JP2007324341A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007324341A5 JP2007324341A5 JP2006152305A JP2006152305A JP2007324341A5 JP 2007324341 A5 JP2007324341 A5 JP 2007324341A5 JP 2006152305 A JP2006152305 A JP 2006152305A JP 2006152305 A JP2006152305 A JP 2006152305A JP 2007324341 A5 JP2007324341 A5 JP 2007324341A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma processing
- plasma
- time
- discharge
- stable value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 claims 46
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 2
- 125000004435 hydrogen atoms Chemical class [H]* 0.000 claims 2
- 230000003247 decreasing Effects 0.000 claims 1
Claims (11)
- アンテナ電極および処理容器内に試料を載置して保持する下部電極を備えたプラズマ処理容器と、
前記処理容器内に処理ガスを供給するガス供給装置および処理容器内のガスを排気バルブを介して排気する排気ポンプとを備え、
前記アンテナ電極に整合器を介して高周波電力を供給し、磁場コイルにより磁場を形成した前記処理容器内にプラズマを生成して前記下部電極上に載置された試料にプラズマ処理を施す処理を、複数の試料に対して順次繰り返すプラズマ処理方法において、
プラズマ処理中における処理容器内圧力を含むパラメータがプラズマ処理時間の増加とともに安定して安定値に達したとき、慣らし放電の終了と判定することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項1記載のプラズマ処理方法において
プラズマ処理中におけるプラズマ中の炭素C2と水素Hの発光強度比(C2/H)を前記パラメータとして検出する検出装置を備え、該検出装置の検出出力がプラズマ処理時間の増加とともに減少して安定値に達したとき慣らし放電の終了と判定することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項1記載のプラズマ処理方法において、
下部電極に供給する高周波バイアスのピークツーピーク電圧を前記パラメータとして検出し、検出電圧がプラズマ処理時間の増加とともに増加して安定値に達したとき、慣らし放電の終了と判定することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項1記載のプラズマ処理方法において、
プラズマ処理中における前記排気バルブの開度を前記パラメータとして検出し、前記バルブの開度がプラズマ処理時間の増加とともに減少して安定値に達したとき、慣らし放電の終了と判定することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項1記載のプラズマ処理方法において、
プラズマ放電終了後、処理容器内圧力が所定真空圧に排気されるまでに要する時間を前記パラメータとして検出し、該時間がプラズマ処理時間の増加とともに減少して安定値に達したとき、慣らし放電の終了と判定することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項1記載のプラズマ処理方法において、
前記整合器を構成するコンデンサの整合時の静電容量を前記パラメータとして検出し、検出した容量がプラズマ処理時間の増加とともに増加して安定値に達したとき、慣らし放電の終了と判定することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項1記載のプラズマ処理方法において、
前記アンテナ電極に整合器を介して高周波電力を供給してから、プラズマが着火するまでの時間を前記パラメータとして検出し、該時間がプラズマ処理時間の増加とともに減少して安定値に達したとき、慣らし放電の終了と判定することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項1記載のプラズマ処理方法において、次の条件(1)ないし(8)のうち複数の条件が成立したとき慣らし放電の終了と判定することを特徴とするプラズマ処理方法。
(1)プラズマ中の炭素C2と水素Hの発光強度比(C2/H)が減少して安定値に達したとき、
(2)下部電極に供給する高周波バイアスのピークツーピーク電圧がプラズマ処理時間の増加とともに増加して安定値に達したとき、
(3)プラズマ処理中における前記排気バルブの開度がプラズマ処理時間の増加とともに減少してて安定値に達したとき、
(4)プラズマ放電終了後、処理容器内圧力が所定真空圧に排気されるまでに要する時間がプラズマ処理時間の増加とともに減少して安定値に達したとき、
(5)前記整合器を構成するコンデンサの整合動作時の静電容量がプラズマ処理時間の増加とともに増加して安定値に達したとき、
(6)前記アンテナ電極に整合器を介して高周波電力を供給してから、プラズマが着火するまでの時間がプラズマ処理時間の増加とともに減少して安定値に達したとき、 - アンテナ電極および処理容器内に試料を載置して保持する下部電極を備えたプラズマ処理容器と、
前記処理容器内に処理ガスを供給するガス供給装置および処理容器内のガスを排気バルブを介して排気する排気ポンプとを備え、
前記処理容器を再組み立てした後に、前記アンテナ電極に整合器を介して高周波電力を供給し、磁場コイルにより磁場を形成した前記処理容器内にプラズマを生成して前記下部電極上に載置された試料にプラズマ処理を施す処理を、複数の試料に対して順次繰り返す慣らし放電を行うプラズマ処理装置において、
プラズマ生成状態における処理容器内圧力の経時変化をもとにプラズマ処理装置の慣らし放電の終了を判定する演算処理部を備え、前記演算処理部は前記処理容器内圧力がプラズマ処理時間の増加とともに減少して安定値に達したとき慣らし放電の終了と判定することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項9記載のプラズマ処理装置において
前記処理容器内圧力の低下を前記排気バルブの開度の低下で検出することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項9記載のプラズマ処理装置において
前記処理容器内圧力の低下を、プラズマ放電終了後から、所定真空圧到達までに要する排気時間の減少で検出することを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006152305A JP4914119B2 (ja) | 2006-05-31 | 2006-05-31 | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
KR1020060075692A KR100780021B1 (ko) | 2006-05-31 | 2006-08-10 | 플라즈마처리방법 및 플라즈마처리장치 |
TW095129644A TW200744129A (en) | 2006-05-31 | 2006-08-11 | Plasma processing method and apparatus thereof |
US11/502,416 US8038896B2 (en) | 2006-05-31 | 2006-08-11 | Plasma processing method and apparatus |
US12/846,403 US8900401B2 (en) | 2006-05-31 | 2010-07-29 | Plasma processing method and apparatus |
US14/508,859 US9230782B2 (en) | 2006-05-31 | 2014-10-07 | Plasma processing method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006152305A JP4914119B2 (ja) | 2006-05-31 | 2006-05-31 | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007324341A JP2007324341A (ja) | 2007-12-13 |
JP2007324341A5 true JP2007324341A5 (ja) | 2009-06-18 |
JP4914119B2 JP4914119B2 (ja) | 2012-04-11 |
Family
ID=38790792
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006152305A Expired - Fee Related JP4914119B2 (ja) | 2006-05-31 | 2006-05-31 | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US8038896B2 (ja) |
JP (1) | JP4914119B2 (ja) |
KR (1) | KR100780021B1 (ja) |
TW (1) | TW200744129A (ja) |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4914119B2 (ja) * | 2006-05-31 | 2012-04-11 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
US9157151B2 (en) * | 2006-06-05 | 2015-10-13 | Applied Materials, Inc. | Elimination of first wafer effect for PECVD films |
KR100816453B1 (ko) * | 2006-06-28 | 2008-03-27 | (주)쎄미시스코 | 공정챔버의 실시간 리크 검출 시스템 |
JP2009231718A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Renesas Technology Corp | ドライエッチング終点検出方法 |
US8393197B2 (en) * | 2008-07-24 | 2013-03-12 | Pivotal Systems Corporation | Method and apparatus for the measurement of atmospheric leaks in the presence of chamber outgassing |
JP5160393B2 (ja) * | 2008-12-16 | 2013-03-13 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法,プラズマ処理装置,プラズマ処理装置の水分量検出方法 |
JP2010165738A (ja) | 2009-01-13 | 2010-07-29 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置のシーズニング方法およびシーズニングの終了判定方法。 |
US20100332010A1 (en) * | 2009-06-30 | 2010-12-30 | Brian Choi | Seasoning plasma processing systems |
KR101604844B1 (ko) * | 2009-12-16 | 2016-03-18 | 주성엔지니어링(주) | 기판 처리 장치 및 이의 처리 방법 |
JP5397215B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2014-01-22 | ソニー株式会社 | 半導体製造装置、半導体装置の製造方法、シミュレーション装置及びシミュレーションプログラム |
JP6078419B2 (ja) * | 2013-02-12 | 2017-02-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置の制御方法、プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
US10386828B2 (en) | 2015-12-17 | 2019-08-20 | Lam Research Corporation | Methods and apparatuses for etch profile matching by surface kinetic model optimization |
US9792393B2 (en) | 2016-02-08 | 2017-10-17 | Lam Research Corporation | Methods and apparatuses for etch profile optimization by reflectance spectra matching and surface kinetic model optimization |
US10032681B2 (en) | 2016-03-02 | 2018-07-24 | Lam Research Corporation | Etch metric sensitivity for endpoint detection |
US10197908B2 (en) | 2016-06-21 | 2019-02-05 | Lam Research Corporation | Photoresist design layout pattern proximity correction through fast edge placement error prediction via a physics-based etch profile modeling framework |
KR102543349B1 (ko) * | 2016-07-11 | 2023-06-30 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 모니터링 장치 |
US10730082B2 (en) * | 2016-10-26 | 2020-08-04 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Apparatus and method for differential in situ cleaning |
US10254641B2 (en) | 2016-12-01 | 2019-04-09 | Lam Research Corporation | Layout pattern proximity correction through fast edge placement error prediction |
US10534257B2 (en) | 2017-05-01 | 2020-01-14 | Lam Research Corporation | Layout pattern proximity correction through edge placement error prediction |
JP6772117B2 (ja) | 2017-08-23 | 2020-10-21 | 株式会社日立ハイテク | エッチング方法およびエッチング装置 |
WO2019053836A1 (ja) * | 2017-09-14 | 2019-03-21 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびウェットクリーニング方法 |
US10134569B1 (en) * | 2017-11-28 | 2018-11-20 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for real-time monitoring of plasma chamber wall condition |
US10572697B2 (en) | 2018-04-06 | 2020-02-25 | Lam Research Corporation | Method of etch model calibration using optical scatterometry |
WO2019199697A1 (en) | 2018-04-10 | 2019-10-17 | Lam Research Corporation | Resist and etch modeling |
KR102708927B1 (ko) | 2018-04-10 | 2024-09-23 | 램 리써치 코포레이션 | 피처들을 특징화하기 위한 머신 러닝의 광학 계측 |
US10896833B2 (en) * | 2018-05-09 | 2021-01-19 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for detecting an endpoint of a seasoning process |
US10854433B2 (en) * | 2018-11-30 | 2020-12-01 | Applied Materials, Inc. | In-situ real-time plasma chamber condition monitoring |
US10977405B2 (en) | 2019-01-29 | 2021-04-13 | Lam Research Corporation | Fill process optimization using feature scale modeling |
US11217454B2 (en) | 2019-04-22 | 2022-01-04 | Hitachi High-Tech Corporation | Plasma processing method and etching apparatus |
CN114080662A (zh) | 2020-06-16 | 2022-02-22 | 株式会社日立高新技术 | 等离子处理装置以及等离子处理方法 |
Family Cites Families (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06120173A (ja) * | 1992-10-09 | 1994-04-28 | Fujitsu Ltd | エッチング終点検出方法 |
JPH07263408A (ja) * | 1994-03-17 | 1995-10-13 | Hitachi Ltd | プラズマエッチング方法 |
JP3257328B2 (ja) * | 1995-03-16 | 2002-02-18 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JPH0982645A (ja) * | 1995-09-08 | 1997-03-28 | Hitachi Ltd | Cvd装置のクリーニング方法 |
JP3766991B2 (ja) * | 1995-10-20 | 2006-04-19 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理の終点検出方法及び装置、並びに本検出方法及び装置を用いた半導体製造方法及び装置 |
JPH1050662A (ja) | 1996-07-29 | 1998-02-20 | Hitachi Ltd | 半導体製造方法及び装置及びそれを用いて製造された半導体素子 |
US6624064B1 (en) * | 1997-10-10 | 2003-09-23 | Applied Materials, Inc. | Chamber seasoning method to improve adhesion of F-containing dielectric film to metal for VLSI application |
JP3408409B2 (ja) * | 1997-10-29 | 2003-05-19 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置の製造方法およびドライエッチング装置の反応室環境制御方法 |
KR200183543Y1 (ko) * | 1997-12-08 | 2000-08-01 | 김영환 | 반도체 웨이퍼 식각장치 |
KR19990065311A (ko) | 1998-01-12 | 1999-08-05 | 윤종용 | 식각 종말점 감지방법 |
JPH11233487A (ja) * | 1998-02-13 | 1999-08-27 | Hitachi Ltd | 静電吸着電極のクリーニング方法及びその検出装置 |
JP4051470B2 (ja) * | 1999-05-18 | 2008-02-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 終点検出方法 |
JP2001081545A (ja) * | 1999-09-09 | 2001-03-27 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置のクリーニング方法及びクリーニング装置 |
JP3535785B2 (ja) * | 1999-11-26 | 2004-06-07 | Necエレクトロニクス株式会社 | クリーニング終点検出装置およびクリーニング終点検出方法 |
US6472822B1 (en) * | 2000-04-28 | 2002-10-29 | Applied Materials, Inc. | Pulsed RF power delivery for plasma processing |
JP2002057149A (ja) * | 2000-08-08 | 2002-02-22 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及びそのクリーニング方法 |
US6566270B1 (en) * | 2000-09-15 | 2003-05-20 | Applied Materials Inc. | Integration of silicon etch and chamber cleaning processes |
US6589868B2 (en) * | 2001-02-08 | 2003-07-08 | Applied Materials, Inc. | Si seasoning to reduce particles, extend clean frequency, block mobile ions and increase chamber throughput |
JP3642299B2 (ja) * | 2001-07-16 | 2005-04-27 | 松下電器産業株式会社 | 電子部品のプラズマクリーニング方法 |
JP4574422B2 (ja) * | 2001-11-29 | 2010-11-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 発光分光処理装置 |
US20030159778A1 (en) * | 2002-02-27 | 2003-08-28 | Kunihiko Koroyasu | Plasma processing apparatus, protecting layer therefor and installation of protecting layer |
US7313451B2 (en) * | 2002-03-12 | 2007-12-25 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing method, detecting method of completion of seasoning, plasma processing apparatus and storage medium |
JP4476551B2 (ja) | 2003-01-29 | 2010-06-09 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置および処理方法 |
JP5404984B2 (ja) * | 2003-04-24 | 2014-02-05 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマモニタリング方法、プラズマモニタリング装置及びプラズマ処理装置 |
US7067432B2 (en) * | 2003-06-26 | 2006-06-27 | Applied Materials, Inc. | Methodology for in-situ and real-time chamber condition monitoring and process recovery during plasma processing |
US7420653B2 (en) * | 2003-10-02 | 2008-09-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus, mirror, method of supplying a protective cap layer, device manufacturing method and device manufactured accordingly |
JP4448335B2 (ja) * | 2004-01-08 | 2010-04-07 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
JP4490704B2 (ja) * | 2004-02-27 | 2010-06-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理方法 |
JP4723871B2 (ja) * | 2004-06-23 | 2011-07-13 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | ドライエッチング装置 |
JP4378234B2 (ja) * | 2004-07-01 | 2009-12-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | エッチング方法 |
JP2006073751A (ja) * | 2004-09-01 | 2006-03-16 | Ulvac Japan Ltd | プラズマクリーニング処理の終点検出方法及び終点検出装置 |
US20060151429A1 (en) * | 2005-01-11 | 2006-07-13 | Hiroyuki Kitsunai | Plasma processing method |
JP4628807B2 (ja) * | 2005-01-28 | 2011-02-09 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 真空処理装置および真空処理方法 |
JP2007073751A (ja) * | 2005-09-07 | 2007-03-22 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置および処理方法 |
JP4914119B2 (ja) * | 2006-05-31 | 2012-04-11 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
-
2006
- 2006-05-31 JP JP2006152305A patent/JP4914119B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-08-10 KR KR1020060075692A patent/KR100780021B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-08-11 US US11/502,416 patent/US8038896B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-08-11 TW TW095129644A patent/TW200744129A/zh not_active IP Right Cessation
-
2010
- 2010-07-29 US US12/846,403 patent/US8900401B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-10-07 US US14/508,859 patent/US9230782B2/en not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2007324341A5 (ja) | ||
TW200744129A (en) | Plasma processing method and apparatus thereof | |
JP2019511843A5 (ja) | ||
JP2009260297A5 (ja) | ||
JP2013182996A5 (ja) | ||
EP1530230A3 (en) | Helical resonator type plasma processing apparatus | |
WO2008082518A3 (en) | Methods and apparatuses for controlling gas flow conductance in a capacitively-coupled plasma processing chamber | |
TW200614368A (en) | Plasma processing device amd method | |
CN108668423A (zh) | 等离子体加工设备及预清洗工艺 | |
WO2006041634A3 (en) | Method and apparatus to improve plasma etch uniformity | |
TW200703471A (en) | Plasma doping method and plasma processing equipment | |
JP2013511128A5 (ja) | ||
TW200644090A (en) | Plasma doping method and system | |
TW200639929A (en) | Plasma doping method and the device thereof | |
WO2008149643A1 (ja) | プラズマドーピング装置及び方法 | |
TW200630505A (en) | Apparatus for producing carbon film and production method therefor | |
WO2015054081A1 (en) | Method and apparatus for plasma ignition in high vacuum chambers | |
TW200723968A (en) | Apparatus and methods for using high frequency chokes in a substrate deposition apparatus | |
JP2020077862A (ja) | エッチング方法及びプラズマ処理装置 | |
RU2009102630A (ru) | Способ плазменной обработки поверхности | |
CN113764252B (zh) | 等离子体源及其启动方法 | |
WO2008149741A1 (ja) | プラズマ処理装置のドライクリーニング方法 | |
JP2005532694A5 (ja) | ||
JP2011065898A5 (ja) | ||
JP2007214171A5 (ja) |