JP2004134753A - 多重の誘電率と多重の厚さを有するゲート絶縁体層を形成する方法 - Google Patents
多重の誘電率と多重の厚さを有するゲート絶縁体層を形成する方法 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】 半導体基板上に種々の誘電率と種々の見掛けの酸化物厚さ(EOT)を有するゲート絶縁体層(誘電体層)を形成する方法を提供する。
【解決手段】 高誘電率(高k)の層を半導体基板上に形成した後、前記高k層の頂部に元素を導入する方法を前記高k層の第1領域に対して実施し、その間、前記高k層の第2領域はフォトレジスト形態物で保護される。熱処理すると、前記高k層の第1領域は高k層の未処理の第2領域と異なる誘電率および異なるEOTを示す。
【選択図】 図3
【解決手段】 高誘電率(高k)の層を半導体基板上に形成した後、前記高k層の頂部に元素を導入する方法を前記高k層の第1領域に対して実施し、その間、前記高k層の第2領域はフォトレジスト形態物で保護される。熱処理すると、前記高k層の第1領域は高k層の未処理の第2領域と異なる誘電率および異なるEOTを示す。
【選択図】 図3
Description
本発明は半導体装置を製造する方法、特に、同じ半導体チップ上に多重の誘電率と多重の厚さを有するゲート絶縁体層を形成する方法に関する。
マイクロ微細化、即ちサブミクロン形態の半導体デバイスを作製する技術は、完全なシステムオンチップ(system on chip:SoC)を実現できるまでに、デバイスの集積化を進歩させた。しかしながら、SoCの概念は、SoC設計の特定の機能を満足させるために、多重の誘電率を与えるゲート絶縁体層に加えて、多重のゲート絶縁体層の厚さをも必要とする。半導体基板の特定領域上に種々のゲート絶縁体の厚さを形成することは、二酸化ケイ素のゲート絶縁体層の成長のために使用される熱酸化処理の前に半導体基板中への注入(implantation)を実施することによって達成され、注入された化学種は半導体基板の酸化速度を増大または減少させ、これによって種々の二酸化ケイ素ゲート絶縁体の厚さが得られる。酸化速度の差を調節するためにフッ素、アルゴン、および窒素のようなイオンの注入が使用されてきた。しかしながら、デバイスの性能の向上によって、ゲート絶縁体層の厚さは20オングストローム以下の厚さまで縮小され、その結果、酸化の前に半導体中への注入処理を実施することが困難になっている。
本発明は、ゲート絶縁体層の特定領域が特定の誘電率と特定の厚さで形成され、一方、同じゲート絶縁体層の他の領域が異なる誘電率と異なる厚さで形成され、これはゲート絶縁体層の特定領域中への種々の元素の導入によって達成される、という方法を開示する。米国特許番号6,348,386B1(Gilmer)、米国特許番号6,297,539B1(Ma他)、米国特許番号6,207,589B1(Ma他)、および米国特許番号6,184,072B1(Kaushik他)のような従来技術は、金属酸化物のゲート絶縁体層を形成する方法を開示する。
しかしながら、これらの従来技術いずれも、ゲート絶縁体層の特定領域に特定の元素を導入することによって、ゲート絶縁体の非処理領域の誘電率および見掛けの酸化物厚さ(equivalent oxide thickness:EOT)と異なる誘電率および見掛けの酸化物厚さが得られる、という本発明の新規な方法を開示していない。
本発明の目的は、半導体基板上に、種々の誘電率および種々の見掛けの酸化物厚さを有するゲート絶縁体層を形成することである。
本発明の別の目的は、半導体基板上に高誘電率の(高kの)層を最初に形成し、次いで前記高k層の特定領域中に元素を導入することによって、この処理を受ける高k層の領域の前記誘電率を変化させるとともにEOTを変化させることである。
本発明の別の目的は、半導体基板上に高誘電率の(高kの)層を最初に形成し、次いで前記高k層の特定領域中に元素を導入することによって、この処理を受ける高k層の領域の前記誘電率を変化させるとともにEOTを変化させることである。
本発明の更に別の目的は、第1の態様が第1のタイプの元素を高k層中に導入して誘電率を減少させると共に高k層のEOTを増大させ、一方、第2の態様が第2のタイプの元素を高k層中に導入して誘電率を増大させると共に処理された高k層のEOTを減少させるための方法を提供することである。
本発明に従えば、高kのゲート絶縁体層中に元素を導入して、このゲート絶縁体層の誘電率と見掛けの酸化物厚さ(EOT)を変化させることにより、同じ半導体基板上に種々の誘電率と種々の見掛けの酸化物厚さ(EOT)を有するゲート絶縁体層を形成する方法が開示される。本発明の第1の態様は、半導体基板上に第1の高k誘電体層を形成し、次いで遮蔽形態物(block-out shape)で被覆されていない第1の高k誘電体層の領域中に第1のタイプの元素を侵入させ(immersion)または注入する(implantation)ことを特徴とする。アニール(anneal)を行うと、第1の高k層からなる第1の部分が生成し、侵入または注入の処理を受けた部分は、侵入または注入の処理を受けない第1の高k層からなる第2の部分に比較して、低い誘電率および増大したEOTを有する。本発明の第2の態様は、半導体基板上に第2の高k誘電体層を形成し、次いで遮蔽形態物で被覆されていない第2の高k誘電体層の領域中に第2のタイプの元素を侵入または注入することを特徴とする。アニールを行うと、第2の高k層からなる第1の部分が生成し、侵入または注入の処理を受けた部分は、侵入または注入の処理を受けない第2の高k層からなる第2の部分に比較して、高い誘電率および減少したEOTを有する。次いで、種々のEOTと種々の誘電率を有する下にあるゲート絶縁体層の上にゲート構造物を形成する。
半導体基板上にゲート絶縁体層を形成する方法であって、このゲート絶縁体層の第1の領域は特定の誘電率と特定の見掛けの酸化物厚さ(EOT)を有することを特徴とし、このゲート絶縁体層の第2の領域は第1の領域とは異なる誘電率とEOTを有することを特徴とする、という方法を詳細に記述する。図1で概略的に示すように、<100>の結晶方位で特徴づけられる単結晶物質から構成される半導体基板1が使用される。次いで、半導体基板1の頂部に浅いトレンチ形態を形成し、次いでこの浅いトレンチ形態を絶縁体で充填し、そして半導体基板1の上面から絶縁体層の不必要な領域を除去することによって、絶縁体が充填されたトレンチ形状の浅いトレンチ分離(STI)領域2が形成される。浅いトレンチ形態は、光リソグラフィおよびドライエッチング方法により、ケイ素用のエッチング剤としてCl2を使用して形成することができ、一方、浅いトレンチ形態を充填するために使用される絶縁体層は、低圧化学気相成長(LPCVD)方法またはプラズマ強化された化学気相成長(PECVD)方法によって得られた酸化ケイ素層であってもよい。絶縁体の不必要な部分の除去は、化学的機械研磨(CMP)方法、または絶縁体層用のエッチング剤としてCHF3を使用する選択的ドライエッチング方法によって実施される。
次に、酸化ハフニウム(HfO2)、酸化ジルコニウム(ZrO2)、または酸化セリウム(CeO2)から構成される誘電体層3aを、半導体基板1上に約40〜80オングストロームの物理的厚さで成長させ、これは約20〜28の高い誘電率(高いk)を有する。誘電体層3aの見掛けの酸化物厚さ(EOT)は約7〜13オングストロームである。図1で概略的に示される誘電体層3aは、約200〜500℃の温度で実施される原子層堆積(ALD)または金属有機物化学気相成長(MOCVD)の方法によって得られる。
次に、本発明の第1の態様を説明する。この第1の態様によれば、ゲート絶縁体層の第1領域が半導体基板の第1部分上に形成され、これは特定の誘電率および特定の絶縁体の厚さを有し、一方、同じ半導体基板の第2部分上に配置されたゲート絶縁体層の第2領域は、処理されてゲート絶縁体層の前記第1領域よりも低い誘電率および厚い絶縁体層を生じる。フォトレジスト形態物4を誘電体層3aの第1領域上に形成し、誘電体層3aの露出部分にケイ素、ゲルマニウム、またはアルミニウムのような特定の元素を侵入させまたは注入する。HfO2誘電体層中へのケイ素のような元素の導入は、約10〜500ミリトルの圧力において約50〜1000ワットの出力で実施されるプラズマ侵入法(plasma immersion procedure)を用いて達成されるか、または約0.1〜1.0KeVの注入エネルギーおよび約1E13〜1E15原子/cm2の注入線量でケイ素のような特定元素を注入することにより達成され、その結果、誘電体層3bが形成される。これは図2で概略的に示される。
プラズマ酸素アッシング(plasma oxygen ashing)の方法によってフォトレジスト形態物4を除去した後、アニール工程が誘電体層3b中に導入されたイオンを活性化するために使用され、その結果、未処理の誘電体層3aの誘電率よりも低い約8〜16の誘電率を有するHfSixOyのような誘電体層3bが生じる。また、誘電体層3bの物理的厚さは約40〜80オングストロームのままであるが、誘電率の変化によって誘電体層3bのEOTは約13〜27オングストロームになる。従って、同じ半導体基板上のゲート絶縁体層内に多重の厚さを与える所望の効果が達成される。侵入または注入された元素がアニールなしで誘電率とEOTの変化の一部を与えることができるため、アニールは任意の工程であるが、この処理は不活性または酸化雰囲気中において約400〜700℃の温度で実施される。次いで、ドープポリシリコン、窒化チタン、窒化タンタル、またはモリブデンのような導電性層が、化学気相成長(CVD)またはプラズマ気相成長(PVD)の方法によって、下にある誘電体層上に約1000〜2000オングストロームの厚さで形成される。次いで、フォトレジスト形態物(図示せず)をマスクとして使用し、エッチング剤としてCl2またはSF6を使用する異方性反応性イオンエッチング(RIE)の方法を実施することによって、薄いEOTを有していて下にある誘電体であるゲート絶縁体層3aの上に導電性ゲート構造物5を形成し、また、厚いEOTを有していて下にある誘電体であるゲート絶縁体層3bの上に導電性ゲート構造物5を形成する。これは図3で概略的に示される。
次に、本発明の第2の態様を説明する。この第2態様において、特定の誘電率と特定の絶縁体厚さを有することを特徴とするゲート絶縁体層からなる第1領域が半導体基板上に形成され、一方、同じ半導体基板上に位置する同じゲート絶縁体層からなる第2領域が、ゲート絶縁体層からなる前記第1領域よりも高い誘電率と薄い見掛けの酸化物厚さを伴って形成される。酸化アルミニウム(Al2O3)から成る誘電体層6aが半導体基板1上に形成され、その物理的厚さは約80〜100オングストロームであり、誘電率は約10〜14であり、EOTは約27〜33オングストロームである。酸化アルミニウムの誘電体層6aはCVDの方法によって得られる。これは図4で概略的に示される。
次いで、フォトレジスト形態物7を誘電体層6aからなる第1領域上に形成して、誘電体層6aの露出部分にハフニウム、ジルコニウムまたはケイ素のような特定の元素の侵入させまたは注入する。Al2O3層中へのハフニウムのような元素の導入は、約10〜50ミリトルの圧力において約50〜1000ワットの出力で実施されるプラズマ侵入法によって達成されるか、または約0.1〜1.0KeVの注入エネルギーおよび約1E13〜1E15原子/cm2の注入線量でハフニウムのような特定元素を注入することにより達成され、その結果、誘電体層6bが形成される。これは図5で概略的に示される。
プラズマ酸素アッシングの方法によってフォトレジスト形態物7を除去した後、任意のアニール方法を使用してAl2O3層中に導入されたハフニウム元素を活性化し、その結果HfAlxOy誘電体層6bが生じる。誘電体層6bのHfAlxOyは、未処理の誘電体層6aの誘電率よりも高い約12〜20の誘電率を有する。また、誘電体層の物理的厚さは約80〜100オングストロームのままであるが、誘電率の変化によって誘電体層6bのEOTは、未処理のAl2O3対照物のEOTよりも小さい約20〜25オングストロームになる。従って、ゲート絶縁体層の特定領域に多重の厚さを与える所望の効果が再度達成される。侵入または注入された元素がアニールなしで誘電率とEOTの所望の変化の一部を与えることができるため、アニールは任意の工程であり、この処理は不活性または酸化雰囲気中において約400〜700℃の温度で実施される。次いで、ドープポリシリコン、窒化チタン、窒化タンタル、またはモリブデンのような導電性層が、化学気相成長(CVD)またはプラズマ気相成長(PVD)の方法によって、下にある誘電体層上に約1000〜2000オングストロームの厚さで形成される。次いで、フォトレジスト形態物(図示せず)をマスクとして使用し、エッチング剤としてCl2またはSF6を使用する異方性反応性イオンエッチング(RIE)の方法を実施することによって、厚いEOTを有していて下にある誘電体であるゲート絶縁体層6aの上に導電性ゲート構造物8を形成し、また、薄いEOTを有していて下にある誘電体であるゲート絶縁体層6bの上に導電性ゲート構造物8を形成する。これは図6で概略的に示される。
本発明を好ましい態様を参照して説明したが、種々の変更が本発明の精神および範囲を逸脱することなく実施できることは当業者にとって明らかであろう。
Claims (27)
- 多重の見掛けの酸化物厚さを有する誘電体層を半導体基板上に形成する方法であって、
特定の物理的厚さ、第1の誘電率、および第1の見掛けの酸化物厚さ(EOT)を有する第1の誘電体層を形成し、
前記第1の誘電体層の第2領域中に元素を導入して第2の誘電体層を形成し、一方、前記第1の誘電体層の第1領域は未処理の状態にして、
アニール工程を実施して、前記第2の誘電体層に第2の誘電率と第2のEOTを与え、そして、
前記第1の誘電体層の上および前記第2の誘電体層の上に導電性ゲート構造物を形成する、
以上の工程を含む方法。 - 前記第1の誘電体層は酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、または酸化セリウムを含有する、請求項1記載の方法。
- 前記第1の誘電体層は約40〜80オングストロームの物理的厚さで形成される、請求項1記載の方法。
- 前記第1の誘電体層の誘電率は約20〜28である、請求項1記載の方法。
- 前記第1の誘電体層の前記見掛けの酸化物厚さ(EOT)は約7〜13オングストロームである、請求項1記載の方法。
- 前記第1の誘電体層の前記第2領域中に導入される前記元素は、ケイ素、ゲルマニウム、またはアルミニウムである、請求項1記載の方法。
- 前記元素は、プラズマ侵入法を用いて約10〜500ミリトルの圧力において約50〜1000ワットの出力で前記第1の誘電体層の前記第2領域中に導入される、請求項1記載の方法。
- 前記元素は、イオン注入の方法によって約0.1〜1.0KeVのエネルギーおよび約1E13〜1E15原子/cm2の線量で前記第1の誘電体層の前記第2領域中に導入される、請求項1記載の方法。
- 前記アニール工程は、不活性雰囲気または酸化雰囲気中において約400〜700℃の温度で実施される、請求項1記載の方法。
- 前記第2の誘電体層はHfSixOyから構成される、請求項1記載の方法。
- 前記第2の誘電体層は約40〜80オングストロームの物理的厚さで構成される、請求項1記載の方法。
- 前記第2の誘電体の誘電率は約8〜16である、請求項1記載の方法。
- 前記第2の誘電体層の前記見掛けの酸化物厚さ(EOT)は約13〜27オングストロームである、請求項1記載の方法。
- 前記導電性ゲート構造物はドープポリシリコン、窒化チタン、窒化タンタル、またはモリブデンから構成される、請求項1記載の方法。
- 多重の見掛けの酸化物厚さを有する誘電体層を半導体基板上に形成する方法であって、
特定の物理的厚さ、第1の誘電率、および第1の見掛けの酸化物厚さ(EOT)を有する第1の誘電体層を形成し、
前記第1の誘電体層の第2領域中に元素を導入して第2の誘電体層を形成し、一方、前記第1の誘電体層の第1領域は未処理の状態にして、前記第2の誘電体層の誘電率は前記第1の誘電体層の誘電率よりも大きく、そして前記第2の誘電体層のEOTは前記第1の誘電体層のEOTよりも小さく、
アニール工程を実施し、そして、
前記第1の誘電体層の上および前記第2の誘電体層の上に導電性ゲート構造物を形成する、
以上の工程を含む方法。 - 前記第1の誘電体層は物理的厚さが約80〜100オングストロームの酸化アルミニウムから構成される、請求項15記載の方法。
- 前記第1の誘電体層の誘電率は約10〜14である、請求項15記載の方法。
- 前記第1の誘電体層の前記見掛けの酸化物厚さ(EOT)は約27〜33オングストロームである、請求項15記載の方法。
- 前記第1の誘電体層の前記第2領域中に導入される前記元素は、ハフニウム、ジルコニウム、またはケイ素である、請求項15記載の方法。
- 前記元素は、プラズマ侵入法を用いて約10〜500ミリトルの圧力において約50〜1000ワットの出力で前記第1の誘電体層の前記第2領域中に導入される、請求項15記載の方法。
- 前記元素は、イオン注入法を用いて約0.1〜1.0KeVのエネルギーおよび約1E13〜1E15原子/cm2の線量で前記第1誘電体層の前記第2領域中に導入される、請求項15記載の方法。
- 前記アニール工程は、不活性雰囲気または酸化雰囲気中において約400〜700℃の温度で実施される、請求項15記載の方法。
- 前記第2の誘電体層はHfAlxOyから構成される、請求項15記載の方法。
- 前記第2の誘電体層は約80〜100オングストロームの物理的厚さで構成される、請求項15記載の方法。
- 前記第2の誘電体の誘電率は約12〜20である、請求項15載の方法。
- 前記第2の誘電体層の前記見掛けの酸化物厚さ(EOT)は約20〜25オングストロームである、請求項15記載の方法。
- 前記導電性ゲート構造物はドープポリシリコン、窒化チタン、窒化タンタル、またはモリブデンから構成される、請求項15記載の方法。
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