JP2006324363A - キャパシタおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
ギガビット級DRAM用キャパシタの誘電体に用いる酸化タンタルの高誘電率化のために結晶化すると、結晶粒界が膜厚方向に貫通してリーク電流のパスが生成され電荷保持特性が劣化する。リーク電流の増大を回避し、酸化タンタルを含む誘電体のEOTが2nm以下となる、MIM構造でスタックトレンチ型のキャパシタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】
酸化タンタルを原子層蒸着法で形成し、ポスト酸化アニールを不要とし、金属下部電極の酸化剥離を防止する。酸化タンタルの結晶化が容易な4〜4.8nmの膜厚で形成し非酸化性雰囲気で結晶化する。その上に厚さ0.5〜1.5nmの結晶分断層を形成し、さらに酸化タンタルおよび結晶分断層を積層して多層化する。これにより、酸化タンタル積層時のエピタキシャル成長を抑止して結晶粒界の膜方向貫通を防止する。
【選択図】図1
Description
このような状況にあって、従来、スタックトレンチ型キャパシタで一般的に用いられている構造では、表面に凹凸(HSG:Hemispherical Silicon Grain)を有するシリコンからなる下部電極を、深さ2000nm程度のトレンチ(深孔)内面に設け、その上に誘電体および上部電極を形成している。HSGはキャパシタの容量を確保するために電極の表面積を拡大する目的で形成される。現状ではHSGを形成すると、HSGを含む下部電極全体の厚さ、すなわちトレンチ側壁からHSGの頂上までの高さがおよそ80nmにも及んでいる。トレンチの開口短辺が、例えば250nmと比較的広い場合には、上記HSGを形成しても片側から80nmで、両側合計160nmしか占有されないため、残る中央空間短辺は90nmとなる。90nm確保できれば、その上に誘電体および上部電極を形成することは十分可能である。
そこで、EOT薄膜化の障害となる酸化シリコンの形成を回避し、且つ空乏層の発生を抑止できる金属系材料を下部電極とするMIM構造で、誘電率が酸化シリコンよりも大きい酸化タンタルを誘電体とするキャパシタが提案されている。
(1)膜厚10nm程度の酸化タンタルを単層で形成し、結晶化させると結晶粒界起因の凹凸が生じ、リーク電流が著しく増大する。
(2)一方、酸化タンタルの膜厚が薄すぎると、750℃、1分程度の通常使用条件では結晶化が困難となり、高誘電率化が達成できなくなる。
図10(a)、(b)、(c)は、酸化タンタルの結晶化の様子を透過型電子顕微鏡により観察した結果を模式的に示す平面図である。
最初に、図10(a)は、厚さ10nmの酸化タンタルの結晶化初期段階の様子を示している。結晶化初期においては、非晶質酸化タンタル1001の中に第一結晶核1002、第二結晶核1003、第三結晶核1004、第四結晶核1005が点在していた。
個々の結晶粒は、結晶核が存在した部分を中心に成長し、結晶核中心の長手方向から延在する方向に擬似粒界1011を伴う結晶が直線状に成長している直線状領域1012と、中心の両側に位置して擬似粒界を伴う結晶が不定形な不定形領域1013で構成されていた。これらの観察結果は、酸化タンタルの結晶化が、結晶化に伴って発生する結晶歪みを、擬似粒界を形成することにより開放しながら進行していることを示唆している。
上記のように、厚さ10nmの酸化タンタルを結晶化すると、酸化タンタルの表面から底面まで貫通する結晶粒界および擬似粒界が多数発生する。それと同時に表面の凹凸が大きくなる。これらの結晶粒界の存在と粒界部分の膜厚が薄くなることが、リーク電流の増大をもたらす。
図12は、薄い酸化タンタルを積層して結晶化を試みた試料の透過電子顕微鏡による断面観察結果を示している。半導体基板1201上に厚さ2.5nmの酸化タンタル1202と、厚さ2.5nmの窒化シリコン膜1203との積層膜を4層に形成して、酸化タンタルの合計膜厚が10nmとなるようにした。積層化した後、厚さ10nmの単層酸化タンタルを結晶化できる条件で熱処理を施した。しかし、観察の結果、酸化タンタルの結晶化は認められず、結晶格子も結晶粒界も存在していなかった。すなわち、酸化タンタルを薄くしすぎると結晶化が困難となることが明らかとなった。結晶化が達成されないと酸化タンタルの高誘電率化が困難となり、EOTが2nm以下の誘電体を得ることができない。
上記特開2001-237401号公報の特許文献には、厚さ1nm以下の酸化タンタルと厚さ0.5nm以下の酸化チタンの積層膜が開示されているが、上述のように、このような薄い酸化タンタルは効果的に結晶化することは困難であり、750℃以下の熱処理温度で高誘電率化は達成できない問題がある。
発明者は、種々実験検討の結果、以下の知見を得た。酸化タンタルの膜厚が4nmより薄くなると、極めて結晶化しにくくなる。ギガビット級DRAMでは、既に半導体基板表面に形成されている半導体素子の特性に影響を与えないように、スタックトレンチ型のキャパシタ形成工程で許容される熱処理温度は750℃である。この温度で効果的に結晶化し得る酸化タンタルの膜厚は4nm以上となる。2.5nmの膜厚では、800℃で熱処理しても結晶化は困難である。結晶化しないと酸化タンタルの誘電率は向上せず、EOTが2nm以下のキャパシタ誘電体を得ることは困難となる。したがって、効果的に酸化タンタルを結晶化させるためには膜厚を4nm以上とする必要がある。また、一旦結晶化した後の酸化タンタルの膜厚は任意に調整することが可能で、結晶状態を維持したまま薄膜化を図ることができる。
また、前記下部電極がルテニウムであることを含み、前記ルテニウム下部電極に接するプラグは、少なくとも、厚みが100nm以上のルテニウムプラグからなり、前記ルテニウムプラグの下に接するバリヤ層は窒化チタンからなり、前記窒化チタンの下に接するシリサイド層はルテニウムシリサイドであることをさらに含んでいることを特徴とする。
また、前記誘電体中の、多結晶酸化タンタルの合計の厚さが酸化シリコンの誘電率で規格化したEOTで0.7nm以下であり、多結晶酸化タンタル以外の膜の合計の厚さが酸化シリコンの誘電率で規格化したEOTで1.1nmから1.3nmの範囲であることを特徴とする。
さらに、前記下部電極がルテニウムである場合には、前記ルテニウム下部電極に接するプラグは、少なくとも、厚みが100nm以上のルテニウムプラグからなり、前記ルテニウムプラグの下に接するバリヤ層は窒化チタンからなり、前記窒化チタンの下に接するシリサイド層はルテニウムシリサイドであることを含み、前記ルテニウムは形成後、水素もしくはアンモニアを含む還元性雰囲気で熱処理する工程をさらに含み、緻密化されていることを特徴とする。
また、酸化タンタルは4nm以上の厚さで形成するので、熱処理上限となる750℃以下の温度で容易に結晶化させることができ、高誘電率化が可能となる。
上記の主な効果により、誘電体のリーク電流増大を抑制しつつ、誘電体の高誘電率化を図ってEOTが2nm以下となるスタックトレンチ型のキャパシタを有するギガビット級のDRAMを提供できる効果がある。
p型シリコン基板101にnウエル102を設け、その内部に第一のpウエル103を設けている。また、nウエル102以外の領域には第二のp ウエル104を設け、素子分離領域105を設けている。第一のpウエル103は複数のメモリセルが配置されるメモリアレイ領域を、第二のpウエル104は周辺回路領域を各々便宜的に示している。
第一のpウエル103には個々のメモリセルの構成要素でワード線となるスイッチングトランジスタ106及び107を設けている。トランジスタ106は、ドレイン108、ソース109とゲート絶縁膜110を介してゲート電極111とで構成される。トランジスタ107は、ソース109を共通としドレイン112、ゲート絶縁膜110を介してゲート電極111で構成されている。トランジスタを被覆するように第一層間絶縁膜113を設けている。
トランジスタのドレイン108及び112に接続するように第一層間絶縁膜113及び第二層間絶縁膜121の所定の領域にコンタクト孔を設け、シリコンプラグ122を設けている。さらに、シリコンプラグ122の表面にはバリヤ層を含む金属シリサイド123を設けている。
図2はキャパシタの断面構造を、図3は製造ステップ(S1〜S8)を示している。なお、実際の詳細な製造ステップについては、後述の実施例5において述べることとする。
また、この熱処理は、より短時間に結晶化温度まで昇温することが望ましい。(発明が解決しようとする課題)の項でも延べたように、酸化タンタルの結晶化は、結晶核の生成と結晶成長により達成される。より瞬間的に結晶化させることにより、同時多発的に結晶核を生成できるので、結晶粒の成長を抑えられ、擬似粒界の少ない、小さくて均一な結晶粒で構成することができるからである。バッチ処理の炉体では、結晶化温度に到達、安定するまでに時間のばらつきが生じ、部分的に巨大な結晶粒が成長する結果となり、リーク電流の抑制には不都合である。
ルテニウム下部電極を用いる場合には、バリヤ層202を構成するシリサイドは、ルテニウムシリサイドとすることが望ましい。また、ルテニウムを形成した後には水素もしくはアンモニアを含む還元性雰囲気熱処理することが望ましい。なお、ルテニウム下部電極上で本発明を適用する場合の例については後述の実施例6で詳細に説明する。
次に、S5ステップでは、窒化タンタルからなる酸化バリヤ層413を形成した。窒化タンタルはPETとNH3を原料ガスとする原子層蒸着法により、温度350℃で、厚さが2nmになるように形成した。次いで、S6ステップでは、NH3雰囲気で窒化タンタルを熱処理し、緻密化を図った。熱処理条件は700℃、1分とした。
なお、本実施例では、各々の酸化タンタルを形成した段階で結晶化しているが、最後の第二結晶分断層の形成が終了した時点で一度に結晶化させても良い。
図6では、シリコンプラグとなる多結晶シリコン601上に、チタンシリサイド611および窒化チタン612からなるバリヤ層602が設けられ、バリヤ層602に接して窒化タングステンからなる下部電極603を設けている。下部電極603上に、誘電体604として、第一多結晶酸化タンタル613、酸化アルミニウムからなる第一結晶分断層614および第二多結晶酸化タンタル615、第二結晶分断層616、第三多結晶シリコン617、第三結晶分断層618が設けられ、さらに誘電体604の上に上部電極605を設けて、キャパシタを構成している。
最初に、図8(a)は、プラグを形成した段階の状態を示している。厚さ500nmの酸化シリコンからなる第二層間絶縁膜801を堆積して表面を平坦化した後、厚さ50nmの窒化シリコン膜802をCVD法により積層した。所定の領域にリソグラフィとドライエッチング法によりコンタクトホールを形成した後、不純物を含有する多結晶シリコンからなるシリコンプラグ803を形成した。シリコンプラグ803は、窒化シリコン膜802の厚みの範囲内で、コンタクトホール内に落ち込むように形成した。
次に、シリコンプラグ表面にシリサイドを形成するに先立ち、シリコンプラグ表面の清浄化処理を行なった。この清浄化処理で酸化シリコンからなる第二層間絶縁膜801がエッチングされないようにするために、窒化シリコン膜802を設けている。しかし、第二層間絶縁膜801が実質的にエッチングされない条件であれば、窒化シリコン膜802の形成を省略してもよい。次に、厚さ10nmのチタンシリサイド804とバリヤとなる窒化チタン805をホールが埋まるように堆積した。その後、CMP(Chemical Mechanical Polishing)法を用いて、コンタクトホール以外の表面に形成された窒化チタン805を除去した。
次に、トレンチ808内をホトレジストで充填し、ドライエッチングによりトレンチ以外の表面に露出している窒化タングステン809を除去した。その後、トレンチを充填したホトレジストを除去した。ホトレジストは、酸素プラズマアッシングで除去可能であるが、この時、窒化タングステンがわずかに酸化されるが、H2もしくはNH3雰囲気で熱処理し還元することができる。また、タングステンをエッチングしない溶液を用いてホトレジストだけを除去することも可能である。以上の手順により、トレンチ内壁に窒化タングステンからなる下部電極809を形成した。
さらに、窒化チタンからなる上部電極814を形成した。窒化チタンは、TiCl4とNH3を原料ガスとするCVD法により形成した。CVD法に代えて原子層蒸着法により形成することもできる。CVD法の場合には500〜550℃の温度範囲を選択でき、原子層蒸着法では350〜400℃の温度範囲でパージを含む原料の交互導入により形成できる。窒化チタンを形成した後、さらにタングステンなどの金属をスパッタ法により積層することもできる。これにより、キャパシタ構造が完成する。以降、図1と同様に、配線層の形成を経てDRAM構造を製造することができる。
また、(d)図の段階で、第三層間絶縁膜を除去しなければ、単純なスタックトレンチ型キャパシタを製造することができる。この場合、工程が簡略化でき、より高い歩留まりでDRAMを製造できる利点がある。
ルテニウムは堆積直後の段階では、表面凹凸が大きく、不純物含有量も多いので、堆積した後、水素雰囲気で750℃、1分熱処理した。この熱処理により、表面を平坦化でき、含有不純物を減少させることができる。水素の代わりにNH3を用いても良い。また、コンタクトホールが埋まらないように最初のルテニウムを堆積して水素熱処理を行なった後、残りのルテニウムを堆積して再度水素熱処理を行なう2段階で形成しても良い。熱処理により表面の平坦化を図った後、エッチバックしてコンタクトホール以外の表面に形成されている不要なルテニウムを除去し、ルテニウムプラグ907を形成した。ルテニウムのエッチバックは、酸素と塩素の混合ガスによるプラズマエッチングでおこなうことができる。また、CMP法を用いることができる。ルテニウムプラグの厚さは少なくとも100nm以上となるようにすることが望ましい。ここでは第二層間絶縁膜906の厚さを500nmとしているので充分である。
なお、本実施例では、各々の酸化タンタルを形成した段階で結晶化しているが、最後の第二結晶分断層の形成が終了した時点で一度に結晶化させても良い。
102 nウエル
103 第一のpウエル
104 第二のpウエル
105 素子分離領域
106、107 トランジスタ
108、112 ドレイン
109 ソース
110 ゲート絶縁膜
111 ゲート電極
113、901 第一層間絶縁膜
114、133、134 コンタクト孔
115、201、401、601 多結晶シリコン
116、211、411、611、804 チタンシリサイド
117、135、137、139、141、143、145、212 窒化チタン
412、612、805、905 窒化チタン
118、120、136、142 タングステン
119 窒化タングステン
121、801、906 第二層間絶縁膜
122、803、903 シリコンプラグ
123 金属シリサイド
124、802、806、902、908、1203 窒化シリコン膜
125、807、909 第三層間絶縁膜
126、808 トレンチ
127、203、403、603、809 下部電極
128 外側のキャパシタ領域
129 ダミー溝
130、204、404、604 誘電体
131、205、405、605、814 上部電極
132 第四層間絶縁膜
138、144 アルミニウム
140 引出し配線
202、402、602 バリヤ層
213、414、613、810、1301 第一多結晶酸化タンタル
214、415、614、811、1302 第一結晶分断層
215、416、615、812、1303 第二多結晶酸化タンタル
216、417、616、813、1304 第二結晶分断層
413 酸化バリヤ層
617 第三多結晶酸化タンタル
618 第三結晶分断層
904 ルテニウムシリサイド
907 ルテニウムプラグ
910 ルテニウム下部電極
1001、1102、1202 非晶質酸化タンタル
1002 第一結晶核
1003 第二結晶核
1004 第三結晶核
1005 第四結晶核
1006 第一結晶粒
1007 第二結晶粒
1008 第三結晶粒
1009 第四結晶粒
1010、1104、1305、1306 結晶粒界
1011 擬似粒界
1012 直線状領域
1013 不定形領域
1014 結晶格子
1015 不連続格子端
1016 連続格子端
1103 多結晶酸化タンタル
Claims (15)
- 半導体基板表面に接続するプラグを介して設けられる下部電極を有するスタックトレンチ型キャパシタにおいて、
(1)金属もしくは金属化合物からなる下部電極と、
(2)厚さ3nm〜4.8nmの多結晶酸化タンタルと、前記多結晶酸化タンタル上に設けられた結晶分断層とからなる積層膜を基本構成とし、前記下部電極上に前記積層膜が少なくとも2層以上設けられた誘電体と、
(3)前記誘電体上に設けられた金属もしくは金属化合物からなる上部電極と、
で構成されることを特徴とするキャパシタ。 - 前記結晶分断層は、酸化アルミニウムもしくは酸化ハフニウムからなることを特徴とする請求項1記載のキャパシタ。
- 前記下部電極と多結晶酸化タンタルの間に、窒化タンタル、窒化アルミニウム、窒化ハフニウムから選択される酸化バリヤ層を含むことを特徴とする請求項1及び2記載のキャパシタ。
- 前記下部電極がルテニウムであって、前記ルテニウム下部電極に接するプラグは、少なくとも、厚みが100nm以上のルテニウムからなることを含み、前記ルテニウムプラグの下に接するバリヤ層は窒化チタンからなり、前記窒化チタンの下に接するシリサイド層はルテニウムシリサイドであることをさらに含むことを特徴とする請求項1乃至3記載のキャパシタ。
- 前記誘電体中の、多結晶酸化タンタルの合計の厚さが酸化シリコンの誘電率で規格化したEOTで0.7nm以下であり、多結晶酸化タンタル以外の膜の合計の厚さが酸化シリコンの誘電率で規格化したEOTで1.1nmから1.3nmの範囲であることを特徴とする請求項1乃至4記載のキャパシタ。
- 半導体基板表面に接続するプラグを介して下部電極が形成されるスタックトレンチ型キャパシタの製造方法において、
(1)金属もしくは金属化合物からなる下部電極を形成する工程と、
(2)前記下部電極上に厚さ4nm〜4.8nmの非晶質酸化タンタルを原子層蒸着法により形成する工程と、
(3)前記非晶質酸化タンタル上に、結晶分断層を原子層蒸着法により形成する工程と、
(4)前記(2)から(3)の工程を、少なくとも2回繰り返して誘電体を形成する工程と、
(5)前記誘電体を形成した後、酸化タンタルを結晶化する熱処理工程と、
(6)前記誘電体上に、金属もしくは金属化合物からなる上部電極を形成する工程と、
を有することを特徴とするキャパシタの製造方法。 - 半導体基板表面に接続するプラグを介して下部電極が形成されるスタックトレンチ型キャパシタの製造方法において、
(1)金属もしくは金属化合物からなる下部電極を形成する工程と、
(2)前記下部電極上に厚さ4nm〜4.8nmの非晶質酸化タンタルを原子層蒸着法により形成する工程と、
(3)前記非晶質酸化タンタルを非酸化性雰囲気で結晶化する工程と、
(4)前記結晶化された酸化タンタル上に、結晶分断層を原子層蒸着法により形成する工程と、
(5)前記(2)から(4)の工程を、少なくとも2回繰り返して誘電体を形成する工程と、
(6)前記誘電体上に、金属もしくは金属化合物からなる上部電極を形成する工程と、
を有することを特徴とするキャパシタの製造方法。 - 半導体基板表面に接続するプラグを介して下部電極が形成されるスタックトレンチ型キャパシタの製造方法において、
(1)金属もしくは金属化合物からなる下部電極を形成する工程と、
(2)前記下部電極上に厚さ4nm〜4.8nmの非晶質酸化タンタルを原子層蒸着法により形成する工程と、
(3)前記非晶質酸化タンタルを非酸化性雰囲気で結晶化する工程と、
(4)前記結晶化された酸化タンタルの膜厚を調整する工程と、
(5)前記膜厚が調整された多結晶酸化タンタル上に、原子層蒸着法により結晶分断層を形成する工程と、
(6)前記(2)から(5)の工程を、少なくとも2回以上繰り返して誘電体を形成する工程と、
(7)前記誘電体上に、金属もしくは金属化合物からなる上部電極を形成する工程と、
を有することを特徴とするキャパシタの製造方法。 - 前記結晶分断層は、酸化アルミニウムもしくは酸化ハフニウムからなることを特徴とする請求項6乃至8記載のキャパシタの製造方法。
- 前記下部電極は、タングステンおよびその化合物、窒化チタン、ルテニウムから選択されることを特徴とする請求項6乃至9記載のキャパシタの製造方法。
- 前記下部電極がルテニウムであって、前記ルテニウム下部電極に接するプラグは、少なくとも、厚みが100nm以上のルテニウムからなることを含み、前記ルテニウムプラグの下に接するバリヤ層は窒化チタンからなり、前記窒化チタンの下に接するシリサイド層はルテニウムシリサイドであることをさらに含むことを特徴とする請求項6乃至9記載のキャパシタの製造方法。
- 前記ルテニウムは形成後、水素もしくはアンモニアを含む還元性雰囲気で熱処理する工程をさらに含み、緻密化されていることを特徴とする請求項11記載のキャパシタの製造方法。
- 前記下部電極と多結晶酸化タンタルの間に、窒化タンタル、窒化アルミニウム、窒化ハフニウムから選択される酸化バリヤ層が原子層蒸着法により形成される工程を含むことを特徴とする請求項6乃至11記載のキャパシタの製造方法。
- 前記酸化バリヤ層を原子層蒸着法により形成した後、アンモニア雰囲気で熱処理する工程をさらに含むことを特徴とする請求項13記載のキャパシタの製造方法。
- 前記下部電極上に、下部電極に接する酸化タンタルを形成した後、水素雰囲気中で熱処理する工程をさらに含み、下部電極表面に形成されている金属酸化物を還元することを特徴とする請求項6乃至10記載のキャパシタの製造方法。
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Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008244017A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Ulvac Japan Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2011517089A (ja) * | 2008-04-08 | 2011-05-26 | マイクロン テクノロジー, インク. | 高アスペクト比の開口部 |
JP2011155033A (ja) * | 2010-01-26 | 2011-08-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体デバイスの製造方法および半導体デバイス |
US8026184B2 (en) | 2006-12-28 | 2011-09-27 | Elpida Memory, Inc. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
JP2011258832A (ja) * | 2010-06-10 | 2011-12-22 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US8124492B2 (en) | 2009-03-11 | 2012-02-28 | Tokyo Electron Limited | Semiconductor device manufacturing method |
WO2017183390A1 (ja) * | 2016-04-20 | 2017-10-26 | ソニー株式会社 | 積層構造体及びその製造方法 |
KR20200051823A (ko) * | 2017-10-04 | 2020-05-13 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 상호접속부를 위한 루테늄 금속 피처 충전 |
KR20200094225A (ko) * | 2017-12-27 | 2020-08-06 | 마이크론 테크놀로지, 인크 | 커패시터 절연체를 사이에 갖는 전도성 커패시터 전극 쌍을 포함하는 커패시터의 적어도 하나의 전도성 커패시터 전극의 적어도 일 부분을 형성하는데 사용되는 방법 및 커패시터를 형성하는 방법 |
CN112349792A (zh) * | 2020-11-06 | 2021-02-09 | 浙江师范大学 | 一种单晶硅钝化接触结构及其制备方法 |
JPWO2021053761A1 (ja) * | 2019-09-18 | 2021-03-25 | ||
US11043553B2 (en) | 2018-09-19 | 2021-06-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Integrated circuit device |
JP2022077978A (ja) * | 2020-11-12 | 2022-05-24 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ダイナミックランダムアクセスメモリビット線金属を滑らかにするための方法及び装置 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100705936B1 (ko) * | 2006-06-30 | 2007-04-13 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 비트라인 형성방법 |
US7666752B2 (en) * | 2007-01-19 | 2010-02-23 | Qimonda Ag | Deposition method for a transition-metal-containing dielectric |
US7989922B2 (en) * | 2008-02-08 | 2011-08-02 | International Business Machines Corporation | Highly tunable metal-on-semiconductor trench varactor |
US8124528B2 (en) * | 2008-04-10 | 2012-02-28 | Micron Technology, Inc. | Method for forming a ruthenium film |
US8686486B2 (en) * | 2011-03-31 | 2014-04-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device |
US9177826B2 (en) * | 2012-02-02 | 2015-11-03 | Globalfoundries Inc. | Methods of forming metal nitride materials |
US9728719B2 (en) * | 2014-04-25 | 2017-08-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Leakage resistant RRAM/MIM structure |
KR102368099B1 (ko) * | 2015-06-25 | 2022-02-25 | 삼성전자주식회사 | 커패시터 및 이를 포함하는 반도체 장치 |
US11631680B2 (en) * | 2018-10-18 | 2023-04-18 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for smoothing dynamic random access memory bit line metal |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0677402A (ja) * | 1992-07-02 | 1994-03-18 | Natl Semiconductor Corp <Ns> | 半導体デバイス用誘電体構造及びその製造方法 |
JPH09246494A (ja) * | 1996-03-01 | 1997-09-19 | Texas Instr Japan Ltd | 誘電体キャパシタと誘電体メモリ装置、及びこれらの製造方法 |
JP2000058639A (ja) * | 1998-08-04 | 2000-02-25 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2001267566A (ja) * | 2000-02-11 | 2001-09-28 | Sharp Corp | 多層誘電体スタックおよびその方法 |
JP2002319583A (ja) * | 2001-02-02 | 2002-10-31 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体素子の誘電体膜及びその製造方法 |
JP2003133534A (ja) * | 2001-09-12 | 2003-05-09 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子及びその製造方法 |
JP2003179164A (ja) * | 2001-09-12 | 2003-06-27 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子及びその製造方法 |
JP2003197772A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-11 | Sony Corp | キャパシタ、半導体記憶装置およびその製造方法 |
JP2003318284A (ja) * | 2002-04-23 | 2003-11-07 | Hynix Semiconductor Inc | 二重誘電膜の構造を有した半導体素子のコンデンサ及びその製造方法 |
JP2004511909A (ja) * | 2000-10-10 | 2004-04-15 | エーエスエム インターナショナル エヌ.ヴェー. | 誘電体界面被膜およびその方法 |
WO2004053997A1 (en) * | 2002-12-09 | 2004-06-24 | Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) | Method for forming a dielectric stack |
JP2004356439A (ja) * | 2003-05-29 | 2004-12-16 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000012796A (ja) * | 1998-06-19 | 2000-01-14 | Hitachi Ltd | 半導体装置ならびにその製造方法および製造装置 |
JP2001015739A (ja) * | 1999-06-30 | 2001-01-19 | Nec Corp | ゲート絶縁膜とその製造方法 |
JP2001024165A (ja) * | 1999-07-06 | 2001-01-26 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法ならびに半導体製造装置 |
KR100705926B1 (ko) | 1999-12-22 | 2007-04-11 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 |
KR100415538B1 (ko) | 2001-09-14 | 2004-01-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이중 유전막을 구비한 캐패시터 및 그 제조 방법 |
US6818500B2 (en) * | 2002-05-03 | 2004-11-16 | Micron Technology, Inc. | Method of making a memory cell capacitor with Ta2O5 dielectric |
JP3670628B2 (ja) | 2002-06-20 | 2005-07-13 | 株式会社東芝 | 成膜方法、成膜装置、および半導体装置の製造方法 |
US20040077142A1 (en) * | 2002-10-17 | 2004-04-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Atomic layer deposition and plasma treatment method for forming microelectronic capacitor structure with aluminum oxide containing dual dielectric layer |
US7092234B2 (en) * | 2003-05-20 | 2006-08-15 | Micron Technology, Inc. | DRAM cells and electronic systems |
-
2005
- 2005-05-17 JP JP2005144780A patent/JP2006324363A/ja active Pending
-
2006
- 2006-05-17 US US11/434,877 patent/US7382014B2/en active Active
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0677402A (ja) * | 1992-07-02 | 1994-03-18 | Natl Semiconductor Corp <Ns> | 半導体デバイス用誘電体構造及びその製造方法 |
JPH09246494A (ja) * | 1996-03-01 | 1997-09-19 | Texas Instr Japan Ltd | 誘電体キャパシタと誘電体メモリ装置、及びこれらの製造方法 |
JP2000058639A (ja) * | 1998-08-04 | 2000-02-25 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2001267566A (ja) * | 2000-02-11 | 2001-09-28 | Sharp Corp | 多層誘電体スタックおよびその方法 |
JP2004511909A (ja) * | 2000-10-10 | 2004-04-15 | エーエスエム インターナショナル エヌ.ヴェー. | 誘電体界面被膜およびその方法 |
JP2002319583A (ja) * | 2001-02-02 | 2002-10-31 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体素子の誘電体膜及びその製造方法 |
JP2003133534A (ja) * | 2001-09-12 | 2003-05-09 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子及びその製造方法 |
JP2003179164A (ja) * | 2001-09-12 | 2003-06-27 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子及びその製造方法 |
JP2003197772A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-11 | Sony Corp | キャパシタ、半導体記憶装置およびその製造方法 |
JP2003318284A (ja) * | 2002-04-23 | 2003-11-07 | Hynix Semiconductor Inc | 二重誘電膜の構造を有した半導体素子のコンデンサ及びその製造方法 |
WO2004053997A1 (en) * | 2002-12-09 | 2004-06-24 | Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) | Method for forming a dielectric stack |
JP2006511934A (ja) * | 2002-12-09 | 2006-04-06 | アンテルユニヴェルシテール・ミクロ−エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ | 誘電体スタックの形成方法 |
JP2004356439A (ja) * | 2003-05-29 | 2004-12-16 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
Cited By (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8026184B2 (en) | 2006-12-28 | 2011-09-27 | Elpida Memory, Inc. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
JP2008244017A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Ulvac Japan Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US9595387B2 (en) | 2008-04-08 | 2017-03-14 | Micron Technology, Inc. | High aspect ratio openings |
JP2011517089A (ja) * | 2008-04-08 | 2011-05-26 | マイクロン テクノロジー, インク. | 高アスペクト比の開口部 |
US8760841B2 (en) | 2008-04-08 | 2014-06-24 | Micron Technology, Inc. | High aspect ratio openings |
US8124492B2 (en) | 2009-03-11 | 2012-02-28 | Tokyo Electron Limited | Semiconductor device manufacturing method |
US8314004B2 (en) | 2009-03-11 | 2012-11-20 | Tokyo Electron Limited | Semiconductor device manufacturing method |
JP2011155033A (ja) * | 2010-01-26 | 2011-08-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体デバイスの製造方法および半導体デバイス |
JP2011258832A (ja) * | 2010-06-10 | 2011-12-22 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US8946044B2 (en) | 2010-06-10 | 2015-02-03 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device |
WO2017183390A1 (ja) * | 2016-04-20 | 2017-10-26 | ソニー株式会社 | 積層構造体及びその製造方法 |
US10889082B2 (en) | 2016-04-20 | 2021-01-12 | Sony Corporation | Laminated structure and method for producing the same |
KR20200051823A (ko) * | 2017-10-04 | 2020-05-13 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 상호접속부를 위한 루테늄 금속 피처 충전 |
JP7277871B2 (ja) | 2017-10-04 | 2023-05-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 相互接続のためのルテニウム金属機能フィリング |
JP2020536395A (ja) * | 2017-10-04 | 2020-12-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 相互接続のためのルテニウム金属機能フィリング |
KR102601862B1 (ko) * | 2017-10-04 | 2023-11-13 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 상호접속부를 위한 루테늄 금속 피처 충전 |
KR20200094225A (ko) * | 2017-12-27 | 2020-08-06 | 마이크론 테크놀로지, 인크 | 커패시터 절연체를 사이에 갖는 전도성 커패시터 전극 쌍을 포함하는 커패시터의 적어도 하나의 전도성 커패시터 전극의 적어도 일 부분을 형성하는데 사용되는 방법 및 커패시터를 형성하는 방법 |
KR102433698B1 (ko) | 2017-12-27 | 2022-08-18 | 마이크론 테크놀로지, 인크 | 커패시터 절연체를 사이에 갖는 전도성 커패시터 전극 쌍을 포함하는 커패시터의 적어도 하나의 전도성 커패시터 전극의 적어도 일 부분을 형성하는데 사용되는 방법 및 커패시터를 형성하는 방법 |
US11043553B2 (en) | 2018-09-19 | 2021-06-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Integrated circuit device |
US11929389B2 (en) | 2018-09-19 | 2024-03-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Integrated circuit device |
WO2021053761A1 (ja) * | 2019-09-18 | 2021-03-25 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、記録媒体及び基板処理装置 |
JP7273168B2 (ja) | 2019-09-18 | 2023-05-12 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理方法、半導体装置の製造方法、プログラム及び基板処理装置 |
JPWO2021053761A1 (ja) * | 2019-09-18 | 2021-03-25 | ||
CN112349792A (zh) * | 2020-11-06 | 2021-02-09 | 浙江师范大学 | 一种单晶硅钝化接触结构及其制备方法 |
JP2022077978A (ja) * | 2020-11-12 | 2022-05-24 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ダイナミックランダムアクセスメモリビット線金属を滑らかにするための方法及び装置 |
JP7206355B2 (ja) | 2020-11-12 | 2023-01-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ダイナミックランダムアクセスメモリビット線金属を滑らかにするための方法及び装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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US7382014B2 (en) | 2008-06-03 |
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