JP2006338853A - 連続的なバーストモードで動作可能な擬似sram及びそのバーストモード動作制御方法 - Google Patents
連続的なバーストモードで動作可能な擬似sram及びそのバーストモード動作制御方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】擬似SRAM及びそのバーストモード動作制御方法は一回受信されたアクセスコマンド及び外部アドレス信号に基づいて、次第に増加するバーストロウ及びカラムアドレス信号を連続的に発生させることにより、連続的なバーストモードでデータの読み出しまたは書き込み動作を実行する。
【選択図】 図1
Description
上記メインコントローラ(102)は、外部制御信号であるチップ選択信号(CSB)、アドレス有効信号(ADVB)、書き込みイネーブル信号(WEB)、及び出力イネーブル信号(OEB)に応答してモードレジスタ設定信号(SET)を出力する。また、上記メインコントローラ(102)は外部クロック信号(EXCLK)、上記チップ選択信号(CSB)、上記アドレス有効信号(ADVB)、及び第1の内部制御信号(NORM)に応答してプリチャージ制御信号(PCG)を発生する。望ましく、上記チップ選択信号(CSB)と上記アドレス有効信号(ADVB)がロウレベルでディセイブルされる時、上記メインコントローラ(102)が設定された時間以後、上記プリチャージ制御信号(PCG)をハイパルス信号で発生する。また、上記メインコントローラ(102)は上記第1の内部制御信号(NORM)がロジックハイになる時、上記プリチャージ制御信号(PCG)をハイパルス信号で発生する。
102:メインコントローラ
103:モードレジスタ
104:バーストモードコントローラ
105:読み出し/書き込み制御部
106:メモリセルアレイ
107:ロウデコーダ
108:ワードラインドライバ
109:カラムデコーダ
110:センスアンプ回路
111:データ入出力回路
200:バッファ部
300:カラムアドレス検出器
400:バースト動作制御部
500:ワードライン制御部
600:第1のバースト制御回路
700:第2のバースト制御回路
800:第1のワードライン制御回路
900:第2のワードライン制御回路
Claims (62)
- 複数のDRAMセルを含むメモリセルアレイと;
外部クロック信号と外部制御信号に応答して外部アドレス信号を受信し、上記外部アドレス信号に基づいてバーストロウアドレス信号とバーストカラムアドレス信号を連続的に発生し、上記外部制御信号、プリチャージ制御信号、及びレイテンシー制御信号に応答してバースト動作制御信号とワードライン制御信号を発生するバーストモードコントローラと;
上記ワードライン制御信号と上記プリチャージ制御信号に応答し、ドライバ制御信号を発生する読み出し及び書き込み制御部と;
上記バーストロウアドレス信号をデコーディングするロウデコーダと;
上記ドライバ制御信号に応答し、上記メモリセルアレイのワードラインのうち、上記ロウデコーダによりデコーディングされた結果に対応する一つをイネーブルさせたり、または上記メモリセルアレイの全体ワードラインを全てディセイブルさせるワードラインドライバと;及び
上記バースト動作制御信号に応答して上記バーストカラムアドレス信号を受信し、上記バーストカラムアドレス信号に対応する上記メモリセルアレイのビットラインをイネーブルさせるカラムデコーダを含む擬似SRAM。 - 上記外部制御信号はアドレス有効信号、チップ選択信号、書き込みイネーブル信号、及び出力イネーブル信号を含み、
上記アドレス有効信号は上記外部アドレス信号が上記バーストモードコントローラに入力される時、ディセイブルされ、
上記バーストモードコントローラは上記チップ選択信号と上記アドレス有効信号がディセイブルされる時、上記外部アドレス信号を受信し、上記外部アドレス信号から次第に増加する上記バーストロウアドレス信号と上記バーストカラムアドレス信号を発生し、上記アドレス有効信号が再びディセイブルされたり、または上記チップ選択信号がイネーブルされるまで上記バーストロウアドレス信号と上記バーストカラムアドレス信号を連続的に発生する請求項1に記載の擬似SRAM。 - 上記バーストモードコントローラは上記外部制御信号、上記プリチャージ制御信号、及び上記レイテンシー制御信号に応答し、第1の内部制御信号をさらに発生し、
上記外部制御信号と上記第1の内部制御信号に応答し、上記プリチャージ制御信号を発生し、上記外部制御信号と上記外部アドレス信号に応答し、モードレジスタ設定信号を出力するメインコントローラをさらに含む請求項2に記載の擬似SRAM。 - 上記モードレジスタ設定信号と上記外部アドレス信号により設定されるモードに対応する上記レイテンシー制御信号を発生するモードレジスタをさらに含む請求項3に記載の擬似SRAM。
- 上記メインコントローラは上記チップ選択信号と上記アドレス有効信号がディセイブルされる時、設定された時間以後、上記プリチャージ制御信号をハイパルス信号で発生し、上記第1の内部制御信号がロジックハイになる時、上記プリチャージ制御信号をハイパルス信号で発生する請求項3に記載の擬似SRAM。
- 上記読み出し及び書き込み制御部は上記ワードライン制御信号がイネーブルされる時、上記ドライバ制御信号をイネーブルさせ、上記プリチャージ制御信号がイネーブルされる時、上記ドライバ制御信号をディセイブルさせ、
上記ワードラインドライバは上記ドライバ制御信号がイネーブルされるごとに、上記メモリセルアレイのワードラインのうちの上記ロウデコーダによりデコーディングされた結果に対応する一つをイネーブルさせ、上記ドライバ制御信号がディセイブルされる時、上記メモリセルアレイの全体ワードラインを全てディセイブルさせる請求項5に記載の擬似SRAM。 - 上記バーストモードコントローラは、
上記外部クロック信号、上記外部制御信号、及び上記外部アドレス信号に応答し、第1及び第2の制御信号、アドレス遷移検出信号、内部クロック信号、内部書き込み制御信号、内部アドレス有効信号、上記バーストロウアドレス信号、及び上記バーストカラムアドレス信号を発生するバッファ部と;
上記内部クロック信号、上記内部書き込み制御信号、上記内部アドレス有効信号、上記レイテンシー制御信号、及び上記バーストカラムアドレス信号を受信し、上記バーストカラムアドレス信号が最後のカラムアドレスを示すかどうかを判断し、その判断結果に応じて第1の検出信号と第2の検出信号を発生するカラムアドレス検出器と;
上記第1及び第2の制御信号、上記内部クロック信号、上記内部書き込み制御信号、上記内部アドレス有効信号、上記第1の検出信号、上記第2の検出信号、及び上記レイテンシー制御信号に応答し、上記バースト動作制御信号を発生するバースト動作制御部と;及び
上記アドレス遷移検出信号、上記第1の検出信号、上記第2の制御信号、及び上記プリチャージ制御信号に応答して第1の内部制御信号と上記ワードライン制御信号を発生するワードライン制御部を含む請求項2に記載の擬似SRAM。 - 上記バッファ部は、
上記外部クロック信号を第1の設定時間の間遅延させ、その遅延された信号を発生し、上記遅延された信号を第2の設定時間の間遅延させ、上記内部クロック信号を出力する内部クロック発生回路と;
上記外部クロック信号、上記遅延された信号、上記チップ選択信号、上記アドレス有効信号、及び上記書き込みイネーブル信号に応答し、上記第1及び第2の制御信号、上記内部アドレス有効信号、及び上記内部書き込み制御信号を出力する制御信号発生回路と;
上記チップ選択信号、上記アドレス有効信号、上記内部クロック信号、及び上記外部アドレス信号に応答し、内部ロウアドレス信号、内部カラムアドレス信号、及び上記アドレス遷移検出信号を出力するアドレスバッファと;及び
上記内部クロック信号、上記内部ロウアドレス信号、及び上記内部カラムアドレス信号に応答し、上記バーストロウアドレス信号と上記バーストカラムアドレス信号を出力するアドレスカウンタを含む請求項7に記載の擬似SRAM。 - 上記カラムアドレス検出器は、
上記内部クロック信号と上記内部書き込み制御信号に応答し、読み出しクロック信号及び書き込みクロック信号のいずれか一つと、制御クロック信号を発生する制御クロック発生回路と;
上記内部アドレス有効信号と上記バーストカラムアドレス信号に応答し、有効遷移検出信号と内部検出信号を出力する最終カラム検出回路と;
上記読み出しクロック信号と上記書き込みクロック信号のいずれか一つ、上記制御クロック信号、上記レイテンシー制御信号、上記内部検出信号、及び上記有効遷移検出信号に応答し、上記第1の検出信号と出力信号を出力する第1の検出信号発生器と;及び
上記読み出しクロック信号と上記書き込みクロック信号のいずれか一つ、上記制御クロック信号、上記レイテンシー制御信号、上記有効遷移検出信号、及び上記出力信号に応答し、上記第2の検出信号を出力する第2の検出信号発生器を含む請求項7に記載の擬似SRAM。 - 上記最終カラム検出回路は上記内部アドレス有効信号がロジックロウであり、上記バーストカラムアドレス信号が全てロジックハイである時、上記内部検出信号をロジックハイに出力する請求項9に記載の擬似SRAM。
- 上記第1の検出信号発生器は上記内部検出信号がロジックハイである時、上記レイテンシー制御信号に応答して第1の設定時間経過後、上記読み出しクロック信号と上記書き込みクロック信号のいずれか一つに同期し、上記第1の検出信号をハイパルス信号で出力し、上記出力信号をロジックハイに出力する請求項10に記載の擬似SRAM。
- 上記バッファ部は上記書き込みイネーブル信号がディセイブルされる時、上記内部書き込み制御信号をディセイブルさせ、書き込みイネーブル信号がイネーブルされる時、上記内部書き込み制御信号をイネーブルさせ、
上記制御クロック発生回路は上記内部書き込み制御信号がディセイブルされる時、上記書き込みクロック信号を発生し、上記内部書き込み制御信号がイネーブルされる時、上記読み出しクロック信号を発生する請求項9に記載の擬似SRAM。 - 上記第1の検出信号発生器は、
上記内部検出信号、上記有効遷移検出信号、及び上記制御クロック信号に応答し、第1のシフト信号を発生する第1のシフト回路と;
上記第1〜第J−1(Jは整数)のシフト信号をそれぞれ受信し、上記有効遷移検出信号、及び上記制御クロック信号に応答し、第2〜第Jのシフト信号をそれぞれ出力する第2〜第Jのシフト回路と;
上記第1〜第Jのシフト信号をそれぞれ受信し、上記レイテンシー制御信号に応答してイネーブルまたはディセイブルされ、イネーブルされる時に受信された上記第1〜第Jのシフト信号をそれぞれ出力ノードに出力する第1〜第Jのパス回路と;
上記出力ノードから受信される上記第1〜第Jのシフト信号のうちの一つと、上記有効遷移検出信号、及び上記制御クロック信号に応答し、上記出力信号を出力する第J+1のシフト回路と;
上記出力ノードから受信される上記第1〜第Jのシフト信号のうちの一つ、上記有効遷移検出信号、及び上記制御クロック信号に応答し、第J+1のシフト信号を出力する第J+2のシフト回路と;
上記第J+1のシフト信号、上記有効遷移検出信号、及び上記制御クロック信号に応答し、第J+2のシフト信号を出力する第J+3のシフト回路と;
上記読み出しクロック信号と上記書き込みクロック信号のいずれか一つに応答し、上記第J+2のシフト信号、または上記出力ノードから受信される上記第1〜第Jのシフト信号のうちの一つを上記第1の検出信号として出力する検出信号出力部を含み、
上記第1〜第Jのパス回路のいずれか一つがイネーブルされる時、残りは全てディセイブルされる請求項9に記載の擬似SRAM。 - 上記検出信号出力部は上記読み出しクロック信号に応答し、上記第J+2のシフト信号を上記第1の検出信号として出力し、上記書き込みクロック信号に応答し、上記出力ノードから受信される上記第1〜第Jのシフト信号のうちの一つを上記第1の検出信号として出力する請求項13に記載の擬似SRAM。
- 上記第2の検出信号発生器は、上記出力信号がロジックハイ状態の時、上記レイテンシー制御信号に応答して第2の設定時間経過後、上記読み出しクロック信号と上記書き込みクロック信号のいずれか一つに同期し、上記第2の検出信号をハイパルス信号で出力する請求項11に記載の擬似SRAM。
- 上記第2の検出信号発生器は、
上記出力信号、上記有効遷移検出信号、及び上記制御クロック信号に応答し、第1のシフト信号を発生する第1のシフト回路と;
上記第1〜第L−1(Lは整数)のシフト信号をそれぞれ受信し、上記有効遷移検出信号及び上記制御クロック信号に応答し、第2〜第Lのシフト信号をそれぞれ出力する第2〜第Lのシフト回路と;
上記第2〜第Lのシフト信号をそれぞれ受信し、上記レイテンシー制御信号に応答してイネーブルまたはディセイブルされ、イネーブルされる時受信された上記第2〜第Lのシフト信号をそれぞれ出力ノードに出力する第1〜第L−1のパス回路と;
上記出力ノードから受信される上記第2〜第Lのシフト信号のうちの一つ、上記有効遷移検出信号、及び上記制御クロック信号に応答し、第L+1のシフト信号を出力する第L+1のシフト回路と;
上記第L+1のシフト信号、上記有効遷移検出信号、及び上記制御クロック信号に応答し、第L+2のシフト信号を出力する第L+2のシフト回路と;
上記読み出しクロック信号と上記書き込みクロック信号のいずれか一つに応答し、上記出力ノードから受信される上記第2〜第Lのシフト信号のうちの一つ、または上記第L+2のシフト信号を上記第2の検出信号として出力する検出信号出力部を含み、
上記第1〜第L−1のパス回路のいずれか一つがイネーブルされる時、残りは全てディセイブルされる請求項9に記載の擬似SRAM。 - 上記検出信号出力部は上記読み出しクロック信号に応答し、上記出力ノードから受信される上記第2〜第Lのシフト信号のうちの一つを上記第2の検出信号として出力し、上記書き込みクロック信号に応答し、上記第L+2のシフト信号を上記第2の検出信号として出力する請求項16に記載の擬似SRAM。
- 上記バースト動作制御部は、
上記第2の制御信号、上記内部クロック信号、上記内部書き込み制御信号、上記内部アドレス有効信号、上記第1の検出信号、上記第2の検出信号、及び上記レイテンシー制御信号に応答し、ストローブ制御信号を発生する第1のバースト制御回路と;及び
上記第1及び第2の制御信号と、上記ストローブ制御信号に応答し、上記バースト動作制御信号を発生する第2のバースト制御回路を含む請求項7に記載の擬似SRAM。 - 上記第1のバースト制御回路は、上記第2の検出信号がハイ状態の時に上記ストローブ制御信号をイネーブルさせたり、または上記内部アドレス有効信号がハイ状態の時、設定された時間が経過した後、上記ストローブ制御信号をイネーブルさせ、上記第1の検出信号がハイ状態の時、上記ストローブ制御信号をディセイブルさせ、
上記第2のバースト制御回路は、上記ストローブ制御信号がイネーブルされる時、上記第1及び第2の制御信号に応答し、周期的に繰り返されるハイパルス信号を上記バースト動作制御信号として発生し、
上記第2のバースト制御回路が上記バースト動作制御信号をハイパルス信号で発生するごとに、上記カラムデコーダが上記バースト動作制御信号に応答し、上記バーストカラムアドレス信号を受信する請求項18に記載の擬似SRAM。 - 上記第1のバースト制御回路は、
上記内部クロック信号と上記内部アドレス有効信号に応答し、ラッチ信号を発生するラッチ信号発生器と;
上記内部アドレス有効信号、上記第1及び第2の検出信号、及び上記第2の制御信号に応答し、最終カラム検出信号を出力する制御回路と;及び
上記内部書き込み制御信号、上記ラッチ信号、上記レイテンシー制御信号、及び上記最終カラム検出信号に応答し、上記ストローブ制御信号を出力するストローブ制御信号発生器を含む請求項18に記載の擬似SRAM。 - 上記ラッチ信号発生器は、
上記内部アドレス有効信号の反転した信号と上記内部クロック信号の反転した信号に応答し、第1のシフティング信号と第1のラッチ信号を出力する第1のシフト回路と;
上記第1〜第M−1(Mは整数)のシフト信号をそれぞれ受信し、上記内部クロック信号の反転した信号に応答し、第2〜第Mのシフト信号と第2〜第Mのラッチ信号をそれぞれ出力する第2〜第Mのシフト回路と;及び
上記第Mのシフト信号と上記内部クロック信号の反転した信号に応答し、第M+1のラッチ信号を出力する第M+1のシフト回路を含む請求項20に記載の擬似SRAM。 - 上記ストローブ制御信号発生器は、
上記第1〜第M−1のラッチ信号に応答し、第1〜第M−2のウェイト信号をそれぞれ発生する第1〜第M−2のウェイト信号発生器と;
上記第1〜第M−2のウェイト信号をそれぞれ受信し、上記レイテンシー制御信号に応答してイネーブルまたはディセイブルされ、イネーブルされる時受信された上記第1〜第M−2のウェイト信号をそれぞれ出力ノードに出力する第1〜第M−2のパス回路と;
上記第1〜第Mのラッチ信号に応答し、第M−1のウェイト信号を発生する第M−1のウェイト信号発生器と;
上記第1〜第M+1のラッチ信号に応答し、第Mのウェイト信号を発生する第Mのウェイト信号発生器と;
上記第3〜第Mのウェイト信号をそれぞれ受信し、上記レイテンシー制御信号に応答してイネーブルまたはディセイブルされ、イネーブルされる時に受信された上記第3〜第Mのウェイト信号をそれぞれ出力する第1〜第M−2の転送ゲートと;及び
上記出力ノードから受信される上記第1〜第M−2のウェイト信号のうちの一つ、上記第3〜第Mのウェイト信号のうちの一つ、上記内部書き込み制御信号、及び上記最終カラム検出信号に応答し、上記ストローブ制御信号を出力する出力ロジック回路を含む請求項21に記載の擬似SRAM。 - 上記ワードライン制御部は、
上記アドレス遷移検出信号、上記第1の検出信号、及び第2の内部制御信号に応答し、上記第1の内部制御信号を発生する第1のワードライン制御回路と;及び
上記第2の制御信号と上記プリチャージ制御信号に応答して上記ワードライン制御信号を発生する第2のワードライン制御回路を含む請求項7に記載の擬似SRAM。 - 上記第1のワードライン制御回路は、上記第1の検出信号がハイ状態の時、上記第1の内部制御信号を設定された時間の間ロジックハイに出力し、
上記第2のワードライン制御回路は、上記第1の内部制御信号と上記プリチャージ制御信号が全てハイ状態の時、上記ワードライン制御信号をハイパルス信号で出力する請求項23に記載の擬似SRAM。 - 擬似SRAMにおいて、
複数のDRAMセルを含むメモリセルアレイと;及び
外部クロック信号、外部制御信号、外部アドレス信号、プリチャージ制御信号、及びレイテンシー制御信号に応答し、バーストアドレス信号と内部制御信号を発生し、上記複数のメモリセルの中の一部からデータがバーストで読み出しされたりまたはバーストで書き込まれるように制御するバーストモードコントローラを含む擬似SRAM。 - 上記バーストアドレス信号と上記内部制御信号に応答し、上記複数のDRAMセルの中の一部から上記データをバーストで読み出したりまたはバーストで書き込む周辺回路をさらに含む請求項25に記載の擬似SRAM。
- 上記バーストアドレス信号はバーストロウアドレス信号とバーストカラムアドレス信号を含み、
上記バーストモードコントローラは、上記外部アドレス信号に基づいて上記バーストロウアドレス信号と上記バーストカラムアドレス信号を連続的に発生し、上記外部制御信号、プリチャージ制御信号、及びレイテンシー制御信号に応答してバースト動作制御信号とワードライン制御信号を発生する請求項26に記載の擬似SRAM。 - 上記周辺回路は、
上記ワードライン制御信号と上記プリチャージ制御信号に応答し、ドライバ制御信号を発生する読み出し及び書き込み制御部と;
上記バーストロウアドレス信号をデコーディングするロウデコーダと;
上記ドライバ制御信号に応答し、上記メモリセルアレイのワードラインのうち、上記ロウデコーダによりデコーディングされた結果に対応する一つをイネーブル時させたり、または上記メモリセルアレイの全体ワードラインを全てディセイブルさせるワードラインドライバと;及び
上記バースト動作制御信号に応答して上記バーストカラムアドレス信号を受信し、上記バーストカラムアドレス信号に対応する上記メモリセルアレイのビットラインをイネーブルさせるカラムデコーダを含む請求項27に記載の擬似SRAM。 - 上記外部制御信号はアドレス有効信号、チップ選択信号、書き込みイネーブル信号、及び出力イネーブル信号を含み、
上記アドレス有効信号は上記外部アドレス信号が上記バーストモードコントローラに入力される時、ディセイブルされ、
上記バーストモードコントローラは上記チップ選択信号と上記アドレス有効信号がディセイブルされる時、上記外部アドレス信号を受信し、上記外部アドレス信号から次第に増加する上記バーストロウアドレス信号と上記バーストカラムアドレス信号を連続的に発生する請求項27に記載の擬似SRAM。 - 上記バーストモードコントローラは上記外部制御信号、上記プリチャージ制御信号、及び上記レイテンシー制御信号に応答し、第1の内部制御信号をさらに発生し、
上記外部制御信号と上記第1の内部制御信号に応答し、上記プリチャージ制御信号を発生し、上記外部制御信号と上記外部アドレス信号に応答し、モードレジスタ設定信号を出力するメインコントローラをさらに含む請求項29に記載の擬似SRAM。 - 上記モードレジスタ設定信号と上記外部アドレス信号により設定されるモードに対応する上記レイテンシー制御信号を発生するモードレジスタをさらに含む請求項30に記載の擬似SRAM。
- 上記メインコントローラは、上記チップ選択信号と上記アドレス有効信号がディセイブルされる時、設定された時間以後、上記プリチャージ制御信号をハイパルス信号で発生し、上記第1の内部制御信号がロジックハイになる時、上記プリチャージ制御信号をハイパルス信号で発生する請求項30に記載の擬似SRAM。
- 上記読み出し及び書き込み制御部は上記ワードライン制御信号がイネーブルされる時、上記ドライバ制御信号をイネーブルさせ、上記プリチャージ制御信号がイネーブルされる時、上記ドライバ制御信号をディセイブルさせ、
上記ワードラインドライバは上記ドライバ制御信号がイネーブルされるごとに、上記メモリセルアレイのワードラインのうち、上記ロウデコーダによりデコーディングされた結果に対応する一つをイネーブルさせ、上記ドライバ制御信号がディセイブルされる時、上記メモリセルアレイの全体ワードラインを全てディセイブルさせる請求項32に記載の擬似SRAM。 - 上記バーストモードコントローラは、
上記外部クロック信号、上記外部制御信号、及び上記外部アドレス信号に応答し、第1及び第2の制御信号、アドレス遷移検出信号、内部クロック信号、内部書き込み制御信号、内部アドレス有効信号、上記バーストロウアドレス信号、及び上記バーストカラムアドレス信号を発生するバッファ部と;
上記内部クロック信号、上記内部書き込み制御信号、上記内部アドレス有効信号、上記レイテンシー制御信号、及び上記バーストカラムアドレス信号を受信し、上記バーストカラムアドレス信号が最後のカラムアドレスを示すかどうかを判断し、その判断結果に応じて第1の検出信号と第2の検出信号を発生するカラムアドレス検出器と;
上記第1及び第2の制御信号、上記内部クロック信号、上記内部書き込み制御信号、上記内部アドレス有効信号、上記第1の検出信号、上記第2の検出信号、及び上記レイテンシー制御信号に応答し、上記バースト動作制御信号を発生するバースト動作制御部と;及び
上記アドレス遷移検出信号、上記第1の検出信号、上記第2の制御信号、及び上記プリチャージ制御信号に応答して第1の内部制御信号と上記ワードライン制御信号を発生するワードライン制御部を含む請求項29に記載の擬似SRAM。 - 上記バッファ部は、
上記外部クロック信号を第1の設定時間の間遅延させ、その遅延された信号を発生し、上記遅延された信号を第2の設定時間の間遅延させ、上記内部クロック信号を出力する内部クロック発生回路と;
上記外部クロック信号、上記遅延された信号、上記チップ選択信号、上記アドレス有効信号、及び上記書き込みイネーブル信号に応答し、上記第1及び第2の制御信号、上記内部アドレス有効信号、及び上記内部書き込み制御信号を出力する制御信号発生回路と;
上記チップ選択信号、上記アドレス有効信号、上記内部クロック信号、及び上記外部アドレス信号に応答し、内部ロウアドレス信号、内部カラムアドレス信号、及び上記アドレス遷移検出信号を出力するアドレスバッファと;及び
上記内部クロック信号、上記内部ロウアドレス信号、及び上記内部カラムアドレス信号に応答し、上記バーストロウアドレス信号と上記バーストカラムアドレス信号を出力するアドレスカウンタを含む請求項34に記載の擬似SRAM。 - 上記カラムアドレス検出器は、
上記内部クロック信号と上記内部書き込み制御信号に応答し、読み出しクロック信号及び書き込みクロック信号のいずれか一つと、制御クロック信号を発生する制御クロック発生回路と;
上記内部アドレス有効信号と上記バーストカラムアドレス信号に応答し、有効遷移検出信号と内部検出信号を出力する最終カラム検出回路と;
上記読み出しクロック信号と上記書き込みクロック信号のいずれか一つ、上記制御クロック信号、上記レイテンシー制御信号、上記内部検出信号、及び上記有効遷移検出信号に応答し、上記第1の検出信号と出力信号を出力する第1の検出信号発生器と;及び
上記読み出しクロック信号と上記書き込みクロック信号のいずれか一つ、上記制御クロック信号、上記レイテンシー制御信号、上記有効遷移検出信号、及び上記出力信号に応答し、上記第2の検出信号を出力する第2の検出信号発生器を含む請求項34に記載の擬似SRAM。 - 複数のDRAMセルを含むメモリセルアレイと;
バーストロウアドレス信号、バーストカラムアドレス信号、バースト動作制御信号、及びワードライン制御信号を発生し、上記複数のメモリセルの一部からデータがバーストで読み出しされたりまたは書き込まれるように制御するバーストモードコントローラと;
上記ワードライン制御信号と上記プリチャージ制御信号に応答し、ドライバ制御信号を発生する読み出し及び書き込み制御部と;
上記バーストロウアドレス信号をデコーディングするロウデコーダと;
上記ドライバ制御信号に応答し、上記メモリセルアレイのワードラインのうち、上記ロウデコーダによりデコーディングされた結果に対応する一つをイネーブル時させたり、または上記メモリセルアレイの全体ワードラインを全てディセイブルさせるワードラインドライバと;及び
上記バースト動作制御信号に応答して上記バーストカラムアドレス信号を受信し、上記バーストカラムアドレス信号に対応する上記メモリセルアレイのビットラインをイネーブルさせるカラムデコーダを含み、
上記バーストモードコントローラは、
外部クロック信号、外部制御信号、及び外部アドレス信号に応答し、第1及び第2の制御信号、アドレス遷移検出信号、内部クロック信号、内部書き込み制御信号、内部アドレス有効信号、上記バーストロウアドレス信号、及び上記バーストカラムアドレス信号を発生するバッファ部と;
上記内部クロック信号、上記内部書き込み制御信号、上記内部アドレス有効信号、レイテンシー制御信号、及び上記バーストカラムアドレス信号を受信し、上記バーストカラムアドレス信号が最後のカラムアドレスを示すかどうかを判断し、その判断結果に応じて第1の検出信号と第2の検出信号を発生するカラムアドレス検出器と;
上記第1及び第2の制御信号、上記内部クロック信号、上記内部書き込み制御信号、上記内部アドレス有効信号、上記第1の検出信号、上記第2の検出信号、及び上記レイテンシー制御信号に応答し、上記バースト動作制御信号を発生するバースト動作制御部と;及び
上記アドレス遷移検出信号、上記第1の検出信号、上記第2の制御信号、及び上記プリチャージ制御信号に応答して第1の内部制御信号と上記ワードライン制御信号を発生するワードライン制御部を含む擬似SRAM。 - 上記外部制御信号はアドレス有効信号、チップ選択信号、書き込みイネーブル信号、及び出力イネーブル信号を含み、
上記アドレス有効信号は上記外部アドレス信号が上記バーストモードコントローラに入力される時、ディセイブルされ、
上記バーストモードコントローラは上記チップ選択信号と上記アドレス有効信号がディセイブルされる時、上記外部アドレス信号を受信し、上記外部アドレス信号から次第に増加する上記バーストロウアドレス信号と上記バーストカラムアドレス信号を発生し、上記アドレス有効信号が再びディセイブルされたり、または上記チップ選択信号がイネーブルされるまで上記バーストロウアドレス信号と上記バーストカラムアドレス信号を連続的に発生する請求項37に記載の擬似SRAM。 - 上記外部制御信号と上記第1の内部制御信号に応答し、上記プリチャージ制御信号を発生し、上記外部制御信号と上記外部アドレス信号に応答し、モードレジスタ設定信号を出力するメインコントローラをさらに含む請求項38に記載の擬似SRAM。
- 上記モードレジスタ設定信号と上記外部アドレス信号により設定されるモードに対応する上記レイテンシー制御信号を発生するモードレジスタをさらに含む請求項39に記載の擬似SRAM。
- 上記メインコントローラは上記チップ選択信号と上記アドレス有効信号がディセイブルされる時、設定された時間以後、上記プリチャージ制御信号をハイパルス信号で発生し、上記第1の内部制御信号がロジックハイになる時、上記プリチャージ制御信号をハイパルス信号で発生する請求項39に記載の擬似SRAM。
- 上記読み出し及び書き込み制御部は上記ワードライン制御信号がイネーブルされる時、上記ドライバ制御信号をイネーブルさせ、上記プリチャージ制御信号がイネーブルされる時、上記ドライバ制御信号をディセイブルさせ、
上記ワードラインドライバは上記ドライバ制御信号がイネーブルされるごとに、上記メモリセルアレイのワードラインのうち、上記ロウデコーダによりデコーディングされた結果に対応する一つをイネーブルさせ、上記ドライバ制御信号がディセイブルされる時、上記メモリセルアレイの全体ワードラインを全てディセイブルさせる請求項41に記載の擬似SRAM。 - 上記バッファ部は、
上記外部クロック信号を第1の設定時間の間遅延させ、その遅延された信号を発生し、上記遅延された信号を第2の設定時間の間遅延させ、上記内部クロック信号を出力する内部クロック発生回路と;
上記外部クロック信号、上記遅延された信号、上記チップ選択信号、上記アドレス有効信号、及び上記書き込みイネーブル信号に応答し、上記第1及び第2の制御信号、上記内部アドレス有効信号、及び上記内部書き込み制御信号を出力する制御信号発生回路と;
上記チップ選択信号、上記アドレス有効信号、上記内部クロック信号、及び上記外部アドレス信号に応答し、内部ロウアドレス信号、内部カラムアドレス信号、及び上記アドレス遷移検出信号を出力するアドレスバッファと;及び
上記内部クロック信号、上記内部ロウアドレス信号、及び上記内部カラムアドレス信号に応答し、上記バーストロウアドレス信号と上記バーストカラムアドレス信号を出力するアドレスカウンタを含む請求項38に記載の擬似SRAM。 - 上記カラムアドレス検出器は、
上記内部クロック信号と上記内部書き込み制御信号に応答し、読み出しクロック信号及び書き込みクロック信号のいずれか一つと、制御クロック信号を発生する制御クロック発生回路と;
上記内部アドレス有効信号と上記バーストカラムアドレス信号に応答し、有効遷移検出信号と内部検出信号を出力する最終カラム検出回路と;
上記読み出しクロック信号と上記書き込みクロック信号のいずれか一つ、上記制御クロック信号、上記レイテンシー制御信号、上記内部検出信号、及び上記有効遷移検出信号に応答し、上記第1の検出信号と出力信号を出力する第1の検出信号発生器と;及び
上記読み出しクロック信号と上記書き込みクロック信号のいずれか一つ、上記制御クロック信号、上記レイテンシー制御信号、上記有効遷移検出信号、及び上記出力信号に応答し、上記第2の検出信号を出力する第2の検出信号発生器を含む請求項37に記載の擬似SRAM。 - 外部クロック信号と外部制御信号に応答し、外部アドレス信号を受信し、上記外部アドレス信号から次第に増加する上記バーストロウアドレス信号と上記バーストカラムアドレス信号を連続的に発生する段階と;
上記外部制御信号、プリチャージ制御信号、及びレイテンシー制御信号に応答し、バースト動作制御信号とワードライン制御信号を発生する段階と;
上記ワードライン制御信号と上記プリチャージ制御信号に応答してドライバ制御信号を発生する段階と;
上記バーストロウアドレス信号をデコーディングする段階と;
上記ドライバ制御信号に応答し、上記メモリセルアレイのワードラインのうち、上記デコーディングされた結果に対応する一つをイネーブルさせる段階と;及び
上記バースト動作制御信号に応答し、上記バーストカラムアドレス信号を受信し、上記バーストカラムアドレス信号に対応する上記メモリセルアレイのビットライン(ら)をイネーブルさせる段階を含む擬似SRAMのバーストモード動作制御方法。 - 上記外部制御信号はアドレス有効信号、チップ選択信号、書き込みイネーブル信号、及び出力イネーブル信号を含み、
上記アドレス有効信号は上記外部アドレス信号が受信される時設定された時間の間ディセイブルされ、上記チップ選択信号は上記擬似SRAMがイネーブル状態である間ディセイブルされる請求項45に記載の擬似SRAMのバーストモード動作制御方法。 - 上記チップ選択信号と上記アドレス有効信号がディセイブルされる時、設定された時間以後、上記プリチャージ制御信号をパルス信号形態で発生したり、または第1の内部制御信号がロジックハイになる時、上記プリチャージ制御信号を上記パルス信号形態で発生する段階と;
上記外部制御信号と上記外部アドレス信号に応答し、モードレジスタ設定信号を出力する段階と;及び
上記モードレジスタ設定信号と上記外部アドレス信号により設定されるモードに対応する上記レイテンシー制御信号を発生する段階をさらに含む請求項46に記載の擬似SRAMのバーストモード動作制御方法。 - 上記バースト動作制御信号と上記ワードライン制御信号を発生する段階において、上記ワードライン制御信号は上記アドレス有効信号が再びディセイブルされたり、または上記チップ選択信号がイネーブルされるまで、上記外部制御信号、上記プリチャージ制御信号、及び上記レイテンシー制御信号に応答し、周期的に発生するパルス信号であり、
上記ドライバ制御信号を発生する段階は、
上記ワードライン制御信号が周期的に発生するごとに上記ドライバ制御信号をイネーブルさせる段階と;及び
上記プリチャージ制御信号が発生するごとに上記ドライバ制御信号をディセイブルさせる段階を含み、
上記ワードライン制御信号が発生する時点と上記プリチャージ制御信号が発生する時点は互いに異なる請求項47に記載の擬似SRAMのバーストモード動作制御方法。 - 上記ドライバ制御信号がディセイブルされる時、上記メモリセルアレイの全体ワードラインを全てディセイブルさせる段階をさらに含み、
上記メモリセルアレイのワードラインのうち、上記デコーディングされた結果に対応する一つをイネーブルさせる段階において、上記ドライバ制御信号がイネーブルされるごとに上記デコーディングされた結果に応じて上記ワードラインが一つずつイネーブルされる請求項48に記載の擬似SRAMのバーストモード動作制御方法。 - 上記バースト動作制御信号と上記ワードライン制御信号を発生する段階は、
上記外部クロック信号、上記外部制御信号、及び上記外部アドレス信号に応答し、第1及び第2の制御信号、アドレス遷移検出信号、内部クロック信号、内部書き込み制御信号、及び内部アドレス有効信号を発生する段階と;
上記内部クロック信号、上記内部書き込み制御信号、上記内部アドレス有効信号、上記レイテンシー制御信号、及び上記バーストカラムアドレス信号に基づいて、上記バーストカラムアドレス信号が最後のカラムアドレスを示すかどうかを判断し、その判断結果に応じて第1の検出信号と第2の検出信号を発生する段階と;
上記第1及び第2の制御信号、上記内部クロック信号、上記内部書き込み制御信号、上記内部アドレス有効信号、上記第1の検出信号、上記第2の検出信号、及び上記レイテンシー制御信号に応答し、上記バースト動作制御信号を発生する段階と;及び
上記アドレス遷移検出信号、上記第1の検出信号、上記第2の制御信号、及び上記プリチャージ制御信号に応答し、上記第1の内部制御信号と上記ワードライン制御信号を発生する段階を含む請求項47に記載の擬似SRAMのバーストモード動作制御方法。 - 上記第1及び第2の制御信号、上記アドレス遷移検出信号、上記内部クロック信号、上記内部書き込み制御信号、及び上記内部アドレス有効信号を発生する段階は、
上記外部クロック信号を第1の設定時間の間遅延させ、その遅延された信号を発生する段階と;
上記遅延された信号を第2の設定時間の間遅延させ、上記内部クロック信号を出力する段階と;
上記外部クロック信号、上記遅延された信号、上記チップ選択信号、上記アドレス有効信号、及び上記書き込みイネーブル信号に応答し、上記第1及び第2の制御信号、上記内部アドレス有効信号、及び上記内部書き込み制御信号を出力する段階と;及び
上記チップ選択信号、上記アドレス有効信号、上記内部クロック信号、及び上記外部アドレス信号に応答し、内部ロウアドレス信号、内部カラムアドレス信号、及び上記アドレス遷移検出信号を出力する段階を含む請求項50に記載の擬似SRAMのバーストモード動作制御方法。 - 上記バーストロウアドレス信号と上記バーストカラムアドレス信号を連続的に発生する段階において、上記バーストロウアドレス信号は上記内部クロック信号と上記内部ロウアドレス信号に基づいて発生し、上記バーストカラムアドレス信号は上記内部クロック信号と上記内部カラムアドレス信号に基づいて発生する請求項51に記載の擬似SRAMのバーストモード動作制御方法。
- 上記第1及び第2の検出信号を発生する段階は、
上記内部クロック信号と上記内部書き込み制御信号に応答し、読み出しクロック信号及び書き込みクロック信号のいずれか一つと、制御クロック信号を発生する段階と;
上記内部アドレス有効信号と上記バーストカラムアドレス信号に応答し、有効遷移検出信号と内部検出信号を出力する段階と;
上記読み出しクロック信号と上記書き込みクロック信号のいずれか一つ、上記制御クロック信号、上記レイテンシー制御信号、上記内部検出信号、及び上記有効遷移検出信号に応答し、上記第1の検出信号と出力信号を出力する段階と;及び
上記読み出しクロック信号と上記書き込みクロック信号のいずれか一つ、上記制御クロック信号、上記レイテンシー制御信号、上記有効遷移検出信号、及び上記出力信号に応答し、上記第2の検出信号を出力する段階を含む請求項50に記載の擬似SRAMのバーストモード動作制御方法。 - 上記有効遷移検出信号と上記内部検出信号を出力する段階において、上記内部アドレス有効信号がロジックロウであり、上記バーストカラムアドレス信号が全てロジックハイである時、上記内部検出信号がロジックハイになり、
上記第1の検出信号と上記出力信号を出力する段階において、上記内部検出信号がロジックハイである時、上記レイテンシー制御信号に応答して第1の設定時間経過後、上記読み出しクロック信号と上記書き込みクロック信号のいずれか一つに同期し、上記第1の検出信号がハイパルス信号で出力され、上記出力信号がロジックハイに出力される請求項53に記載の擬似SRAMのバーストモード動作制御方法。 - 上記書き込みイネーブル信号がディセイブルされる時、上記内部書き込み制御信号がディセイブルされ、上記書き込みイネーブル信号がイネーブルされる時、上記内部書き込み制御信号がイネーブルされ、
上記読み出しクロック信号及び書き込みクロック信号のいずれか一つと、制御クロック信号を発生する段階は、
上記内部クロック信号を設定時間の間遅延させ、その遅延された信号を上記制御クロック信号として出力する段階と;
上記内部書き込み制御信号がディセイブルされる時、上記制御クロック信号に同期し、上記書き込みクロック信号を発生する段階と;及び
上記内部書き込み制御信号がイネーブルされる時、上記制御クロック信号に同期し、上記読み出しクロック信号を発生する段階を含む請求項54に記載の擬似SRAMのバーストモード動作制御方法。 - 上記第1の検出信号と出力信号を出力する段階は、
上記内部検出信号、上記有効遷移検出信号、及び上記制御クロック信号に応答し、第1のシフト信号を発生する段階と;
上記第1〜第J−1(Jは整数)のシフト信号をそれぞれ受信し、上記有効遷移検出信号、及び上記制御クロック信号に応答し、第2〜第Jのシフト信号をそれぞれ出力する段階と;
上記レイテンシー制御信号に応答し、上記第1〜第Jのシフト信号のうちの一つを出力ノードに出力する段階と;
上記出力ノードから受信される上記第1〜第Jのシフト信号のうちの一つと、上記有効遷移検出信号、及び上記制御クロック信号に応答し、上記出力信号を出力する段階と;
上記出力ノードから受信される上記第1〜第Jのシフト信号のうちの一つ、上記有効遷移検出信号、及び上記制御クロック信号に応答し、第J+1のシフト信号を出力する段階と;
上記第J+1のシフト信号、上記有効遷移検出信号、及び上記制御クロック信号に応答し、第J+2のシフト信号を出力する段階と;及び
上記読み出しクロック信号に応答して上記第J+2のシフト信号を上記第1の検出信号として出力したり、または上記書き込みクロック信号に応答し、上記出力ノードから受信される上記第1〜第Jのシフト信号のうちの一つを上記第1の検出信号として出力する段階を含む請求項53に記載の擬似SRAMのバーストモード動作制御方法。 - 上記第2の検出信号を出力する段階は、
上記出力信号、上記有効遷移検出信号、及び上記制御クロック信号に応答し、第1のシフト信号を発生する段階と;
上記第1〜第L−1(Lは整数)のシフト信号をそれぞれ受信し、上記有効遷移検出信号及び上記制御クロック信号に応答し、第2〜第Lのシフト信号をそれぞれ出力する段階と;
上記レイテンシー制御信号に応答し、上記第2〜第Lのシフト信号のうちの一つを出力ノードに出力する段階と;
上記出力ノードから受信される上記第2〜第Lのシフト信号のうちの一つ、上記有効遷移検出信号、及び上記制御クロック信号に応答し、第L+1のシフト信号を出力する段階と;
上記第L+1のシフト信号、上記有効遷移検出信号、及び上記制御クロック信号に応答し、第L+2のシフト信号を出力する段階と;
上記読み出しクロック信号に応答し、上記出力ノードから受信される上記第2〜第Lのシフト信号のうちの一つを上記第2の検出信号として出力したり、または上記書き込みクロック信号に応答し、上記第L+2のシフト信号を上記第2の検出信号として出力する段階を含む請求項53に記載の擬似SRAMのバーストモード動作制御方法。 - 上記バースト動作制御信号を発生する段階は、
上記第2の制御信号、上記内部クロック信号、上記内部書き込み制御信号、上記内部アドレス有効信号、上記第1の検出信号、上記第2の検出信号、及び上記レイテンシー制御信号に応答し、ストローブ制御信号を発生する段階と;及び
上記第1及び第2の制御信号と、上記ストローブ制御信号に応答し、上記バースト動作制御信号を発生する段階を含む請求項50に記載の擬似SRAMのバーストモード動作制御方法。 - 上記ストローブ制御信号を発生する段階において、上記第2の検出信号がハイ状態の時上記ストローブ制御信号がイネーブルされたり、または上記内部アドレス有効信号がハイ状態の時、設定された時間が経過した後、上記ストローブ制御信号がイネーブルされ、上記第1の検出信号がハイ状態の時、上記ストローブ制御信号がディセイブルされ、
上記バースト動作制御信号を発生する段階において、上記ストローブ制御信号がイネーブルされる時、上記第1及び第2の制御信号に応答し、上記バースト動作制御信号が周期的に繰り返されるハイパルス信号として発生し、
上記メモリセルアレイのビットライン(ら)をイネーブルさせる段階において、上記バースト動作制御信号がハイパルス信号で発生するごとに、上記バーストカラムアドレス信号に対応する上記メモリセルアレイのビットライン(ら)がイネーブルされる請求項58に記載の擬似SRAMのバーストモード動作制御方法。 - 上記ストローブ制御信号を発生する段階は、
上記内部クロック信号と上記内部アドレス有効信号に応答し、ラッチ信号を発生する段階と;
上記内部アドレス有効信号、上記第1及び第2の検出信号、及び上記第2の制御信号に応答し、最終カラム検出信号を出力する段階と;及び
上記内部書き込み制御信号、上記ラッチ信号、上記レイテンシー制御信号、及び上記最終カラム検出信号に応答し、上記ストローブ制御信号を出力する段階を含む請求項58に記載の擬似SRAMのバーストモード動作制御方法。 - 上記ラッチ信号を発生する段階は、
上記内部アドレス有効信号の反転した信号と上記内部クロック信号の反転した信号に応答し、第1のシフティング信号と第1のラッチ信号を出力する段階と;
上記第1〜第M−1(Mは整数)のシフト信号をそれぞれ受信し、上記内部クロック信号の反転した信号に応答し、第2〜第Mのシフト信号と第2〜第Mのラッチ信号をそれぞれ出力する段階と;及び
上記第Mのシフト信号と上記内部クロック信号の反転した信号に応答し、第M+1のラッチ信号を出力する段階を含む請求項60に記載の擬似SRAMのバーストモード動作制御方法。 - 上記ストローブ制御信号を出力する段階は、
上記第1〜第M−1のラッチ信号に応答し、第1〜第M−2のウェイト信号をそれぞれ発生する段階と;
上記レイテンシー制御信号に応答し、上記第1〜第M−2のウェイト信号のうちの一つを出力ノードに出力する段階と;
上記第1〜第Mのラッチ信号に応答し、第M−1のウェイト信号を発生する段階と;
上記第1〜第M+1のラッチ信号に応答し、第Mのウェイト信号を発生する段階と;
上記レイテンシー制御信号に応答し、上記第3〜第Mのウェイト信号のうちの一つを出力する段階と;及び
上記出力ノードから受信される上記第1〜第M−2のウェイト信号のうちの一つ、上記第3〜第Mのウェイト信号のうちの一つ、上記内部書き込み制御信号、及び上記最終カラム検出信号に応答し、上記ストローブ制御信号を出力する段階を含む請求項61に記載の擬似SRAMのバーストモード動作制御方法。
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