JP2011155033A - 半導体デバイスの製造方法および半導体デバイス - Google Patents
半導体デバイスの製造方法および半導体デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011155033A JP2011155033A JP2010013863A JP2010013863A JP2011155033A JP 2011155033 A JP2011155033 A JP 2011155033A JP 2010013863 A JP2010013863 A JP 2010013863A JP 2010013863 A JP2010013863 A JP 2010013863A JP 2011155033 A JP2011155033 A JP 2011155033A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- insulating film
- processing chamber
- gas
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 54
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 102
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 42
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 40
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 39
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims abstract description 31
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 22
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 22
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 372
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 146
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 108
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 91
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 90
- 238000000034 method Methods 0.000 description 76
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 63
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 50
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 49
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 44
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 37
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 37
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 32
- 229910003855 HfAlO Inorganic materials 0.000 description 20
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 16
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 12
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 4
- -1 N 2 and Ar Substances 0.000 description 3
- 229910007875 ZrAlO Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SEQDDYPDSLOBDC-UHFFFAOYSA-N Temazepam Chemical compound N=1C(O)C(=O)N(C)C2=CC=C(Cl)C=C2C=1C1=CC=CC=C1 SEQDDYPDSLOBDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000005300 metallic glass Substances 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- VLYNEXSJZWRPQG-UHFFFAOYSA-N CCN([Hf])CC Chemical compound CCN([Hf])CC VLYNEXSJZWRPQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- ZYLGGWPMIDHSEZ-UHFFFAOYSA-N dimethylazanide;hafnium(4+) Chemical compound [Hf+4].C[N-]C.C[N-]C.C[N-]C.C[N-]C ZYLGGWPMIDHSEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DWCMDRNGBIZOQL-UHFFFAOYSA-N dimethylazanide;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].C[N-]C.C[N-]C.C[N-]C.C[N-]C DWCMDRNGBIZOQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- PDPJQWYGJJBYLF-UHFFFAOYSA-J hafnium tetrachloride Chemical compound Cl[Hf](Cl)(Cl)Cl PDPJQWYGJJBYLF-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
【解決手段】基板200の上に形成された結晶質膜310の上に非晶質膜320を形成する非晶質膜形成工程と、非晶質膜320の上に結晶質膜310の結晶構造とは独立して制御される結晶構造を持つ絶縁膜330を形成する結晶性絶縁膜形成工程と、を有する。結晶性絶縁膜形成工程においては、基板200を加熱して前記絶縁膜330の少なくとも一部を正方晶系へ相転移させる相転移工程と、を有する。
【選択図】図7
Description
本発明の第1の実施の形態に係る半導体デバイスの製造方法の説明に先立って、まずはかかる製造方法を実施する基板処理装置について、その構成を以下に説明する。
基板処理装置の一例として、基板処理装置101の構成例について、図1を用いて説明する。図1は基板処理装置101の斜透視図である。カセットステージ114のある面を基板処理装置101の正面とし、正面の側を基板処理装置101の前方、それとは反対の処理炉202のある側を後方、基板処理装置101の正面に向かって右手を右、左手を左とした。基板処理装置101の上下は、重力方向のとおりである。
タとを備えたクリーンユニット(図示せず)が設置されている。図示しない前記クリーンユニットから吹き出されたクリーンエアは、ウエハ移載装置125a、ボート217を流通した後に、図示しない排気装置に吸い込まれて、筐体111の外部に排気されるように構成されている。
次に、本実施形態にかかる基板処理装置101の動作について説明する。
続いて、本実施形態に係る処理炉202の構成について、図2、および図3を参照しながら説明する。図2は、図1に示す基板処理装置101の処理炉202の構成図であって、特に処理室201部分を断面図で示してある。また図3は、処理炉202部分を図2のA−A断面図で示している。
本実施形態に係る処理炉202は、ウエハ200の表面に処理ガスを供給し、CVD(Chemical Vapor Deposition)法やALD(Atomic Layer Deposition)法によりウエハ200上に例えばAlO(酸化アルミニウム)等の薄膜を形成することが可能なように、例えば縦型処理炉として構成されている。
非金属材料から構成され、上端部が閉塞され、下端部が開放された円筒形状に構成されている。マニホールド209は、例えばSUS等の金属材料から構成され、上端部及び下端部が開放された円筒形状に構成されている。反応管203は、マニホールド209により下端部側から縦向きに支持されている。反応管203の下端部、マニホールド209の上部および下部の開口端部にはそれぞれ環状のフランジが設けられている。反応管203下端部とマニホールド209上端部のフランジ間にはOリングなどの封止部材220設けられ、両者の間は気密に封止されている。
処理炉202は、処理室201内にウエハ200の積層方向に沿って立設され、複数のガス供給口248a、248cをそれぞれ有する多孔ノズル270aと多孔ノズル270cとを備えている。多孔ノズル270aおよび多孔ノズル270cは、垂直部と水平部とを有するL字形状にそれぞれ構成されている。多孔ノズル270aおよび多孔ノズル270cの垂直部は、反応管203の内壁を沿うように鉛直方向にそれぞれ配設されている。多孔ノズル270aおよび多孔ノズル270cの水平部は、マニホールド209の側壁を
それぞれ貫通するように設けられている。多孔ノズル270aの水平部は二股に分岐しており、例えば一種類または二種類のガスを処理室201内に供給可能なように構成されている。すなわち多孔ノズル270aは、二股に分岐した水平部が処理室201の下方で合流して垂直部に連通する合流タイプガス供給ノズルである。そして多孔ノズル270cは、一本の水平部が処理室201の下方で垂直部に連通する、独立した形の分離タイプガス供給ノズルである。
多孔ノズル270aの一方の上流端(水平端)には、例えば酸化剤としてのO3ガスを供給するガス供給管232aの下流端が接続されている。ガス供給管232aには上流側から順に、図示しないO3ガス供給源、流量制御機構であるマスフローコントローラ241a、開閉弁であるバルブ252aが設けられている。バルブ252aを開けることにより、マスフローコントローラ241aにより流量制御しながら、O3ガス供給源から処理室201内にO3ガスを供給可能なように構成されている。ガス供給管232aのバルブ252aの下流側にはさらに、不活性ガスを供給する不活性ガス供給管234aの下流端が接続されている。不活性ガス供給管234aには上流側から順に、図示しない不活性ガス供給源と、図示しないマスフローコントローラと、バルブ254aとが設けられている。バルブ254aを開けることにより、マスフローコントローラにより流量制御しながら、不活性ガス供給源から処理室201内に不活性ガスを供給可能なように構成されている。不活性ガスを供給することで、O3ガスの供給終了後、不活性ガスをパージして処理室201内に残留したO3ガスを排除したり、ガス供給管232a不使用時に他のガスを供給する場合に、他のガスの逆流を防止したりすることができる。
多孔ノズル270aの他方の上流端(水平端)には、例えば液体原料としてのTMA(トリメチルアルミニウム:(CH3)3Al)を気化させて得られる第1原料(気化ガス)としてのTMAガスを供給するガス供給管233bの下流端が接続されている。TMAは常温で液体であるため、処理室201内にTMAガスを供給するには、TMAを加熱して気化させてから供給する方法、キャリアガスとなるHe(ヘリウム)、Ne(ネオン)、Ar(アルゴン)、N2(窒素)などの不活性ガスをTMAの液体の中に供給し、TMAを気化させたガスをキャリアガスと共に処理室201内へと供給する方法(バブリング方式)などがある。以下に述べるのは、例としてキャリアガスを使用してTMAガスを供給する場合の構成である。
る。TMA容器261b内にはTMAの液体が貯蔵されており、キャリアガス供給管232bの下流端はTMAの液体中に浸漬されている。そして、ガス供給管233bの上流端はTMA容器261b内のTMAの液面上方に配置されている。ガス供給管233bの下流側にはバルブ253bが設けられ、ガス供給管233bの下流端は、先述のように多孔ノズル270aの他方の上流端に接続されている。TMA容器261bからマニホールド209までのガス供給管233bには、ヒータ281bが設けられ、ガス供給管233bを例えば50〜60℃に保っている。バルブ252bを開けることにより、マスフローコントローラ241bにより流量制御しながら、キャリアガス供給源からTMA容器261b内にキャリアガスを供給してTMAの気化ガスを発生させることが可能なように構成されている。そして、バルブ253bを開けることにより、TMA容器261b内で発生したTMAガスをキャリアガスと共に処理室201内に供給することが可能なように構成されている。
多孔ノズル270cの上流端(水平端)には、例えば液体原料としてのTEMAH(テトラキスエチルメチルアミノハフニウム:Hf(NEtMe)4)を気化させて得られる第2原料(気化ガス)としてのTEMAHガスを供給するガス供給管233cの下流端が接続されている。TEMAHは常温で液体であるため、TMAの場合と同様、ここでは例としてキャリアガスを使用してTEMAHガスを供給する場合の構成について述べる。
より、TEMAH容器261c内で発生したTEMAHガスをキャリアガスと共に処理室201内に供給することが可能なように構成されている。
マニホールド209の側壁には、排気管231が接続されている。排気管231には、上流側から順に、処理室201内の圧力を検出する圧力検出器(圧力検出部)としての圧力センサ245、圧力調整器としてのAPC(Auto Pressure Controller)バルブ251、真空排気装置としての真空ポンプ246が設けられている。APCバルブ251は、弁を開閉することで真空排気・排気停止ができ、さらに弁を開度調節することが可能な開閉弁である。真空ポンプ246を作動させつつ、APCバルブ251の開閉弁の開度を調整することにより、処理室201内を所望の圧力とすることが可能なように構成されている。
制御機構であるコントローラ280は、マスフローコントローラ241a、241b、241c、APCバルブ251、252a、252b、252c、253b、253c、254a、254b、254c、ヒータ207、圧力センサ245、温度センサ263、真空ポンプ246、回転機構267、ボートエレベータ115等に接続されている。コントローラ280により、マスフローコントローラ241a、241b、241cの流量調整動作、APCバルブ251、252a、252b、252c、253b、253c、254a、254b、254cの開閉動作、さらにAPCバルブ251の圧力調整動作、ヒータ207の温度調整動作、圧力センサ245の圧力検出動作、温度センサ263による温度検出動作、真空ポンプ246の起動・停止、回転機構267の回転速度調節、ボートエレベータ115の昇降動作の制御が行われる。
続いて本実施形態に係る基板処理工程について、図15を用いて説明する。本実施形態
に係る基板処理工程は、例えばDRAM等の半導体デバイスの製造工程の一工程として実施される。図15に、半導体デバイスの主要構造部を形成する工程、すなわち下部電極形成工程、処理炉202による基板処理工程、相転移工程、および上部電極形成工程を示した。処理炉202による基板処理工程は図4に示すように、さらにAlO膜形成工程、HfO膜形成工程等を有する。以下、各工程について詳述する。
まず、処理炉202における基板処理工程に先駆けて、処理炉202とは異なる処理炉にて、シリコンからなるウエハ200上に下部電極として例えばTiN(窒化チタン)膜を形成する。このときTiN膜は、結晶性を持つ結晶質膜として形成される。
続いて、本実施形態にかかる基板処理工程の一工程について説明する。従来のCVD法やALD法では、例えばCVD法であれば、形成する膜を構成する複数の元素を含む複数種類のガスを同時に供給し、またALD法であれば、形成する膜を構成する複数の元素を含む複数種類のガスを交互に供給する。そして、ガス供給時のガス供給流量、ガス供給時間、処理室201内の温度、プラズマ方式の場合はプラズマパワー等の成膜条件を制御することによりAlO膜等を形成する。例えばAlO膜の形成においては、膜の組成比が化学量論組成であるO/Al≒0.67となるように、成膜条件を制御する。あるいは、形成する膜の組成比が化学量論組成とは異なる所定の組成比となるように、成膜条件を制御することも可能である。すなわち、形成する膜を構成する複数の元素のうち、少なくともひとつの元素が他の元素よりも化学量論組成に対して過剰となるように、成膜条件を制御する。このように、形成される膜を構成する複数の元素の比率、すなわち、膜の組成比を制御しつつ、成膜を行うことが可能である。以下において、ALD法により、異なる種類の元素を含む複数種類のガスを交互に供給して、化学量論組成を有する膜を形成するシーケンス例について説明する。
:(CH3)3Al)を使用する。また、Hf含有原料としては例えば、TEMAH(テトラキスエチルメチルアミノハフニウム:Hf(NEtMe)4)、Hf(O−tBu)4、TDMAH(テトラキスジメチルアミノハフニウム:Hf(NMe2)4)、TDEAH(テトラキスジエチルアミノハフニウム:Hf(NEt2)4)、Hf(MMP)4、HfCl4(ハフニウム四塩化物)等を使用することができる。本実施形態では、例えばTEMAHを使用する。なお、上記化学式中、「Et」はC2H5を、「Me」はCH3を、「O−tBu」はOC(CH3)3を、「MMP」はOC(CH3)2CH2OCH3をそれぞれ表わす。
まず、複数枚のウエハ200をボート217に装填(ウエハチャージ)する。そして、複数枚のウエハ200を保持したボート217を、ボートエレベータ115によって持ち上げて処理室201内に搬入(ボートローディング)する。この状態で、シールキャップ219は封止部材220を介してマニホールド209の下端をシールした状態となる。基板搬入工程S1においては、バルブ254a,254b,254cを開けて、処理室201内にパージガスとしてのN2ガス等の不活性ガスを供給し続けることが好ましい。
続いて、バルブ254a,254b,254cを閉じ、処理室201内が、例えば26〜10000Paの範囲となるように、処理室201内を真空ポンプ246により排気する。また、ウエハ200が所望の温度、例えば150℃〜250℃、より好ましくは250℃となるように、ヒータ207によって処理室201内の温度を制御する。この際、処理室201内が所望の温度分布となるように、温度センサが検出した温度情報に基づきヒータ207への通電具合をフィードバック制御する。そして、回転機構267によりボート217を回転させ、ウエハ200の回転を開始する。
続いて、TiN膜上に非晶質膜としてのAlO膜を形成する。すなわち、図4のS4〜S7を1サイクルとし、このサイクルを所定回数行う(S8)ことにより、TiN膜上に所定膜厚のα−AlO(アモルファス・酸化アルミニウム)膜を形成する。
第1原料供給工程S4では、処理室201内に第1原料としてのTMAガスを流し、TiN膜表面にTMA分子を吸着させる。具体的には、バルブ252bを開けることにより、マスフローコントローラ241bにより流量制御しながら、図示しないキャリアガス供給源からTMA容器261b内に、キャリアガスを例えば1slm以下の流量で供給してTMAの気化ガスを発生させる。そして、バルブ253bを開けることにより、TMA容器261b内で発生したTMAガスをキャリアガスと共に処理室201内に供給する。こ
のときAPCバルブ251の開度を調整して、処理室201内圧力を30〜500Paの範囲であって、例えば60Paに維持する。TMAガスの供給時間は、例えば10秒とする。その後さらにTMA分子をTiN膜表面に吸着させるために、APCバルブ251を閉じて排気を止め、例えば0〜10秒間、高圧雰囲気にTiN膜表面をさらしてもよい。所定時間が経過したら、バルブ252b、253bを閉じると共に、APCバルブ251を開ける。
バルブ252b、253bを閉じ、処理室201内への第1原料の供給を停止した後は、APCバルブ251を開けて処理室201内を真空排気し、残留しているTMAの気化ガスを排除する。このときN2等の不活性ガスを、不活性ガス供給管234a、234b、234cからそれぞれ処理室201内に供給してパージすると、処理室201内から残留TMAガスを排除する効果をさらに高めることができる。
酸化剤供給工程S6では、処理室201内に酸化剤としてのO3ガスを流し、TiN膜上にAlO膜を形成する。具体的には、バルブ252aを開けることにより、マスフローコントローラ241aにより流量制御しながら、図示しないO3ガス供給源から処理室201内にO3ガスを供給する。このときAPCバルブ251の開度を調整して、処理室201内の圧力を30〜500Paの範囲であって、例えば130Paに維持する。O3ガスは、例えば250g/m3の濃度で流量を15slmとする。O3ガスの供給時間は、例えば20秒とする。所定時間が経過したら、バルブ252aを閉じると共に、APCバルブ251を開ける。
バルブ252aを閉じ、処理室201内へのO3ガスの供給を停止した後は、APCバルブ251を開けて処理室201内を真空排気し、残留しているO3ガスを排除する。このときN2等の不活性ガスを、不活性ガス供給管234a、234b、234cからそれ
ぞれ処理室201内に供給してパージすると、処理室201内から残留O3ガスを排除する効果をさらに高めることができる。
上記S4〜S7を1サイクルとし、このサイクルを所定回数実施することにより、TiN膜上に所定膜厚、例えば0.5〜5Åのα−AlO膜を形成する。このように少なくともAlO膜形成工程S4〜S8が終了した段階では、AlO膜は非晶質膜となっている。これにより、後述するHfO膜形成工程S9〜S13にてHfO膜を形成する際、下地のTiN膜の結晶性によるHfO膜への影響を抑制することができる。図5に、上述のサイクルを2サイクル行う例を示す。図5の横軸は経過時間を示し、縦軸は各ガスの供給・排気のタイミングを示している。
続いて、α−AlO膜上に絶縁膜としてのα−HfO(アモルファス・酸化ハフニウム)膜を形成する。すなわち、図4のS9〜S12を1サイクルとし、このサイクルを所定回数行う(S13)ことにより、α−AlO膜上に所定膜厚のα−HfO膜を形成する。HfO膜形成工程S9〜S13におけるウエハ温度は、例えば150℃〜250℃、より好ましくは250℃とする。ウエハ温度が150〜250℃の範囲でHfO膜形成工程S9〜S13を行うと、単斜晶系の結晶構造となりづらく、α−HfO膜が得られやすい。
第2原料供給工程S9では、処理室201内に第2原料としてのTEMAHガスを流し、α−AlO膜表面にTEMAH分子を吸着させる。具体的には、バルブ252cを開けることにより、マスフローコントローラ241cにより流量制御しながら、図示しないキャリアガス供給源からTEMAH容器261c内に、キャリアガスを例えば5slmの流量で供給してTEMAHの気化ガスを発生させる。そして、バルブ253cを開けることにより、TEMAH容器261c内で発生したTEMAHガスをキャリアガスと共に処理室201内に供給する。このときAPCバルブ251の開度を調整して、処理室201内圧力を30〜500Paの範囲であって、例えば100Paに維持する。TEMAHガスの供給時間は、例えば1〜120秒とする。その後さらにTEMAH分子をα−AlO膜表面に吸着させるために、APCバルブ251を閉じて排気を止め、例えば0〜4秒間、高圧雰囲気にα−AlO膜表面をさらしてもよい。所定時間が経過したら、バルブ252c、253cを閉じると共に、APCバルブ251を開ける。
バルブ252c、253cを閉じ、処理室201内への第2原料の供給を停止した後は、APCバルブ251を開けて処理室201内を真空排気し、残留しているTEMAHの
気化ガスを排除する。このときN2等の不活性ガスを、不活性ガス供給管234a、234b、234cからそれぞれ処理室201内に供給してパージすると、処理室201内から残留TEMAHガスを排除する効果をさらに高めることができる。
酸化剤供給工程S11では、処理室201内に酸化剤としてのO3ガスを流し、α−AlO膜上にHfO膜を形成する。具体的には、バルブ252aを開けることにより、マスフローコントローラ241aにより流量制御しながら、図示しないO3ガス供給源から処理室201内にO3ガスを供給する。このときAPCバルブ251の開度を調整して、処理室201内の圧力を30〜500Paの範囲であって、例えば130Paに維持する。O3ガスは、例えば250g/m3の濃度で流量を15slmとする。O3ガスの供給時間は、例えば120秒とする。所定時間が経過したら、バルブ252aを閉じると共に、APCバルブ251を開ける。
バルブ252aを閉じ、処理室201内へのO3ガスの供給を停止した後は、APCバルブ251を開けて処理室201内を真空排気し、残留しているO3ガスを排除する。このときN2等の不活性ガスを、不活性ガス供給管234a、234b、234cからそれぞれ処理室201内に供給してパージすると、処理室201内から残留O3ガスを排除する効果をさらに高めることができる。
上記S9〜S12を1サイクルとし、このサイクルを所定回数実施することにより、α−AlO膜上に所定膜厚、例えば30〜100Åの、絶縁膜としてのα−HfO膜を形成する。このようにHfO膜形成工程S9〜S13が終了した段階では、HfO膜はアモルファス構造となっている。これにより、後述する相転移工程にてα−HfO膜の結晶構造の少なくとも一部を、容易に正方晶系へと相転移させることができる。図6に、上述のサイクルを2サイクル行う例を示す。図6の横軸は経過時間を示し、縦軸は各ガスの供給・排気のタイミングを示している。
所定膜厚のα−AlO膜、α−HfO膜の形成が完了したら、上述の手順とは逆の手順により、成膜後のウエハ200を処理室201内から搬出する。すなわち、ボートエレベータ115によりシールキャップ219を下降して、マニホールド209の下端を開口するとともに、処理済のウエハ200をボート217に保持した状態でマニホールド209の下端から反応管203の外部に搬出(ボートアンロード)する。その後、処理済みのウエハ200はボート217より取り出される(ウエハディスチャージ)。なお、ボート217を搬出するときには、バルブ254a,254b,254cを開け、処理室201内にパージガスを供給し続けることが好ましい。以上により、処理炉202による基板処理工程を終了する。
処理炉202による基板処理工程終了後、図15に示す相転移工程にて、ウエハ200上に形成したα−HfO膜をアニーリング(加熱処理)することで、α−HfO膜の結晶構造の少なくとも一部を正方晶系へと相転移させる。この相転移工程は、例えば処理炉202とは異なる加熱炉にて行う。その際の加熱炉としては、例えばランプ加熱ユニットを有する炉を使用する。アニーリング中の雰囲気ガスとしては、N2(窒素)、Ar(アルゴン)、H2(水素)、O2(酸素)等を用いる。これらの雰囲気ガスは、所望の膜に応じてガス種を変えることが可能である。本実施形態では、N2を用いた処理例について説明する。
図15に示す上部電極形成工程は、例えば処理炉202とは異なる処理炉にて行う。先の工程で形成した正方晶系のHfO膜の上に、上部電極として例えばTiN膜を形成する。以上の工程を経て、本実施形態に係る基板処理工程を終了する。
本実施形態によれば、以下に示すひとつまたは複数の効果を奏する。
説明する。
以下に、本発明の実施例について比較例と共に説明する。
このように製造された実施例および比較例の、HfO膜330の比誘電率を測定したデータを図10に示す。図10の縦軸は比誘電率kである。図10に示すように、TiN膜310とHfO膜330との間にAlO膜320を設けることで、HfO膜330の比誘電率が高まることが分かる。
続いて、第2の実施形態にかかる半導体デバイスの製造方法について説明する。第2の実施形態においては、第1の実施形態で説明したものと同様の基板処理装置101を用い、処理炉202においてかかる製造方法を実施するものとし、基板処理装置101および処理炉202の構成や動作についての説明は省略する。
本実施形態にかかる半導体デバイスの製造方法の一工程として実施される、基板処理工程について説明する。ただし、下部電極形成工程および上部電極形成工程は第1の実施形態で示したものと同じ方法で実施するものとし、ここでは処理炉202による基板処理工程および相転移工程の詳細について、図11および図12を参照して説明をする。
図11は、処理炉202にかかる基板処理工程のフロー図である。また、図12は本実施形態にかかる第2原料供給、第3原料供給、および酸化剤供給を交互に繰り返す際のそれぞれの供給・排気のタイミングを例示するタイミングチャートとしてのシーケンス図である。本実施形態では、第2の金属元素をHfとし、第2の金属元素を含む第2原料としてHf含有原料を用い、ウエハ上に所望の第1の絶縁膜、例えばHfO膜を形成する。次に、第3の金属元素をAlとし、第3の金属元素を含む第3原料としてAl含有原料を用い、HfO膜上に所望の第2の絶縁膜、例えばAlO膜を形成する。ここでHfO膜はHfO2を含む任意の組成の酸化ハフニウム膜であり、AlO膜はAl2O3を含む任意の組成の酸化アルミニウム膜である。
AlO膜形成工程S4〜S8により形成された非晶質膜としてのAlO膜上に、第1の絶縁膜としてのα−HfO膜を形成する。すなわち、図11のS9〜S12を1サイクルとし(第1のサイクル)、このサイクルを所定回数行う(S13)ことにより、α−AlO膜上に所定膜厚のα−HfO膜を形成する。HfO膜形成工程S9〜S13におけるウエハ温度は、AlO膜形成工程S4〜S8と同様、例えば150℃〜250℃、より好ましくは250℃とする。この温度範囲では単斜晶系の結晶構造となりづらく、α−HfO膜が得られやすい。各工程の詳細については第1の実施形態と同様であるから、ここでは説明を省略する。
続いて、α−HfO膜上に第2の絶縁膜としてのα−AlO膜を形成する。すなわち、図11のS14〜S17を1サイクルとし(第2のサイクル)、このサイクルを所定回数行う(S18)ことにより、α−HfO膜上に所定膜厚のα−AlO膜を形成する。AlO膜形成工程S14〜S18におけるウエハ温度は、HfO膜形成工程S9〜S13と同様、例えば150℃〜250℃、より好ましくは250℃とする。各工程の詳細については第1の実施形態のAlO膜形成工程S4〜S8と同様であるから、ここでは説明を省略する。なお本実施形態では、第3原料を第1原料と同一のAl含有元素、より具体的にはTMAガスとするので、第3原料であるTMAガスの供給には、第1原料供給機構を用いる。すなわち本実施形態においては、第1原料供給機構は第3原料供給機構をも兼ねる。
そして、S9〜S13までのHfO膜形成工程と、S14〜S18までのAlO膜形成工程とを1サイクルとし、これを所定回数繰り返すことにより、非晶質膜としてのAlO
膜上に所望の膜厚のα−HfAlO膜を形成する。好ましくは、HfO膜形成工程S9〜S13を所定回数行うごとに、1サイクルもしくは2サイクルのAlO膜形成工程S14〜S18を行う。図12に、上述のサイクルを各2サイクル行う例を示す。図12の横軸は経過時間を示し、縦軸は各ガスの供給・排気のタイミングを示している。このように、AlO膜形成工程S14〜S18を挿入する割合によって、α−HfO膜中のα−AlO膜の含有率を制御することができる。α−AlO膜の含有率は、後のアニール温度に応じて適宜設定することができる。アニール温度が600℃程度の場合は、α−AlO膜の含有率を例えば1〜10%の範囲となるよう設定することができ、より好ましくは8%以上とすると、α−HfAlO膜をほぼ100%、正方晶系へと相転移させることができる。アニール温度が700℃程度の場合は、α−AlO膜の含有率を例えば16%以上にするとよい。α−HfAlO膜は、例えば30〜100Åの膜厚となるよう成膜を行う。
上記によりウエハ200上に形成したα−HfAlO膜をアニーリング(加熱処理)することで、α−HfAlO膜の結晶構造の少なくとも一部を正方晶系へと相転移させる。第1の実施形態と同様、本実施形態においては、処理炉202とは異なるランプ加熱ユニットを有する加熱炉にてアニーリングを行うものとし、雰囲気ガスには例えばN2を用いる。
本実施形態によれば、以下に示すひとつまたは複数の効果を奏する。
以上、上述した第1の実施形態および第2の実施形態では、いずれも第2原料としてHf含有原料を用いる場合について説明したが、第2原料としてZr(ジルコニウム)含有原料を用い、第1の実施形態においてはキャパシタ絶縁膜を少なくとも一部が正方晶系であるZrO膜等とし、第2の実施形態においてはキャパシタ絶縁膜を少なくとも一部が正方晶系であるZrAlO膜等とすることができる。
以下に、本発明の好ましい態様を付記する。
基板の上に形成された結晶質膜の上に非晶質膜を形成する非晶質膜形成工程と、
前記非晶質膜の上に前記結晶質膜の結晶構造とは独立して制御される結晶構造を持つ絶縁膜を形成する結晶性絶縁膜形成工程と、を有する
半導体デバイスの製造方法である。
前記結晶性絶縁膜形成工程は、
前記非晶質膜の上に前記絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記基板を加熱して前記絶縁膜の少なくとも一部を正方晶系へ相転移させる相転移工程と、を有する。
前記非晶質膜は第1の金属元素を含む非晶質金属酸化膜であり、
前記絶縁膜は第2の金属元素を含む金属酸化膜である。
前記非晶質膜形成工程は、
前記第1の金属元素を含む第1原料を所定温度に加熱した基板に供給する工程と、
酸化剤を所定温度に加熱した前記基板にさらに供給する工程と、を1サイクルとし、
このサイクルを所定回数実施する。
前記結晶性絶縁膜形成工程は、
前記第2の金属元素を含む第2原料を所定温度に加熱した前記基板に供給する工程と、
前記酸化剤を所定温度に加熱した前記基板にさらに供給する工程と、を1サイクルとし、
このサイクルを所定回数実施する。
前記絶縁膜は、
第1の絶縁膜と第2の絶縁膜とを有する積層膜であり、
前記結晶性絶縁膜形成工程は、
前記非晶質膜の上に前記第1の絶縁膜を形成する第1の絶縁膜形成工程と、
前記第1の絶縁膜の上に前記第2の絶縁膜を形成する第2の絶縁膜形成工程と、
前記基板を加熱して前記積層膜の少なくとも一部を正方晶系へ相転移させる相転移工程と、を有する。
前記非晶質膜は第1の金属元素を含む非晶質金属酸化膜であり、
前記積層膜は第2の金属元素および第3の金属元素を含む金属酸化膜である。
前記非晶質膜形成工程は、
前記第1の金属元素を含む第1原料を所定温度に加熱した基板に供給する工程と、
酸化剤を所定温度に加熱した前記基板にさらに供給する工程と、を1サイクルとし、
このサイクルを所定回数実施する。
前記結晶性絶縁膜形成工程は、
前記第2の金属元素を含む第2原料を所定温度に加熱した前記基板に供給し、前記酸化
剤を所定温度に加熱した前記基板にさらに供給する工程と、
前記第3の金属元素を含む第3原料を所定温度に加熱した前記基板に供給し、前記酸化剤を所定温度に加熱した前記基板にさらに供給する工程と、を1サイクルとし、
このサイクルを所定回数実施する。
前記第1の金属元素は前記第3の金属元素と同一である。
前記第1の金属元素はアルミニウムであり、
前記第2の金属元素はハフニウムまたはジルコニウムである。
前記非晶質膜形成工程および前記結晶性絶縁膜形成工程における前記基板の温度は150℃以上250℃以下である。
前記相転移工程は、
窒素、アルゴン、水素、酸素のいずれかのガス雰囲気下で行い、
加熱した前記基板の温度は400℃以上700℃以下である。
基板の上に形成された結晶性を有する下部電極と、
前記下部電極の上に形成された非晶質膜と、
前記非晶質膜の上に形成され、少なくとも一部が正方晶系の結晶性絶縁膜と、を有する半導体デバイスである。
結晶質膜が形成された基板を収容する処理室と、
前記処理室内の前記基板を加熱する加熱機構と、
前記処理室内に第1の金属元素を含む第1原料を供給する第1原料供給機構と、
前記処理室内に第2の金属元素を含む第2原料を供給する第2原料供給機構と、
前記処理室内に酸化剤を供給する酸化剤供給機構と、
前記処理室内を排気する排気機構と、
前記加熱機構と、前記第1原料供給機構と、前記第2原料供給機構と、前記酸化剤供給機構と、前記排気機構とを制御する制御機構と、を有し、
前記制御機構は、
前記加熱機構により前記処理室内に収容された前記基板を所定の温度に加熱させ、
前記第1原料供給機構による前記処理室内への前記第1原料の供給と、
前記排気機構による前記第1原料の排気と、
前記酸化剤供給機構による前記処理室内への前記酸化剤の供給と、
前記排気機構による前記酸化剤の排気と、を1サイクルとし、
このサイクルを所定回数実施させることによって前記結晶質膜の上に非晶質膜を形成させ、
前記第2原料供給機構による前記処理室内への前記第2原料の供給と、
前記排気機構による前記第2原料の排気と、
前記酸化剤供給機構による前記処理室内への前記酸化剤の供給と、
前記排気機構による前記酸化剤の排気と、を1サイクルとし、
このサイクルを所定回数実施させることによって前記非晶質膜の上に絶縁膜を形成させる
基板処理装置である。
結晶質膜が形成された基板を収容する処理室と、
前記処理室内の前記基板を加熱する加熱機構と、
前記処理室内に第1の金属元素を含む第1原料を供給する第1原料供給機構と、
前記処理室内に第2の金属元素を含む第2原料を供給する第2原料供給機構と、
前記処理室内に第3の金属元素を含む第3原料を供給する第3原料供給機構と、
前記処理室内に酸化剤を供給する酸化剤供給機構と、
前記処理室内を排気する排気機構と、
前記加熱機構と、前記第1原料供給機構と、前記第2原料供給機構と、前記第3原料供給機構と、前記酸化剤供給機構と、前記排気機構とを制御する制御機構と、を有し、
前記制御機構は、
前記加熱機構により前記処理室内に収容された前記基板を所定の温度に加熱させ、
前記第1原料供給機構による前記処理室内への前記第1原料の供給と、
前記排気機構による前記第1原料の排気と、
前記酸化剤供給機構による前記処理室内への前記酸化剤の供給と、
前記排気機構による前記酸化剤の排気と、を1サイクルとし、
このサイクルを所定回数実施させることによって前記結晶質膜の上に非晶質膜を形成させ、
前記第2原料供給機構による前記処理室内への前記第2原料の供給と、
前記排気機構による前記第2原料の排気と、
前記酸化剤供給機構による前記処理室内への前記酸化剤の供給と、
前記排気機構による前記酸化剤の排気と、を第1のサイクルとし、
前記第3原料供給機構による前記処理室内への前記第3原料の供給と、
前記排気機構による前記第2原料の排気と、
前記酸化剤供給機構による前記処理室内への前記酸化剤の供給と、
前記排気機構による前記酸化剤の排気と、を第2のサイクルとし、
第1のサイクルおよび第2のサイクルを所定の組み合わせで所定回数実施させることによって前記非晶質膜の上に絶縁膜を形成させる
基板処理装置である。
結晶質膜が形成された基板を収容する処理室内に収容する基板収容工程と、
加熱機構により前記処理室内に収容された基板を加熱する加熱工程と、
第1原料供給機構による第1の金属元素を含む第1原料の前記処理室内への供給と、
排気機構による前記第1原料の排気と、
酸化剤供給機構による酸化剤の前記処理室内への供給と、
前記排気機構による前記酸化剤の排気と、を1サイクルとし、
このサイクルを所定回数実施することによって前記結晶質膜の上に非晶質膜を形成させる非晶質膜形成工程と、
第2原料供給機構による第2の金属元素を含む第2原料の前記処理室内への供給と、
前記排気機構による前記第2原料の排気と、
前記酸化剤供給機構による前記酸化剤の前記処理室内への供給と、
前記排気機構による前記酸化剤の排気と、を1サイクルとし、
このサイクルを所定回数実施することによって前記非晶質膜の上に絶縁膜を形成させる
絶縁膜形成工程と、
雰囲気ガス供給機構により雰囲気ガスを前記処理室内に供給し、前記加熱機構により前記絶縁膜が形成された前記基板をさらに加熱して、前記絶縁膜の少なくとも一部を正方晶系へ相転移させる相転移工程と、を有する
半導体デバイスの製造方法である。
結晶質膜が形成された基板を収容する処理室内に収容する基板収容工程と、
加熱機構により前記処理室内に収容された基板を加熱する加熱工程と、
第1原料供給機構による第1の金属元素を含む第1原料の前記処理室内への供給と、
排気機構による前記第1原料の排気と、
酸化剤供給機構による酸化剤の前記処理室内への供給と、
前記排気機構による前記酸化剤の排気と、を1サイクルとし、
このサイクルを所定回数実施することによって前記結晶質膜の上に非晶質膜を形成させる非晶質膜形成工程と、
第2原料供給機構による第2の金属元素を含む第2原料の前記処理室内への供給と、
前記排気機構による前記第2原料の排気と、
前記酸化剤供給機構による前記酸化剤の前記処理室内への供給と、
前記排気機構による前記酸化剤の排気と、
第3原料供給機構による第3の金属元素を含む第3原料の前記処理室内への供給と、
前記排気機構による前記第3原料の排気と、
前記酸化剤供給機構による前記酸化剤の前記処理室内への供給と、
前記排気機構による前記酸化剤の排気と、を1サイクルとし、
このサイクルを所定回数実施することによって前記非晶質膜の上に絶縁膜を形成させる絶縁膜形成工程と、
雰囲気ガス供給機構により雰囲気ガスを前記処理室内に供給し、前記加熱機構により前記絶縁膜が形成された前記基板をさらに加熱して、前記絶縁膜の少なくとも一部を正方晶系へ相転移させる相転移工程と、を有する
半導体デバイスの製造方法である。
基板の上に形成された結晶質膜の上に非晶質膜を形成する非晶質膜形成工程と、
前記非晶質膜の上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記絶縁膜を加熱して前記絶縁膜の少なくとも一部の結晶構造を変化させる相転移工程と、を有する成膜方法である。
200 ウエハ
201 処理室
280 コントローラ
Claims (4)
- 基板の上に形成された結晶質膜の上に非晶質膜を形成する非晶質膜形成工程と、
前記非晶質膜の上に前記結晶質膜の結晶構造とは独立して制御される結晶構造を持つ絶縁膜を形成する結晶性絶縁膜形成工程と、を有する
ことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。 - 請求項1に記載の半導体デバイスの製造方法において、
前記結晶性絶縁膜形成工程は、
前記非晶質膜の上に前記絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記基板を加熱して前記絶縁膜の少なくとも一部を正方晶系へ相転移させる相転移工程と、を有する
ことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。 - 請求項1に記載の半導体デバイスの製造方法において、
前記絶縁膜は、
第1の絶縁膜と第2の絶縁膜とを有する積層膜であり、
前記結晶性絶縁膜形成工程は、
前記非晶質膜の上に前記第1の絶縁膜を形成する第1の絶縁膜形成工程と、
前記第1の絶縁膜の上に前記第2の絶縁膜を形成する第2の絶縁膜形成工程と、
前記基板を加熱して前記積層膜の少なくとも一部を正方晶系へ相転移させる相転移工程と、を有する
ことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。 - 基板の上に形成された結晶性を有する下部電極と、
前記下部電極の上に形成された非晶質膜と、
前記非晶質膜の上に形成され、少なくとも一部が正方晶系の結晶性絶縁膜と、を有することを特徴とする半導体デバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010013863A JP2011155033A (ja) | 2010-01-26 | 2010-01-26 | 半導体デバイスの製造方法および半導体デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010013863A JP2011155033A (ja) | 2010-01-26 | 2010-01-26 | 半導体デバイスの製造方法および半導体デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011155033A true JP2011155033A (ja) | 2011-08-11 |
JP2011155033A5 JP2011155033A5 (ja) | 2013-02-14 |
Family
ID=44540815
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010013863A Pending JP2011155033A (ja) | 2010-01-26 | 2010-01-26 | 半導体デバイスの製造方法および半導体デバイス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2011155033A (ja) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002314072A (ja) * | 2001-04-19 | 2002-10-25 | Nec Corp | 高誘電体薄膜を備えた半導体装置及びその製造方法並びに誘電体膜の成膜装置 |
JP2004511909A (ja) * | 2000-10-10 | 2004-04-15 | エーエスエム インターナショナル エヌ.ヴェー. | 誘電体界面被膜およびその方法 |
JP2006005313A (ja) * | 2004-06-21 | 2006-01-05 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2006324363A (ja) * | 2005-05-17 | 2006-11-30 | Elpida Memory Inc | キャパシタおよびその製造方法 |
JP2007234726A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Sony Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2009081417A (ja) * | 2007-09-06 | 2009-04-16 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
WO2009119803A1 (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-01 | 日本電気株式会社 | キャパシタとそれを有する半導体装置並びにそれらの製造方法 |
-
2010
- 2010-01-26 JP JP2010013863A patent/JP2011155033A/ja active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004511909A (ja) * | 2000-10-10 | 2004-04-15 | エーエスエム インターナショナル エヌ.ヴェー. | 誘電体界面被膜およびその方法 |
JP2002314072A (ja) * | 2001-04-19 | 2002-10-25 | Nec Corp | 高誘電体薄膜を備えた半導体装置及びその製造方法並びに誘電体膜の成膜装置 |
JP2006005313A (ja) * | 2004-06-21 | 2006-01-05 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2006324363A (ja) * | 2005-05-17 | 2006-11-30 | Elpida Memory Inc | キャパシタおよびその製造方法 |
JP2007234726A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Sony Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2009081417A (ja) * | 2007-09-06 | 2009-04-16 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
WO2009119803A1 (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-01 | 日本電気株式会社 | キャパシタとそれを有する半導体装置並びにそれらの製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4988902B2 (ja) | 半導体デバイスの製造方法及び基板処理装置 | |
JP5171625B2 (ja) | 半導体デバイスの製造方法及び基板処理装置 | |
US9646821B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
JP5284182B2 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
US8896097B2 (en) | Method of manufacturing capacitor, capacitor and method of forming dielectric film for use in capacitor | |
KR101451716B1 (ko) | 성막 방법 및 성막 장치 | |
TWI524424B (zh) | 膜沉積方法及膜沉積裝置 | |
JP5524785B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 | |
JP4753841B2 (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
JP5702584B2 (ja) | 半導体デバイスの製造方法および基板処理装置 | |
WO2011093203A1 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及び半導体装置 | |
WO2012090831A1 (ja) | 半導体デバイスの製造方法および基板処理装置 | |
JP2011238832A (ja) | 基板処理装置 | |
JPWO2009041219A1 (ja) | Sr−Ti−O系膜の成膜方法および記憶媒体 | |
JP2010141076A (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2012104719A (ja) | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 | |
JP2012134311A (ja) | 半導体デバイスの製造方法及び基板処理装置 | |
JP5751754B2 (ja) | 成膜方法および記憶媒体 | |
JP5460775B2 (ja) | 半導体デバイスの製造方法、半導体デバイス及び基板処理装置 | |
JP5385723B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP5421812B2 (ja) | 半導体基板の成膜装置及び方法 | |
JP2011155033A (ja) | 半導体デバイスの製造方法および半導体デバイス | |
JP2012015460A (ja) | 基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法 | |
JPWO2009104621A1 (ja) | Sr−Ti−O系膜の成膜方法および記憶媒体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121225 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121225 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130509 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130521 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130718 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131105 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131226 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140805 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20140916 |