JP2007524076A - バイオセンサーおよび作製方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本明細書は、それぞれ、そのすべてが参考文献によって本明細書に組込まれている、2001年4月24日に出願された、米国特許明細書番号第09/840,843号の一部継続出願であり、2002年10月4日に出願された、米国特許明細書番号第10/264,891号の一部継続出願であり、2003年6月20日に出願された、米国特許明細書番号第10/601,144号の一部継続出願であり、2003年6月20日に出願された、米国特許明細書番号第60/480,397号に対する優先権を主張している。
本発明は、バイオセンサーを作製する方法、よりとりわけ、レーザー切断によって形成された、電極の組をもつバイオセンサーに関する。
Claims (102)
- その上に形成された、第一および第二電極要素をもつベース基板、
そのあいだのギャップを画定している、第一および第二のそれぞれのエッジをもつ第一および第二電極要素であって、前記ギャップが、幅および長さをもつギャップの長さに沿って変化する第一距離によって第一理論線から離間された第一エッジ、
前記第一理論線が第一エッジの所定の形態および配置を画定しており、当該第一距離の標準偏差が、ギャップの全長にわたり約6μm以内であり、少なくとも部分的に、ベース基板をカバーしている試薬、および
ベース基板にオーバーレイし、かつ接着されている1または2以上の層であり、当該1または2以上の層が共同して試料受け取りチャンバーおよびカバーを形成し、少なくとも試薬の一部分および電極がチャンバー内に設けられてなるバイオセンサー。 - 第一距離の標準偏差が、約2μm以内である請求項1記載のバイオセンサー。
- 第一距離の標準偏差が、約1μm以内である請求項1記載のバイオセンサー。
- 前記第二エッジがギャップの長さに沿って変化する第二距離によって、第二理論線より間隔があいており、前記第二理論線が第二エッジの所定の形態および配置を画定しており、そこで、第二距離の標準偏差が、ギャップの全長にわたり、約6μm以内である請求項1記載のバイオセンサー。
- 第一距離および第二距離両方の標準偏差が約2μm以内である請求項4記載のバイオセンサー。
- 第一距離および第二距離両方の標準偏差が約1μm以内である請求項4記載のバイオセンサー。
- 前記ギャップ幅が約250μmまたはそれ以下である請求項1記載のバイオセンサー。
- 前記ギャップ幅が約50μmである請求項1記載のバイオセンサー。
- 前記ギャップ幅が約20μmである請求項1記載のバイオセンサー。
- 前記電極要素が広領域レーザー切断によって形成される請求項1記載のバイオセンサー。
- 前記第一および第二電極要素が第一電極組を含み、電極の組の1つが、試料受け取りチャンバー内に位置する電極である請求項1記載のバイオセンサー。
- さらに、ベース基板上に形成された第二電極組を含み、前記第二電極組が、第一電極組とは異なる特徴サイズをもつ請求項11記載のバイオセンサー。
- 前記第一および第二電極要素が第一および第二電極トレースを含む請求項1記載のバイオセンサー。
- 前記第一および第二電極要素が第一および第二コンタクトパッドを含む請求項1記載のバイオセンサー。
- 前記ギャップの長さが少なくとも0.1mmである請求項1記載のバイオセンサー。
- 前記ギャップの長さが少なくとも1mmである請求項1記載のバイオセンサー。
- 前記ギャップの長さが少なくとも1cmである請求項1記載のバイオセンサー。
- 前記ギャップの長さがバイオセンサーの長さの少なくとも三分の一である請求項1記載のバイオセンサー。
- 前記ギャップの長さがバイオセンサーの長さの、少なくとも二分の一である請求項1記載のバイオセンサー。
- 前記ギャップが試料受け取りチャンバー内に位置する請求項1記載のバイオセンサー。
- 前記電極要素がコンタクトパッドを含み、前記ギャップが、コンタクトパッド間で伸びる請求項1記載のバイオセンサー。
- 前記電極要素が電極トレースを含み、前記ギャップが電極トレース間で伸びる請求項1記載のバイオセンサー。
- 前記電極要素がワーキング電極およびカウンター電極を含み、前記ギャップが前記ワーキング電極と前記カウンター電極間で伸びる請求項1記載のバイオセンサー。
- 前記ギャップが試料受け取りチャンバーを越えて伸びる請求項23記載のバイオセンサー。
- ベース基板であって、該ベース基板上に第一および第二電極要素が形成されたベース基板、
第一および第二エッジをそれぞれ有し、該第一および第二エッジのあいだに幅および長さを有するギャップが画定されている第一および第二電極要素、
少なくとも部分的にベース基板をカバーしている試薬、および
ベース基板にオーバーレイし、かつ接着されている1または2以上の層
からなり、
前記1または2以上の層が試料受け取りチャンバーおよびカバーを形成するように共同し、少なくとも試薬の一部分および電極がチャンバー内に設けられ、
前記第一エッジがギャップの長さにそって変化する第一距離によって第一理論線から離間され、前記第一理論線が所定の形態および配置を画定し、該第一距離がギャップの全長にわたり約6μm以内であるバイオセンサー。 - 第一距離の標準偏差が約2μm以内である請求項25記載のバイオセンサー。
- 第一距離の標準偏差が約1μm以内である請求項25記載のバイオセンサー。
- 前記第二エッジがギャップの長さに沿って変化する第二距離によって、第二理論線より間隔があいており、前記第二理論線が、第二エッジの所定の形態および配置を画定しており、第二距離の標準偏差がギャップの全長にわたり約6μm以内である請求項25記載のバイオセンサー。
- 第一距離および第二距離両方の標準偏差が、約4μm以内である請求項28記載のバイオセンサー。
- 第一距離および第二距離両方の標準偏差が、約2μm以内である請求項28記載のバイオセンサー。
- 前記電極要素が広領域レーザー切断によって形成される請求項25記載のバイオセンサー。
- 前記第一および第二電極要素が、第一電極組を含み電極の組の1つが、試料受け取りチャンバー内に位置する電極である請求項25記載のバイオセンサー。
- さらに、ベース基板上に形成された第二電極組を含み、前記第二電極組が、第一電極組とは異なる特徴サイズをもつ請求項32記載のバイオセンサー。
- 前記第一および第二電極要素が、一および第二電極トレースを含む請求項25記載のバイオセンサー。
- 前記第一および第二電極要素が第一および第二コンタクトパッドを含む請求項25記載のバイオセンサー。
- ベース基板であって、該ベース基板上に電気的に伝導性物質の層をもつベース基板を設ける工程、
前記伝導性物質の一部分を取り除き、そのあいだに幅および長さをもつギャップを画定している、第一および第二のそれぞれのエッジをもつベース基板上に第一および第二電極要素を形成する工程、
少なくとも部分的に、基体をカバーしている試薬を設ける工程、および
1つまたはそれ以上の層を基体に接着させる工程であって、前記1つまたはそれ以上の層が、共同して、バイオセンサーの試料受け取りチャンバーおよびカバーを形成し、少なくとも一部分の試薬および電極をチャンバー内に設ける工程
とを含むバイオセンサーを作製する方法であって、
前記第一エッジが、ギャップの長さにそって変化する第一距離によって第一理論線から離間され、前記第一理論線が第一エッジの所定の形態および配置を画定しており、第一距離の標準偏差がギャップの全長にわたり約6μm以内である方法。 - さらに、少なくとも10%の伝導性物質を除去する工程を含む請求項36記載の方法。
- さらに、少なくとも50%の伝導性物質を除去する工程を含む請求項36記載の方法。
- さらに、少なくとも90%の伝導性物質を除去する工程を含む請求項36記載の方法。
- 前記電気的に伝導性物質を広領域レーザー切断によって除去する請求項36記載の方法。
- 前記第一および第二電極要素が第一電極組を含む請求項36記載の方法。
- さらに、第一電極組とは異なる特徴サイズをもつベース基板上に第二電極組を形成する工程を含み、前記第一電極組の電極の1つが試料受け取りチャンバー内に位置する電極であり、前記第二電極組の電極の1つが試料受け取りチャンバー内に設けられてなる請求項41記載の方法。
- 前記標準偏差が約2μm以内である請求項36記載の方法。
- 前記標準偏差が約1μm以内である請求項36記載の方法。
- さらに、約0.25秒以下で電極要素を形成する工程を含む請求項36記載の方法。
- さらに、約50ナノ秒以下で電極要素を形成する工程を含む請求項36記載の方法。
- さらに、約25ナノ秒以下で電極要素を形成する工程を含む請求項36記載の方法。
- 1つまたはそれ以上の層を基体に接着させる工程が、ベース基板上の試料受け取りチャンバーの境界線を画定する空間をもつスペーシング層をラミネート加工する工程、およびスペーシング層上のカバー層をラミネート加工する工程を含む請求項36記載の方法。
- さらに、試料受け取りチャンバーと連結したカバー層中で排出口を形成する工程を含む請求項48記載の方法。
- 流体試料中の検体の存在または濃度を測定するために使用するバイオセンサーを形成する方法であって、
(a)電気的に伝導性の物質を、基体上に提供すること、
(b)広領域レーザー切断によって、前記電気的に伝導性の物質の一部分を除去し、基体上に、電極組を形成すること、
(c)基体を少なくとも部分的にカバーしている試薬を提供すること、および
(d)基体に1つまたはそれ以上の層を接着させることで、前記1つまたはそれ以上の層が共同して、バイオセンサーのために、試料受け取りチャンバーおよびカバーを形成する工程を含み、試薬層および電極組両方の少なくとも一部をチャンバー内に設けてなる方法。 - 電極組がギャップを画定している第一および第二のそれぞれのエッジをもつ第一および第二電極を含み、前記ギャップが幅および長さをもち、前記第一エッジがギャップの長さにそって変化する第一距離によって第一理論線から離間され、前記第一理論線が第一エッジの所定の形態および配置を画定し、第一距離の標準偏差がギャップの全長にそって約6μm以内である請求項50記載の方法。
- 前記第一距離の標準偏差が約2μm以内である請求項51記載の方法。
- 前記第一距離の標準偏差が約1μm以内である請求項51記載の方法。
- 電極組が異なる特徴サイズをもつ少なくとも2つの電極を含む請求項51記載の方法。
- 電極組が、異なる特徴サイズをもつ少なくとも2つの電極を含む請求項50記載の方法。
- 前記工程(c)が試薬によって、電極を少なくとも部分的にカバーする工程を含む請求項50記載の方法。
- さらに、少なくとも10%の伝導性物質を除去する工程を含む請求項50記載の方法。
- さらに、少なくとも50%の伝導性物質を除去する工程を含む請求項50記載の方法。
- さらに、少なくとも90%の伝導性物質を除去することを含む請求項50記載の方法。
- 流体試料中の検体の濃度を測定するために使用するバイオセンサーを形成する方法であって、
(a)基体上に、電気的に伝導性の物質を提供すること、
(b)少なくとも10%の電気的に伝導性の物質を除去して、基体上に異なる特徴サイズをもつ少なくとも2つの電極組を形成すること、
(c)少なくとも部分的に基体をカバーする試薬を提供すること、および
(d)1つまたはそれ以上の層を基体に接着させることで、1つまたはそれ以上の層は、共同して、試料受け取りチャンバーを形成し、1つの電極組の少なくとも一部分を、チャンバー内に配置すること
を含む方法。 - さらに、少なくとも50%の伝導性物質を除去することを含む請求項60記載の方法。
- さらに、少なくとも90%の伝送性物質を除去することを含む請求項60記載の方法。
- 前記電気的に伝導性の物質を広領域レーザー切断によって除去する請求項60記載の方法。
- 電極組がギャップを画定している第一および第二のそれぞれのエッジをもつ第一および第二電極を含み、前記ギャップが幅および長さをもち、前記第一エッジがギャップの長さにそって変化する第一距離によって第一理論線から離間され、前記第一理論線が第一エッジの所定の形態および配置を画定し、第一距離の標準偏差がギャップの全長にそって約6μm以内である請求項60記載の方法。
- 前記第一距離の標準偏差が約2μm以下である請求項64記載の方法。
- 前記第一距離の標準偏差が約1μm以下である請求項64記載の方法。
- 前記工程(c)が電極組を少なくとも部分的に試薬でカバーすることを含む請求項60記載の方法。
- 複数のバイオセンサーを製造する方法であって、
(a)その上に形成された金属伝導性層をもつ、ベース基板物質のウェブを設けること、
(b)レーザー器具で、金属伝導性層上に、電極パターンのイメージを投影し、イメージに相当する電極パターンをベース基板物質のウェブ上でレーザー切断によって形成すること、
(c)レーザー器具およびベース基板物質のウェブの1つを動かし、長時間工程(b)を繰り返して、ベース基板物質のウェブにそった空間間隔にて、複数の電極パターンを産出すること、
(d)ベース基板上に試薬を沈着させ、前記試薬によって複数の電極パターンの各電極パターンを部分的にカバーすること、
(e)少なくとも1つのカバー層のウェブをラミネート加工するか、またはベース基板物質のウェブ上で層を配置することによって、カバーおよび試料受け取りチャンバーを形成すること、および
(f)少なくとも1つのカバー層、またはスペーシング層およびベース基板物質のウェブを通して切断して複数のバイオセンサーを形成すること
を含む方法。 - 前記工程(b)で形成された電極パターンが、バイオセンサーの1つに対する、完全な電極パターンを含み、それによって、各バイオセンサーに対する完全電極パターンが単一の工程で形成される請求項68記載の方法。
- 工程(b)で形成された電極パターンに、部分的電極パターンが含まれ、前記イメージが、複数の同一または異なるイメージを含み、工程(b)および(c)を複数の電極パターンが、複数の完全な電極パターンを含むまで続け、そこで、各完全な電極パターンが、複数の形態で形成される請求項68記載の方法。
- 工程(c)がベース基板のウェブの、連続移動を含む請求項68記載の方法。
- 工程(c)が別個の増加でのベース基板のウェブの移動を含む請求項68記載の方法。
- 工程(c)が少なくとも60メートル/分の速度でのベース基板のウェブの移動を含む請求項68記載の方法。
- 電極パターンに異なる特徴的な大きさをもつ少なくとも2つの電極組が含まれる請求項68記載の方法。
- 電極組がそのあいだのギャップを画定している第一および第二のそれぞれのエッジをもつ第一および第二電極を含み、前記ギャップが幅および長さをもち、前記第一エッジがギャップの長さにそって変化する第一距離によって、第一理論線から離間され、前記第一理論線が第一エッジの所定の形態および配置を画定し、第一距離の標準偏差がギャップの全長にそって約6μm以内である請求項68記載の方法。
- 前記標準偏差が約2μm以内である請求項75記載の方法。
- 前記標準偏差が約1μm以内である請求項75記載の方法。
- 前記金属伝導性層に、金、白金、パラジウムおよびイリジウムからなる群より選択された、少なくとも1つの要素が含まれる請求項68記載の方法。
- 段階(e)が、
ベース基板上に、スぺーシング層をラミネート加工することで前記スペーシング層がチャンバーの境界線を画定する空間をもち、かつスペーシング層上にカバーリング層をラミネート加工することを含む請求項68記載の方法。 - 工程(b)で形成された各電極パターンが1秒以内に形成される請求項68記載の方法。
- 工程(b)で形成された各電極パターンが0.25秒以内に形成される請求項68記載の方法。
- 工程(b)で形成された各電極パターンが全て一度に形成される請求項68記載の方法。
- 工程(b)で形成された各電極パターンが1つのバイオセンサーに対する全電極パターンを含み、各全電極パターンがすべて一度に形成される請求項68記載の方法。
- 前記試薬が本質的に連続ストリップで適用される請求項68記載の方法。
- 前記電極パターンが異方性である請求項68記載の方法。
- 前記電極パターンが非対称である請求項68記載の方法。
- 工程(b)で形成された電極パターンが1つのバイオセンサーに対する、完全電極パターンを含み、各バイオセンサーに対する完全電極パターンが単一の工程で形成され、前記方法がさらに、少なくとも500/分の速度で完全電気的パターンを形成することを含む請求項68記載の方法。
- 電極パターンを形成する工程が、金属伝導性層の少なくとも20%を除去することを含む請求項87記載の方法。
- 電極パターンを形成する工程が、金属伝導性層の少なくとも50%を除去する工程を含む請求項87記載の方法。
- 電極パターンを形成する工程が、金属伝導性層の少なくとも90%を除去する工程を含む請求項87記載の方法。
- 工程(b)で形成された電極パターンが1つのバイオセンサーに対する完全電極パターンを含み、各バイオセンサーに対する完全電極パターンが単一の工程で形成され、前記方法がさらに、少なくとも1000/分の速度で完全電気的パターンを形成する工程を含む請求項68記載の方法。
- 電極パターンを形成する工程が、金属伝導性層の少なくとも20%を除去する工程を含む請求項91記載の方法。
- 電極パターンを形成する工程が、金属伝導性層の少なくとも50%を除去する工程を含む請求項91記載の方法。
- 電極パターンを形成する工程が、金属伝導性層の少なくとも90%を除去する工程を含む請求項91記載の方法。
- 工程(b)で形成された電極パターンが1つのバイオセンサーに対する完全電極パターンを含み、各バイオセンサーに対する完全電極パターンが単一の工程で形成され、前記方法がさらに、少なくとも2000/分の速度で完全電気的パターンを形成する工程を含む請求項68記載の方法。
- 電極パターンを形成する工程が金属伝導性層の少なくとも20%を除去する工程を含む請求項95記載の方法。
- 電極パターンを形成する工程が、金属伝導性層の少なくとも50%を除去する工程を含む請求項95記載の方法。
- 電極パターンを形成する工程が、金属伝導性層の少なくとも90%を除去する工程を含む請求項95記載の方法。
- 工程(b)で形成された電極パターンが1つのバイオセンサーに対する完全電極パターンを含み、各バイオセンサーに対する完全電極パターンが単一の工程で形成され、前記方法がさらに、少なくとも3000/分の速度で完全電気的パターンを形成する工程を含む請求項68記載の方法。
- 電極パターンを形成する工程が、金属伝導性層の少なくとも20%を除去する工程を含む請求項99記載の方法。
- 電極パターンを形成する工程が、金属伝導性層の少なくとも50%を除去する工程を含む請求項99記載の方法。
- 電極パターンを形成する工程が、金属伝導性層の少なくとも90%を除去する工程を含む請求項99記載の方法。
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