JP2006116696A - 2軸アクチュエータ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】2軸アクチュエータは、第1方向にシーソー運動を行うステージ100と、ステージ部から延びた第1駆動櫛形電極120、及び第1支持部から延び、第1駆動櫛形電極120と交互に配置された第1固定櫛形電極220を備えるステージ部駆動部と、第2方向に第1支持部がシーソー運動を行うように支持する第2支持部と、第1支持部に設けられた第2駆動櫛形電極240、及び第2駆動櫛形電極に対応する第2固定櫛形電極350を備える第1支持部駆動部と、を備え、第1駆動櫛形電極120、第2駆動櫛形電極240及びステージ100は、第1レベルに形成されており、第1固定櫛形電極220及び第2固定櫛形電極350は、第1レベルよりも低い第2レベルに形成されている。
【選択図】図1
Description
「第2方向にシーソー運動を行う」とは、第2方向に直交する第1方向に延び、ステージ部を通る回転軸を中心として、ステージ部がシーソーのように傾動することをいう。
すなわち、各シリコン層は、電気的絶縁部によって複数の部分に区画されており、区画された複数の部分に対して独立して電圧を印加することが可能となっている。
なお、第1ステップにおける第1基板に対する処理と第2基板に対する処理とは、どちらが先であってもよく、同時であってもよい。
なお、第1ステップにおける第1基板に対する処理と第2基板に対する処理とは、どちらが先であってもよく、同時であってもよい。
また、駆動櫛形電極と固定櫛形電極とを互いに異なるレベルに形成するので、垂直櫛形構造の2軸アクチュエータの製造工程を簡易化できる。したがって、垂直櫛形構造の2軸アクチュエータの製造コストを節減できる。
図1は、本発明の第1実施形態に係る2軸アクチュエータの概略斜視図である。図2は、図1の2軸アクチュエータの平面図である。図3ないし図5は、それぞれ図2のIII−III、IV−IV、V−V線断面図である。
四角枠型の固定フレーム300は、第1方向に延び、互いに平行な二つの第1部分300Xと、第2方向に延び、互いに平行な第2部分300Yと、を備えている。第2部分200Yの中央に連結された第2トーションバネ310は、四角枠型の固定フレーム300の第2部分300Yの中央にも連結されている。第2トーションバネ310は、第1方向に延びている。したがって、四角枠型の可動フレーム200は、第2トーションバネ310を中心にシーソー運動ができるように支持されている。
これらの櫛形電極は、垂直に形成されており、対応する櫛形電極が互いに異なるレベルのシリコン層から延びているので、後記するように櫛形電極を容易に製造することができ、電気経路(electrical path)を形成しやすくなっている。
このように、第1駆動櫛形電極120、第2駆動櫛形電極240及びステージ部は第1レベルに形成されており、第1固定櫛形電極220及び第2固定櫛形電極350は、第1レベルよりも低い第2レベルに形成されている。また、第1固定櫛形電極220及び第2固定櫛形電極350は、垂直面で(第1方向と第2方向とを含む平面に直交する方向から見て、すなわちXY平面に直交する方向から見て)第1駆動櫛形電極120及び第2駆動櫛形電極240と重ならないように配置されている。
図8は、本発明の第2実施形態に係る2軸アクチュエータの断面図である。第2実施形態に係る2軸アクチュエータは、図4に示す第1実施形態に係る2軸アクチュエータから、第3駆動櫛形電極130、第3固定櫛形電極250、第1ベース204、及び、第1固定櫛形電極220と第3固定櫛形電極250との間を電気的に接続する導電層206が除去された構造を有している。
図9及び図10に示すように、本発明の第3実施形態に係る2軸アクチュエータは、ステージ部に設けられた駆動部をさらに備えており、ステージを2軸方向に駆動するものである。
続いて、本発明の第4実施形態に係る2軸アクチュエータの製造方法について、ステップ毎に説明する。以下の第4実施形態では、第1実施形態に係る2軸アクチュエータを製造する場合を例にとって説明する。以下の製造方法の説明を通じて、第1実施形態に係る2軸アクチュエータの詳細な構造をより詳細に理解することができるようになる。必要に応じて図1ないし図6に示す構成要素を符号と共に引用する。
まず、図11Aに示すように、厚みが400μmのパイレックス(登録商標)ガラス(以下、単に「ガラス」と記載する。)400を準備した後、ガラス400上にフォトレジスト402をパターニングして、第4電極パッドP4、第5電極パッドP5及び導電層206に対応する部位を露出させる。このガラス400(ベース基板)が、特許請求の範囲における「第2基板」の例である。第2基板としては、絶縁性材料から形成された基板が好適である。
ここで、サンドブラスティングされた部位を部分的にエッチングし、ガラスベース基板(glass base substrate)400を一体的に形成する。
図12Aに示すように、上部構造物として加工される素材として、全体で約500μmの厚さを有するものであって、第1シリコン層501と第2シリコン層503との間にエッチング停止層として形成された1〜2μmの厚さを有するSiO2絶縁層502が形成されているSOI基板500を準備する。このSOI基板500が、特許請求の範囲における「第1基板」の例である。第2シリコン層503上に、所定形状を呈するフォトレジストマスク504を形成する。ここで、フォトレジストマスク504により覆われた部位が、第3固定櫛形電極250となる部位W1、第1固定櫛形電極220となる部位W2、可動フレーム200の一部となる部位W3、第2延長部材340となる部位W4、固定フレーム300の一部となる部位W5、固定フレーム300の一部となる部位W5から延びた第2固定櫛形電極350となる部位(図示せず)及び可動フレーム200の一部と固定フレーム300の一部とを連結する第2トーションバネ310の一部となる部位(図示せず)である。
前記したベース基板の製造工程と本体構造物の下部の製造とは、どちらを先に実行しても良く、同時に実行しても良い。
図13Aに示すように、前記した製造工程を介して得られたガラスベース基板400に、第2シリコン層503がエッチングされた基板500を結合する。このときに使用される接合法は陽極接合(anodic bonding)法であり、第2シリコン層503がガラスベース基板400と接触する。このとき、第2電極パッドP2、第3電極パッドP3、第4電極パッドP4及び第5電極パッドP5の一部が固定フレーム300から露出される。続いて、第1シリコン層501の上面をCMP(Chemical Mechanical Polishing)により約70μmの厚さに研磨する。
例えば、第4の実施形態に係る製造方法において、第3駆動櫛形電極130、第3固定櫛形電極250、第1ベース204、及び、第1固定櫛形電極220と第3固定櫛形電極250との間を電気的に接続する導電層206を形成しないようにすれば、第2の実施形態に係る2軸アクチュエータを製造することができる。
110 連結部
120 第1駆動櫛形電極
130 第3駆動櫛形電極
200,200’ 可動フレーム
200X 第1部分
200Y 第2部分
201 第1シリコン層
202 SiO2絶縁層(第1絶縁層)
202’ 第2絶縁層
203 第2シリコン層
203’ 第3シリコン層
204 第1ベース
206,206’ 導電層
210 第1トーションバネ
220,220’ 第1固定櫛形電極
230 第1延長部材
240 第2駆動櫛形電極
250,250’ 第3固定櫛形電極
300,300’ 固定フレーム
300X 第1部分
300Y 第2部分
301 第1シリコン層
302 SiO2絶縁層(第1絶縁層)
302’ 第2絶縁層
303 第2シリコン層
303’ 第3シリコン層
310,310’ 第2トーションバネ
311 第1シリコン層
312 SiO2絶縁層(第1絶縁層)
312’ 第2絶縁層
313 第2シリコン層
313’ 第3シリコン層
340,340’ 第2延長部材
350,350’ 第2固定櫛形電極
601,602 電気的絶縁部
P1,P2,P3,P4,P5 電極パッド(電極)
Claims (35)
- 第1方向にシーソー運動を行うステージ部と、
前記ステージ部を支持する第1支持部と、
前記ステージ部の前記第1方向の対向する両側から外側に延びた第1駆動櫛形電極、及び前記第1駆動櫛形電極と対向する前記第1支持部から延び、前記第1駆動櫛形電極と交互に配置された第1固定櫛形電極を備えるステージ部駆動部と、
前記第1方向と直交する第2方向に前記第1支持部がシーソー運動を行うように前記第1支持部を支持する第2支持部と、
前記第1支持部に設けられた第2駆動櫛形電極、及び前記第2駆動櫛形電極に対応する第2固定櫛形電極を備える第1支持部駆動部と、
を備え、
前記第1駆動櫛形電極、前記第2駆動櫛形電極及び前記ステージ部は、第1レベルに形成されており、
前記第1固定櫛形電極及び前記第2固定櫛形電極は、垂直面で前記第1駆動櫛形電極及び前記第2駆動櫛形電極と重ならないように前記第1レベルよりも低い第2レベルに形成されている
ことを特徴とする2軸アクチュエータ。 - 前記ステージ部は、
前記第1駆動櫛形電極が外側に設けられた連結部と、
前記連結部の内側に設けられたステージと、
を備えることを特徴とする請求項1に記載の2軸アクチュエータ。 - 前記ステージは、円板であることを特徴とする請求項2に記載の2軸アクチュエータ。
- 前記連結部は、前記ステージが内側に連結された楕円形状を呈するように繋がった帯状部材であることを特徴とする請求項3に記載の2軸アクチュエータ。
- 前記第1支持部は、
前記ステージ部の対向する両側から前記第2方向に延びる一対の第1トーションバネと、
前記第1トーションバネのそれぞれが連結される互いに平行な一対の第1部分、及び前記第2方向に延びる互いに平行な一対の第2部分を有する四角枠型の可動フレームと、
を備えており、
前記可動フレームは、
前記第1トーションバネが連結された第1シリコン層と、
前記第1固定櫛形電極が連結された第2シリコン層と、
前記第1シリコン層と前記第2シリコン層との間に設けられた絶縁層と、
から形成されている
ことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の2軸アクチュエータ。 - 前記第2支持部は、
前記第1支持部の前記第2部分のそれぞれから前記第1方向に延びる一対の第2トーションバネと、
前記第1方向に延びる互いに平行な一対の第1部分、及び前記第2トーションバネが連結される互いに平行な一対の第2部分を有する四角枠型の固定フレームと、
を備えており、
前記固定フレーム及び前記第2トーションバネは、それぞれ前記第1シリコン層、前記第2シリコン層及び前記絶縁層から形成されている
ことを特徴とする請求項5に記載の2軸アクチュエータ。 - 前記第1支持部駆動部は、前記可動フレームの前記第1シリコン層から前記第2トーションバネと平行に延びる第1延長部材を備えており、
前記第2駆動櫛形電極は、前記第1延長部材から当該第1延長部材と対向する前記第2支持部の前記第1部分に向かって延びており、
前記第2固定櫛形電極は、前記第2支持部の前記第2シリコン層から前記第1延長部材に対応するように延びる第2延長部材から延びている
ことを特徴とする請求項6に記載の2軸アクチュエータ。 - 前記第1駆動櫛形電極及び前記第2駆動櫛形電極は、前記第2トーションバネの前記第1シリコン層を介して通電可能であり、
前記固定フレームの前記第2シリコン層は、電圧が別々に印加されて前記ステージ部を前記第1方向及び前記第2方向の両方向に駆動するように、四つの電気的絶縁部を有しており、
前記可動フレームの前記第2シリコン層は、前記第2トーションバネの前記第2シリコン層からの電圧が別々に印加されるように、二つの電気的絶縁部を有している
ことを特徴とする請求項6または請求項7に記載の2軸アクチュエータ。 - 前記連結部の内側に設けられた第3駆動櫛形電極と、
前記第1支持部の下部に設けられたベースと、
前記ベース上に前記第3駆動櫛形電極と対応するように配置された第3固定櫛形電極と、
をさらに備えることを特徴とする請求項8に記載の2軸アクチュエータ。 - 前記ベース上に、対応する前記第1固定櫛形電極と前記第3固定櫛形電極とを電気的に接続するように設けられた導電層をさらに備えることを特徴とする請求項9に記載の2軸アクチュエータ。
- 前記ステージ部、前記ステージ部駆動部、前記第1支持部、前記第2支持部及び前記第1支持部駆動部は、一つのSOI基板として製造されていることを特徴とする請求項6から請求項10のいずれか一項に記載の2軸アクチュエータ。
- 前記第1トーションバネは、メアンダーバネであることを特徴とする請求項1から請求項11のいずれか一項に記載の2軸アクチュエータ。
- 第1方向にシーソー運動を行うステージ部と、
前記ステージ部を支持する第1支持部と、
前記ステージ部の前記第1方向の対向する両側から外側に延びた第1駆動櫛形電極、及び前記第1駆動櫛形電極と対向する前記第1支持部から延び、前記第1駆動櫛形電極と交互に配置された第1固定櫛形電極を備えるステージ部駆動部と、
前記第1方向と直交する第2方向に前記第1支持部がシーソー運動を行うように前記第1支持部を支持する第2支持部と、
前記第1支持部に設けられた第2駆動櫛形電極、及び前記第2駆動櫛形電極に対応する第2固定櫛形電極を備える第1支持部駆動部と、
を備え、
前記第1駆動櫛形電極、前記第2駆動櫛形電極及び前記ステージ部は、第1レベルに形成されており、
前記第1固定櫛形電極及び前記第2固定櫛形電極は、垂直面で前記第1駆動櫛形電極及び前記第2駆動櫛形電極と重ならないように、前記第1レベルよりも低い第2レベルと前記第1レベルよりも高い第3レベルとに形成されている
ことを特徴とする2軸アクチュエータ。 - 前記ステージ部は、
前記第1駆動櫛形電極が外側に設けられた連結部と、
前記連結部の内側に設けられたステージと、
を備えることを特徴とする請求項13に記載の2軸アクチュエータ。 - 前記ステージは、円板であることを特徴とする請求項14に記載の2軸アクチュエータ。
- 前記連結部は、前記ステージが内側に連結された楕円形状を呈するように繋がった帯状部材であることを特徴とする請求項15に記載の2軸アクチュエータ。
- 前記第1支持部は、
前記ステージ部の対向する両側から前記第2方向に延びる一対の第1トーションバネと、
前記第1トーションバネのそれぞれが連結される互いに平行な一対の第1部分、及び前記第2方向に延びる互いに平行な一対の第2部分を有する四角枠型の可動フレームと、
を備えており、
前記可動フレームは、
前記第1トーションバネが連結された第1シリコン層と、
前記第1固定櫛形電極が前記第2レベルで連結された第2シリコン層と、
前記第1固定櫛形電極が前記第3レベルで連結された第3シリコン層と、
前記第1シリコン層と前記第2シリコン層との間に設けられた第1絶縁層と、
前記第1シリコン層と前記第3シリコン層との間に設けられた第2絶縁層と、
から形成されている
ことを特徴とする請求項13から請求項16のいずれか一項に記載の2軸アクチュエータ。 - 前記第2支持部は、
前記第1支持部の前記第2部分のそれぞれから前記第1方向に延びる一対の第2トーションバネと、
前記第1方向に延びる互いに平行な一対の第1部分、及び前記第2トーションバネが連結される互いに平行な一対の第2部分を有する四角枠型の固定フレームと、
を備えており、
前記固定フレーム及び前記第2トーションバネは、それぞれ前記第1シリコン層、前記第2シリコン層、前記第3シリコン層、前記第1絶縁層及び前記第2絶縁層から形成されている
ことを特徴とする請求項17に記載の2軸アクチュエータ。 - 前記第1支持部駆動部は、前記可動フレームの前記第1シリコン層から前記第2トーションバネと平行に延びる第1延長部材を備えており、
前記第2駆動櫛形電極は、前記第1延長部材から当該第1延長部材と対向する前記第2支持部の前記第1部分に向かって延びており、
前記第2固定櫛形電極は、前記第2支持部の前記第2シリコン層及び前記第3シリコン層からそれぞれ前記第1延長部材に対応するように延びる第2延長部材から延びている
ことを特徴とする請求項18に記載の2軸アクチュエータ。 - 前記第1駆動櫛形電極及び第2駆動櫛形電極は、前記第2トーションバネの前記第1シリコン層を介して通電可能であり、
前記固定フレームの前記第2シリコン層及び前記第3シリコン層は、電圧が別々に印加されて前記ステージ部を前記第1方向及び前記第2方向の両方向に駆動するように、四つの電気的絶縁部を有しており、
前記可動フレームの前記第2シリコン層及び前記第3シリコン層は、前記第2トーションバネの前記第2シリコン層及び前記第3シリコン層からの電圧が別々に印加されるように、それぞれ二つの電気的絶縁部を有している
ことを特徴とする請求項18または請求項19に記載の2軸アクチュエータ。 - 前記連結部の内側に設けられた第3駆動櫛形電極と、
前記第1支持部の下部に設けられた第1ベースと、
前記第1ベース上に前記第3駆動櫛形電極と対応するように配置された第3固定櫛形電極と、
をさらに備えることを特徴とする請求項20に記載の2軸アクチュエータ。 - 前記第1ベース上に、対応する前記第1固定櫛形電極と前記第3固定櫛形電極とを電気的に接続するように形成された導電層をさらに備えることを特徴とする請求項21に記載の2軸アクチュエータ。
- 前記連結部の内側に設けられた第3駆動櫛形電極と、
前記第1支持部上に設けられた第2ベースと、
前記第2ベースの下部に前記第3駆動櫛形電極と対応するように配置された第3固定櫛形電極と、
を備えていることを特徴とする請求項20に記載の2軸アクチュエータ。 - 前記第2ベースの下部に、対応する前記第1固定櫛形電極と前記第3固定櫛形電極とを電気的に接続するように設けられた導電層をさらに備えることを特徴とする請求項23に記載の2軸アクチュエータ。
- 前記ステージ部、前記ステージ部駆動部、前記第1支持部、前記第2支持部及び前記第1支持部駆動部は、一つのSOI基板として製造されていることを特徴とする請求項18から請求項24のいずれか一項に記載の2軸アクチュエータ。
- 前記第1トーションバネは、メアンダーバネであることを特徴とする請求項13から請求項25のいずれか一項に記載の2軸アクチュエータ。
- 第1シリコン層、絶縁層及び第2シリコン層が順次積層された第1基板を使用して、前記第2シリコン層をエッチングして、四角枠型の可動フレームの一部と、前記可動フレームの一部の対向する両側から内側に第1方向に延びた第1固定櫛形電極と、前記可動フレームの一部を取り囲む四角枠型の固定フレームの一部と、前記可動フレームの一部と前記固定フレームの一部とを前記第1方向に連結する第2トーションバネの一部と、前記第2トーションバネの一部と平行な前記固定フレームの一部の前記第2シリコン層から前記第2トーションバネの一部に向かって延びる第2固定櫛形電極と、を形成し、かつ、第2基板の対向する両側の中央部及び他の対向する両側にそれぞれ電極パッドを形成し、前記第2基板における、前記固定フレームの一部に対応する内側領域をエッチングする第1ステップと、
前記第2基板上に前記第1基板の前記第2シリコン層を結合する第2ステップと、
前記第1シリコン層上における、前記固定フレームの一部に対応する領域に電極パッドを形成する第3ステップと、
前記第1シリコン層をエッチングして、ステージ部と、前記ステージ部の外側に前記第1固定櫛形電極と交互に配置された第1駆動櫛形電極と、前記可動フレームの他部と、前記可動フレームの他部及び前記ステージ部を前記第1方向と直交する第2方向に連結する第1トーションバネと、前記固定フレームの他部と、前記第2トーションバネの他部と、前記可動フレームの前記第1シリコン層から前記第2トーションバネの他部と平行に延びた延長部材から延びて、前記第2固定櫛形電極と交互に配置された第2駆動櫛形電極と、を形成する第4ステップと、
露出された前記絶縁層をエッチングする第5ステップと、
を含むことを特徴とする2軸アクチュエータの製造方法。 - 前記第1基板は、SOI基板であることを特徴とする請求項27に記載の2軸アクチュエータの製造方法。
- 前記第1ステップは、
前記固定フレームの一部の前記第2シリコン層に、前記第1方向及び前記第2方向の両方向に別々に電圧が印加されるように、四つの電気的絶縁部を形成するステップと、
前記可動フレームの前記第2シリコン層に、前記第2トーションバネの一部の前記第2シリコン層からの電圧が別々に印加されるように、二つの電気的絶縁部を形成するステップと、
を含むことを特徴とする請求項27または請求項28に記載の2軸アクチュエータの製造方法。 - 前記第2ステップにおいて、前記電極パッドを前記固定フレームの一部から外側に露出させることを特徴とする請求項27から請求項29のいずれか一項に記載の2軸アクチュエータの製造方法。
- 前記第2ステップは、前記第1シリコン層及び前記第2基板の少なくとも一方にCMPを行うステップを含むことを特徴とする請求項27から請求項29のいずれか一項に記載の2軸アクチュエータの製造方法。
- 第1シリコン層、絶縁層及び第2シリコン層が順次積層された第1基板を使用して、前記第2シリコン層をエッチングして、四角枠型の可動フレームの一部と、前記可動フレームの一部の対向する両側から内側に第1方向に延びた第1固定櫛形電極と、前記可動フレームの一部を取り囲む四角枠型の固定フレームの一部と、前記可動フレームの一部と前記固定フレームの一部とを前記第1方向に連結する第2トーションバネの一部と、前記第2トーションバネの一部と平行な前記固定フレームの一部の前記第2シリコン層から前記第2トーションバネの一部に向かって延びる第2固定櫛形電極と、前記可動フレームの一部の内部に前記第1方向に延びる第3固定櫛形電極と、を形成し、かつ、第2基板の対向する両側の中央部及び他の対向する両側にそれぞれ電極パッドを形成し、前記第1固定櫛形電極と前記第3固定櫛形電極とを接続するための導電層を形成し、前記第2基板で、前記固定フレームの一部と前記可動フレームの一部との間に対応する下部が連結されるように、前記固定フレームの一部と前記可動フレームの一部との間に対応する上部をエッチングする第1ステップと、
前記第2基板上に前記第1基板の前記第2シリコン層を結合する第2ステップと、
前記第2基板の下部をCMPにより研磨して、前記固定フレームの一部に付着した部分と、前記可動フレームの一部に付着した部分とを分離する第3ステップと、
前記第1シリコン層上における、前記固定フレームの一部に対応する領域に電極パッドを形成する第4ステップと、
前記第1シリコン層をエッチングして、ステージ及び前記ステージが内側に設けられた連結部を備えるステージ部と、前記連結部の外側に前記第1固定櫛形電極と交互に配置された第1駆動櫛形電極と、前記連結部の内側領域に設けられ、前記第3固定櫛形電極と交互に配置された第3駆動櫛形電極と、前記可動フレームの他部と、前記可動フレームの他部と前記連結部とを前記第1方向と直交する第2方向に連結する第1トーションバネと、前記固定フレームの他部と、前記第2トーションバネの他部と、前記可動フレームの他部の前記第1シリコン層から前記第2トーションバネの他部と平行に延びた延長部材から延びて、前記第2固定櫛形電極と交互に配置された第2駆動櫛形電極と、を形成する第5ステップと、
露出された前記絶縁層をエッチングする第6ステップと、
を含むことを特徴とする2軸アクチュエータの製造方法。 - 前記第1基板は、SOI基板であることを特徴とする請求項32に記載の2軸アクチュエータの製造方法。
- 前記第1ステップは、
前記固定フレームの一部の前記第2シリコン層に、前記第1方向及び前記第2方向の両方向に別々に電圧が印加されるように、四つの電気的絶縁部を形成するステップと、
前記可動フレームの一部の前記第2シリコン層に、前記第2トーションバネの一部の前記第2シリコン層からの電圧が別々に印加されるように、二つの電気的絶縁部を形成するステップと、
を含むことを特徴とする請求項32または請求項33に記載の2軸アクチュエータの製造方法。 - 前記第2ステップにおいて、前記電極パッドを前記固定フレームの一部から外側に露出させることを特徴とする請求項32から請求項34のいずれか一項に記載の2軸アクチュエータの製造方法。
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Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007331095A (ja) * | 2006-05-18 | 2007-12-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 微小構造体、マイクロマシンおよび半導体装置、ならびに微小構造体およびマイクロマシンの作製方法 |
JP2008083122A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Matsushita Electric Works Ltd | 可動構造体及びそれを備えた光学素子 |
JP2009005525A (ja) * | 2007-06-22 | 2009-01-08 | Univ Nihon | ばね構造導電性高分子アクチュエータ及びその製造方法 |
WO2009130902A1 (ja) * | 2008-04-25 | 2009-10-29 | パナソニック株式会社 | ミアンダ形振動子およびこれを用いた光学反射素子およびこれを用いた画像投影装置 |
JP2010107628A (ja) * | 2008-10-29 | 2010-05-13 | Topcon Corp | Mems走査型ミラー及びその製造方法 |
JP2010536041A (ja) * | 2007-08-10 | 2010-11-25 | ボード・オブ・リージエンツ,ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム | 前方結像型光干渉断層(oct)システムおよびプローブ |
JP2011251404A (ja) * | 2010-06-01 | 2011-12-15 | Robert Bosch Gmbh | マイクロマシニング型の構成部材およびマイクロマシニング型の構成部材に対する製造法 |
JP2012185418A (ja) * | 2011-03-08 | 2012-09-27 | Topcon Corp | Mems揺動装置 |
JP2013029849A (ja) * | 2012-09-14 | 2013-02-07 | Topcon Corp | Mems走査型ミラーの製造方法 |
US8741682B2 (en) | 2006-05-18 | 2014-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Microstructure, micromachine, and manufacturing method of microstructure and micromachine |
WO2014192123A1 (ja) * | 2013-05-30 | 2014-12-04 | パイオニア株式会社 | 剛体構造体 |
JP2017513446A (ja) * | 2014-04-04 | 2017-05-25 | エムイーエムエス スタート,エルエルシー | 光電子デバイスを動作させるアクチュエータ |
Families Citing this family (46)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8729770B1 (en) * | 2003-12-02 | 2014-05-20 | Adriatic Research Institute | MEMS actuators with combined force and bi-directional rotation |
KR100624436B1 (ko) * | 2004-10-19 | 2006-09-15 | 삼성전자주식회사 | 2축 액츄에이터 및 그 제조방법 |
JP4385937B2 (ja) * | 2004-12-15 | 2009-12-16 | セイコーエプソン株式会社 | アクチュエータ |
KR100707179B1 (ko) | 2005-02-07 | 2007-04-13 | 삼성전자주식회사 | 광스캐너 패키지 및 그 제조방법 |
KR100647329B1 (ko) * | 2005-07-09 | 2006-11-23 | 삼성전자주식회사 | 광스캐너 패키지 |
KR100790862B1 (ko) * | 2005-11-29 | 2008-01-03 | 삼성전자주식회사 | 멤스 구조물의 토션스프링 |
KR100718141B1 (ko) | 2005-12-01 | 2007-05-14 | 삼성전자주식회사 | 임베드된 정렬 마크를 이용한 양면 식각 방법 |
KR100668349B1 (ko) * | 2005-12-01 | 2007-01-12 | 삼성전자주식회사 | 자기정렬된 콤전극 식각 방법 |
KR100813257B1 (ko) * | 2006-07-04 | 2008-03-13 | 삼성전자주식회사 | 스캔 장치 및 그 방법 |
US7813028B2 (en) * | 2006-12-04 | 2010-10-12 | Teledyne Licensing, Llc | Manufacturing method for stress compensated X-Y gimbaled MEMS mirror array |
US7863799B1 (en) * | 2007-03-02 | 2011-01-04 | AG Microsystems Inc. | Micro electro mechanical system using comb and parallel plate actuation |
JP4493057B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2010-06-30 | パイオニア株式会社 | 駆動装置 |
WO2008126234A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-23 | Pioneer Corporation | 駆動装置 |
US7808152B2 (en) * | 2007-03-30 | 2010-10-05 | Pioneer Corporation | Drive device |
JP4542619B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2010-09-15 | パイオニア株式会社 | 駆動装置 |
DE102008012825B4 (de) | 2007-04-02 | 2011-08-25 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V., 80686 | Mikromechanisches Bauelement mit verkippten Elektroden |
WO2008129988A1 (ja) * | 2007-04-19 | 2008-10-30 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | マイクロミラー素子及びマイクロミラーアレイ |
DE102007059856A1 (de) * | 2007-12-12 | 2009-06-18 | Robert Bosch Gmbh | Herstellungsverfahren für ein mikromechanisches Bauelement und mikromechaniches Bauelement |
US20090190254A1 (en) * | 2008-01-29 | 2009-07-30 | Seagate Technology Llc | Micromachined mover |
DE102008001071B4 (de) * | 2008-04-09 | 2017-05-24 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanische Aktuatorstruktur und entsprechendes Betätigungsverfahren |
DE09770219T8 (de) * | 2008-06-25 | 2013-04-25 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Bewegliche struktur und lichtabtastspiegel damit |
DE102008042964A1 (de) * | 2008-10-20 | 2010-04-22 | Robert Bosch Gmbh | Elektrostatischer Antrieb, mikromechanisches Bauteil und Herstellungsverfahren für einen elektrostatischen Antrieb und ein mikromechanisches Bauteil |
DE102008042967B4 (de) * | 2008-10-20 | 2017-04-06 | Robert Bosch Gmbh | Kaskadierte mikromechanische Aktuatorstruktur |
DE102009026507A1 (de) * | 2009-05-27 | 2010-12-02 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanisches Bauteil und Herstellungsverfahren für ein mikromechanisches Bauteil |
US8546995B2 (en) * | 2009-11-06 | 2013-10-01 | Opus Microsystems Corporation | Two-dimensional micromechanical actuator with multiple-plane comb electrodes |
CN105159009B (zh) * | 2010-05-20 | 2018-11-06 | Lg伊诺特有限公司 | 相机模块 |
CN102059576B (zh) * | 2010-11-25 | 2012-02-08 | 西安理工大学 | 双轴直线移动微驱动装置 |
IL211211A0 (en) * | 2011-02-13 | 2011-04-28 | Sason Sourani | A mems device and method for using same |
US20130181893A1 (en) * | 2012-01-13 | 2013-07-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Electrostatically transduced sensors composed of photochemically etched glass |
JP2014095758A (ja) * | 2012-11-07 | 2014-05-22 | Canon Inc | アクチュエータ及び可変形状ミラー |
KR102029783B1 (ko) * | 2012-12-06 | 2019-10-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 멤스 소자 및 흔들림 보정 장치 |
US9391042B2 (en) | 2012-12-14 | 2016-07-12 | Apple Inc. | Micro device transfer system with pivot mount |
KR102085803B1 (ko) * | 2013-06-28 | 2020-04-14 | 엘지이노텍 주식회사 | 멤스 소자 및 카메라 모듈 |
JP6653902B2 (ja) * | 2013-08-08 | 2020-02-26 | 国立大学法人静岡大学 | アクチュエータ |
US20160320609A1 (en) * | 2013-12-20 | 2016-11-03 | Pioneer Corporation | Driving apparatus |
EP3126285A4 (en) * | 2014-04-04 | 2017-08-30 | Mems Start, LLC | Actuator for moving an optoelectronic device |
TWI621582B (zh) * | 2015-08-14 | 2018-04-21 | 先進微系統科技股份有限公司 | 梳形致動器 |
JP6514804B1 (ja) * | 2017-07-06 | 2019-05-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光学デバイス |
JP7112876B2 (ja) | 2017-07-06 | 2022-08-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光学デバイス |
US11733509B2 (en) | 2017-07-06 | 2023-08-22 | Hamamatsu Photonics K.K. | Optical device |
WO2019009394A1 (ja) | 2017-07-06 | 2019-01-10 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光学デバイス |
CN110832379B (zh) | 2017-07-06 | 2022-02-11 | 浜松光子学株式会社 | 光学装置 |
CN115657297A (zh) | 2017-11-15 | 2023-01-31 | 浜松光子学株式会社 | 光学器件的制造方法 |
NL2020564B1 (en) * | 2018-03-09 | 2019-09-13 | Scinvivo B V | Forward looking OCT probe and method of manufacturing the same |
DE102018215528A1 (de) | 2018-09-12 | 2020-03-12 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanisches Bauteil und Herstellungsverfahren für ein mikromechanisches Bauteil |
WO2020173919A2 (de) | 2019-02-27 | 2020-09-03 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Mikromechanische struktur, mikromechanisches system und verfahren zum bereitstellen einer mikromechanischen struktur |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3011144B2 (ja) * | 1997-07-31 | 2000-02-21 | 日本電気株式会社 | 光スキャナとその駆動方法 |
JP3993343B2 (ja) * | 1999-06-29 | 2007-10-17 | 富士通株式会社 | ガルバノマイクロミラー |
US20020071169A1 (en) * | 2000-02-01 | 2002-06-13 | Bowers John Edward | Micro-electro-mechanical-system (MEMS) mirror device |
US6629461B2 (en) * | 2000-03-24 | 2003-10-07 | Onix Microsystems, Inc. | Biased rotatable combdrive actuator methods |
US6612029B2 (en) * | 2000-03-24 | 2003-09-02 | Onix Microsystems | Multi-layer, self-aligned vertical combdrive electrostatic actuators and fabrication methods |
KR100400218B1 (ko) * | 2000-08-18 | 2003-10-30 | 삼성전자주식회사 | 마이크로 액튜에이터 및 그 제조방법 |
US6690850B1 (en) * | 2001-06-05 | 2004-02-10 | Agere Systems Inc. | Article comprising a reflection-type spectral equalizer/optical switch |
JP2003015064A (ja) * | 2001-07-04 | 2003-01-15 | Fujitsu Ltd | マイクロミラー素子 |
JP3827977B2 (ja) * | 2001-08-20 | 2006-09-27 | 富士通株式会社 | マイクロミラー素子の製造方法 |
JP4140816B2 (ja) * | 2002-05-24 | 2008-08-27 | 富士通株式会社 | マイクロミラー素子 |
CN100350294C (zh) * | 2002-10-10 | 2007-11-21 | 富士通株式会社 | 具有扭杆的微型可动元件 |
KR100486716B1 (ko) * | 2002-10-18 | 2005-05-03 | 삼성전자주식회사 | 2-d 액튜에이터 및 그 제조방법 |
KR100579868B1 (ko) * | 2003-12-02 | 2006-05-15 | 삼성전자주식회사 | 마이크로 미러 및 그 제조방법 |
KR100624436B1 (ko) * | 2004-10-19 | 2006-09-15 | 삼성전자주식회사 | 2축 액츄에이터 및 그 제조방법 |
-
2004
- 2004-10-19 KR KR1020040083537A patent/KR100624436B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2005
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- 2005-10-13 US US11/248,169 patent/US7508111B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-10-19 JP JP2005303929A patent/JP2006116696A/ja active Pending
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8741682B2 (en) | 2006-05-18 | 2014-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Microstructure, micromachine, and manufacturing method of microstructure and micromachine |
JP2007331095A (ja) * | 2006-05-18 | 2007-12-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 微小構造体、マイクロマシンおよび半導体装置、ならびに微小構造体およびマイクロマシンの作製方法 |
JP2008083122A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Matsushita Electric Works Ltd | 可動構造体及びそれを備えた光学素子 |
JP4626596B2 (ja) * | 2006-09-26 | 2011-02-09 | パナソニック電工株式会社 | 可動構造体及びそれを備えた光学素子 |
JP2009005525A (ja) * | 2007-06-22 | 2009-01-08 | Univ Nihon | ばね構造導電性高分子アクチュエータ及びその製造方法 |
JP2010536041A (ja) * | 2007-08-10 | 2010-11-25 | ボード・オブ・リージエンツ,ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム | 前方結像型光干渉断層(oct)システムおよびプローブ |
US8508826B2 (en) | 2008-04-25 | 2013-08-13 | Panasonic Corporation | Meandering oscillator, optical reflecting element using meandering oscillator, and image projection device using meandering oscillator |
JP2009265362A (ja) * | 2008-04-25 | 2009-11-12 | Panasonic Corp | ミアンダ形振動子およびこれを用いた光学反射素子 |
WO2009130902A1 (ja) * | 2008-04-25 | 2009-10-29 | パナソニック株式会社 | ミアンダ形振動子およびこれを用いた光学反射素子およびこれを用いた画像投影装置 |
JP2010107628A (ja) * | 2008-10-29 | 2010-05-13 | Topcon Corp | Mems走査型ミラー及びその製造方法 |
US8279509B2 (en) | 2008-10-29 | 2012-10-02 | Kabushiki Kaisha Topcon | MEMS-scanning mirror device and method for manufacturing the same |
JP2011251404A (ja) * | 2010-06-01 | 2011-12-15 | Robert Bosch Gmbh | マイクロマシニング型の構成部材およびマイクロマシニング型の構成部材に対する製造法 |
JP2012185418A (ja) * | 2011-03-08 | 2012-09-27 | Topcon Corp | Mems揺動装置 |
JP2013029849A (ja) * | 2012-09-14 | 2013-02-07 | Topcon Corp | Mems走査型ミラーの製造方法 |
WO2014192123A1 (ja) * | 2013-05-30 | 2014-12-04 | パイオニア株式会社 | 剛体構造体 |
WO2014192193A1 (ja) * | 2013-05-30 | 2014-12-04 | パイオニア株式会社 | 駆動装置 |
JP2017513446A (ja) * | 2014-04-04 | 2017-05-25 | エムイーエムエス スタート,エルエルシー | 光電子デバイスを動作させるアクチュエータ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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