JP2006295192A - Pin型有機発光ダイオードの積層体および製造方法 - Google Patents
Pin型有機発光ダイオードの積層体および製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006295192A JP2006295192A JP2006110358A JP2006110358A JP2006295192A JP 2006295192 A JP2006295192 A JP 2006295192A JP 2006110358 A JP2006110358 A JP 2006110358A JP 2006110358 A JP2006110358 A JP 2006110358A JP 2006295192 A JP2006295192 A JP 2006295192A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- organic
- light emitting
- base material
- charge carrier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000003475 lamination Methods 0.000 title abstract 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 386
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 108
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims abstract description 79
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 58
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 97
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 88
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 44
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 claims description 43
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 34
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 10
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 6
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 claims description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 28
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 54
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 32
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 21
- 239000002585 base Substances 0.000 description 16
- MQRCTQVBZYBPQE-UHFFFAOYSA-N 189363-47-1 Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C3(C4=CC(=CC=C4C2=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC(=CC=C1C1=CC=C(C=C13)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 MQRCTQVBZYBPQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 15
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 13
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 13
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 11
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical group FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 9
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 9
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 8
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 5
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 5
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 5
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WPUSEOSICYGUEW-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxy-n-(4-methoxyphenyl)anilino)phenyl]-n,n-bis(4-methoxyphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC=C(OC)C=C1 WPUSEOSICYGUEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 238000002484 cyclic voltammetry Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NKVDKFWRVDHWGC-UHFFFAOYSA-N iridium(3+);1-phenylisoquinoline Chemical compound [Ir+3].C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12.C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12.C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12 NKVDKFWRVDHWGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000000275 quality assurance Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- ICPSWZFVWAPUKF-UHFFFAOYSA-N 1,1'-spirobi[fluorene] Chemical compound C1=CC=C2C=C3C4(C=5C(C6=CC=CC=C6C=5)=CC=C4)C=CC=C3C2=C1 ICPSWZFVWAPUKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LPCWDYWZIWDTCV-UHFFFAOYSA-N 1-phenylisoquinoline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12 LPCWDYWZIWDTCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FLHLSYBCDKENMZ-UHFFFAOYSA-N 2-N,2-N,2-N',2-N',7-N,7-N,7-N',7-N'-octakis(2-methylphenyl)-9,9'-spirobi[fluorene]-2,2',7,7'-tetramine Chemical compound CC1=CC=CC=C1N(C=1C(=CC=CC=1)C)C1=CC=C(C=2C(=CC(=CC=2)N(C=2C(=CC=CC=2)C)C=2C(=CC=CC=2)C)C23C4=CC(=CC=C4C4=CC=C(C=C42)N(C=2C(=CC=CC=2)C)C=2C(=CC=CC=2)C)N(C=2C(=CC=CC=2)C)C=2C(=CC=CC=2)C)C3=C1 FLHLSYBCDKENMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQXFOLBBQWZYNH-UHFFFAOYSA-N 2-[6-(dicyanomethylidene)-1,3,4,5,7,8-hexafluoronaphthalen-2-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C2C(F)=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C21 LQXFOLBBQWZYNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GFYBQEYDICOAPM-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline-2,9-dicarbonitrile Chemical compound C1(=CC=CC=C1)C1=CC(=NC2=C3N=C(C=C(C3=CC=C12)C1=CC=CC=C1)C#N)C#N GFYBQEYDICOAPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLWAGARREFUXQV-UHFFFAOYSA-N CC1=NC2=C3C(=C4C(=C2N=C1)C=CC=C4)C=CC=C3.[Ir+3] Chemical compound CC1=NC2=C3C(=C4C(=C2N=C1)C=CC=C4)C=CC=C3.[Ir+3] LLWAGARREFUXQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 108010038083 amyloid fibril protein AS-SAM Proteins 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000013041 optical simulation Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- LISFMEBWQUVKPJ-UHFFFAOYSA-N quinolin-2-ol Chemical compound C1=CC=C2NC(=O)C=CC2=C1 LISFMEBWQUVKPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004053 quinones Chemical group 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/30—Doping active layers, e.g. electron transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
- H10K50/155—Hole transporting layers comprising dopants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
- H10K50/165—Electron transporting layers comprising dopants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/18—Carrier blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
- H10K2101/40—Interrelation of parameters between multiple constituent active layers or sublayers, e.g. HOMO values in adjacent layers
Abstract
【解決手段】本発明は、電極と対電極とを備え、上記電極と上記対電極との間に有機層の積層を備え、上記有機層の積層は、k(k=1,2,3…)層の有機基材を含む発光層と、上記電極と上記発光層との間に設けられる、添加電荷担体輸送層と、上記対電極と上記発光層との間に設けられる、追加添加電荷担体輸送層と、上記添加電荷担体輸送層の一方と上記発光層との間に設けられる阻止層とを備えているPIN型有機発光ダイオードの積層体に関する。上記有機層の積層は、n(n≦k+2)層の有機基材によって形成され、上記n層の有機基材は、上記発光層のk層の有機基材を含んでいる。上記有機層の積層はまた、阻止層を備えない方法で構成可能であり、その場合、上記発光層と添加電荷担体輸送層とが、1つの有機基材から形成される。さらに、上記積層体の製造方法も述べる。
【選択図】図1
Description
この積層体は、有機基材O1からなるP添加正孔輸送層、有機基材O1からなる電子阻止層、発光層4、有機基材O2からなる正孔阻止層、および有機基材O2からなるN添加電子輸送層、で構成される有機層の積層に相当する。これらの実施形態は、P添加正孔輸送層および隣接する電子阻止層として、同一の有機基材O1が使用され、N添加電子輸送層および隣接する正孔阻止層として、同一の有機基材O2が使用されている点で共通している。P添加正孔輸送層、およびそれに関連する隣接した電子阻止層は、同一の有機基材で構成されている。同様にN添加電子輸送層、およびそれに関連する隣接した正孔阻止層も同一の有機基材で構成されている。そして、輸送層が添加されている一方、阻止層は添加されていない。このため、輸送層と阻止層とからなる2つの基材の内部で、いずれの場合も添加の度合いの勾配が形成されている。
a) O1又は
b) O2又は
c) O3又は
a’) 基材O1:発光体からなる系又は
b’) 基材O2:発光体からなる系又は
c’) 基材O3:発光体からなる系
から構成されている、単層の発光層(k=1)として設計することが可能である。
d) 正孔側にO1、電子側にO3又は
e) 正孔側にO3、電子側にO2又は
f) 正孔側にO1、電子側にO2又は
g) 正孔側にO3、電子側にO4
が配列されている、2層の発光層(k=2)として構成することができる。
d’) 正孔側にO1、電子側にO3又は
e’) 正孔側にO3、電子側にO2又は
f’) 正孔側にO1、電子側にO2又は
g’) 正孔側にO3、電子側にO4
が配列されている、2層の発光層として設計することもできる。
n) P添加O1/O3/O2:発光体/O2/N添加O2
すでに一例として説明したように、このような積層体によって、発光層の片方側だけにおいて一種の一様な転移が形成される。そしていずれの場合も、発光層は、以下の実施形態において下線を引いた語句として示されている。本発明において一様な転移とは、均一な基材によって電荷担体輸送層から発光層まで形成される層の連続を意味する。発光帯が発光層の中央に位置するならば、阻止層は必要ではない。これにより構造m*)およびn*)が導き出される。
n*) P添加O1/O2:発光体/N添加O2
層材料(以下の実施形態o),o*),p),p*),q)を参照)の段階的な適応の後、実施形態r),s),t)が実現できる。実施形態r),s),t)では、同一の基材を完全に全ての層にわたって使用しているので、HOMOレベルとLUMOレベルとが完全に同化している。
o*) P添加O1/O1:発光体/O2/N添加O1
p) P添加O1/O2/O1:発光体/N添加O1
p*) P添加O1/O2/O1:発光体/O1/N添加O1
q) P添加O1/O2/O1:発光体/O3/N添加O1
r) P添加O1/O1/O1:発光体/N添加O1
s) P添加O1/O1:発光体/O1/N添加O1
t) P添加O1/O1:発光体/N添加O1
さらに発光層は、有機基材O1、O2およびO3のうちの1つだけを材料とした場合であっても、実施形態m)〜t)の構造中に存在していてもよい。
m’) P添加O1/O1/O3/N添加O2
m”) P添加O1/O1/N添加O2
n’) P添加O1/O3/O2/N添加O2
n”) P添加O1/O2/N添加O2
o’) P添加O1/O1/O2/N添加O1
p’) P添加O1/O2/O1/N添加O1
q’) P添加O1/O2/O1/O3/N添加O1
r’=s’=t’) P添加O1/O1/N添加O1
基板とカバー電極の極性次第で、以上に列挙した層の全ての組合せは、反転OLEDおよび非反転OLEDに使用できる。実施形態m)〜t’)における構造は全て、1つの単一基材からなる発光層を1つだけ備えている。それゆえ、k=1が適用される。しかし、k=1,2、3…であっても、類似化合物によって、実施形態m)〜q)およびm’)〜q’)における構造においても、上記の簡略化が可能である。特に、白色OLEDに関して、白色スペクトラムは異なる色の混色により生じるので、kはしばしば1よりも大きい。
赤色底面発光OLEDは、正孔輸送層および電子阻止層のための有機基材として、スピロ−TTBと一緒にインジウムスズ酸化物(ITO)の上に処理されていた。電子側では、無添加のBPhenとセシウム添加のBPhenとの化合物が使用されていた。反射するアルミニウムのカソードは、カバー電極として蒸着されていた。発光層は、発光システムNPD,すなわちイリジウム(III)(2−メチルジベンゾ(methyldibenzo)[f,h]−キノキサリン)(アセチルアセトン)から構成される。その特性データを図3Aおよび図3Bに示す。2.6Vの場合のみ、100cd/m2の輝度および6.6lm/Wの効率の光が放出される。
前述の例とは対照的に、ここではスピロ−TADは、正孔輸送層として、中間層3として、および発光着色のための基材であるイリジウム(III)トリス(フェニルイソキノリン(phenylisoquinoline))として供給される。他の全ての層は、前述の例からの類推によって形成された。その特性データを、図4Aおよび図4Bに示す。その性能効率は100cd/m2の輝度および3.7Vの駆動電圧で、5.7lm/Wに達する。
高い導電率を確保するためにセシウム添加BPhen基材によって、電子側での一様な変化が実現される。BPhenはさらに、正孔阻止層として、および緑色発光体であるIr(ppy)3のための基材としても使用される。P側において、かつSAMとともに、P添加スピロ−TTBは、透明なインジウムスズ酸化物(ITO)の上に蒸着されており、この上には、発光帯において電子を制限する電子阻止層としての無添加のスピロ−TADが、分離形成されている。その特性データを図5Aおよび図5Bに示す。急勾配の電流−電圧特性曲線が測定されている。2.75Vの駆動電圧および22.2lm/Wの発光効率において、1000cd/m2が得られた。
赤色発光基材であるイリジウム(III)トリス(1−フェニルイソキノリン(phenylisoquinoline)は、適当な有機基材であり、アクセプタに添加してもドナーに添加しても導電率が高くなる。この基材に基づく3つのOLEDが製造されていた。すなわち、阻止層を備えていないダイオード、電子阻止層(EB)として供給されたMeT−TPDを備えたダイオード、および正孔阻止層として4,7−ジフェニル−2,9−ジシアノ−1,10−フェナントロリン(phenanthroline)(バソフェナントロリン(bathophenanthroline))を備えたダイオードである。セシウムはN添加物として使用されていた。これらのダイオードの特性データを、図6および図7に示す。全ての例が、良好なダイオード特性を示している。電子阻止層(EB)を備えたダイオードは、2.9Vで100cd/m2の輝度の赤色光を発する。ダイオードの輝度が阻止層の使用によって増加することは、全く明白である。
Claims (29)
- 電極と対電極とを備え、上記電極と上記対電極との間に有機層の積層を備え、
上記有機層の積層は、
k(k=1,2,3…)層の有機基材を含む発光層と、
上記電極と上記発光層との間に設けられる、添加電荷担体輸送層と、
上記対電極と上記発光層との間に設けられる、追加添加電荷担体輸送層と、
上記添加電荷担体輸送層と上記発光層との間に設けられる阻止層とを備えているPIN型有機発光ダイオードの積層体であって、
上記有機層の積層は、n(n≦k+2)層の有機基材によって形成され、
上記n層の有機基材は、上記発光層のk層の有機基材を含んでいることを特徴とするPIN型有機発光ダイオードの積層体。 - 上記追加添加電荷担体輸送層と上記発光層との間に、追加阻止層をさらに備えていることを特徴とする請求項1に記載の積層体。
- 上記添加電荷担体輸送層と上記阻止層とが、第1有機基材で作られ、
該第1有機基材は、上記n層の有機基材に含まれていることを特徴とする請求項1又は2に記載の積層体。 - 上記追加添加電荷担体輸送層は、上記第1有機基材で作られていることを特徴とする請求項3に記載の積層体。
- 上記追加阻止層は、上記第1有機基材で作られていることを特徴とする請求項2〜4のいずれか1項に記載の積層体。
- 上記発光層は、上記第1有機基材からなる少なくとも1つの層を有し、上記阻止層および/又は上記追加阻止層と近接して設けられていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の積層体。
- 上記追加添加電荷担体輸送層は、第2有機基材から作られ、
該第2有機基材は、上記n層の有機基材に含まれていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の積層体。 - 上記追加阻止層は、上記第2有機基材から作られていることを特徴とする請求項2又は7に記載の積層体。
- 上記発光層は、上記第2基材からなる少なくとも1つの層を有し、上記追加阻止層と近接して設けられていることを特徴とする請求項2,7又は8に記載の積層体。
- 上記添加電荷担体輸送層、発光層および追加添加電荷担体輸送層は、第1有機基材から作られ、該第1有機基材は、上記n層の有機基材に含まれ、
上記阻止層は、第2有機基材から作られ、該第2有機基材は、上記n層の有機基材に含まれていることを特徴とする請求項1又は2に記載の積層体。 - 上記追加阻止層は、第3有機基材から作られ、該第3有機基材は、上記n層の有機基材に含まれていることを特徴とする請求項2又は10に記載の積層体。
- 上記発光層は、上記第3有機基材からなる少なくとも1つの層および/又は第4有機基材からなる少なくとも1つの層を有していることを特徴とする請求項1〜11のいずれか1項に記載の積層体。
- 電極と対電極とを備え、上記電極と上記対電極との間に阻止層のない有機層の積層を備え、
上記阻止層のない有機層の積層は、
発光層と、
上記電極と上記発光層との間に設けられる、添加電荷担体輸送層と、
上記対電極と上記発光層との間に設けられる、追加添加電荷担体輸送層とを備えているPIN型有機発光ダイオードの積層体であって、
上記阻止層のない有機層の積層の、上記発光層と上記添加電荷担体輸送層とは、有機基材から形成されていることを特徴とするPIN型有機発光ダイオードの積層体。 - 上記積層の上記追加添加電荷担体輸送層は、上記有機基材から形成されていることを特徴とする請求項13に記載の積層体。
- 上記電極と上記対電極との間に設けられる上記有機層の積層は、単一の有機基材として形成されることを特徴とする請求項14に記載の積層体。
- 上記発光層は、少なくとも1つの発光材料を添加されていることを特徴とする請求項1〜15のいずれか1項に記載の積層体。
- 上記少なくとも1つの発光材料は、蛍光性であることを特徴とする請求項16に記載の積層体。
- 上記少なくとも1つの発光材料は、燐光性であることを特徴とする請求項16に記載の積層体。
- 上記電極および/又は上記対電極は、透明な材料で作られていることを特徴とする請求項1〜18のいずれか1項に記載の積層体。
- 上記積層および/又は上記阻止層のない有機層の積層は、反転PIN型有機発光ダイオードのための反転構造として機能することを特徴とする請求項1〜19のいずれか1項に記載の積層体。
- 上記積層および/又は上記阻止層のない有機層の積層は、非反転PIN型有機発光ダイオードのための非反転構造として機能することを特徴とする請求項1〜19のいずれか1項に記載の積層体。
- 請求項1〜21のいずれか1項に記載の積層体を少なくとも1つ備えることを特徴とするPIN型有機発光ダイオード。
- 発光素子を備える照明装置であって、
該発光素子は、請求項1〜21のいずれか1項に記載の積層体を少なくとも1つ含むことを特徴とする照明装置。 - 発光素子を備える自発光ディスプレイ装置であって、
該発光素子は、請求項1〜21のいずれか1項に記載の積層体を少なくとも1つ含むことを特徴とする自発光ディスプレイ装置。 - 請求項1〜21のいずれか1項に記載の積層体を少なくとも1つ備えるディスプレイ装置であって、特にアクティブマトリクスディスプレイ又はパッシブマトリクスディスプレイであるディスプレイ装置。
- 請求項1〜21のいずれか1項に記載のPIN型有機発光ダイオードのための有機層の積層を製造するための方法であって、
第1有機基材が、分離形成装置によって処理され、
上記第1有機基材は、上記積層のいくつかの有機層に使用されることを特徴とする方法。 - 上記積層に含まれる複数の有機層は、上記第1有機基材を分離することにより形成され、
該第1有機基材は、上記分離形成装置に備えられた単一の蒸着源から蒸着されることを特徴とする請求項26に記載の方法。 - 上記複数の有機層は、上記第1有機基材を分離することによって形成され、
連続する基材における複数の層の少なくとも一部は、上記積層における上記第1有機基材から形成されていることを特徴とする請求項27に記載の方法。 - 上記第1有機基材から上記連続する基材を形成する間、中間の段階において、
添加電荷担体輸送層は、添加材料の同時蒸着によって形成され、
かつ/又は、阻止層が形成され、
かつ/又は、発光層が、発光材料の同時蒸着によって形成され、
かつ/又は、追加阻止層が形成され、
かつ/又は、追加添加電荷担体輸送層が、追加添加材料の同時蒸着によって形成されることを特徴とする請求項28に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP05008105A EP1713136B1 (de) | 2005-04-13 | 2005-04-13 | Anordnung für eine organische Leuchtdiode vom pin-Typ und Verfahren zum Herstellen |
EP05008105.8 | 2005-04-13 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009224562A Division JP2009302586A (ja) | 2005-04-13 | 2009-09-29 | Pin型有機発光ダイオードの積層体および製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006295192A true JP2006295192A (ja) | 2006-10-26 |
JP5102967B2 JP5102967B2 (ja) | 2012-12-19 |
Family
ID=35677545
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006110358A Active JP5102967B2 (ja) | 2005-04-13 | 2006-04-13 | Pin型有機発光ダイオードの積層体および製造方法 |
JP2009224562A Pending JP2009302586A (ja) | 2005-04-13 | 2009-09-29 | Pin型有機発光ダイオードの積層体および製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009224562A Pending JP2009302586A (ja) | 2005-04-13 | 2009-09-29 | Pin型有機発光ダイオードの積層体および製造方法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7911129B2 (ja) |
EP (4) | EP1818996A1 (ja) |
JP (2) | JP5102967B2 (ja) |
KR (1) | KR100821774B1 (ja) |
CN (3) | CN101872843B (ja) |
AT (1) | ATE381117T1 (ja) |
CA (1) | CA2543276A1 (ja) |
DE (1) | DE502005002218D1 (ja) |
TW (1) | TWI331407B (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010137733A1 (en) * | 2009-05-29 | 2010-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and method for manufacturing the same |
JP2012521076A (ja) * | 2009-03-20 | 2012-09-10 | ノヴァレッド・アクチエンゲゼルシャフト | 有機ツェナーダイオード、電子回路、および、有機ツェナーダイオードを動作させる方法 |
US8841653B2 (en) | 2009-05-29 | 2014-09-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, lighting device, and electronic appliance |
JP2017103224A (ja) * | 2015-11-30 | 2017-06-08 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 有機発光ダイオード及びこれを備える有機電界発光表示装置、そして有機発光ダイオードの製造方法 |
Families Citing this family (50)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004083958A2 (de) * | 2003-03-19 | 2004-09-30 | Technische Universität Dresden | Photoaktives bauelement mit organischen schichten |
US7540978B2 (en) | 2004-08-05 | 2009-06-02 | Novaled Ag | Use of an organic matrix material for producing an organic semiconductor material, organic semiconductor material and electronic component |
KR101027896B1 (ko) | 2004-08-13 | 2011-04-07 | 테크니셰 유니베르시테트 드레스덴 | 발광 컴포넌트를 위한 층 어셈블리 |
DE502005002342D1 (de) | 2005-03-15 | 2008-02-07 | Novaled Ag | Lichtemittierendes Bauelement |
EP1806795B1 (de) | 2005-12-21 | 2008-07-09 | Novaled AG | Organisches Bauelement |
DE602006001930D1 (de) | 2005-12-23 | 2008-09-04 | Novaled Ag | tur von organischen Schichten |
EP1808909A1 (de) | 2006-01-11 | 2007-07-18 | Novaled AG | Elekrolumineszente Lichtemissionseinrichtung |
EP1848049B1 (de) | 2006-04-19 | 2009-12-09 | Novaled AG | Lichtemittierendes Bauelement |
WO2007129874A1 (en) * | 2006-05-10 | 2007-11-15 | Lg Chem, Ltd. | Fabrication method for organic electronic device and organic electronic device fabricated by the same method |
DE102007019260B4 (de) | 2007-04-17 | 2020-01-16 | Novaled Gmbh | Nichtflüchtiges organisches Speicherelement |
CN101222026B (zh) * | 2008-01-23 | 2016-06-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管显示装置及其制造方法 |
DE102008011185A1 (de) * | 2008-02-27 | 2009-09-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer dotierten organischen halbleitenden Schicht |
DE102008036063B4 (de) | 2008-08-04 | 2017-08-31 | Novaled Gmbh | Organischer Feldeffekt-Transistor |
DE102008036062B4 (de) | 2008-08-04 | 2015-11-12 | Novaled Ag | Organischer Feldeffekt-Transistor |
DE102008049056A1 (de) * | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Organisches photoelektrisches Bauelement und ein Verfahren zum Herstellen eines organischen photoelektrischen Bauelements |
DE102008061843B4 (de) | 2008-12-15 | 2018-01-18 | Novaled Gmbh | Heterocyclische Verbindungen und deren Verwendung in elektronischen und optoelektronischen Bauelementen |
EP2267818B1 (en) | 2009-06-22 | 2017-03-22 | Novaled GmbH | Organic lighting device |
DE102010023619B4 (de) | 2009-08-05 | 2016-09-15 | Novaled Ag | Organisches bottom-emittierendes Bauelement |
JP2011139044A (ja) | 2009-12-01 | 2011-07-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置 |
EP2513998B1 (en) | 2009-12-18 | 2017-07-05 | Novaled GmbH | Large area light emitting device comprising organic light emitting diodes |
US9401493B2 (en) * | 2010-01-26 | 2016-07-26 | Unified Innovative Technology, Llc | Organic electroluminescent element, method for manufacturing same, and organic electroluminescent display device |
DE102010023620B4 (de) | 2010-06-14 | 2016-09-15 | Novaled Ag | Organisches, bottom-emittierendes Bauelement |
WO2011157385A2 (en) | 2010-06-14 | 2011-12-22 | Novaled Ag | Organic light emitting device |
DE102010041331A1 (de) * | 2010-09-24 | 2012-03-29 | Siemens Aktiengesellschaft | Ladungsträgermodulation zur Farb- und Helligkeitsabstimmung in organischen Leuchtdioden |
EP2551949A1 (en) | 2011-07-28 | 2013-01-30 | Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) | Metal complexes for use as dopants and other uses |
KR101957534B1 (ko) | 2011-02-25 | 2019-03-12 | 에꼴 뽈리떼끄닉 뻬데랄 드 로잔느 (으뻬에프엘) | 도판트로서의 용도 및 다른 용도를 위한 금속 복합체 |
US10038150B2 (en) | 2011-02-25 | 2018-07-31 | Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) | Metal complexes for use as dopants and other uses |
JP2012204110A (ja) | 2011-03-24 | 2012-10-22 | Sony Corp | 表示素子および表示装置ならびに電子機器 |
DE102011055233A1 (de) | 2011-11-10 | 2013-05-16 | Novaled Ag | Lichtemittierende Vorrichtung und flächige Anordnung mit mehreren lichtemittierenden Vorrichtungen |
WO2013083712A1 (en) | 2011-12-06 | 2013-06-13 | Novaled Ag | Organic light emitting device and method of producing |
EP3460864A1 (de) * | 2012-03-15 | 2019-03-27 | Merck Patent GmbH | Elektronische vorrichtungen |
EP2706584A1 (en) | 2012-09-07 | 2014-03-12 | Novaled AG | Charge transporting semi-conducting material and semi-conducting device |
EP2713414A1 (en) | 2012-10-01 | 2014-04-02 | Solvay SA | Process for the manufacture of a multilayer structure |
EP2744004B1 (en) * | 2012-12-11 | 2019-02-27 | Nissan Chemical Corporation | Process for the manufacture of a multilayer structure |
DE102012112796B4 (de) * | 2012-12-20 | 2019-09-19 | Novaled Gmbh | Vertikaler organischer Transistor, Schaltungsanordnung und Anordnung mit vertikalem organischen Transistor sowie Verfahren zum Herstellen |
CN104183792A (zh) * | 2013-05-23 | 2014-12-03 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
US9397309B2 (en) * | 2014-03-13 | 2016-07-19 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent devices |
WO2015186741A1 (ja) * | 2014-06-03 | 2015-12-10 | シャープ株式会社 | 有機el素子、及び製造方法 |
US10784448B2 (en) | 2014-08-08 | 2020-09-22 | Udc Ireland Limited | Electroluminescent imidazo-quinoxaline carbene metal complexes |
CN104241540A (zh) * | 2014-09-04 | 2014-12-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光显示器件、其制作方法及显示装置 |
CN104409649B (zh) * | 2014-11-20 | 2016-08-24 | 天津理工大学 | 一种低压有机发光二极管及其制备方法 |
KR20170074170A (ko) | 2015-12-21 | 2017-06-29 | 유디씨 아일랜드 리미티드 | 삼각형 리간드를 갖는 전이 금속 착체 및 oled에서의 이의 용도 |
EP3208863B1 (en) | 2016-02-22 | 2019-10-23 | Novaled GmbH | Charge transporting semi-conducting material and electronic device comprising it |
EP3208862A1 (en) | 2016-02-22 | 2017-08-23 | Novaled GmbH | Charge transporting semi-conducting material and electronic device comprising it |
KR102616579B1 (ko) * | 2016-04-08 | 2023-12-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
US10600981B2 (en) * | 2017-08-24 | 2020-03-24 | Universal Display Corporation | Exciplex-sensitized fluorescence light emitting system |
CN108899419B (zh) * | 2018-07-07 | 2020-02-04 | 河南大学 | 一种有机无机复合pin二极管及其制备方法 |
CN111384252A (zh) * | 2018-12-27 | 2020-07-07 | 广东阿格蕾雅光电材料有限公司 | 一种oled器件结构 |
KR20210059153A (ko) * | 2019-11-14 | 2021-05-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 이를 포함한 장치 |
CN111883567B (zh) * | 2020-07-15 | 2023-05-05 | 固安翌光科技有限公司 | 一种电致发光屏体装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11504754A (ja) * | 1995-11-28 | 1999-04-27 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | 有機エレクトロルミネセント・デバイスを改良するために使用される有機/無機合金 |
JP2000196140A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Sharp Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造法 |
WO2003107452A1 (en) * | 2002-06-18 | 2003-12-24 | The Trustees Of Princeton University | Very low voltage high efficiency pholed in a p-i-n structure |
JP2004522264A (ja) * | 2001-03-02 | 2004-07-22 | ザ、トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ | 二重ドープ層燐光有機発光装置 |
Family Cites Families (127)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4356429A (en) | 1980-07-17 | 1982-10-26 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent cell |
US4769292A (en) | 1987-03-02 | 1988-09-06 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone |
JP2813428B2 (ja) | 1989-08-17 | 1998-10-22 | 三菱電機株式会社 | 電界効果トランジスタ及び該電界効果トランジスタを用いた液晶表示装置 |
US7494638B1 (en) | 1990-08-30 | 2009-02-24 | Mitsubishi Corporation | Form of carbon |
US5093698A (en) | 1991-02-12 | 1992-03-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Organic electroluminescent device |
DE59510315D1 (de) | 1994-04-07 | 2002-09-19 | Covion Organic Semiconductors | Spiroverbindungen und ihre Verwendung als Elektrolumineszenzmaterialien |
US5707745A (en) | 1994-12-13 | 1998-01-13 | The Trustees Of Princeton University | Multicolor organic light emitting devices |
US5703436A (en) | 1994-12-13 | 1997-12-30 | The Trustees Of Princeton University | Transparent contacts for organic devices |
JP3586939B2 (ja) | 1994-12-22 | 2004-11-10 | 株式会社デンソー | El素子およびその製造方法 |
JPH10125469A (ja) | 1996-10-24 | 1998-05-15 | Tdk Corp | 有機el発光素子 |
US5811833A (en) | 1996-12-23 | 1998-09-22 | University Of So. Ca | Electron transporting and light emitting layers based on organic free radicals |
US5917280A (en) | 1997-02-03 | 1999-06-29 | The Trustees Of Princeton University | Stacked organic light emitting devices |
US6337492B1 (en) | 1997-07-11 | 2002-01-08 | Emagin Corporation | Serially-connected organic light emitting diode stack having conductors sandwiching each light emitting layer |
JP3736071B2 (ja) | 1997-09-30 | 2006-01-18 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
US6303238B1 (en) | 1997-12-01 | 2001-10-16 | The Trustees Of Princeton University | OLEDs doped with phosphorescent compounds |
GB9805476D0 (en) | 1998-03-13 | 1998-05-13 | Cambridge Display Tech Ltd | Electroluminescent devices |
KR100582328B1 (ko) | 1998-04-09 | 2006-05-23 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 유기 전자 발광 소자 |
JP3884564B2 (ja) | 1998-05-20 | 2007-02-21 | 出光興産株式会社 | 有機el発光素子およびそれを用いた発光装置 |
WO2000005703A1 (fr) | 1998-07-24 | 2000-02-03 | Seiko Epson Corporation | Afficheur |
JP3692844B2 (ja) | 1998-07-24 | 2005-09-07 | セイコーエプソン株式会社 | 電界発光素子、及び電子機器 |
JP2000075836A (ja) | 1998-09-02 | 2000-03-14 | Sharp Corp | 有機el発光装置とその駆動方法 |
US6274980B1 (en) | 1998-11-16 | 2001-08-14 | The Trustees Of Princeton University | Single-color stacked organic light emitting device |
DE19905694A1 (de) * | 1998-11-27 | 2000-08-17 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Bauelement |
JP2000231992A (ja) | 1999-02-09 | 2000-08-22 | Stanley Electric Co Ltd | 面光源装置 |
GB2347013A (en) * | 1999-02-16 | 2000-08-23 | Sharp Kk | Charge-transport structures |
US7001536B2 (en) | 1999-03-23 | 2006-02-21 | The Trustees Of Princeton University | Organometallic complexes as phosphorescent emitters in organic LEDs |
DE19916745A1 (de) | 1999-04-13 | 2000-10-19 | Mannesmann Vdo Ag | Lichtemittierende Diode mit organischen lichtemittierenden Stoffen zur Erzeugung von Licht mit Mischfarben |
AU4937300A (en) | 1999-06-09 | 2000-12-28 | Cambridge Display Technology Limited | Method of producing organic light-emissive devices |
EP1115268A1 (en) | 1999-07-07 | 2001-07-11 | Sony Corporation | Method and apparatus for manufacturing flexible organic el display |
US6310360B1 (en) | 1999-07-21 | 2001-10-30 | The Trustees Of Princeton University | Intersystem crossing agents for efficient utilization of excitons in organic light emitting devices |
BE1012802A3 (fr) | 1999-07-28 | 2001-03-06 | Cockerill Rech & Dev | Dispositif electroluminescent et son procede de fabrication. |
KR20010050711A (ko) | 1999-09-29 | 2001-06-15 | 준지 키도 | 유기전계발광소자, 유기전계발광소자그룹 및 이런소자들의 발광스펙트럼의 제어방법 |
US7560175B2 (en) | 1999-12-31 | 2009-07-14 | Lg Chem, Ltd. | Electroluminescent devices with low work function anode |
KR100377321B1 (ko) | 1999-12-31 | 2003-03-26 | 주식회사 엘지화학 | 피-형 반도체 성질을 갖는 유기 화합물을 포함하는 전기소자 |
US6660410B2 (en) | 2000-03-27 | 2003-12-09 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence element |
JP4094203B2 (ja) | 2000-03-30 | 2008-06-04 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機発光媒体 |
GB2361356B (en) | 2000-04-14 | 2005-01-05 | Seiko Epson Corp | Light emitting device |
US6645645B1 (en) | 2000-05-30 | 2003-11-11 | The Trustees Of Princeton University | Phosphorescent organic light emitting devices |
US6956324B2 (en) | 2000-08-04 | 2005-10-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method therefor |
JP2002082627A (ja) | 2000-09-07 | 2002-03-22 | Sony Corp | 表示装置 |
WO2002035890A1 (fr) | 2000-10-25 | 2002-05-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Element lumineux, dispositif d'affichage et dispositif d'eclairage mettant cet element en application |
DE10058578C2 (de) | 2000-11-20 | 2002-11-28 | Univ Dresden Tech | Lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten |
US6573651B2 (en) | 2000-12-18 | 2003-06-03 | The Trustees Of Princeton University | Highly efficient OLEDs using doped ambipolar conductive molecular organic thin films |
JP4220669B2 (ja) | 2000-12-26 | 2009-02-04 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
SG2009086778A (en) * | 2000-12-28 | 2016-11-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Luminescent device |
TW519770B (en) | 2001-01-18 | 2003-02-01 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and manufacturing method thereof |
SG107573A1 (en) | 2001-01-29 | 2004-12-29 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device |
CN100379049C (zh) * | 2001-03-14 | 2008-04-02 | 普林斯顿大学理事会 | 用于蓝色磷光基有机发光二极管的材料与器件 |
JP4234998B2 (ja) | 2001-03-29 | 2009-03-04 | 富士フイルム株式会社 | エレクトロルミネッセンス素子 |
US6580027B2 (en) | 2001-06-11 | 2003-06-17 | Trustees Of Princeton University | Solar cells using fullerenes |
US6784016B2 (en) | 2001-06-21 | 2004-08-31 | The Trustees Of Princeton University | Organic light-emitting devices with blocking and transport layers |
JP4152665B2 (ja) | 2001-07-11 | 2008-09-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその作製方法 |
DE10135513B4 (de) * | 2001-07-20 | 2005-02-24 | Novaled Gmbh | Lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten |
JP2003043998A (ja) | 2001-07-30 | 2003-02-14 | Pioneer Electronic Corp | ディスプレイ装置 |
JP4584506B2 (ja) * | 2001-08-28 | 2010-11-24 | パナソニック電工株式会社 | 有機電界発光素子 |
KR100439648B1 (ko) | 2001-08-29 | 2004-07-12 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광소자 |
US6734038B2 (en) | 2001-09-04 | 2004-05-11 | The Trustees Of Princeton University | Method of manufacturing high-mobility organic thin films using organic vapor phase deposition |
WO2003023876A1 (fr) | 2001-09-05 | 2003-03-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Structure polymere, element fonctionnel comportant une telle structure ; transistor et ecran presentant cette structure |
DE10145492B4 (de) | 2001-09-14 | 2004-11-11 | Novaled Gmbh | Elektrolumineszente Lichtemissionseinrichtung, insbesondere als Weißlichtquelle |
US6680578B2 (en) | 2001-09-19 | 2004-01-20 | Osram Opto Semiconductors, Gmbh | Organic light emitting diode light source |
JP2003203769A (ja) | 2001-10-29 | 2003-07-18 | Sony Corp | 線状パターン及びパターン形成方法、画像表示装置及びその製造方法 |
JP3815685B2 (ja) | 2001-11-22 | 2006-08-30 | キヤノン株式会社 | 発光素子及びその製造方法及び発光装置 |
US6734457B2 (en) | 2001-11-27 | 2004-05-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
DE10157945C2 (de) | 2001-11-27 | 2003-09-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines organischen, elektrolumineszierenden Displays sowie ein organisches, elektrolumineszierendes Display |
JP3852916B2 (ja) | 2001-11-27 | 2006-12-06 | パイオニア株式会社 | ディスプレイ装置 |
US7012363B2 (en) | 2002-01-10 | 2006-03-14 | Universal Display Corporation | OLEDs having increased external electroluminescence quantum efficiencies |
US6872472B2 (en) | 2002-02-15 | 2005-03-29 | Eastman Kodak Company | Providing an organic electroluminescent device having stacked electroluminescent units |
DE10207859A1 (de) | 2002-02-20 | 2003-09-04 | Univ Dresden Tech | Dotiertes organisches Halbleitermaterial sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
DE10209789A1 (de) | 2002-02-28 | 2003-09-25 | Univ Dresden Tech | Photoaktives Bauelement mit organischen Schichten |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
DE10215210B4 (de) | 2002-03-28 | 2006-07-13 | Novaled Gmbh | Transparentes, thermisch stabiles lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten |
JP2003297561A (ja) | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機薄膜素子の製造方法及び有機薄膜素子 |
WO2003088271A1 (en) * | 2002-04-08 | 2003-10-23 | The University Of Southern California | Doped organic carrier transport materials |
GB0208506D0 (en) | 2002-04-12 | 2002-05-22 | Dupont Teijin Films Us Ltd | Film coating |
GB2388236A (en) | 2002-05-01 | 2003-11-05 | Cambridge Display Tech Ltd | Display and driver circuits |
DE10224021B4 (de) | 2002-05-24 | 2006-06-01 | Novaled Gmbh | Phosphoreszentes lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten |
US6670772B1 (en) | 2002-06-27 | 2003-12-30 | Eastman Kodak Company | Organic light emitting diode display with surface plasmon outcoupling |
DE10229231B9 (de) | 2002-06-28 | 2006-05-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines Strahlung emittierenden und/oder empfangenden Halbleiterchips mit einer Strahlungsein- und/oder -auskoppel-Mikrostruktur |
GB0215309D0 (en) | 2002-07-03 | 2002-08-14 | Cambridge Display Tech Ltd | Combined information display and information input device |
US6642092B1 (en) | 2002-07-11 | 2003-11-04 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Thin-film transistors formed on a metal foil substrate |
DE10232238A1 (de) | 2002-07-17 | 2004-02-05 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Elektrolumineszierende Vorrichtung aus zweidimensionalem Array |
JP2005534145A (ja) | 2002-07-23 | 2005-11-10 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | エレクトロルミネセントディスプレイ及びこのようなディスプレイを有する電子デバイス |
JP2004063319A (ja) * | 2002-07-30 | 2004-02-26 | Canon Inc | 封止膜を有する半導体素子 |
JP2004063363A (ja) * | 2002-07-31 | 2004-02-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電界発光素子用材料、およびそれを用いた電界発光素子 |
GB2392023A (en) | 2002-08-05 | 2004-02-18 | Gen Electric | Series connected oled structure and fabrication method |
US7034470B2 (en) | 2002-08-07 | 2006-04-25 | Eastman Kodak Company | Serially connecting OLED devices for area illumination |
TW556446B (en) * | 2002-09-11 | 2003-10-01 | Opto Tech Corp | Organic light-emitting device and the manufacturing method thereof |
US20040067324A1 (en) | 2002-09-13 | 2004-04-08 | Lazarev Pavel I | Organic photosensitive optoelectronic device |
JP4288918B2 (ja) | 2002-09-26 | 2009-07-01 | セイコーエプソン株式会社 | 有機elパネルおよびその製造方法、それを用いた電気光学パネル並びに電子機器 |
US6965197B2 (en) | 2002-10-01 | 2005-11-15 | Eastman Kodak Company | Organic light-emitting device having enhanced light extraction efficiency |
DE10261609B4 (de) * | 2002-12-20 | 2007-05-03 | Novaled Ag | Lichtemittierende Anordnung |
JP2004214120A (ja) | 2003-01-08 | 2004-07-29 | Sony Corp | 有機電界発光素子の製造装置及び製造方法 |
JP2004234942A (ja) | 2003-01-29 | 2004-08-19 | Yodogawa Steel Works Ltd | 無機el素子の作製方法 |
KR100560785B1 (ko) | 2003-02-03 | 2006-03-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 저전압에서 구동되는 유기 전계 발광 소자 |
US6870196B2 (en) | 2003-03-19 | 2005-03-22 | Eastman Kodak Company | Series/parallel OLED light source |
EP1623470A1 (en) | 2003-04-28 | 2006-02-08 | Zheng-Hong Lu | Light-emitting devices with fullerene layer |
US6936961B2 (en) | 2003-05-13 | 2005-08-30 | Eastman Kodak Company | Cascaded organic electroluminescent device having connecting units with N-type and P-type organic layers |
EP1477892B1 (en) | 2003-05-16 | 2015-12-23 | Sap Se | System, method, computer program product and article of manufacture for inputting data in a computer system |
KR101102282B1 (ko) | 2003-07-10 | 2012-01-03 | 가부시키가이샤 이디알 스타 | 발광소자 및 발광장치 |
JP4194436B2 (ja) | 2003-07-14 | 2008-12-10 | キヤノン株式会社 | 電界効果型有機トランジスタ |
DE10335727A1 (de) | 2003-08-05 | 2005-02-24 | H.C. Starck Gmbh | Transparente Elektrode für elektro-optische Aufbauten |
JP2007502534A (ja) | 2003-08-12 | 2007-02-08 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 有機ダイオードの交流駆動用回路配置 |
JP2005063840A (ja) | 2003-08-13 | 2005-03-10 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 自発光表示装置及び有機el表示装置 |
DE10338406A1 (de) | 2003-08-18 | 2005-03-24 | Novaled Gmbh | Dotierte organische Halbleitermaterialien sowie Verfahren zu deren Herstellung |
US7180089B2 (en) | 2003-08-19 | 2007-02-20 | National Taiwan University | Reconfigurable organic light-emitting device and display apparatus employing the same |
DE10339772B4 (de) * | 2003-08-27 | 2006-07-13 | Novaled Gmbh | Licht emittierendes Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
JP2005116193A (ja) | 2003-10-02 | 2005-04-28 | Toyota Industries Corp | 有機電界発光素子及び当該素子を備えた有機電界発光デバイス |
DE10347856B8 (de) | 2003-10-10 | 2006-10-19 | Colorado State University Research Foundation, Fort Collins | Halbleiterdotierung |
US7432124B2 (en) | 2003-11-04 | 2008-10-07 | 3M Innovative Properties Company | Method of making an organic light emitting device |
JP2005156925A (ja) | 2003-11-26 | 2005-06-16 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
DE10357044A1 (de) | 2003-12-04 | 2005-07-14 | Novaled Gmbh | Verfahren zur Dotierung von organischen Halbleitern mit Chinondiiminderivaten |
US7030554B2 (en) | 2004-02-06 | 2006-04-18 | Eastman Kodak Company | Full-color organic display having improved blue emission |
JP4276109B2 (ja) | 2004-03-01 | 2009-06-10 | ローム株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
DE102004010954A1 (de) | 2004-03-03 | 2005-10-06 | Novaled Gmbh | Verwendung eines Metallkomplexes als n-Dotand für ein organisches halbleitendes Matrixmaterial, organisches Halbleitermaterial und elektronisches Bauteil |
JP5064034B2 (ja) | 2004-05-11 | 2012-10-31 | エルジー・ケム・リミテッド | 有機電気素子 |
US20050269943A1 (en) | 2004-06-04 | 2005-12-08 | Michael Hack | Protected organic electronic devices and methods for making the same |
US20060014044A1 (en) | 2004-07-14 | 2006-01-19 | Au Optronics Corporation | Organic light-emitting display with multiple light-emitting modules |
KR101027896B1 (ko) | 2004-08-13 | 2011-04-07 | 테크니셰 유니베르시테트 드레스덴 | 발광 컴포넌트를 위한 층 어셈블리 |
CN1738069A (zh) | 2004-08-17 | 2006-02-22 | 国际商业机器公司 | 其电极具有增强注入特性的电子器件制造方法和电子器件 |
DE102004041371B4 (de) | 2004-08-25 | 2007-08-02 | Novaled Ag | Bauelement auf Basis einer organischen Leuchtdiodeneinrichtung und Verfahren zur Herstellung |
KR20060026776A (ko) | 2004-09-21 | 2006-03-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법 |
EP1684365A3 (en) | 2005-01-20 | 2008-08-13 | Fuji Electric Holdings Co., Ltd. | Transistor |
EP2045843B1 (de) | 2005-06-01 | 2012-08-01 | Novaled AG | Lichtemittierendes Bauteil mit einer Elektrodenanordnung |
EP1739765A1 (de) | 2005-07-01 | 2007-01-03 | Novaled AG | Organische Leuchtdiode und Anordnung mit mehreren organischen Leuchtdioden |
EP1806795B1 (de) | 2005-12-21 | 2008-07-09 | Novaled AG | Organisches Bauelement |
EP1804308B1 (en) | 2005-12-23 | 2012-04-04 | Novaled AG | An organic light emitting device with a plurality of organic electroluminescent units stacked upon each other |
DE102006059509B4 (de) | 2006-12-14 | 2012-05-03 | Novaled Ag | Organisches Leuchtbauelement |
-
2005
- 2005-04-13 EP EP07005048A patent/EP1818996A1/de not_active Withdrawn
- 2005-04-13 EP EP10183964.5A patent/EP2284923B1/de active Active
- 2005-04-13 AT AT05008105T patent/ATE381117T1/de not_active IP Right Cessation
- 2005-04-13 EP EP10183973.6A patent/EP2264806B1/de active Active
- 2005-04-13 DE DE502005002218T patent/DE502005002218D1/de active Active
- 2005-04-13 EP EP05008105A patent/EP1713136B1/de active Active
-
2006
- 2006-04-06 TW TW095112276A patent/TWI331407B/zh active
- 2006-04-12 CA CA002543276A patent/CA2543276A1/en not_active Abandoned
- 2006-04-12 US US11/279,514 patent/US7911129B2/en active Active
- 2006-04-13 CN CN2009102257885A patent/CN101872843B/zh active Active
- 2006-04-13 CN CN2009102257921A patent/CN101771134B/zh active Active
- 2006-04-13 CN CNA2006100735906A patent/CN1848479A/zh active Pending
- 2006-04-13 JP JP2006110358A patent/JP5102967B2/ja active Active
- 2006-04-13 KR KR1020060033666A patent/KR100821774B1/ko active IP Right Grant
-
2009
- 2009-09-29 JP JP2009224562A patent/JP2009302586A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11504754A (ja) * | 1995-11-28 | 1999-04-27 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | 有機エレクトロルミネセント・デバイスを改良するために使用される有機/無機合金 |
JP2000196140A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Sharp Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造法 |
JP2004522264A (ja) * | 2001-03-02 | 2004-07-22 | ザ、トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ | 二重ドープ層燐光有機発光装置 |
WO2003107452A1 (en) * | 2002-06-18 | 2003-12-24 | The Trustees Of Princeton University | Very low voltage high efficiency pholed in a p-i-n structure |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012521076A (ja) * | 2009-03-20 | 2012-09-10 | ノヴァレッド・アクチエンゲゼルシャフト | 有機ツェナーダイオード、電子回路、および、有機ツェナーダイオードを動作させる方法 |
WO2010137733A1 (en) * | 2009-05-29 | 2010-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and method for manufacturing the same |
US8841653B2 (en) | 2009-05-29 | 2014-09-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, lighting device, and electronic appliance |
US9741955B2 (en) | 2009-05-29 | 2017-08-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and method for manufacturing the same |
JP2017103224A (ja) * | 2015-11-30 | 2017-06-08 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 有機発光ダイオード及びこれを備える有機電界発光表示装置、そして有機発光ダイオードの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2264806B1 (de) | 2019-03-27 |
CN101872843B (zh) | 2012-07-04 |
CN101771134B (zh) | 2012-07-18 |
US20060250076A1 (en) | 2006-11-09 |
EP2264806A2 (de) | 2010-12-22 |
JP2009302586A (ja) | 2009-12-24 |
KR20060108535A (ko) | 2006-10-18 |
JP5102967B2 (ja) | 2012-12-19 |
US7911129B2 (en) | 2011-03-22 |
TW200711173A (en) | 2007-03-16 |
EP2284923A3 (de) | 2011-11-02 |
EP2284923A2 (de) | 2011-02-16 |
EP2284923B1 (de) | 2016-12-28 |
TWI331407B (en) | 2010-10-01 |
KR100821774B1 (ko) | 2008-04-11 |
EP2264806A3 (de) | 2011-11-02 |
CN101771134A (zh) | 2010-07-07 |
EP1713136B1 (de) | 2007-12-12 |
CA2543276A1 (en) | 2006-10-13 |
DE502005002218D1 (de) | 2008-01-24 |
EP1818996A1 (de) | 2007-08-15 |
EP1713136A1 (de) | 2006-10-18 |
ATE381117T1 (de) | 2007-12-15 |
CN1848479A (zh) | 2006-10-18 |
CN101872843A (zh) | 2010-10-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5102967B2 (ja) | Pin型有機発光ダイオードの積層体および製造方法 | |
JP4785386B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置 | |
JP3695714B2 (ja) | 有機層を持つ発光素子 | |
KR100679381B1 (ko) | 유기 층들을 포함하는 인광성의 발광 컴포넌트 | |
JP4315874B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置 | |
CN108807481B (zh) | 一种有机发光显示面板及显示装置 | |
US9293736B2 (en) | Organic light emitting element having emission layers and an electron injection layer including fullerene and lithium quinolate | |
KR20110089128A (ko) | 별개의 적색, 녹색 및 청색 서브엘리먼트를 갖는 적층형 백색 oled | |
JP2011238590A (ja) | 高効率ハイブリッド発光ダイオード | |
JP2007179933A (ja) | 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置 | |
JP2006066380A (ja) | 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置 | |
JP4565922B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置 | |
JP4565921B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置 | |
US20210020867A1 (en) | Organic light emitting device | |
KR101419809B1 (ko) | 인버티드 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 | |
JP2009534816A (ja) | 発光装置 | |
KR100990451B1 (ko) | 샌드위치 혼합된 이중 발광호스트를 이용한 고효율 인광유기발광다이오드 및 그의 제조 방법 | |
KR102009804B1 (ko) | 유기 발광 다이오드 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
KR101259532B1 (ko) | 2종의 유기층을 이용하는 백색 유기 발광 다이오드 및 이의 제조 방법 | |
JP4578215B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置 | |
KR101101940B1 (ko) | 이중 도핑을 이용한 고효율 진적색 인광 유기발광소자 및 그 제조 방법 | |
JP4434872B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置 | |
KR100770247B1 (ko) | 고효율 유기전계발광소자 | |
CN113193129B (zh) | 发光器件和显示面板 | |
US8735879B2 (en) | Organic light-emitting diode comprising at least two electroluminescent layers |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060720 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090630 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090929 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100921 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110120 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20110201 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20110617 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120809 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121001 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151005 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5102967 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |