JP2007280596A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2007280596A5
JP2007280596A5 JP2007098891A JP2007098891A JP2007280596A5 JP 2007280596 A5 JP2007280596 A5 JP 2007280596A5 JP 2007098891 A JP2007098891 A JP 2007098891A JP 2007098891 A JP2007098891 A JP 2007098891A JP 2007280596 A5 JP2007280596 A5 JP 2007280596A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
data output
signal
unit
control signal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007098891A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2007280596A (ja
JP5165915B2 (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020060030933A external-priority patent/KR100757925B1/ko
Application filed filed Critical
Publication of JP2007280596A publication Critical patent/JP2007280596A/ja
Publication of JP2007280596A5 publication Critical patent/JP2007280596A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5165915B2 publication Critical patent/JP5165915B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2007098891A 2006-04-05 2007-04-04 半導体記憶装置のデータ出力回路およびデータ出力制御方法 Active JP5165915B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060030933A KR100757925B1 (ko) 2006-04-05 2006-04-05 반도체 메모리의 데이터 출력 장치 및 제어방법
KR10-2006-0030933 2006-04-05

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2007280596A JP2007280596A (ja) 2007-10-25
JP2007280596A5 true JP2007280596A5 (cg-RX-API-DMAC7.html) 2010-05-20
JP5165915B2 JP5165915B2 (ja) 2013-03-21

Family

ID=38575086

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007098891A Active JP5165915B2 (ja) 2006-04-05 2007-04-04 半導体記憶装置のデータ出力回路およびデータ出力制御方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US7505351B2 (cg-RX-API-DMAC7.html)
JP (1) JP5165915B2 (cg-RX-API-DMAC7.html)
KR (1) KR100757925B1 (cg-RX-API-DMAC7.html)
CN (1) CN101051524B (cg-RX-API-DMAC7.html)
TW (1) TWI357081B (cg-RX-API-DMAC7.html)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100800160B1 (ko) * 2006-09-07 2008-02-01 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치의 데이터 출력 회로
KR100871706B1 (ko) 2007-03-13 2008-12-08 삼성전자주식회사 클럭 미러링 스킴을 구현하는 메모리 장치 및 이를장착하는 메모리 시스템
KR100956783B1 (ko) * 2008-10-14 2010-05-12 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치
JP5599560B2 (ja) * 2008-11-27 2014-10-01 富士通セミコンダクター株式会社 半導体メモリ
KR20120086952A (ko) * 2011-01-27 2012-08-06 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 메모리칩 및 이를 이용한 멀티칩 패키지
JPWO2012140783A1 (ja) * 2011-04-15 2014-07-28 富士通株式会社 半導体集積回路の対向ポートの自律初期化方法および半導体集積回路
KR20140025012A (ko) * 2012-08-20 2014-03-04 에스케이하이닉스 주식회사 반도체메모리장치
KR20180079811A (ko) * 2017-01-02 2018-07-11 삼성전자주식회사 메모리 소자의 dq 패드를 재구성하는 방법 및 dq 패드 재구성이 가능한 메모리 장치
CN108021402B (zh) * 2017-12-21 2020-06-23 威创集团股份有限公司 开机控制方法及处理设备

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1199639A3 (en) 1990-12-25 2004-12-08 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha A semiconductor memory device with a large storage capacity memory and a fast speed memory
JPH08195079A (ja) * 1995-01-11 1996-07-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
KR0145888B1 (ko) * 1995-04-13 1998-11-02 김광호 반도체 메모리장치의 동작 모드 전환회로
KR0161404B1 (ko) 1995-04-24 1999-02-01 김광호 확장 데이타 출력모드를 가진 반도체 메모리 장치
KR0164807B1 (ko) * 1995-12-22 1999-02-01 김광호 반도체 메모리 장치의 데이타 출력버퍼 제어회로
US6072729A (en) * 1998-08-24 2000-06-06 Micron Technology, Inc. Data-output driver circuit and method
KR100362193B1 (ko) * 1999-11-26 2002-11-23 주식회사 하이닉스반도체 디디알 동기식 메모리 장치의 데이터 출력 장치
KR100374638B1 (ko) * 2000-10-25 2003-03-04 삼성전자주식회사 입출력데이타의 전파경로 및 전파경로들 간의 차이를최소화하는 회로를 구비하는 반도체 메모리장치
JP2003338175A (ja) * 2002-05-20 2003-11-28 Mitsubishi Electric Corp 半導体回路装置
KR20040015589A (ko) * 2002-08-13 2004-02-19 삼성전자주식회사 향상된 테스트 신뢰성을 갖는 반도체 메모리 장치
KR100532433B1 (ko) * 2003-05-07 2005-11-30 삼성전자주식회사 하나의 패드를 통하여 데이터를 동시에 입출력하기 위한장치 및 방법
KR100494323B1 (ko) * 2003-06-27 2005-06-10 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치 및 이를 이용한 데이터 출력 방법
KR100582411B1 (ko) 2003-10-31 2006-05-22 주식회사 하이닉스반도체 출력되는 데이터의 스큐 및 타이밍 에러를 방지할 수 있는반도체 메모리 장치
KR20060015983A (ko) * 2004-08-16 2006-02-21 삼성전자주식회사 ｔＡＡ개선을 위한 반도체 메모리 장치의 데이터 입/출력방법 및 이를 이용한 장치
KR100558050B1 (ko) 2004-11-19 2006-03-07 주식회사 하이닉스반도체 데이터 출력 모드를 변경할 수 있는 메모리 장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2007280596A5 (cg-RX-API-DMAC7.html)
JP2005065249A5 (cg-RX-API-DMAC7.html)
WO2008045856B1 (en) Concurrent reading of status registers
US20120014202A1 (en) Memory device and method
JP5165915B2 (ja) 半導体記憶装置のデータ出力回路およびデータ出力制御方法
KR20150007507A (ko) 반도체 장치 및 그의 구동방법
KR100890381B1 (ko) 반도체 메모리 소자
US8154946B2 (en) Data storage device
CN111312308A (zh) 半导体器件和包括其的半导体系统
KR100578141B1 (ko) 읽기 속도를 향상시킬 수 있는 낸드 플래시 메모리 장치
JP2011018427A5 (cg-RX-API-DMAC7.html)
JP2010272168A (ja) 半導体装置
KR102513454B1 (ko) 반도체 장치
CN104681094A (zh) 半导体存储器装置
KR101278269B1 (ko) 반도체 장치 및 이의 데이터 전송 방법
KR20160148344A (ko) 입출력 회로 및 이를 포함하는 입출력 장치
KR101190694B1 (ko) 반도체 메모리 장치
US8331171B2 (en) Semiconductor memory apparatus
US8036045B2 (en) Data output control circuit
KR20070036492A (ko) 반도체 메모리 장치
KR20120053602A (ko) 반도체 메모리 장치 및 그의 동작 방법
KR20140002108A (ko) 다양한 데이터를 입출력하는 반도체 집적 회로 장치
KR100875666B1 (ko) 반도체 메모리 소자
KR100856059B1 (ko) 반도체메모리소자
KR20100128634A (ko) 매트 컴프레스회로 및 이를 이용한 반도체 메모리 장치