JP2007164197A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ゲートラインと、ゲートラインと交差するデータラインと、ゲートラインとデータラインの交差部に形成される薄膜トランジスタと、データラインの下でデータラインと重畳し、薄膜トランジスタの活性層を含む半導体パターンとを備え、データラインの下部に積層された半導体パターンのエッチングエッジ面とデータラインのエッチングエッジ面の間に実質的に段差がないことを特徴とする。
【選択図】図7
Description
Claims (14)
- ゲートラインと、
前記ゲートラインと交差するデータラインと、
前記ゲートラインと前記データラインの交差部に形成される薄膜トランジスタと、
前記データラインの下で前記データラインと重畳し、前記薄膜トランジスタの活性層を含む半導体パターンとを備え、
前記データラインの下部に積層された前記半導体パターンのエッジと前記データラインのエッジは同一なエッジラインに沿ってパターニングされることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記薄膜トランジスタは、前記半導体パターンの露出された活性層と、前記露出された活性層を酸化させたチャネル保護膜を含むチャネル部とを備えることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記半導体パターンの上部に積層され、前記半導体パターンのエッジと同一なエッジラインに沿ってパターニングされ、前記データラインと接続されたデータパッド下部電極、前記データパッド下部電極を覆う保護膜、前記保護膜を貫通して、前記データパッド下部電極を露出させる接触ホール、前記接触ホールを通じて前記データパッド下部電極と接続されるデータパッド上部電極を含むデータパッドを更に備えることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 第1マスクを用いて、下部基板上にゲートラインと、前記ゲートラインと接続されたゲート電極を含む第1導電パターン群を形成する工程と、
前記第1導電パターン群を覆うようにゲート絶縁膜を形成する工程と、
第2マスクを用いて、前記ゲート絶縁膜上に活性層及びオーミック接触層を含む半導体パターンと、前記半導体パターンと重畳されるデータラインと、前記半導体パターンと重畳されるソース・ドレイン金属パターンを含む第2導電パターン群を形成する工程と、
第3マスクを用いて、前記半導体パターン及び前記第2導電パターン群を覆い、前記ソース・ドレイン金属パターンの一部を露出させる第1接触ホールを含む保護膜を形成する工程と、
第4マスクを用いて、前記ソース・ドレイン金属パターンをソース電極とドレイン電極に分離し、前記ソース電極とドレイン電極の間にチャネル部を形成して、前記第1接触ホールを覆う画素電極を形成する工程とを含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 前記第2マスクは、透過領域と遮断領域を備えることを特徴とする請求項4に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第2マスクを用いる工程は、 前記ゲート絶縁膜上に、非晶質シリコン層、n+非晶質シリコン層 、ソース・ドレイン金属層、フォトレジストを順次蒸着する工程と、
露光及び現像工程を用いて、前記遮断領域に対応する部分にフォトレジストパターンを形成する工程と、
前記ソース・ドレイン金属層と、前記ソース・ドレイン金属層の下部に形成された前記n+非晶質シリコン層及び前記非晶質シリコン層を前記フォトレジストパターンを用いて順次エッチングし、前記第2導電パターン群をパターニングする工程と、
前記フォトレジストパターンをストリップする工程と
を含むことを特徴とする請求項5に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記ソース・ドレイン金属層と、前記ソース・ドレイン金属層の下部の前記n+非晶質シリコン層及び前記非晶質シリコン層を順次エッチングし、前記第2導電パターン群をパターニングする工程は、
前記ソース・ドレイン金属層をウェットエッチングする工程と、
前記ソース・ドレイン金属層の下部の前記n+非晶質シリコン層及び前記非晶質シリコン層をドライエッチングする工程と
を含むことを特徴とする請求項6に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記第4マスクは、透過領域、遮断領域及び部分透過領域を備えることを特徴とする請求項4に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第4マスクを用いる工程は、
前記保護膜上に透明導電膜及びフォトレジストを順次蒸着する工程と、
露光及び現像工程を用いて、前記遮断領域に対応する部分に第1フォトレジストパターンと、前記部分透過領域に対応する部分に第1フォトレジストパターンより低い高さの第2フォトレジストパターンを形成する工程と、
前記透明導電膜を前記第1及び第2フォトレジストパターンを用いてエッチングし、前記保護膜を露出させる工程と、
前記保護膜、前記保護膜の下部の前記ソース・ドレイン金属パターン及びオーミック接触層をエッチングし、前記活性層を露出させる工程と、
前記第1及び第2フォトレジストパターンを気体プラズマを用いてアッシングし、前記第2フォトレジストパターンを除去すると共に、前記透明導電膜を露出させる工程と、
前記透明導電膜をエッチングしてパターニングする工程と、
前記第1フォトレジストパターンをストリップする工程と
を含むことを特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記気体プラズマを用いるアッシングにより、前記活性層の上部にチャネル保護膜が形成されることを特徴とする請求項9に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記ソース・ドレイン金属パターン及び前記ソース・ドレイン金属パターンの下部のオーミック接触層はドライエッチング工程でエッチングされることを特徴とする請求項9に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第2導電パターン群を形成する際に、
前記データラインと接続されたデータパッド下部電極を前記第2導電パターン群と同時に形成することを特徴とする請求項4に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記第1接触ホールを含む保護膜を形成する際に、
前記データパッド下部電極を露出させる第2接触ホールを前記第1接触ホールと同時に形成することを特徴とする請求項12に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記画素電極を形成する際に、
前記第2接触ホールを通じて露出されたデータパッド下部電極と接続されたデータパッド上部電極を前記画素電極と同時に形成することを特徴とする請求項13に記載の液晶表示装置の製造方法。
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