JP2007243940A5 - - Google Patents

Claims (23)

1. ボディ端子をそれぞれが有する金属酸化物半導体トランジスタと、
   電力供給信号を集積回路に供給する入出力ピンと、
   ボディバイアス信号を該金属酸化物半導体トランジスタの該ボディ端子に分配するボディバイアス経路と、
   該電力供給信号をモニタして、該金属酸化物半導体トランジスタに対する潜在的なラッチアップ条件を検出することと、該ボディバイアス経路を安全な電圧に維持して、該潜在的なラッチアップ条件が存在する間、該金属酸化物半導体トランジスタ内のラッチアップを防止することとを行う能動ラッチアップ防止回路網と、
   該ボディバイアス経路に付与される該ボディバイアス信号を生成するボディバイアス生成回路網と
   を含み、該能動ラッチアップ防止回路網は、該ボディバイアス生成回路網からの少なくとも１つの信号をモニタして、該ボディバイアス信号が有効かどうかを判断する回路網を含む、集積回路。
2. ボディ端子をそれぞれが有する金属酸化物半導体トランジスタと、
   電力供給信号を集積回路に供給する入出力ピンと、
   ボディバイアス信号を該金属酸化物半導体トランジスタの該ボディ端子に分配するボディバイアス経路と、
   該電力供給信号をモニタして、該金属酸化物半導体トランジスタに対する潜在的なラッチアップ条件を検出することと、該ボディバイアス経路を安全な電圧に維持して、該潜在的なラッチアップ条件が存在する間、該金属酸化物半導体トランジスタ内のラッチアップを防止することとを行う能動ラッチアップ防止回路網と、
   構成データをロードされたプログラマブル素子と
   を含み、該能動ラッチアップ防止回路網は、能動ｎチャネルラッチアップ防止回路網および能動ｐチャネルラッチアップ防止回路網を含む、集積回路。
3. ボディ端子をそれぞれが有する金属酸化物半導体トランジスタと、
   電力供給信号を集積回路に供給する入出力ピンと、
   ボディバイアス信号を該金属酸化物半導体トランジスタの該ボディ端子に分配するボディバイアス経路と、
   該電力供給信号をモニタして、該金属酸化物半導体トランジスタに対する潜在的なラッチアップ条件を検出することと、該ボディバイアス経路を安全な電圧に維持して、該潜在的なラッチアップ条件が存在する間、該金属酸化物半導体トランジスタ内のラッチアップを防止することとを行う能動ラッチアップ防止回路網と、
   該入出力ピンを介して受けられるコアロジック電力供給電圧および接地電力供給電圧が有効となる一方で、該ボディバイアス経路上の該ボディバイアス信号がフロートしているときに、該金属酸化物半導体トランジスタがラッチアップされることを防止する該能動ラッチアップ防止回路網内における、ｎチャネル金属酸化物半導体能動ラッチアップ防止回路網と、
   ダイオード接続トランジスタを含む少なくとも１つの受動ラッチアップ防止回路と
   を含む、集積回路。
4. それぞれがボディ端子を有するｎチャネル金属酸化物半導体トランジスタと、
   ｎチャネル金属酸化物半導体ボディバイアス信号を生成するｎチャネルボディバイアス生成器と、
   該ｎチャネル金属酸化物半導体ボディバイアス信号を該ｎチャネル金属酸化物半導体トランジスタの該ボディ端子に分配する第一のボディバイアス経路と、
   該ｎチャネル金属酸化物半導体トランジスタがラッチアップを経験することを防止するｎチャネル能動ラッチアップ防止回路網と、
   それぞれがボディ端子を有するｐチャネル金属酸化物半導体トランジスタと、
   ｐチャネル金属酸化物半導体ボディバイアス信号を生成するｐチャネルボディバイアス生成器と、
   該ｐチャネル金属酸化物半導体ボディバイアス信号を該ｐチャネル金属酸化物半導体トランジスタの該ボディ端子に分配する第二のボディバイアス経路と、
   該ｐチャネル金属酸化物半導体トランジスタがラッチアップを経験することを防止するｐチャネル能動ラッチアップ防止回路網と
   を含む、プログラマブルロジックデバイス集積回路。
5. 前記第一のボディバイアス経路に付与される前記ｎチャネル金属酸化物半導体ボディバイアス信号を生成するｎチャネル金属酸化物半導体ボディバイアス生成回路網と、
   前記第一のボディバイアス経路に付与される前記ｐチャネル金属酸化物半導体ボディバイアス信号を生成するｐチャネル金属酸化物半導体ボディバイアス生成回路網と
   をさらに含む、請求項４に記載のプログラマブルロジックデバイス集積回路。
6. プラスの電力供給信号および接地電力供給信号を受ける入出力ピンであって、前記ｎチャネル能動ラッチアップ防止回路網は、前記第一のボディバイアス経路上の前記ｎチャネルボディバイアス信号が有効であるかどうか、該プラスの電力供給信号が有効であるかどうか、および、該接地電力供給信号が有効であるかどうかを判断する比較器回路網を含む、入出力ピンと、
   該比較器回路網が、該プラスの電力供給信号および該接地電力供給信号が有効となった一方で、該ｎチャネルボディバイアス信号が有効でないと判断するとき、前記ｎチャネル能動ラッチアップ防止回路網はオンになり、該接地電力供給信号で、該第一のボディバイアス経路をクランプする該ｎチャネル能動ラッチアップ防止回路網内のトランジスタと
   をさらに含む、請求項４に記載のプログラマブルロジックデバイス集積回路。
7. プラスの電力供給信号および接地電力供給信号を受ける入出力ピンであって、前記ｐチャネル能動ラッチアップ防止回路網は、前記第二のボディバイアス経路上の前記ｐチャネルボディバイアス信号が有効であるかどうか、該プラスの電力供給信号が有効であるかどうか、および、該接地電力供給信号が有効であるかどうかを判断する比較器回路網を含む、入出力ピンと、
   該比較器回路網が、該プラスの電力供給信号および該接地電力供給信号が有効となった一方で、該ｐチャネルボディバイアス信号が有効でないと判断するとき、該ｐチャネル能動ラッチアップ防止回路網はオンになり、該プラスの電力供給信号で、該第二のボディバイアス経路をクランプする、該ｐチャネル能動ラッチアップ防止回路網内のトランジスタと
   をさらに含む、請求項４に記載のプログラマブルロジックデバイス集積回路。
8. ボディ端子をそれぞれが有する金属酸化物半導体トランジスタと、
   電力供給信号を集積回路に供給する入出力ピンであって、該入出力ピンは、外部ソースから該ボディバイアス信号を受ける入出力ピンを含む、入出力ピンと、
   ボディバイアス信号を該金属酸化物半導体トランジスタの該ボディ端子に分配するボディバイアス経路と、
   該電力供給信号および該外部ソースから受けた該ボディバイアス信号をモニタして、該金属酸化物半導体トランジスタに対する潜在的なラッチアップ条件を検出することと、該ボディバイアス経路を安全な電圧に維持して、該潜在的なラッチアップ条件が存在する間、該金属酸化物半導体トランジスタ内のラッチアップを防止することとを行う能動ラッチアップ防止回路網と
   を含む、集積回路。
9. 前記入出力ピンは、プラスの電力供給信号および接地電力供給信号を受ける入出力ピンを含み、
   前記外部ソースから受けた前記ボディバイアス信号は、該プラスの電力供給信号とは異なる、請求項８に記載の集積回路。
10. 前記入出力ピンは、プラスの電力供給信号および接地電力供給信号を受ける入出力ピンを含み、前記能動ラッチアップ防止回路網は、該プラスの電力供給信号および該接地電力供給信号をモニタして、該プラスの電力供給信号および該接地電力供給信号が有効であるかどうかを判断する回路網を含む、請求項８に記載の集積回路。
11. 前記能動ラッチアップ防止回路網は、プラスの電力供給電圧経路に接続される第１のソース−ドレイン端子と前記ボディバイアス経路に接続される第２のソース−ドレイン端子とを有するトランジスタを含み、該トランジスタは、ゲート端子とボディバイアス端子とを有し、該ゲート端子とボディバイアス端子との両方は、該ボディバイアス経路に結合される、請求項８に記載の集積回路。
12. 前記能動ラッチアップ防止回路網は、接地電力供給電圧経路に接続される第１のソース−ドレイン端子と前記ボディバイアス経路に接続される第２のソース−ドレイン端子とを有するトランジスタを含み、該トランジスタは、ゲート端子とボディバイアス端子とを有し、該ゲート端子とボディバイアス端子との両方は、該ボディバイアス経路に結合される、請求項８に記載の集積回路。
13. 前記集積回路上のコア回路網に電力供給する前記入出力ピンの１つからコアのプラスの電力供給電圧が付与されるコア電力供給経路をさらに含む、請求項８に記載の集積回路。
14. 前記集積回路は、プログラマブルロックデバイス集積回路であり、該集積回路は、構成データをロードされたプログラマブルメモリ素子をさらに含む、請求項８に記載の集積回路。
15. 集積回路上の金属酸化物半導体トランジスタにおいて、ラッチアップを防止する方法であって、該集積回路は、ボディバイアス経路に付与されるボディバイアス信号を生成するボディバイアス信号生成回路網を有し、該ボディバイアス経路は、該ボディバイアス信号を該金属酸化物半導体トランジスタのボディ端子に分配し、
    該集積回路上で、電力供給信号と該ボディバイアス生成回路網からの少なくとも１つの信号とをモニタして、該ボディバイアス信号が有効であるかどうかを判断し、該金属酸化物半導体トランジスタに対する潜在的なラッチアップ条件を検出することと、
    潜在的なラッチアップ条件が存在するとき、該ボディバイアス経路を安全な電圧に維持して、該金属酸化物半導体トランジスタにおけるラッチアップを防止することと
    を含む、方法。
16. 前記電力供給信号をモニタすることは、プラスの電力供給信号および接地電力供給信号をモニタし、該プラスの電力供給信号および該接地電力供給信号が有効かどうかを判断することを含む、請求項１５に記載の方法。
17. トランジスタが前記ボディバイアス経路とプラスの電力供給信号を受ける端子との間に接続され、前記方法は、
    プラスの電力供給信号および接地電力供給信号をモニタして、該プラスの電力供給信号および該接地電力供給信号が有効かどうかを判断することと、
    該プラスの電力供給信号および接地電力供給信号が有効となる一方で、該ボディバイアス信号が有効でないときに、該トランジスタをオンにし、該ボディバイアス経路に該プラスの電力供給信号を付与することと
    をさらに含む、請求項１５に記載の方法。
18. 構成データをロードされ、それに対応する静的制御信号を生成するプログラマブルメモリ素子と、
    それぞれがボディ端子を有する金属酸化物半導体トランジスタであって、該金属酸化物半導体トランジスタのそれぞれは、該静的制御信号のそれぞれを受けるゲートを有する、金属酸化物半導体トランジスタと、
    電力供給信号をプログラマブルロジックデバイス集積回路に供給する入出力ピンであって、該入出力ピンは、外部ソースからボディバイアス信号を受けることと、プラスの電力供給信号を受けることと、接地電力供給信号を受けることとを行う入出力ピンを含む、入出力ピンと、
    ボディバイアス信号を該金属酸化物半導体トランジスタの該ボディ端子に分配するボディバイアス経路と、
    該電力供給信号をモニタして、該金属酸化物半導体トランジスタに対する潜在的なラッチアップ条件を検出することと、該ボディバイアス経路を安全な電圧に維持して、該潜在的なラッチアップ条件が存在する間、該金属酸化物半導体トランジスタ内のラッチアップを防止することとを行う能動ラッチアップ防止回路網と
    を含む、プログラマブルロジックデバイス集積回路。
19. 前記金属酸化物半導体トランジスタは、ｐチャネル金属酸化物半導体トランジスタを含む、請求項１８に記載のプログラマブルロジックデバイス集積回路。
20. 前記金属酸化物半導体トランジスタは、ｐチャネル金属酸化物半導体トランジスタを含み、前記外部ソースから受けた前記ボディバイアス信号は、電圧において、前記プラスの電力供給信号とは異なり、かつ前記接地電力供給信号とは異なる、請求項１８に記載のプログラマブルロジックデバイス集積回路。
21. 前記金属酸化物半導体トランジスタは、ｎチャネル金属酸化物半導体トランジスタを含む、請求項１８に記載のプログラマブルロジックデバイス集積回路。
22. 前記金属酸化物半導体トランジスタは、ｎチャネル金属酸化物半導体トランジスタを含み、前記外部ソースから受けた前記ボディバイアス信号は、電圧において、前記プラスの電力供給信号とは異なり、かつ前記接地電力供給信号とは異なる、請求項１８に記載のプログラマブルロジックデバイス集積回路。
23. 前記能動ラッチアップ防止回路網は、前記ボディバイアス信号、前記プラスの電力供給信号、前記接地電力供給信号をモニタして、該ボディバイアス信号、該プラスの電力供給信号、該接地電力供給信号が有効かどうかを判断する回路網を含む、請求項１８に記載のプログラマブルロジックデバイス集積回路。