JP2007280596A - 半導体記憶装置のデータ出力回路およびデータ出力制御方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】少なくとも2種類以上の単位データ出力モードに対して単独または兼用で用いられるパッドが定められた複数のパッドと、メモリバンクのデータを前記メモリバンクの外部に伝送するための複数のデータラインと、前記複数のデータラインのうち少なくとも1つの制御信号に該当するデータラインのデータを、前記複数のパッドのうち現在設定された単位データ出力モードで用いられるパッドに対応する信号ラインへ出力するデータ出力制御手段とを含む。
【選択図】図2
Description
リード命令が入力されてX32モードが選択されれば、リード/ライト区分信号wtrbtはリードを定義するレベル(ロー)になって、X32信号はハイレベルにイネーブルされ、X16およびX8信号はローレベルにディスエーブルされる。
リード命令が入力されてX16モードが選択されれば、リード/ライト区分信号wtrbtはリードを定義するレベル(ロー)になって、X16信号はハイレベルにイネーブルされ、X32およびX8信号はローレベルにディスエーブルされる。
リード命令が入力されてX8モードが選択されれば、リード/ライト区分信号wtrbtはリードを定義するレベル(ロー)になって、X8信号がハイレベルにイネーブルされ、X32およびX16信号はローレベルにディスエーブルされる。
110…セルアレイ
120…センスアンプアレイ
300…データ出力制御部
310…第1制御信号生成部
320…データ選択部
321…第1選択部
322…第2選択部
322−1,323−1…第1モード選択部
322−2,323−2…第2モード選択部
323…第3選択部
323−3…第3モード選択部
400…データ出力部
500…パッド部
Claims (29)
- 少なくとも2種類以上の単位データ出力モードに対して単独または兼用で用いられるパッドが定められた複数のパッドと、
メモリバンクのデータを前記メモリバンクの外部に伝送するための複数のデータラインと、
前記複数のデータラインのうち少なくとも1つの制御信号に該当するデータラインのデータを、前記複数のパッドのうち現在設定された単位データ出力モードで用いられるパッドに対応する信号ラインへ出力するデータ出力制御手段と
を含むことを特徴とする半導体記憶装置のデータ出力回路。 - 前記複数のデータラインは、所定数のデータラインを含む複数のグループに区分されて、各グループで前記少なくとも2種類以上の単位データ出力モード各々に対して用いられるデータラインの数が定められていることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置のデータ出力回路。
- 前記データ出力制御手段は、
ロウアドレス(Row Address)およびリード命令が入力されればイネーブルされる命令認識信号によって前記第1制御信号を生成する第1制御信号生成部と、
前記第1制御信号または第2制御信号に相応するデータラインのデータを選択して、前記複数のパッドのうち現在選択された単位データ出力モードで用いられるパッドに対応する信号ラインへ出力するデータ選択部と
を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置のデータ出力回路。 - 一回のリード命令によって出力されるデータのビット数が各々32、16、8である第1乃至第3単位データ出力モード兼用で用いられる半導体記憶装置において、
前記第1乃至第3単位データ出力モードのうち1つまたは2つ以上に対して用いられるパッドが定められた複数のパッドと、
メモリバンクのデータを前記メモリバンクの外部に伝送するための複数のデータラインと、
前記複数のデータラインにおいて、第1制御信号と第2制御信号のうち少なくとも1つに相応するデータラインのデータを、前記複数のパッドのうち現在設定された単位データ出力モードで用いられるパッドに対応する信号ラインへ出力するデータ出力制御手段と
を含むことを特徴とする半導体記憶装置のデータ出力回路。 - 前記複数のデータラインは、少なくとも4個のデータラインを含む複数のグループに区分されて、各グループで前記第1乃至第3単位データ出力モード各々に対して用いられるデータラインの数が定められていることを特徴とする請求項4に記載の半導体記憶装置のデータ出力回路。
- 前記データ出力制御手段は、
ロウアドレスおよびリード命令によって、メモリバンク毎に発生した命令認識信号を用いて前記第1制御信号を生成する第1制御信号生成部と、
前記第1制御信号と第2制御信号のうち少なくとも1つに相応するデータラインのデータを選択して、前記複数のパッドのうち現在選択された単位データ出力モードで用いられるパッドに対応する信号ラインへ出力するデータ選択部と
を含むことを特徴とする請求項4に記載の半導体記憶装置のデータ出力回路。 - 前記第1制御信号は、リード命令によって活性化したメモリバンクに該当するロウアドレスであることを特徴とする請求項3または6に記載の半導体記憶装置のデータ出力回路。
- 前記第2制御信号は、リード命令によって活性化したメモリバンクに該当するコラムアドレスであることを特徴とする請求項3または6に記載の半導体記憶装置のデータ出力回路。
- 前記第1制御信号生成部は、
各バンク毎にロウアドレスと該当バンクに関連した命令認識信号が入力される複数の第1ナンドゲートと、
前記複数の第1ナンドゲートの出力が入力されて、前記第1制御信号を出力する第2ナンドゲートと
を含むことを特徴とする請求項3または6に記載の半導体記憶装置のデータ出力回路。 - 前記データ選択部は、自身に該当する単位データ出力モードが選択されれば、自身と接続された少なくとも1つのデータラインのデータをリード/ライト区分信号、第1制御信号、および第2制御信号のうち少なくとも1つによって選択して、該当単位データ出力モードで用いられるパッドに対応する信号ラインへ出力する複数の選択部を含むことを特徴とする請求項3または6に記載の半導体記憶装置のデータ出力回路。
- 前記データ選択部は、
第1単位データ出力モード信号がイネーブルされれば自身と接続されたデータラインのデータを、前記第1単位データ出力モードで用いられるパッドに対応する信号ラインへ出力する第1選択部と、
前記第1単位データ出力モードと第2単位データ出力モードのうち1つがイネーブルされれば自身と接続されたデータラインのうち前記第1制御信号に相応するデータラインのデータを、前記第1および第2単位データ出力モードで用いられるパッドに対応する信号ラインへ出力する第2選択部と、
前記第1単位データ出力モード、第2単位データ出力モード、および第3単位データ出力モードのうち1つがイネーブルされれば自身と接続されたデータラインのうち前記第1制御信号および第2制御信号に相応するデータラインのデータを、前記第1乃至第3単位データ出力モードで用いられるパッドに対応する信号ラインへ出力する第3選択部と
を含むことを特徴とする請求項3または6に記載の半導体記憶装置のデータ出力回路。 - 前記第1選択部は、リード/ライト区分信号がリードを定義するレベルであって、第1単位データ出力モード信号がイネーブルされれば自身と接続されたデータラインのデータを、前記第1単位データ出力モードで用いられるパッドに対応する信号ラインへ出力するように構成されることを特徴とする請求項11に記載の半導体記憶装置のデータ出力回路。
- 前記第1選択部は、
反転したリード/ライト区分信号と前記第1単位データ出力モード信号が入力されるナンドゲートと、
前記ナンドゲートの出力によって自身と接続されたデータラインのデータを出力するスイッチと
を含むことを特徴とする請求項11に記載の半導体記憶装置のデータ出力回路。 - 前記第2選択部は、
前記リード/ライト区分信号がリードを定義するレベルであって、前記第1単位データ出力モード信号がイネーブルされれば自身と接続されたデータラインのデータを、前記第1単位データ出力モードで用いられるパッドに対応する信号ラインへ出力する第1モード選択部と、
前記リード/ライト区分信号がリードを定義するレベルであって、第2単位データ出力モード信号がイネーブルされれば自身と接続された複数のデータラインのうち前記第1制御信号に相応するデータラインのデータを、前記第2単位データ出力モードで用いられるパッドに対応する信号ラインへ出力する第2モード選択部と
を含むことを特徴とする請求項11に記載の半導体記憶装置のデータ出力回路。 - 前記第1モード選択部は、
反転したリード/ライト区分信号と前記第1単位データ出力モード信号が入力されるナンドゲートと、
前記ナンドゲートの出力によって自身と接続されたデータラインのデータを出力するスイッチと
を含むことを特徴とする請求項14に記載の半導体記憶装置のデータ出力回路。 - 前記第2モード選択部は、
反転した第1制御信号、前記リード/ライト区分信号、および前記第2単位データ出力モード信号が入力される第1ナンドゲートと、
前記第1ナンドゲートの出力によって自身と接続されたデータラインのデータを出力する第1スイッチと、
前記第1制御信号、前記リード/ライト区分信号、および前記第2単位データ出力モード信号が入力される第2ナンドゲートと、
前記第2ナンドゲートの出力によって自身と接続されたデータラインのデータを出力する第2スイッチと
を含むことを特徴とする請求項14に記載の半導体記憶装置のデータ出力回路。 - 前記第3選択部は、
前記リード/ライト区分信号がリードを定義するレベルであって、前記第1単位データ出力モード信号がイネーブルされれば自身と接続されたデータラインのデータを、前記第1単位データ出力モードで用いられるパッドに対応する信号ラインへ出力する第1モード選択部と、
前記リード/ライト区分信号がリードを定義するレベルであって、前記第2単位データ出力モード信号がイネーブルされれば自身と接続された複数のデータラインのうち前記第1制御信号に相応するデータラインのデータを、前記第2単位データ出力モードで用いられるパッドに対応する信号ラインへ出力する第2モード選択部と、
前記リード/ライト区分信号がリードを定義するレベルであって、第3単位データ出力モード信号がイネーブルされれば自身と接続された複数のデータラインのうち前記第1制御信号および前記第2制御信号に相応するデータラインのデータを、前記第3単位データ出力モードで用いられるパッドに対応する信号ラインへ出力する第3モード選択部と
を含むことを特徴とする請求項11に記載の半導体記憶装置のデータ出力回路。 - 前記第1モード選択部は、
反転したリード/ライト区分信号と前記第1単位データ出力モード信号が入力されるナンドゲートと、
前記ナンドゲートの出力によって自身と接続されたデータラインのデータを出力するスイッチと
を含むことを特徴とする請求項17に記載の半導体記憶装置のデータ出力回路。 - 前記第2モード選択部は、
反転した第1制御信号、前記リード/ライト区分信号、および前記第2単位データ出力モード信号が入力される第1ナンドゲートと、
前記第1ナンドゲートの出力によって自身と接続されたデータラインのデータを出力する第1スイッチと、
前記第1制御信号、前記リード/ライト区分信号、および前記第2単位データ出力モード信号が入力される第2ナンドゲートと、
前記第2ナンドゲートの出力によって自身と接続されたデータラインのデータを出力する第2スイッチと
を含むことを特徴とする請求項17に記載の半導体記憶装置のデータ出力回路。 - 前記第3モード選択部は、
前記第1制御信号と前記第2制御信号との論理値の場合の数各々に対して、前記リード/ライト区分信号および前記第3単位データ出力モード信号が共通で入力される複数のナンドゲートと、
前記複数のナンドゲート各々の出力によって自身と接続されたデータラインのデータを出力する複数のスイッチと
を含むことを特徴とする請求項17に記載の半導体記憶装置のデータ出力回路。 - 前記第3モード選択部は、
前記第1制御信号と前記第2制御信号との論理積の結果、前記リード/ライト区分信号および前記第3単位データ出力モード信号が入力される第1ナンドゲートと、
前記第1ナンドゲートの出力によって自身と接続されたデータラインのデータを出力する第1スイッチと、
反転した第1制御信号と前記第2制御信号との論理積の結果、前記リード/ライト区分信号および前記第3単位データ出力モード信号が入力される第2ナンドゲートと、
前記第2ナンドゲートの出力によって自身と接続されたデータラインのデータを出力する第2スイッチと、
前記第1制御信号と反転した第2制御信号との論理積の結果、前記リード/ライト区分信号および前記第3単位データ出力モード信号が入力される第3ナンドゲートと、
前記第3ナンドゲートの出力によって自身と接続されたデータラインのデータを出力する第3スイッチと、
反転した第1制御信号と反転した第2制御信号との論理積の結果、前記リード/ライト区分信号および前記第3単位データ出力モード信号が入力される第4ナンドゲートと、
前記第4ナンドゲートの出力によって自身と接続されたデータラインのデータを出力する第4スイッチと
を含むことを特徴とする請求項17に記載の半導体記憶装置のデータ出力回路。 - 少なくとも2種類以上の単位データ出力モードに対して単独または兼用で用いられるパッドが定められた複数のパッドと、メモリバンクのデータを前記メモリバンクの外部に伝送するための複数のデータラインを有する半導体記憶装置のデータ出力制御方法であって、
リード命令に該当するメモリバンクからデータを出力させるための少なくとも1つの制御信号を獲得するステップと、
前記獲得された少なくとも1つの制御信号に相応するデータラインを選択するステップと、
前記選択されたデータラインのデータを、前記複数のパッドのうち現在設定された単位データ出力モードで用いられるパッドに対応する信号ラインへ出力するステップと
を含むことを特徴とする半導体記憶装置のデータ出力制御方法。 - 前記少なくとも1つの制御信号は、複数のメモリバンクのうちリード命令によって活性化したメモリバンクに該当するロウアドレスおよびコラムアドレスを含むことを特徴とする請求項22に記載の半導体記憶装置のデータ出力制御方法。
- 前記リード命令に該当するメモリバンクからデータを出力させるための少なくとも1つの制御信号を獲得するステップは、
メモリバンク毎にロウアドレスとメモリバンク毎にリード命令が入力されればイネーブルされる命令認識信号からなる信号の組のうち、前記命令認識信号がイネーブルされた信号の組のロウアドレスを選択するステップを含むことを特徴とする請求項22に記載の半導体記憶装置のデータ出力制御方法。 - 前記獲得された少なくとも1つの制御信号に相応するデータラインを選択するステップは、
前記少なくとも1つの制御信号の場合の数を組み合わせた結果、各々に対して接続された少なくとも1つ以上の互いに異なるデータラインのうち、前記獲得された少なくとも1つの制御信号に相応するデータラインを選択するステップであることを特徴とする請求項22に記載の半導体記憶装置のデータ出力制御方法。 - 少なくとも2種類以上の単位データ出力モードに対して単独または兼用で用いられるパッドが定められた複数のパッドと、メモリバンクのデータを前記メモリバンクの外部に伝送するための複数のデータラインを有する半導体記憶装置のデータ出力制御方法であって、
リード命令が入力されたメモリバンクに該当するロウアドレスを検出するステップと、
前記複数のデータラインにおいて、前記ロウアドレスおよびコラムアドレスのうち少なくとも1つに相応するデータラインを選択するステップと、
前記選択されたデータラインのデータを、前記複数のパッドのうち現在設定された単位データ出力モードで用いられるパッドに対応する信号ラインへ出力するステップと
を含む半導体記憶装置のデータ出力制御方法。 - 前記複数のデータラインは、所定数のデータラインを含む複数のグループに区分されて、各グループで前記少なくとも2種類以上の単位データ出力モード各々に対して用いられるデータラインの数が定められていることを特徴とする請求項22または26に記載の半導体記憶装置のデータ出力制御方法。
- 前記リード命令が入力されたメモリバンクに該当するロウアドレスを検出するステップは、
メモリバンク毎にロウアドレスとメモリバンク毎にリード命令が入力されればイネーブルされる命令認識信号からなる信号の組のうち、前記命令認識信号がイネーブルされた信号の組のロウアドレスを検出するステップであることを特徴とする請求項26に記載の半導体記憶装置のデータ出力制御方法。 - 前記複数のデータラインにおいて、前記ロウアドレスおよびコラムアドレスのうち少なくとも1つに相応するデータラインを選択するステップは、
前記ロウアドレスおよびコラムアドレスの場合の数を組み合わせた結果、各々に対して接続された複数の互いに異なるデータラインのうち前記ロウアドレスおよびコラムアドレスに相応するデータラインを選択するステップであることを特徴とする請求項26に記載の半導体記憶装置のデータ出力制御方法。
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