JP2007201429A - 複合基板の作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】支持基板1上に絶縁層31を形成または堆積し、ソース基板上に、絶縁層32を形成または堆積するステップと、上記絶縁層の少なくとも1つをプラズマ活性化するステップと、絶縁層31、32のそれぞれを介して、分子接合によって上記2つの基板1、2を接合するステップと、上記活性層20のみを保持するように、ソース基板から背部部分21を除去するステップとを備え、プラズマ活性化エネルギーの値、および絶縁層31、32のそれぞれの厚みe1、e2が、活性化された絶縁層が、その上側部分でのみ活性化S、上記最終絶縁層3の厚みを、50ナノメートル以下であるように選択する。
【選択図】図2E
Description
・埋め込み絶縁層の電荷密度(「Qbox」の略語で知られる)。1cm2当たり5×1011電荷未満の値を得ることが望ましい。
・ブレークダウン電圧、すなわち、絶縁体の抵抗が急に下がる一線となる電圧。最大値を得ることが望ましい。一例として、埋め込み酸化珪素層の場合の好ましい値は、可能な限り、10MV/cm[メガボルト/センチメートル]に近いものである。
・活性層における正孔および/または電子の移動度。1つの説明的な例として、およそ1015atoms/cm3の濃度でホウ素がドープされたシリコンにおいて、500cm2.V−1.s−1[センチメートル2.ボルト−1.秒−1]より大きな電子移動度を得ることが望まれる。
・2つの層間の界面での捕獲密度を意味する、「DIT」値、いわゆる、「界面捕獲密度(density of interface trap)」。本発明において、埋め込み絶縁層とそれに隣接する層とのそれぞれの界面でのDIT値の向上が求められる。
上記支持基板上に、「第1の層」と称する絶縁層を形成または堆積し、「ソース基板」と称する第2の基板上に、「第2の層」と称する絶縁層を形成または堆積するステップと、
上記第1および第2の絶縁層の少なくとも1つをプラズマ活性化するステップと、
上記第1および第2の絶縁層が、接合界面に沿って接触し、上記最終絶縁層を一体に形成するように、分子接合によって上記支持基板および上記ソース基板を接合するステップと、
上記活性層を構成する材料の厚みのみを保持するように、ソース基板の「背部」と称する部分を除去するステップと
を備え、
プラズマ活性化エネルギーの値および第1および第2の絶縁層のそれぞれの厚み(e1、e2)が、活性化された絶縁層が、その自由表面から延在する上側部分でのみ活性化され、最終絶縁層の厚みが、50ナノメートル(50nm)以下、好ましくは、20ナノメートル(20nm)以下であるように選択されることを特徴とする、方法に関する。
・支持基板上に形成または堆積された第1の絶縁層の厚み(e1)およびソース基板上に形成または堆積された第2の絶縁層の厚み(e2)が、以下の関係式、
e1≧emp1+d1およびe2≧emp2+d2
を満たし、式中、emp1およびemp2が、第1の絶縁層の厚み、および第2の絶縁層の厚みのそれぞれに相当し、厚みの性質が、プラズマ活性処理後に変更され、d1およびd2が、第1および第2の絶縁層のそれぞれのトンネル距離に相当する。
・第1および第2の絶縁層の界面捕獲密度(DIT)の値が、上記絶縁層が堆積または形成される層とのそれぞれの界面で、層がシリコンから形成され、絶縁層が二酸化珪素(SiO2)から形成される場合、1011eV−1.cm−2以下、好ましくは、数1010eV−1.cm−2以下である。
・第1の絶縁層および/または第2の絶縁層が、酸化物または高誘電率の誘電材料から形成される。
・プラズマ活性化が、50sccm〜200sccmの範囲の流量、50ミリトールのチャンバ内の圧力、200mmの基板の場合、約250Wのプラズマ出力および300mmの基板の場合、約500Wのプラズマ出力、5秒〜60秒の範囲の期間、第1および第2の絶縁層に酸素プラズマを適用するステップからなる。
・支持基板1:シリコン(Si)、炭化珪素(SiC)、ゲルマニウム(Ge)、例えば、シリコン基板上のゲルマニウム(Ge)、シリコンゲルマニウム(SiGe)、または窒化ガリウム(GaN)層などの任意のエピタキシャル成長層、またはストレインドシリコン(strained silicon)層。
・ソース基板2:シリコン(Si)、ゲルマニウム(Ge)、炭化珪素(SiC)、窒化ガリウム(GaN)、シリコンゲルマニウム(SiGe)、ガリウムヒ素(AsGa)、またはインジウムリン(InP)。
・水酸化アンモニウム(NH4OH)、過酸化水素(H2O2)、および脱イオン水の混合物を含む、「SC1」(標準洗浄1(standard clean 1))という頭文字で知られる第1の溶液。
・塩酸(HCl)、過酸化水素(H2O2)、および脱イオン水の混合物を含む、「SC2」(標準洗浄2(standard clean 2))という頭文字で知られる第2の溶液。
e1≧emp1+d1およびe2≧emp2+d2
式中、d1およびd2は、第1および第2の絶縁層31、32の「トンネル」距離をそれぞれ表す。
EOT=(εSiO2/εr)・e
・支持基板
・150nmの酸化珪素絶縁体
・90nmのSi層
・20nmの酸化物層
・5nmのHfO2層
・最終Ge層
・支持基板
・25nmの酸化珪素絶縁体
・50nmのSi層
・25nmの酸化珪素層
・50nmの最終シリコン層
Claims (22)
- 「支持基板」と称する第1の半導体基板(1)と、「活性層」と称する半導体材料層(20)との間に介在させた「最終層」と称する少なくとも1つの薄い絶縁層(3)を備えるタイプの複合基板(4)の作製方法において、
前記支持基板(1)上に、「第1の層」と称する絶縁層(31)を形成または堆積し、「ソース基板」と称する第2の基板(2)上に、「第2の層」と称する絶縁層(32)を形成または堆積するステップと、
前記第1の絶縁層(31)および前記第2の絶縁層(32)の少なくとも1つをプラズマ活性化するステップと、
前記第1および第2の絶縁層(31、32)が、接合界面(5)に沿って接触し、前記最終絶縁層(3)を一体に形成するように、分子接合によって前記支持基板(1)および前記ソース基板(2)を接合するステップと、
前記活性層(20)を構成する材料の厚みのみを保持するように、前記ソース基板(2)の「背部」と称する部分(21)を除去するステップと、
を備え、
プラズマ活性化エネルギーの値および前記第1および第2の絶縁層(31、32)のそれぞれの厚み(e1、e2)が、前記活性化された絶縁層(31、32)が、その自由表面(310、320)から延在する上側部分でのみ活性化され、前記最終絶縁層(3)の厚みが、50ナノメートル(50nm)以下であるように選択されることを特徴とする、方法。 - 前記支持基板(1)上に形成または堆積された前記第1の絶縁層(31)の厚み(e1)、および前記ソース基板(2)上に形成または堆積された前記第2の絶縁層(32)の厚み(e2)が、以下の関係式、
e1≧emp1+d1およびe2≧emp2+d2
を満たし、式中、emp1およびemp2が、前記第1の絶縁層(31)の厚み、および前記第2の絶縁層(32)の厚みのそれぞれに相当し、前記厚みの性質が、プラズマ活性処理後に変更され、d1およびd2が、前記第1および第2の絶縁層のそれぞれの「トンネル」距離に相当することを特徴とする、請求項1に記載の方法。 - 前記第1および第2の絶縁層(31、32)の界面捕獲密度(DIT)の値が、前記絶縁層が堆積または形成される層とのそれぞれの界面(311、321)で、前記層がシリコンから形成され、前記絶縁層が二酸化珪素(SiO2)から形成される場合、1011eV−1.cm−2以下、好ましくは、数1010eV−1.cm−2以下であることを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。
- 前記第1の絶縁層(31)および/または前記第2の絶縁層(32)が、酸化物であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第1の絶縁層(31)および/または前記第2の絶縁層(32)が、高誘電率材料であることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記高誘電率材料が、二酸化ハフニウム(HfO2)、酸化イットリウム(Y2O3)、三酸化ストロンチウムチタン(SrTiO3)、アルミナ(Al2O3)、二酸化ジルコニウム(ZrO2)、五酸化タンタル(Ta2O5)、二酸化チタン(TiO2)、それらの窒化物、およびそれらの珪化物を含む群から選択されることを特徴とする、請求項5に記載の方法。
- 前記第1の酸化物層(31)および/または前記第2の酸化物層(32)が、前記支持基板(1)および/または前記ソース基板(2)をそれぞれ熱酸化することによって得られることを特徴とする、請求項4に記載の方法。
- プラズマ活性化が、50sccm〜200sccmの範囲の流量、50ミリトールのチャンバ内の圧力、200mmの基板の場合、約250Wのプラズマ出力および300mmの基板の場合、約500Wのプラズマ出力、5秒〜60秒の範囲の期間、前記第1および第2の絶縁層(31、32)に酸素プラズマを適用するステップからなることを特徴とする、請求項1〜7のいずれか一項に記載の方法。
- 前記絶縁層(31、32)で覆われた前記2つの基板(1、2)の少なくとも1つの上で、900℃付近の温度で、少なくとも2時間、中性ガスおよび水素の混合物中で実行されるアニールステップをさらに備え、前記ステップが、プラズマ活性化前に実行されることを特徴とする、請求項1〜8のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ソース基板(2)の前記背部部分(21)が、研摩および/または研磨によって除去されることを特徴とする、請求項1〜9のいずれか一項に記載の方法。
- 前記プラズマ活性化ステップ前に実行される、前記ソース基板(2)内にウィークゾーン(22)を形成するステップと、前記ウィークゾーン(22)に沿って剥離することによって、前記ソース基板(2)の前記背部部分(21)を除去するステップとを備えることを特徴とする、請求項1〜9のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第2の絶縁層(32)を形成した後、前記ソース基板(2)に前記ウィークゾーン(22)を規定するために、前記ソース基板(2)への原子種注入ステップを実行することを特徴とする、請求項11に記載の方法。
- 中性ガスおよび水素中での前記アニールステップが、前記原子種注入ステップ前に実行されることを特徴とする、請求項9または12に記載の方法。
- プラズマ活性化後および接合前に実行される、前記第1および第2の絶縁層(31、32)の少なくとも1つを薄層化するステップを備えることを特徴とする、請求項1〜13のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ソース基板(2)が、シリコンから形成され、前記第1および第2の絶縁層(31、32)が、二酸化珪素から形成されることを特徴とする、請求項1〜14のいずれか一項に記載のSOIタイプの基板の作製方法。
- 前記最終絶縁層(3)の厚みが、20ナノメートル(20nm)以下であることを特徴とする、請求項1〜15のいずれか一項に記載の方法。
- 「支持基板」と称する第1の半導体基板(1)と、「活性層」と称する半導体材料層(20)との間に介在させた少なくとも1つの絶縁層(31、32)を備え、前記1つ以上の絶縁層(31、32)が、全厚みが50ナノメートル(50nm)以下で、前記支持基板(1)との界面(311)および前記活性層(20)との界面(321)での界面捕獲密度(DIT)が、1011.eV−1.cm−2以下の「最終」層と称する絶縁層(3)を形成することを特徴とする、複合基板(4)。
- 前記1つ以上の絶縁層(31、32)が、酸化物から形成されることを特徴とする、請求項17に記載の複合基板。
- 前記1つ以上の絶縁層(3、31、32)が、高誘電率材料から形成されることを特徴とする、請求項17または18に記載の複合基板。
- 前記活性層(20)が、シリコン(Si)、ゲルマニウム(Ge)、炭化珪素(SiC)、窒化ガリウム(GaN)、およびシリコンゲルマニウム(SiGe)から選択された材料から作られることを特徴とする、請求項17〜19のいずれか一項に記載の複合基板。
- 前記最終絶縁層(3)の全厚みが、20ナノメートル(20nm)以下であることを特徴とする、請求項17〜20のいずれか一項に記載の複合基板。
- 前記最終絶縁層(3)の界面捕獲密度(DIT)の値が、数1010.eV−1.cm−2以下であることを特徴とする、請求項17〜21のいずれか一項に記載の複合基板。
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