JPH10275959A - 分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法及び分布帰還型半導体レーザ素子 - Google Patents
分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法及び分布帰還型半導体レーザ素子Info
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- JPH10275959A JPH10275959A JP9474397A JP9474397A JPH10275959A JP H10275959 A JPH10275959 A JP H10275959A JP 9474397 A JP9474397 A JP 9474397A JP 9474397 A JP9474397 A JP 9474397A JP H10275959 A JPH10275959 A JP H10275959A
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- Japan
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- distributed feedback
- semiconductor laser
- feedback semiconductor
- gratings
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 生産効率の良い分布帰還型半導体レーザ素子
の製造方法を提供し、高歩留り、低コスト、高品質な分
布帰還型半導体レーザ素子を提供することを目的とす
る。 【解決手段】 分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法
であって、レーザ基板を形成する工程と、レーザ基板上
にグレーティングを形成する工程と、グレーティングが
形成されたレーザ基板をエッチングすることにより、ス
トライプ方向にリッジを形成する工程と、電極を形成す
る工程と、を含むことを特徴とする。
の製造方法を提供し、高歩留り、低コスト、高品質な分
布帰還型半導体レーザ素子を提供することを目的とす
る。 【解決手段】 分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法
であって、レーザ基板を形成する工程と、レーザ基板上
にグレーティングを形成する工程と、グレーティングが
形成されたレーザ基板をエッチングすることにより、ス
トライプ方向にリッジを形成する工程と、電極を形成す
る工程と、を含むことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、分布帰還型（Dist
ributed FeedBack:DFB）半導体レーザ素子の製造方法及
び分布帰還型半導体レーザ素子に関する。
ributed FeedBack:DFB）半導体レーザ素子の製造方法及
び分布帰還型半導体レーザ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】分布帰還型半導体レーザ素子は、光ＣＡ
ＴＶ等の光通信システムや、ＳＨＧ（Second Harmonic
Generation）素子を用いた短波長レーザ、又は小型固体
レーザのポンプ光源や、光計測分野等に応用され得る素
子として知られている。従来の分布帰還型半導体レーザ
はいわゆる２段階エピタキシャル成長によって、形成さ
れている。２段階エピタキシャル成長では、レーザの導
波層にグレーティング（回折格子）を設け、その後導波
路上にその他の層をエピタキシャル成長させて形成す
る。
ＴＶ等の光通信システムや、ＳＨＧ（Second Harmonic
Generation）素子を用いた短波長レーザ、又は小型固体
レーザのポンプ光源や、光計測分野等に応用され得る素
子として知られている。従来の分布帰還型半導体レーザ
はいわゆる２段階エピタキシャル成長によって、形成さ
れている。２段階エピタキシャル成長では、レーザの導
波層にグレーティング（回折格子）を設け、その後導波
路上にその他の層をエピタキシャル成長させて形成す
る。
【０００３】図３及び図４は、従来の分布帰還型半導体
レーザの製造工程を示す図であり、図３（ａ）におい
て、ＩｎＰ基板３０１を用い、所定のエピタキシャル成
長方法、液相成長法、有機金属気相成長法、分子線成長
法等で１回目の結晶成長によりｎ−ＩｎＰ下部クラッド
層３０２、グレーティング提供層３０３ａを形成する。
レーザの製造工程を示す図であり、図３（ａ）におい
て、ＩｎＰ基板３０１を用い、所定のエピタキシャル成
長方法、液相成長法、有機金属気相成長法、分子線成長
法等で１回目の結晶成長によりｎ−ＩｎＰ下部クラッド
層３０２、グレーティング提供層３０３ａを形成する。
【０００４】次に図３（ｂ）に示すように、グレーティ
ング提供層（活性層）３０３ａを干渉露光によりグレー
ティングが施された層３０３ｂを形成する。次に図３
（ｃ）に示すように、グレーティングが形成された層３
０３ｂの上に２回目の結晶成長（再成長工程）によりグ
レーティングを埋め込んだ活性層３０４、ｐ−ＩｎＰ上
部クラッド層３０５、コンタクト層３０６を形成する。
ング提供層（活性層）３０３ａを干渉露光によりグレー
ティングが施された層３０３ｂを形成する。次に図３
（ｃ）に示すように、グレーティングが形成された層３
０３ｂの上に２回目の結晶成長（再成長工程）によりグ
レーティングを埋め込んだ活性層３０４、ｐ−ＩｎＰ上
部クラッド層３０５、コンタクト層３０６を形成する。
【０００５】次に図３（ｄ）に示すように、図示しない
リッジマスクをコンタクト層３０６上に形成して、コン
タクト層３０６及びクラッド層をエッチングして、両側
平坦部３１１とこれらから突出する所定高さで平坦上面
部を有するリッジ３１０とを形成する。
リッジマスクをコンタクト層３０６上に形成して、コン
タクト層３０６及びクラッド層をエッチングして、両側
平坦部３１１とこれらから突出する所定高さで平坦上面
部を有するリッジ３１０とを形成する。
【０００６】次に、図３（ａ）〜（ｄ）の工程後、図４
（ａ）に示すように、両側平坦部３１１及びリッジ３１
０の平坦上面部上にわたって、ＳＯＧ（Spin on Glass
）膜又はポリイミド膜等の絶縁保護膜３１２を形成す
る。次に、図４（ｂ）に示すように、エッチングによっ
てコンタクト層３０６上の絶縁保護膜３１２をコンタク
ト層３０６が現れるまで除去し、図４（ｃ）に示すよう
に、例えば、Ａｕ／Ｚｎ等の金属導電層を電極３１３と
して真空蒸着等により形成してリッジ型ＤＦＢ半導体レ
ーザ素子は完成する。もちろん、図示しないが電極３１
３に対向する基板３０１側にも電極を形成する。
（ａ）に示すように、両側平坦部３１１及びリッジ３１
０の平坦上面部上にわたって、ＳＯＧ（Spin on Glass
）膜又はポリイミド膜等の絶縁保護膜３１２を形成す
る。次に、図４（ｂ）に示すように、エッチングによっ
てコンタクト層３０６上の絶縁保護膜３１２をコンタク
ト層３０６が現れるまで除去し、図４（ｃ）に示すよう
に、例えば、Ａｕ／Ｚｎ等の金属導電層を電極３１３と
して真空蒸着等により形成してリッジ型ＤＦＢ半導体レ
ーザ素子は完成する。もちろん、図示しないが電極３１
３に対向する基板３０１側にも電極を形成する。
【０００７】また、２段階エピタキシャル成長の煩雑性
を回避するために、平坦な基板上に１段階エピタキシャ
ル成長によって作製されるすなわち再エピタキシャル成
長の無い、いわゆる無再成長分布帰還型半導体レーザも
開発されている。例えば、基板に活性層、クラッド層等
をエピタキシャル成長させ、リッジを形成し、リッジ上
面部及びその両側平坦部にグレーティングを設けた屈折
率結合のみの分布帰還型半導体レーザが開示されてい
る。かかる無再成長分布帰還型半導体レーザ素子の製造
方法において、グレーティングは電子ビーム描画法によ
って形成されている。
を回避するために、平坦な基板上に１段階エピタキシャ
ル成長によって作製されるすなわち再エピタキシャル成
長の無い、いわゆる無再成長分布帰還型半導体レーザも
開発されている。例えば、基板に活性層、クラッド層等
をエピタキシャル成長させ、リッジを形成し、リッジ上
面部及びその両側平坦部にグレーティングを設けた屈折
率結合のみの分布帰還型半導体レーザが開示されてい
る。かかる無再成長分布帰還型半導体レーザ素子の製造
方法において、グレーティングは電子ビーム描画法によ
って形成されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ように従来の分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法で
は、リッジの形成とグレーティングの形成が独立した工
程を必要とし、生産効率が低いという問題があり、コス
ト高の一因にもなっている。
ように従来の分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法で
は、リッジの形成とグレーティングの形成が独立した工
程を必要とし、生産効率が低いという問題があり、コス
ト高の一因にもなっている。
【０００９】本発明は上記の問題点に鑑みなされたもの
であって、生産効率の良い分布帰還型半導体レーザ素子
の製造方法を提供し、高歩留り、低コスト、高品質な分
布帰還型半導体レーザ素子を提供することを目的とす
る。
であって、生産効率の良い分布帰還型半導体レーザ素子
の製造方法を提供し、高歩留り、低コスト、高品質な分
布帰還型半導体レーザ素子を提供することを目的とす
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明による分布帰還型半導体レーザ素子の製造方
法は、レーザ基板を形成する工程と、レーザ基板上にグ
レーティングを形成する工程と、グレーティングが形成
されたレーザ基板をエッチングすることにより、ストラ
イプ方向にリッジを形成する工程と、電極を形成する工
程と、を含むことを特徴とする。
に、本発明による分布帰還型半導体レーザ素子の製造方
法は、レーザ基板を形成する工程と、レーザ基板上にグ
レーティングを形成する工程と、グレーティングが形成
されたレーザ基板をエッチングすることにより、ストラ
イプ方向にリッジを形成する工程と、電極を形成する工
程と、を含むことを特徴とする。
【００１１】また、請求項２に記載の発明は、請求項１
記載の分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法であっ
て、グレーティングを形成する工程が、レーザ基板上に
レジスト層を塗布（積層）する工程と、レジスト層にグ
レーティングを形成する工程と、レジスト層に形成され
たグレーティングをレーザ基板に転写する工程と、から
なることを特徴とする。
記載の分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法であっ
て、グレーティングを形成する工程が、レーザ基板上に
レジスト層を塗布（積層）する工程と、レジスト層にグ
レーティングを形成する工程と、レジスト層に形成され
たグレーティングをレーザ基板に転写する工程と、から
なることを特徴とする。
【００１２】また、請求項３に記載の発明は、請求項１
乃至２のいずれかに記載の分布帰還型半導体レーザ素子
の製造方法であって、グレーティングは光干渉露光法に
より形成されることを特徴とする。
乃至２のいずれかに記載の分布帰還型半導体レーザ素子
の製造方法であって、グレーティングは光干渉露光法に
より形成されることを特徴とする。
【００１３】また、請求項４に記載の発明は、請求項１
乃至２のいずれかの方法により製造された分布帰還型半
導体レーザ素子であることを特徴とする。
乃至２のいずれかの方法により製造された分布帰還型半
導体レーザ素子であることを特徴とする。
【００１４】
【作用】本発明は上述のようにリッジ及びグレーティン
グをエッチングにより同一工程で形成することができ、
生産効率の良い分布帰還型半導体レーザ素子の製造を可
能とし、高歩留り、低コスト、高品質で分布帰還型半導
体レーザ素子を提供することが可能となる。
グをエッチングにより同一工程で形成することができ、
生産効率の良い分布帰還型半導体レーザ素子の製造を可
能とし、高歩留り、低コスト、高品質で分布帰還型半導
体レーザ素子を提供することが可能となる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下に、本発明による分布帰還型
半導体レーザを作製する方法の実施の形態を図１及び図
２に基づいて説明する。まず、図１（ａ）に示すよう
に、ｎ−ＩｎＰ基板１０１を用意し、所定のエピタキシ
ャル成長方法、液相成長法、有機金属気相成長法、分子
線成長法等で、ＩｎＧａＡｓＰからなる活性層１０３を
組成の異なるＩｎＧａＡｓＰからなるガイド層１０２，
１０４で挟むように形成し、その上にｎ−ＩｎＰクラッ
ド層１０５、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１０６、
ｐ−ＩｎＧａＡｓキャップ層１０７の各層を順次成膜
し、レーザ基板を形成する。
半導体レーザを作製する方法の実施の形態を図１及び図
２に基づいて説明する。まず、図１（ａ）に示すよう
に、ｎ−ＩｎＰ基板１０１を用意し、所定のエピタキシ
ャル成長方法、液相成長法、有機金属気相成長法、分子
線成長法等で、ＩｎＧａＡｓＰからなる活性層１０３を
組成の異なるＩｎＧａＡｓＰからなるガイド層１０２，
１０４で挟むように形成し、その上にｎ−ＩｎＰクラッ
ド層１０５、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１０６、
ｐ−ＩｎＧａＡｓキャップ層１０７の各層を順次成膜
し、レーザ基板を形成する。
【００１６】次に、図１（ｂ）に示すように、グレーテ
ィング露光用レジスト１０８をキャップ層１０７の上に
塗布する。この際、キャップ層１０７の表面にＳｉＯ2
膜等をスパッタ等で成膜し、絶縁保護膜を形成した後、
レジスト塗布を行う場合もある。
ィング露光用レジスト１０８をキャップ層１０７の上に
塗布する。この際、キャップ層１０７の表面にＳｉＯ2
膜等をスパッタ等で成膜し、絶縁保護膜を形成した後、
レジスト塗布を行う場合もある。
【００１７】レジスト塗布を行った上に二光束干渉露光
法等により所定のグレーティングを露光現像してグレー
ティングを得る（図１（ｃ））。グレーティングを得た
ら、Ｃｌ2 ドライエッチングにより半導体層（ｎ―クラ
ッド層）へのグレーティングの転写を行い、レジストを
除去する。前述したＳｉＯ2 膜を用いた場合は、グレー
ティングの転写はＳｉＯ2 膜への転写を経て半導体層へ
転写されることになる。
法等により所定のグレーティングを露光現像してグレー
ティングを得る（図１（ｃ））。グレーティングを得た
ら、Ｃｌ2 ドライエッチングにより半導体層（ｎ―クラ
ッド層）へのグレーティングの転写を行い、レジストを
除去する。前述したＳｉＯ2 膜を用いた場合は、グレー
ティングの転写はＳｉＯ2 膜への転写を経て半導体層へ
転写されることになる。
【００１８】次に、図１（ｄ）に示すように、リッジ用
のＳｉＯ2 等のエッチング用酸化膜のマスクをスパッタ
等の方法により成膜した後、フォトリソグラフィや電子
ビームプロセス等を経てストライプパターンに加工し、
Ｃｌ2 ドライエッチングを経て図１（ｅ）に示すように
ストライプ方向にリッジを形成すると共に、表面のグレ
ーティング構造の情報がリッジ側壁とリッジ１１０を挟
むクラッド層１０５に転写される。
のＳｉＯ2 等のエッチング用酸化膜のマスクをスパッタ
等の方法により成膜した後、フォトリソグラフィや電子
ビームプロセス等を経てストライプパターンに加工し、
Ｃｌ2 ドライエッチングを経て図１（ｅ）に示すように
ストライプ方向にリッジを形成すると共に、表面のグレ
ーティング構造の情報がリッジ側壁とリッジ１１０を挟
むクラッド層１０５に転写される。
【００１９】次に、リッジ形成用のＳｉＯ2 マスクを除
去して図２（ａ）に示すようなリッジ１１０の上面、両
側壁、両側のクラッド層１０５にグレーティング１０９
が形成された構造を得る。各側壁が半導体基板底面とな
す角が９０度であれば、グレーティング１０９の内のリ
ッジ１１０の両側壁のグレーティングは形成されない
が、一般的にはこの角度は傾斜角となり６５〜８０゜程
度に形成されるためリッジ１１０の両側壁にも浅いグレ
ーティングが形成されることになる。
去して図２（ａ）に示すようなリッジ１１０の上面、両
側壁、両側のクラッド層１０５にグレーティング１０９
が形成された構造を得る。各側壁が半導体基板底面とな
す角が９０度であれば、グレーティング１０９の内のリ
ッジ１１０の両側壁のグレーティングは形成されない
が、一般的にはこの角度は傾斜角となり６５〜８０゜程
度に形成されるためリッジ１１０の両側壁にも浅いグレ
ーティングが形成されることになる。
【００２０】これで本発明の分布帰還型半導体レーザ素
子の基本構造が形成され、後は従来と同様に図２（ｂ）
に示すように水ガラス又はポリイミド樹脂等の絶縁保護
膜１１２を図２（ａ）の上部に埋め込み、ドライエッチ
ングによりリッジ１１０の上面を露出（セルフアライン
法）させ（図２（ｃ））、図２（ｄ）〜（ｆ）の電極１
１３の形成工程を経て、へき開して本発明の分布帰還型
半導体レーザ素子が完成される（図２（ｇ））。
子の基本構造が形成され、後は従来と同様に図２（ｂ）
に示すように水ガラス又はポリイミド樹脂等の絶縁保護
膜１１２を図２（ａ）の上部に埋め込み、ドライエッチ
ングによりリッジ１１０の上面を露出（セルフアライン
法）させ（図２（ｃ））、図２（ｄ）〜（ｆ）の電極１
１３の形成工程を経て、へき開して本発明の分布帰還型
半導体レーザ素子が完成される（図２（ｇ））。
【００２１】以上の如く、本発明の分布帰還型半導体レ
ーザ素子の製造方法では、予め平坦に成膜されたレーザ
基板の上面にレジストを塗布して二光束干渉露光法等に
よりグレーティングを形成し、ドライエッチングにより
ＩｎＰグレーティングを形成した後、グレーティング上
にＳｉＯ2 等のリッジ形成用マスクを成膜する。
ーザ素子の製造方法では、予め平坦に成膜されたレーザ
基板の上面にレジストを塗布して二光束干渉露光法等に
よりグレーティングを形成し、ドライエッチングにより
ＩｎＰグレーティングを形成した後、グレーティング上
にＳｉＯ2 等のリッジ形成用マスクを成膜する。
【００２２】なお、上述した二光束干渉露光法等に代わ
って、例えば電子ビーム描画法又はＳＯＲ−Ｘ法等を用
いることも可能であるが、二光束干渉露光法を用いれ
ば、グレーティングが一括形成されるため、工程が短時
間ですみしかも高価な設備も不要になる。
って、例えば電子ビーム描画法又はＳＯＲ−Ｘ法等を用
いることも可能であるが、二光束干渉露光法を用いれ
ば、グレーティングが一括形成されるため、工程が短時
間ですみしかも高価な設備も不要になる。
【００２３】そして、リッジ形成用のマスク成膜の後、
ドライエッチングによりリッジの形成を行うと、同一工
程でグレーティング１０９も形成される。すなわち、図
１（ｄ）に示すグレーティングの高低差はそのままリッ
ジ形成の過程で保たれたままエッチングは進行するため
同一工程でリッジの形成とグレーティングの形成が行わ
れる。従って、分布帰還型半導体レーザ素子の製造にお
ける生産性を従来に比べ大幅に向上することができ、分
布帰還型半導体レーザ素子を、高歩留り、低コスト、高
品質で提供することが可能となる。
ドライエッチングによりリッジの形成を行うと、同一工
程でグレーティング１０９も形成される。すなわち、図
１（ｄ）に示すグレーティングの高低差はそのままリッ
ジ形成の過程で保たれたままエッチングは進行するため
同一工程でリッジの形成とグレーティングの形成が行わ
れる。従って、分布帰還型半導体レーザ素子の製造にお
ける生産性を従来に比べ大幅に向上することができ、分
布帰還型半導体レーザ素子を、高歩留り、低コスト、高
品質で提供することが可能となる。
【００２４】特に本発明は、分布帰還型半導体レーザ素
子の中でも、無再成長分布帰還型及び横結合分布帰還型
半導体レーザ素子を製造する上で有効である。
子の中でも、無再成長分布帰還型及び横結合分布帰還型
半導体レーザ素子を製造する上で有効である。
【００２５】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、リッジ
及びグレーティングをエッチングにより同一工程で形成
することができ、生産効率の良い分布帰還型半導体レー
ザ素子の製造を可能とし、高歩留り、低コスト、高品質
で分布帰還型半導体レーザ素子を提供することが可能と
なる。
及びグレーティングをエッチングにより同一工程で形成
することができ、生産効率の良い分布帰還型半導体レー
ザ素子の製造を可能とし、高歩留り、低コスト、高品質
で分布帰還型半導体レーザ素子を提供することが可能と
なる。
【図１】本発明における分布帰還型半導体レーザ素子の
製造工程を示す斜視図である。
製造工程を示す斜視図である。
【図２】本発明における分布帰還型半導体レーザ素子の
製造工程を示す斜視図である。
製造工程を示す斜視図である。
【図３】従来の分布帰還型半導体レーザの製造工程を示
す図である。
す図である。
【図４】従来の分布帰還型半導体レーザの製造工程を示
す図である。
す図である。
１０１，３０１・・・ 基板 １０２，１０４・・・ ガイド層 １０３，３０３ａ，３０３ｂ，３０４・・・ 活性層 １０５，３０２，３０５・・・ クラッド層 １０６，３０６・・・ コンタクト層 １０７・・・ キャップ層 １０８・・・ グレーティング露光用レジスト １０９・・・ グレーティング １１０，３１０・・・ リッジ ３１１・・・ 両側平坦部 １１２ ３１２・・・ 絶縁保護膜 １１３ ３１３・・・ 電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹間 清文 埼玉県鶴ヶ島市富士見６丁目１番１号 パ イオニア株式会社総合研究所内
Claims (4)
- 【請求項１】 レーザ基板を形成する工程と、 前記レーザ基板上にグレーティングを形成する工程と、 グレーティングが形成されたレーザ基板をエッチングす
ることにより、ストライプ方向にリッジを形成する工程
と、 電極を形成する工程と、 を含むことを特徴とする分布帰還型半導体レーザ素子の
製造方法。 - 【請求項２】 前記グレーティングを形成する工程は、 レーザ基板上にレジスト層を塗布（積層）する工程と、 前記レジスト層にグレーティングを形成する工程と、 前記レジスト層に形成されたグレーティングをレーザ基
板に転写する工程と、 からなることを特徴とする請求項１記載の分布帰還型半
導体レーザ素子の製造方法。 - 【請求項３】 前記グレーティングは光干渉露光法によ
り形成されることを特徴とする請求項１乃至２のいずれ
かに記載の分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれかの方法により
製造された分布帰還型半導体レーザ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9474397A JPH10275959A (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | 分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法及び分布帰還型半導体レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9474397A JPH10275959A (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | 分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法及び分布帰還型半導体レーザ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10275959A true JPH10275959A (ja) | 1998-10-13 |
Family
ID=14118615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9474397A Pending JPH10275959A (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | 分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法及び分布帰還型半導体レーザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10275959A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6662439B1 (en) | 1999-10-04 | 2003-12-16 | Roche Diagnostics Corporation | Laser defined features for patterned laminates and electrodes |
| US6911621B2 (en) | 2000-11-01 | 2005-06-28 | Roche Diagnostics Corporation | Biosensor |
| US7073246B2 (en) | 1999-10-04 | 2006-07-11 | Roche Diagnostics Operations, Inc. | Method of making a biosensor |
-
1997
- 1997-03-28 JP JP9474397A patent/JPH10275959A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6662439B1 (en) | 1999-10-04 | 2003-12-16 | Roche Diagnostics Corporation | Laser defined features for patterned laminates and electrodes |
| US7073246B2 (en) | 1999-10-04 | 2006-07-11 | Roche Diagnostics Operations, Inc. | Method of making a biosensor |
| US7386937B2 (en) | 1999-10-04 | 2008-06-17 | Roche Diagnostics Operations, Inc. | Method of making a biosensor |
| US6911621B2 (en) | 2000-11-01 | 2005-06-28 | Roche Diagnostics Corporation | Biosensor |
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