
１０ないし約４０周期のポンプ清浄化工程を含み、約４
０ｍＴｏｒｒないし約１０００ｍＴｏｒｒの範囲の圧力
に前記圧力を増加させることを含む請求項２４記載の方
法。 - 【請求項２７】 前記くり返しポンプ清浄化工程は、約
３秒ないし約１０秒の範囲の時間又は基準圧力に到達す
るまで、前記不活性気体をポンプ排気する工程を含む請
求項２４記載の方法。 - 【請求項２８】 前記気体混合物の注入工程は、六フッ
化イオウ（ＳＦ6 ）であるフッ素含有気体を流す工程を
含む請求項２４記載の方法。 - 【請求項２９】 前記気体混合物の注入工程は、 四フッ化炭素（ＣＦ4 ）、 エチルヘキサフロライド（Ｃ2Ｆ6）、 三フッ化窒素（ＮＦ3 ）、 オクタフルオルシクロブタン（Ｃ4Ｆ8）及びトリフルオ
ルメタン（ＣＨＦ3 ）から成る類から選択されたフッ素
含有気体を注入する工程を含む請求項２４記載の方法。 - 【請求項３０】 前記不活性気体の注入工程は、窒素
（Ｎ2 ）の注入工程を含む請求項２４記載の方法。 - 【請求項３１】 前記不活性気体の注入工程は、ヘリウ
ム（Ｈｅ）の注入工程を含む請求項２４記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/009399 | 1998-01-20 | ||
| US09/009,399 US6197699B1 (en) | 1998-01-20 | 1998-01-20 | In situ dry cleaning process for poly gate etch |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11274146A true JPH11274146A (ja) | 1999-10-08 |
Family
ID=21737420
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11011254A Pending JPH11274146A (ja) | 1998-01-20 | 1999-01-20 | ポリゲ―トエッチング用その場乾式清浄化法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6197699B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11274146A (ja) |
| KR (1) | KR19990067914A (ja) |
| TW (1) | TW432525B (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW460942B (en) * | 1999-08-31 | 2001-10-21 | Mitsubishi Material Silicon | CVD device, purging method, method for determining maintenance time for a semiconductor making device, moisture content monitoring device, and semiconductor making device with such moisture content monitoring device |
| US6564810B1 (en) * | 2000-03-28 | 2003-05-20 | Asm America | Cleaning of semiconductor processing chambers |
| US6899785B2 (en) * | 2001-11-05 | 2005-05-31 | International Business Machines Corporation | Method of stabilizing oxide etch and chamber performance using seasoning |
| US7371688B2 (en) * | 2003-09-30 | 2008-05-13 | Air Products And Chemicals, Inc. | Removal of transition metal ternary and/or quaternary barrier materials from a substrate |
| KR100513404B1 (ko) * | 2003-12-08 | 2005-09-09 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조설비 관리시스템의 제어방법 |
| KR100676206B1 (ko) * | 2005-11-14 | 2007-01-30 | 삼성전자주식회사 | 반도체 디바이스 제조설비에서의 프로세스 챔버 세정 방법 |
| US20080214007A1 (en) * | 2007-03-02 | 2008-09-04 | Texas Instruments Incorporated | Method for removing diamond like carbon residue from a deposition/etch chamber using a plasma clean |
| CN106449345B (zh) * | 2016-11-09 | 2018-08-28 | 上海华力微电子有限公司 | 一种延长刻蚀腔体开腔保养时间间隔的保养方法 |
| FR3088346A1 (fr) * | 2018-11-14 | 2020-05-15 | Safran Aircraft Engines | Procede de decapage d’une piece de turbomachine |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02215126A (ja) * | 1989-02-16 | 1990-08-28 | Toshiba Corp | 半導体ウェハのドライプロセス処理方法および処理装置 |
| JPH02304923A (ja) * | 1989-05-19 | 1990-12-18 | Fujitsu Ltd | ドライクリーニング方法 |
| JPH0582450A (ja) * | 1991-09-20 | 1993-04-02 | Fujitsu Ltd | 半導体装置製造用気相反応装置 |
| JPH07331462A (ja) * | 1994-06-08 | 1995-12-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ドライエッチング装置のドライ洗浄方法 |
| JPH08181112A (ja) * | 1994-12-22 | 1996-07-12 | Mitsubishi Electric Corp | ドライエッチング装置の洗浄法およびそれを用いた半導体装置の製法 |
| JPH09209179A (ja) * | 1996-01-30 | 1997-08-12 | Nec Corp | ドライエッチング装置およびそのクリーニング方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5456796A (en) * | 1993-06-02 | 1995-10-10 | Applied Materials, Inc. | Control of particle generation within a reaction chamber |
| US5756400A (en) * | 1995-12-08 | 1998-05-26 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning by-products from plasma chamber surfaces |
| US5700741A (en) * | 1996-05-20 | 1997-12-23 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Plasma purge method for plasma process particle control |
| US5868852A (en) * | 1997-02-18 | 1999-02-09 | Air Products And Chemicals, Inc. | Partial clean fluorine thermal cleaning process |
-
1998
- 1998-01-20 US US09/009,399 patent/US6197699B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-12-21 TW TW087121335A patent/TW432525B/zh not_active IP Right Cessation
-
1999
- 1999-01-15 KR KR1019990000946A patent/KR19990067914A/ko not_active Application Discontinuation
- 1999-01-20 JP JP11011254A patent/JPH11274146A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02215126A (ja) * | 1989-02-16 | 1990-08-28 | Toshiba Corp | 半導体ウェハのドライプロセス処理方法および処理装置 |
| JPH02304923A (ja) * | 1989-05-19 | 1990-12-18 | Fujitsu Ltd | ドライクリーニング方法 |
| JPH0582450A (ja) * | 1991-09-20 | 1993-04-02 | Fujitsu Ltd | 半導体装置製造用気相反応装置 |
| JPH07331462A (ja) * | 1994-06-08 | 1995-12-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ドライエッチング装置のドライ洗浄方法 |
| JPH08181112A (ja) * | 1994-12-22 | 1996-07-12 | Mitsubishi Electric Corp | ドライエッチング装置の洗浄法およびそれを用いた半導体装置の製法 |
| JPH09209179A (ja) * | 1996-01-30 | 1997-08-12 | Nec Corp | ドライエッチング装置およびそのクリーニング方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19990067914A (ko) | 1999-08-25 |
| US6197699B1 (en) | 2001-03-06 |
| TW432525B (en) | 2001-05-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5885361A (en) | Cleaning of hydrogen plasma down-stream apparatus | |
| US6499492B1 (en) | Plasma process apparatus with in situ monitoring, monitoring method, and in situ residue cleaning | |
| US8058181B1 (en) | Method for post-etch cleans | |
| US7959970B2 (en) | System and method of removing chamber residues from a plasma processing system in a dry cleaning process | |
| US20060090773A1 (en) | Sulfur hexafluoride remote plasma source clean | |
| US5427621A (en) | Method for removing particulate contaminants by magnetic field spiking | |
| US7097716B2 (en) | Method for performing fluorocarbon chamber cleaning to eliminate fluorine memory effect | |
| KR20070104589A (ko) | 포토레지스트 및 에칭 찌거기의 저압 제거 | |
| KR102035585B1 (ko) | 플라즈마 처리 방법 | |
| US20090014644A1 (en) | In-situ ion source cleaning for partial pressure analyzers used in process monitoring | |
| KR20190030587A (ko) | 플라스마 처리 장치 및 대기 개방 방법 | |
| JPH11274146A (ja) | ポリゲ―トエッチング用その場乾式清浄化法 | |
| KR19990071626A (ko) | 사파이어플라즈마애셔에서기판으로부터잔류물을제거하는방법및그장치 | |
| US6852636B1 (en) | Insitu post etch process to remove remaining photoresist and residual sidewall passivation | |
| TW201812897A (zh) | 電漿處理方法 | |
| US6545245B2 (en) | Method for dry cleaning metal etching chamber | |
| US7541094B1 (en) | Firepolished quartz parts for use in semiconductor processing | |
| KR100602080B1 (ko) | 식각 챔버의 세정 방법 | |
| JP2004137556A (ja) | 半導体製造装置 | |
| KR100655588B1 (ko) | 건식 식각 장비의 자체 세척 방법 | |
| US10586696B2 (en) | Halogen abatement for high aspect ratio channel device damage layer removal for EPI growth | |
| JP2005175139A (ja) | フッ素洗浄装置及びフッ素エッチング装置 | |
| KR20030042494A (ko) | 반도체 공정챔버 세정방법 | |
| JPH11145115A (ja) | アッシング装置のクリーニング方法 | |
| Loewenstein et al. | DAMAGE DURING ASHING: A CHARACTERIZATION OF SEVERAL MODERN ASHERS |