JP2005279864A - アクチュエータの製造方法およびアクチュエータ - Google Patents

Abstract

【課題】設計自由度の向上を図って、低電圧駆動が可能で、かつ、振れ角（振幅）の大きいアクチュエータの製造方法およびアクチュエータを提供すること。
【解決手段】シリコンを主材料として構成された基体２と、シリコンを主材料として構成された対向基板３との少なくとも一方に、主として可動イオンを含むガラスで構成された接合層４を形成する第１の工程と、接合層４を介して基体２と対向基板３とを陽極接合する第２の工程とを有する。
【選択図】図２

Description

本発明は、アクチュエータの製造方法およびアクチュエータに関するものである。

例えば、レーザープリンタ等に用いられるアクチュエータとしてポリゴンミラー（回転多面体）が知られている。
しかし、このようなポリゴンミラーにおいて、より高解像度で品質のよい印字と高速印刷を達成するには、ポリゴンミラーの回転をさらに高速にしなければならない。
現在のポリゴンミラーには高速安定回転を維持するためにエアーベアリングが使用されているが、今以上の高速回転を得るのは困難となっている。また、高速にするためには、大型のモーターが必要であり、機器の小型化の面で不利であるという問題がある。

このようなポリゴンミラーを用いると、構造が複雑となり、コストが高くなるといった問題も生じる。
また、図１３に示すような、平行平板状に電極を配置した１自由度のねじり振動子は、その構造が簡単なことから、アクチュエータの研究初期から提案されている（例えば、非特許文献１参照）。また、前記ねじり振動子をカンチレバー方式とした１自由度静電駆動型振動子も提案されている（例えば、非特許文献２参照）。

図１３の１自由度静電駆動型ねじり振動子は、ガラス基板１０００上の両端部にスぺーサ１２００を介してシリコンの単結晶板からなる可動電極板１３００の両端固定部１３００ａを固定し、この可動電極板１３００の両端固定部１３００ａ間に、細巾のトーションバー１３００ｂを介して可動電極部１３００ｃを支持させ、また、その可動電極部１３００ｃに電極間隔を置いて対向させる固定電極１４００を、ガラス基板１０００上において前記可動電極部１３００ｃに対し平行配置している。可動電極板１３００と固定電極１４００との間にはスイッチ１６００を介して電源１５００が接続される。

前記構成を有するねじり振動子は、可動電極部１３００ｃと固定電極１４００との間に電圧を印加すると、静電引力によりトーションバー１３００ｂを軸として可動電極部１３００ｃが回転するものである。しかるに、静電引力は電極間隔の二乗に反比例するため、この種の静電アクチュエータにおいては電極間隔を小さくすることが望まれる。しかし、上述した１自由度の構造では、可動電極部１３００ｃが電極と可動部を兼ねるため、電極間隔を狭くすると変位（回転角）に制約が生じ、また可動範囲を大きくとるためには電極間隔を大きくする必要がある。このため、低電圧駆動と大振幅の両立が困難であるという問題がある。
また、かかる１自由度静電駆動型ねじり振動子は、高精度な加工の難しいガラス基板１０００を用いているので、設計自由度が低く、前記両立を図ることが困難である。

K.E.Petersen:"Silicon Torsional Scanning Mirror",IBMJ.Res.Develop.,vol.24(1980)、P.631 河村他："Ｓｉを用いたマイクロメカニクスの研究"、昭和６１年度精密工学会秋季大会学術講演会論文集、P.753

本発明の目的は、設計自由度の向上を図って、低電圧駆動が可能で、かつ、振れ角（振幅）の大きいアクチュエータの製造方法およびアクチュエータを提供することにある。

このような目的は、下記の本発明により達成され３る。
本発明のアクチュエータの製造方法は、２自由度振動系を有する基体に、前記２自由度振動系に対向するように対向基板を接合して、アクチュエータを得るアクチュエータの製造方法であって、
少なくとも前記接合に供される部分がシリコンを主材料として構成された前記基体と、シリコンを主材料として構成された前記対向基板との間に、可動イオンを含むガラスを介在させた状態で、前記基体と前記対向基板とを陽極接合することを特徴とする。
これにより、基体と対向基板とがともにシリコンを主材料とするものであっても、これらを接合できる。また、対向基板がシリコンを主材料として構成されているので、対向基板に対し高精度の加工を容易に行うことができる。したがって、アクチュエータの設計時の自由度が比較的高く、対向基板を好適に加工して、アクチュエータの駆動電圧の低電圧化と振幅の大振幅化とを図ることができる。

本発明のアクチュエータの製造方法は、２自由度振動系を有する基体に、前記２自由度振動系に対向するように対向基板を接合して、アクチュエータを得るアクチュエータの製造方法であって、
少なくとも前記接合に供される部分がシリコンを主材料として構成された前記基体と、シリコンを主材料として構成された前記対向基板との少なくとも一方に、主として可動イオンを含むガラスで構成された接合層を形成する第１の工程と、
前記接合層を介して前記基体と前記対向基板とを陽極接合する第２の工程とを有することを特徴とする。
これにより、基体と対向基板とがともにシリコンを主材料とするものであっても、これらを接合できる。また、対向基板がシリコンを主材料として構成されているので、対向基板に対し高精度の加工を容易に行うことができる。したがって、対向基板を好適に加工して、アクチュエータの駆動電圧の低電圧化と振幅の大振幅化とを図ることができる。

本発明のアクチュエータの製造方法では、前記第１の工程では、前記基体に前記接合層を形成することが好ましい。
これにより、接合層の形成のためのガラスの使用量を最小限に抑えて、接合層を介して、基体と対向基板とを陽極接合することができる。
本発明のアクチュエータの製造方法では、前記第１の工程では、前記対向基板に前記接合層を形成することが好ましい。
これにより、接合層を介して、基体と対向基板とを陽極接合することができる。

本発明のアクチュエータの製造方法では、前記基体は、前記２自由度振動系として、第１の質量部と、第２の質量部と、支持部と、前記第１の質量部を前記支持部に対して回動可能とするように前記第１の質量部と前記支持部とを連結する少なくとも一対の第１の弾性連結部と、前記第２の質量部を前記第１の質量部に対して回動可能とするように前記第１の質量部と前記第２の質量部とを連結する少なくとも一対の第２の弾性連結部とを有し、交流電圧の印加により、前記第１の質量部が回動駆動され、この回動駆動に伴い前記第２の質量部が回動されるものであることが好ましい。
これにより、接合層を介して、基体と対向基板とを陽極接合することができる。

本発明のアクチュエータの製造方法では、前記第１の工程では、前記接合層を、前記対向基板における前記基体との接合部位から前記第１の質量部に対応する部位にわたって形成し、しかる後に、前記接合層上の前記第１の質量部に対応する部位に電極を設けることが好ましい。
これにより、接合層の厚さを調整することで、電極と第１の質量部との間のギャップを調整することができる。

本発明のアクチュエータの製造方法では、前記基体は、前記対向基板側の面の前記第１の質量部および前記第２の質量部に対応する部位に、前記第２の質量部の回動のための空間をなす凹部が形成されていることが好ましい。
これにより、基体に形成された凹部により、第１の質量部および第２の質量部が振動（回動）し得る十分なスペースを確保することができる。また、前記凹部の形成により、第１の質量部および第２の質量部の低質量化が図られる。このようなことから、得られるアクチュエータを、低電圧駆動が可能で、かつ、振れ角（振幅）が大きいものとすることができる。

本発明のアクチュエータの製造方法では、前記対向基板の前記第２の質量部に対応する位置には、前記第２の質量部が回動したとき、該第２の質量部が前記対向基板に接触するのを防止するための逃げ部が形成されていることが好ましい。
これにより、第１の質量部と電極との間のギャップを小さくしつつ、第２の質量部と対向基板との接触を防止できるので、得られるアクチュエータは、駆動電圧の低電圧化と振幅の大振幅化とを図ることができる。

本発明のアクチュエータの製造方法では、前記第２の工程に先立って、前記対向基板の前記基体側の面の前記第１の質量部に対応する部位に電極を設けることが好ましい。
これにより、得られるアクチュエータは、電極に交流電圧を印加することで、第１の質量部を回動させ、これに伴い第２の質量部を回動させる。
本発明のアクチュエータの製造方法では、前記基体の全体が、シリコンを主材料として構成されていることが好ましい。
これにより、安価なシリコン基板で基体が構成されているので、安価に、アクチュエータを製造することができる。

本発明のアクチュエータの製造方法では、前記ガラスは、硼珪酸ガラスであることが好ましい。
これにより、接合層を構成する硼珪酸ガラス中の可動イオンが陽極接合時に好適に作用するので、より確実に、接合層を介して、基体と対向基板とを陽極接合することができる。

本発明のアクチュエータの製造方法では、前記ガラスは、アルカリ金属が添加されたものであることが好ましい。
これにより、接合層を構成するガラス中のアルカリ金属イオンが陽極接合時に好適に作用するので、より確実に、接合層を介して、基体と対向基板とを陽極接合することができる。

本発明のアクチュエータの製造方法では、前記接合層の平均厚さは、１〜３０μｍであることが好ましい。
これにより、より確実に、接合層を介して、基体と対向基板とを陽極接合することができる。
本発明のアクチュエータの製造方法では、前記接合層の熱膨張係数と、前記基体および前記対向基板の熱膨張係数との差は、５０×１０^−７℃^−１以下であることが好ましい。
これにより、接合層を介して、基体と対向基板とをより強固に陽極接合することができるとともに、陽極接合後に、温度変化などによって基体と対向基板との接合部が損傷するのをより確実に防止できる。

本発明のアクチュエータは、本発明の製造方法によって製造されたことを特徴とする。
これにより、低電圧駆動が可能で、かつ、振れ角（振幅）が大きいアクチュエータを得ることができる。
本発明のアクチュエータは、２自由度振動系を有する基体と、前記２自由度振動系に対向して前記基板に接合される対向基板とを有し、前記基体のうちの少なくとも前記対向基板と接合される部分がシリコンを主材料として構成されているアクチュエータであって、
前記対向基板は、シリコンを主材料として構成され、
前記基体と前記対向基板とが、可動イオンを含むガラスで構成された接合層を介して、陽極接合されていることを特徴とする。
これにより、低電圧駆動が可能で、かつ、振れ角（振幅）が大きいアクチュエータを得ることができる。

以下、本発明のアクチュエータの好適な実施形態について、添付図面を参照しつつ説明する。
＜第１実施形態＞
まず、本発明のアクチュエータおよびその製造方法の第１実施形態について説明する。
図１は、本発明のアクチュエータの第１実施形態を示す平面図（内部透視図）、図２は、図１中のＡ−Ａ線断面図、図３は、図１に示すアクチュエータの電極の配置を示す平面図、図４は、印加する交流電圧の一例を示す図、図５は、印加した交流電圧の周波数と、第１の質量部および第２の質量部の共振曲線を示すグラフである。なお、以下では、説明の便宜上、図１および図３中の紙面手前側を「上」、紙面奥側を「下」、右側を「右」、左側を「左」と言い、図２中の上側を「上」、下側を「下」、右側を「右」、左側を「左」と言う。

アクチュエータ１は、図１に示すような２自由度振動系を有する基体２を有しており、図２に示すように、この基体２の下部には、対向基板３が接合層４を介して接合されている。
基体２は、一対の第１の質量部（駆動部）２１、２２と、上面（後述する対向基板３とは反対側の面）に光反射部２３１が設けられた第２の質量部（可動部）２３と、これらを囲む枠状の支持部２４とを備えている。

具体的には、基体２は、第２の質量部２３を中心として、その一端側（図１および図２中、左側）に第１の質量部２１が設けられ、他端側（図１および図２中、右側）に第１の質量部２２が設けられて構成されている。
また、本実施形態では、第１の質量部２１、２２は、互いにほぼ同一形状かつほぼ同一寸法をなし、第２の質量部２３を介して、ほぼ対称に設けられている。

さらに、基体２は、図１および図２に示すように、第１の質量部２１、２２と支持部２４とを連結する一対の第１の弾性連結部２５、２５と、第１の質量部２１、２２と第２の質量部２３とを連結する一対の第２の弾性連結部２６、２６とを備えている。
各第１の弾性連結部２５、２５および各第２の弾性連結部２６、２６は、同軸的に設けられており、これらを回動中心軸（回転軸）２７として、第１の質量部２１、２２が支持部２４に対して、また、第２の質量部２３が第１の質量部２１、２２に対して回動可能となっている。

このように、基体２は、第１の質量部２１、２２と第１の弾性連結部２５、２５とからなる第１の振動系と、第２の質量部２３と第２の弾性連結部２６、２６とからなる第２の振動系とを有する２自由度振動系を構成する。
このような２自由度振動系は、基体２の全体の厚さよりも薄く形成されているとともに、図２にて上下方向で基体２の上部に位置している。換言すれば、基体２には、基体２の全体の厚さよりも薄い部分（以下、薄肉部という）が形成されており、この薄肉部に異形孔が形成されることにより、第１の質量部２１、２２と第２の質量部２３と第１の弾性連結部２５、２５と第２の弾性連結部２６、２６とが形成されている。

本実施形態では、前記薄肉部の上面が支持部２４の上面と同一面上に位置することにより、前記薄肉部の下方には、各質量部２１、２２、２３の回動のための空間（凹部）２８が形成される。
このような基体２は、例えば、シリコンを主材料として構成されていて、第１の質量部２１、２２と、第２の質量部２３と、支持部２４と、第１の弾性連結部２５、２５と、第２の弾性連結部２６、２６とが一体的に形成されている。
なお、基体２は、ＳＯＩ基板等の積層構造の基板から、第１の質量部２１、２２と、第２の質量部２３と、支持部２４と、第１の弾性連結部２５、２５と、第２の弾性連結部２６、２６を形成したものであってもよい。

対向基板３は、シリコンを主材料として構成されている。
対向基板３の上面には、図２および図３に示すように、第２の質量部２３に対応する部分に開口部３１が形成されている。
この開口部３１は、第２の質量部２３が回動（振動）する際に、対向基板３に接触するのを防止する逃げ部を構成する。開口部（逃げ部）３１を設けることにより、アクチュエータ１全体の大型化を防止しつつ、第２の質量部２３の振れ角（振幅）をより大きく設定することができる。本発明のアクチュエータ１は、対向基板３がシリコンを主材料として構成されているため、ガラス材料などで対向基板が構成されている場合に比し、前述のような開口部などの逃げ部を簡単にそして高精度（高アスペクト比）に形成することができる。

なお、逃げ部は、前記効果を十分に発揮し得る構成であれば、必ずしも対向基板３の下面（第２の質量部２３と反対側の面）で開放（開口）していなくてもよい。すなわち、逃げ部は、対向基板３の上面に形成された凹部で構成することもできる。また、空間２８の深さが第２の質量部２３の振れ角（振幅）に対し大きい場合などには、逃げ部を設けなくともよい。

また、対向基板３の上面には、図３に示すように、第１の質量部２１に対応する部分に、後述の接合層４を介して、一対の電極３２が回動中心軸２７を中心にほぼ対称となるように設けられ、また、第１の質量部２２に対応する部分に、後述の接合層４を介して、一対の電極３２が回動中心軸２７を中心にほぼ対称となるように設けられている。すなわち、本実施形態では、一対の電極３２が２組（合計４個）、設けられている。

第１の質量部２１、２２と各電極３２とは、図示しない電源に接続されており、第１の質量部２１、２２と各電極３２との間に交流電圧（駆動電圧）を印加できるよう構成されている。
なお、第１の質量部２１、２２は、各電極３２と対向する面に、それぞれ、絶縁膜（図示せず）が設けられている。これにより、第１の質量部２１、２２と各電極３２との間での短絡が発生するのが好適に防止される。

接合層４は、可動イオンを含むガラスで構成されている。この接合層４は、ともにシリコンを主材料として構成された基体２と対向基板３とを、陽極接合させるための層である。また、本実施形態では、接合層４の上面に上述の電極３２が設けられている。これにより、電極３２と第１の質量部２１、２２との間のギャップを調整するとともに、電極３２と対向基板３との間の絶縁性を確保する役割をも有している。なお、接合層４を構成するガラスや、陽極接合については、後に詳述する。

以上のような構成のアクチュエータ１は、次のようにして駆動する。
すなわち、第１の質量部２１、２２と各電極３２との間に、例えば、正弦波（交流電圧）等を印加する。具体的には、例えば、第１の質量部２１、２２をアースしておき、図３中上側の２つの電極３２に、図４（ａ）に示すような波形の電圧を印加し、図３中下側の２つの電極３２に、図４（ｂ）に示すような波形の電圧を印加する。すると、第１の質量部２１、２２と各電極３２との間に静電気力（クーロン力）が生じる。

この静電気力により、第１の質量部２１、２２が、各電極３２の方へ引きつけられる力が正弦波の位相により変化し、回動中心軸２７（第１の弾性連結部２５）を軸に、基体２の板面（図１における紙面）に対して傾斜するように振動（回動）する。
そして、この第１の質量部２１、２２の振動（駆動）に伴って、第２の弾性連結部２６を介して連結されている第２の質量部２３も、回動中心軸２７（第２の弾性連結部２６）を軸に、基体２の板面（図１における紙面）に対して傾斜するように振動（回動）する。

ここで、このアクチュエータ１では、前述したように、対向基板３における、第２の質量部２３に対応する部分に、開口部３１が形成され、また、図２にて基体２の下面に空間２８が形成され、かつ、平面視で第１の質量部２１、２２が空間（凹部）２８内に位置するように設けられている。
このような構成により、第２の質量部２３が振動し得るスペース、および、第１の質量部２１、２２が振動し得るスペースとして、大きなスペースが確保されている。したがって、第１の質量部２１、２２の質量を比較的小さく設定すること等により、第１の質量部２１、２２を大きな振れ角で振動させた場合や、さらに第２の質量部２３が共振によって大きな振れ角で振動した場合でも、各質量部２１、２２、２３（２自由度振動系）が対向基板３に接触することを好適に防止することができる。

このため、このようなアクチュエータ１を、例えば光スキャナに適用した場合には、より解像度の高いスキャニングを行うことが可能となる。
ここで、第１の質量部２１の回動中心軸２７に対して、ほぼ垂直な方向（長手方向）の端部２１１との間の距離（長さ）をＬ_１とし、第１の質量部２２の回動中心軸２７に対して、ほぼ垂直な方向（長手方向）の端部２２１との間の距離（長さ）をＬ_２とし、第２の質量部２３の回動中心軸２７に対して、ほぼ垂直な方向の端部２３２との間の距離（長さ）をＬ_３としたとき、本実施形態では、第１の質量部２１、２２が、それぞれ独立して設けられているため、第１の質量部２１、２２と、第２の質量部２３とが干渉せず、第２の質量部２３の大きさ（長さＬ_３）にかかわらず、Ｌ_１およびＬ_２を小さくすることができる。これにより、第１の質量部２１、２２の回転角度（振れ角）を大きくすることができ、第２の質量部２３の回転角度を大きくすることができる。

また、Ｌ_１およびＬ_２を小さくすることにより、第１の質量部２１、２２と各電極３２との間の距離を小さくすることができ、これにより、静電気力が大きくなり、第１の質量部２１、２２と各電極３２に印加する交流電圧を小さくすることができる。
ここで、第１の質量部２１、２２および第２の質量部２３の寸法は、それぞれ、Ｌ_１＜Ｌ_３かつＬ_２＜Ｌ_３なる関係を満足するよう設定されるのが好ましい。

前記関係を満たすことにより、Ｌ_１およびＬ_２をより小さくすることができ、第１の質量部２１、２２の回転角度をより大きくすることができ、第２の質量部２３の回転角度をさらに大きくすることができる。
この場合、第２の質量部２３の最大回転角度が、２０°以上となるように構成されるのが好ましい。

また、このように、Ｌ_１およびＬ_２を小さくすることにより、第１の質量部２１、２２と各電極３２との間の距離をより小さくすることができ、第１の質量部２１、２２と各電極３２に印加する交流電圧をさらに小さくすることができる。
これらによって、第１の質量部２１、２２の低電圧駆動と、第２の質量部２３の大回転角度での振動（回動）とを実現することができる。

このため、このようなアクチュエータ１を、例えばレーザープリンタや、走査型共焦点レーザー顕微鏡等の装置に用いられる光スキャナに適用した場合には、より容易に装置を小型化することができる。
なお、前述したように、本実施形態では、Ｌ_１とＬ_２とはほぼ等しく設定されているが、Ｌ_１とＬ_２とが異なっていてもよいことは言うまでもない。

ところで、このような質量部２１、２２、２３よりなる振動系（２自由度振動系）では、第１の質量部２１、２２および第２の質量部２３の振幅（振れ角）と、印加する交流電圧の周波数との間に、図５に示すような周波数特性が存在している。
すなわち、かかる振動系は、第１の質量部２１、２２の振幅と、第２の質量部２３の振幅とが大きくなる２つの共振周波数ｆｍ_１［ｋＨｚ］、ｆｍ_３［ｋＨｚ］（ただし、ｆｍ_１＜ｆｍ_３）と、第１の質量部２１、２２の振幅がほぼ０となる、１つの反共振周波数ｆｍ_２［ｋＨｚ］とを有している。

この振動系では、第１の質量部２１、２２と電極３２との間に印加する交流電圧の周波数Ｆが、２つの共振周波数のうち低いもの、すなわち、ｆｍ_１とほぼ等しくなるように設定するのが好ましい。これにより、第１の質量部２１、２２の振幅を抑制しつつ、第２の質量部２３の振れ角（回転角度）を大きくすることができる。
なお、本明細書中では、Ｆ［ｋＨｚ］とｆｍ_１［ｋＨｚ］とがほぼ等しいとは、（ｆｍ_１−１）≦Ｆ≦（ｆｍ_１＋１）の条件を満足することを意味する。

第１の質量部２１、２２の平均厚さは、それぞれ、１〜１５００μｍであるのが好ましく、１０〜３００μｍであるのがより好ましい。
第２の質量部２３の平均厚さは、１〜１５００μｍであるのが好ましく、１０〜３００μｍであるのがより好ましい。
第１の弾性連結部２５のばね定数ｋ_１は、１×１０^−４〜１×１０^４Ｎｍ/ｒａｄであるのが好ましく、１×１０^−２〜１×１０^３Ｎｍ/ｒａｄであるのがより好ましく、１×１０^−１〜１×１０^２Ｎｍ/ｒａｄであるのがさらに好ましい。これにより、第２の質量部２３の回転角度（振れ角）をより大きくすることができる。

一方、第２の弾性連結部２６のばね定数ｋ_２は、１×１０^−４〜１×１０^４Ｎｍ/ｒａｄであるのが好ましく、１×１０^−２〜１×１０^３Ｎｍ/ｒａｄであるのがより好ましく、１×１０^−１〜１×１０^２Ｎｍ/ｒａｄであるのがさらに好ましい。これにより、第１の質量部２１、２２の振れ角を抑制しつつ、第２の質量部２３の振れ角をより大きくすることができる。

また、第１の弾性連結部２５のばね定数ｋ_１と第２の弾性連結部２６のばね定数をｋ_２とは、ｋ_１＞ｋ_２なる関係を満足するのが好ましい。これにより、第１の質量部２１、２２の振れ角を抑制しつつ、第２の質量部２３の回転角度（振れ角）をより大きくすることができる。
さらに、第１の質量部２１、２２の慣性モーメントをＪ_１とし、第２の質量部２３の慣性モーメントをＪ_２としたとき、Ｊ_１とＪ_２とは、Ｊ_１≦Ｊ_２なる関係を満足することが好ましく、Ｊ_１＜Ｊ_２なる関係を満足することがより好ましい。これにより、第１の質量部２１、２２の振れ角を抑制しつつ、第２の質量部２３の回転角度（振れ角）をより大きくすることができる。

ところで、第１の質量部２１、２２と第１の弾性連結部２５、２５とからなる第１の振動系の固有振動数ω_１は、第１の質量部２１、２２の慣性モーメントＪ_１と、第１の弾性連結部２５のばね定数ｋ_１とにより、ω_１＝（ｋ_１／Ｊ_１）^１／２によって与えられる。一方、第２の質量部２３と第２の弾性連結部２６、２６とからなる第２の振動系の固有振動数ω_２は、第２の質量部２３の慣性モーメントＪ_２と、第２の弾性連結部２６のばね定数ｋ_２とにより、ω_２＝（ｋ_２／Ｊ_２）^１／２によって与えられる。
このようにして求められる第１の振動系の固有振動数ω_１と第２の振動系の固有振動数ω_２とは、ω_１＞ω_２なる関係を満足するのが好ましい。これにより、第１の質量部２１、２２の振れ角を抑制しつつ、第２の質量部２３の回転角度（振れ角）をより大きくすることができる。

なお、本実施形態の振動系は、一対の第１の弾性連結部２５および一対の第２の弾性連結部２６のうち少なくとも１つが、その内部にピエゾ抵抗素子を備えたものであるのが好ましい。これにより、例えば、回転角度および回転周波数を検出したりすることができ、また、その検出結果を、第２の質量部２３の姿勢の制御に利用することができる。
このようなアクチュエータ１は、例えば、次のようにして製造することができる。
図６、図７は、それぞれ、第１実施形態のアクチュエータの製造方法を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下では、説明の便宜上、図６、図７中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

［Ａ１］ まず、図６（ａ）に示すように、シリコン基板５を用意する。
次に、シリコン基板５の一方の面に、図６（ｂ）に示すように、支持部２４と各質量部２１、２２、２３との形状に対応するように、例えば、アルミニウム等により金属マスク６を形成する。
そして、図６（ｃ）に示すように、シリコン基板５の他方の面に、フォトレジストを塗布し、露光、現像を行う。これにより、図６（ｃ）に示すように、支持部２４の形状に対応するように、レジストマスク７を形成する。なお、レジストマスク７の形成は、金属マスク６の形成よりも先に行ってもよい。

次に、このレジストマスク７を介して、シリコン基板５の前記他方の面をエッチングした後、レジストマスク７を除去する。これにより、図６（ｄ）に示すように、支持部２４に対応する部分以外の領域に凹部５１が形成される。
エッチング方法としては、例えば、プラズマエッチング、リアクティブイオンエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等の物理的エッチング法、ウェットエッチング等の化学的エッチング法等のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、以下の各工程におけるエッチングにおいても、同様の方法を用いることができる。

次に、金属マスク６を介して、シリコン基板５の前記一方の面側を、前記凹部５１に対応する部分が貫通するまでエッチングする。
そして、金属マスク６を除去した場合、この後、第２の質量部２３上に金属膜を成膜し、光反射部２３１を形成する。
なお、ここで、シリコン基板５をエッチングを行った後、金属マスク６は除去してもよく、除去せずに残存させてもよい。金属マスク６を除去しない場合、第２の質量部２３上に残存した金属マスク６は光反射部２３１として用いることができる。

金属膜の成膜方法としては、真空蒸着、スパッタリング（低温スパッタリング）、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、電解メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、金属箔の接合等が挙げられる。なお、以下の各工程における金属膜の成膜においても、同様の方法を用いることができる。
以上の工程により、図６（ｅ）に示すように、各質量部２１、２２、２３および支持部２４が一体的に形成された構造体、すなわち基体２が得られる。

［Ａ２］ 次に、図７（ｆ）に示すように、対向基板３を形成するためのシリコン基板９を用意する。
そして、シリコン基板９の一方の面に、開口部３１を形成する領域を除いた部分に対応するように、例えば、アルミニウム等により金属マスクを形成する。
次に、この金属マスクを介して、シリコン基板９の一方の面側をエッチングした後、金属マスクを除去する。これにより、開口部３１が形成された対向基板３が得られる。

しかる後に、可動イオンを含むガラスで対向基板３の一方の面に成膜して、図７（ｇ）に示すように、対向基板３上に接合層４を形成する。
接合層４を構成するガラスとしては、可動イオン（拡散イオン）を含むガラスであれば、特に限定されない。
特に、このようなガラスの中でも、パイレックスガラス（登録商標）などの硼珪酸ガラスを用いることが好ましい。これにより、硼珪酸ガラス中の可動イオンが接合層４が基体２と対向基板３との陽極接合時に好適に作用するので、基体２と接合層４との間の界面と、対向基板３と接合層４との間の界面とで強固な静電気力が発生し、陽極接合がより確実に行われる。

また、接合層４を構成するガラスは、ナトリウムなどのアルカリ金属が添加されているものが好ましい。これにより、接合層４を構成するガラス中のアルカリ金属イオンが可動イオンとしての機能を好適に発揮するので、接合層４が基体２と対向基板３との陽極接合をより確実に行わせしめる。
また、接合層４の平均厚さは、１〜３０μｍであるのが好ましく、１０〜２０μｍであるのがより好ましい。これにより、後述の工程で、より確実に、接合層４を介して、基体２と対向基板３とを陽極接合することができる。

これに対し、接合層４の平均厚さが前記下限値未満であると、基体２や対向基板３の表面粗さなどによっては、接合層４の厚さが不均一となって、基体２と対向基板３との接合強度を十分なものとすることができないおそれがある。一方、接合層４の平均厚さが前記上限値を超えると、陽極接合時における加熱や電圧などの条件によっては、基体２と対向基板３との接合強度を十分なものとすることができないおそれがある。

また、接合層４の熱膨張係数と、基体２および対向基板３の熱膨張係数との差は、５０×１０^−７℃^−１以下であるのが好ましく、１〜３０×１０^−７℃^−１であるのがより好ましい。これにより、接合層４を介して、基体２と対向基板３とをより強固に陽極接合することができるとともに、陽極接合後に、温度変化などによって基体２と対向基板３との接合部がこれらと接合層との熱膨張差に起因して損傷するのをより確実に防止できる。また、陽極接合後に、基体２および対向基板３と接合層４との間に生じる残留応力を低減できるので、外部から衝撃によって基体２と対向基板３との接合部が損傷するのをより確実に防止できる。

次に、接合層４上に、図７（ｈ）に示すように、電極３２を形成する。これにより、接合層４の厚さを調整することで、電極３２と第１の質量部２１、２２との間のギャップを調整することができる。
電極３２は、接合層４に金属膜を成膜し、電極３２の形状に対応するマスクを介して金属膜をエッチングを行った後、マスクを除去することにより形成することができる。

次に、図７（ｉ）に示すように、前記工程［Ａ１］で得られた構造体の基体２と、前記工程［Ａ２］で接合層４が成膜された対向基板３とを、陽極接合により接合してアクチュエータ１を得る。
陽極接合における基体２および対向基板３と接合層４との間に印加される電圧は、基体２と対向基板３との陽極接合がなされれば、特に限定はされないが、２００〜２０００Ｖであるのが好ましく、５００〜１０００Ｖであるのがより好ましい。これにより、接合層４を介して基体２と対向基板３との陽極接合がより確実にそしてより強固になされる。

また、陽極接合における接合層４の加熱温度は、基体２と対向基板３との陽極接合がなされれば、特に限定はされないが、３００〜５００℃であるのが好ましく、３００〜４００℃であるのがより好ましい。これにより、接合層４を介して基体２と対向基板３との陽極接合がより確実にそしてより強固になされる。
以上のようにして、第１実施形態のアクチュエータ１が製造される。

このような製造方法では、基体２および対向基板３をともにシリコンを主材料として構成し、接合層４を介して陽極接合により基体２と対向基板３とを接合するので、直接接合等に比し、小さなエネルギーで、かつ、強固に、基体２と対向基板３とを接合できる。
また、基体２のみならず、対向基板３をシリコンを主材料として構成するので、対向基板３に開口部３１を精度よく形成できる。これにより、第２の質量部２３の回動スペースを開口部３１で確保しつつ、左右の電極３２同士間の距離を小さくすることができる。換言すれば、電極３２をより第２の質量部２３寄りに配置して、第１の質量部２１と第１の質量部２２との間の距離を小さくできる。その結果、装置の左右方向での寸法を小さくでき、装置の小型化が図れる。

また、本実施形態では、基体２を、高価なＳＯＩ基板を用いることなく、シリコンを主材料とする安価なシリコン基板５のみから作るので、安価にアクチュエータ１を得ることができる。
また、本実施形態では、シリコン基板５（基体２）に凹部５１（空間２８）を形成することで、各質量部２１、２２、２３と対向基板３との接触を防止するとともに、各質量部２１、２２、２３の低質量化が図られるので、駆動電圧の低電圧化、および、各質量部２１、２２、２３の高周波数化を図ることができる。

＜第２実施形態＞
次に、本発明のアクチュエータの第２実施形態について説明する。
前述の第１実施形態ではシリコン基板５から基体２を形成したが、本実施形態では、ＳＯＩ基板５’から基体２’を形成し、これを用いて、アクチュエータを製造する。
図８、図９は、第２実施形態の製造方法を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下では、説明の便宜上、図６、図７中の上側を「上」、下側を「下」と言う。また、前述の第１実施形態と同様の事項に関しては、その説明を省略する。

［Ｂ１］ まず、図８（ａ）に示すように、Ｓｉ層、ＳｉＯ_２層、Ｓｉ層が順次積層されたＳＯＩ基板５’を用意する。
次に、ＳＯＩ基板５’の一方の面に、図８（ｂ）に示すように、支持部２４と各質量部２１、２２、２３との形状に対応するように、例えば、アルミニウム等により金属マスク６を形成する。

そして、図８（ｃ）に示すように、ＳＯＩ基板５’の他方の面に、フォトレジストを塗布し、露光、現像を行う。これにより、図８（ｃ）に示すように、支持部２４の形状に対応するように、レジストマスク７を形成する。なお、レジストマスク７の形成は、金属マスク６の形成よりも先に行ってもよい。
次に、このレジストマスク７を介して、ＳＯＩ基板５’の前記他方の面をエッチングした後、レジストマスク７を除去する。これにより、図８（ｄ）に示すように、支持部２４’に対応する部分以外の領域に凹部５１が形成される。このとき、ＳＯＩ基板５’の中間層たるＳＩＯ_２層は、前記エッチングのストップ層として機能する。
エッチング方法としては、前述の第１実施形態と同様のものを用いることができる。

次に、金属マスク６を介して、ＳＯＩ基板５’の前記一方の面側を、前記凹部５１に対応する部分が貫通するまでエッチングする。
そして、金属マスク６を除去した場合、この後、第２の質量部２３上に金属膜を成膜し、光反射部２３１を形成する。
金属膜の成膜方法としては、前述の第１実施形態と同様のものを用いることができる。
ついで、ＳＯＩ基板５’に、可動イオンを含むガラスで成膜して、接合層４’を形成する。
前記ガラスとしては、前述の第１実施形態と同様のものを用いることができる。
以上の工程により、図８（ｅ）に示すように、各質量部２１、２２、２３および支持部２４を有する基体２に接合層４’を設けたものが得られる。

［Ｂ２］ 次に、図９（ｆ）に示すように、対向基板３を形成するためのシリコン基板９を用意する。
そして、シリコン基板９の一方の面に、開口部３１を形成する領域を除いた部分に対応するように、例えば、アルミニウム等により金属マスクを形成する。
次に、この金属マスクを介して、シリコン基板９の一方の面側をエッチングした後、金属マスクを除去する。これにより、図９（ｇ）に示すように、開口部３１が形成された対向基板３が得られる。

次に、対向基板３上に、図９（ｈ）に示すように、電極３２を形成する。
電極３２は、対向基板３に金属膜を成膜し、電極３２の形状に対応するマスクを介して金属膜をエッチングを行った後、マスクを除去することにより形成することができる。
次に、図９（ｉ）に示すように、前記工程［Ｂ１］で得られた構造体の基体２’と、前記工程［Ｂ２］で接合層４’が成膜された対向基板３とを、陽極接合により接合してアクチュエータ１’を得る。
以上のようにして、アクチュエータ１’を得ることができる。

本実施形態の製造方法にあっては、特に、接合層４’を基体２’の支持部２４’部のみに、基体２’と対向基板３との接合に必要な最小限の材料で形成するので、低コスト化を図ることができる。
なお、本実施形態では、接合層４’を基体２’の支持部２４’部に成膜した後に、基体２’と対向基板３とを接合したが、接合層４’を対向基板３の支持部２４’に対応する部分に成膜した後に、基体２’と対向基板３とを接合してもよい。

＜第３実施形態＞
次に、本発明のアクチュエータの第３実施形態について説明する。
図１０は、本発明のアクチュエータの第３実施形態を示す平面図（内部透視図）である。なお、以下では、説明の便宜上、図１０中の紙面手前側を「上」、紙面奥側を「下」、右側を「右」、左側を「左」と言う。

以下、第３実施形態のアクチュエータについて、前記第１実施形態のアクチュエータとの相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第３実施形態のアクチュエータは、支持部２４と、第１の質量部２１、２２と、第２の質量部２３との連結構造が異なり、それ以外は、前記第１実施形態のアクチュエータ１と同様である。

すなわち、図１０に示すように、第１の質量部２１、２２が支持部２４に二対の第１の弾性連結部２５’を介して連結され、また、第２の質量部２３が第１の質量部２１、２２に二対の第２の弾性連結部２６’を介して連結されている。
このような第３実施形態のアクチュエータ１によっても、前記第１実施形態のアクチュエータと同様に製造することができ、また作用・効果が得られる。

特に、本実施形態においては、第１の質量部２１、２２および第２の質量部２３を、それぞれ、二対の弾性連結部を介して連結することにより、より確実に第２の質量部２３の振幅（回転）を制御することができる。
なお、本実施形態のように、二対の第１の弾性連結部２５’と二対の第２の弾性連結部２６’を有する場合、前記実施形態で説明したばね定数ｋ_１、ｋ_２は、ほぼ同じ位置で連結している２つの弾性連結部を一体的なものとみなして求められるものである。
また、このようなアクチュエータ１は、基体２’’の製造工程において、第１の弾性連結部２５’と第２の弾性連結部２６’の形状が前述したような形状をなしている以外は、前述の第１実施形態と同様の方法によって、製造することができる。すなわち、基体２’’と対向基板３とを、可動イオンを含む接合層を介して陽極接合することができる。

＜第４実施形態＞
次に、本発明のアクチュエータの第４実施形態について説明する。
図１１は、本発明のアクチュエータの第４実施形態を示す平面図（内部透視図）である。なお、以下では、説明の便宜上、図１１中の紙面手前側を「上」、紙面奥側を「下」、右側を「右」、左側を「左」と言う。

以下、第４実施形態のアクチュエータについて、前記第１実施形態のアクチュエータとの相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第４実施形態のアクチュエータは、電磁力（ローレンツ力）により駆動するように構成され、それ以外は、前記第１実施形態のアクチュエータ１と同様である。
すなわち、図１１に示すアクチュエータ１は、支持部２４に絶縁膜（図示せず）を介して設けられた４つの端子１０と、第１の質量部２１、２２の上面に設けられたコイル２０と、第１の質量部２１、２２を介して弾性連結部（回動中心軸２７）を中心に対向（ほぼ対称に）配置された一対の永久磁石４０とを有している。

一対の永久磁石４０は、Ｓ極とＮ極とが互いに向かい合うようにして、対向基板３に固定設置されている。
また、コイル２０の端部は、端子１０と接続されている。
端子１０は、図示せぬ電源に接続されており、コイル２０に交流電圧を印加できるようになっている。

本実施形態のアクチュエータでは、コイル２０に交流電圧を印加すると、コイル２０（第１の質量部２１、２２）と永久磁石４０との間でローレンツ力が生じ、そのローレンツ力によって、第１の質量部２１、２２が回動（駆動）し、この第１の質量部２１、２２の駆動に伴って、第２の質量部２３が回動（駆動）する。
このような第４実施形態のアクチュエータによっても、前記第１実施形態のアクチュエータと同様に製造することができ、また同様の作用・効果が得られる。
具体的には、基体２’’’と対向基板３とを、可動イオンを含む接合層を介して陽極接合することができる。

＜第５実施形態＞
次に、本発明のアクチュエータの第５実施形態について説明する。
図１２は、本発明のアクチュエータの第５実施形態を示す平面図（内部透視図）である。なお、以下では、説明の便宜上、図１２中の紙面手前側を「上」、紙面奥側を「下」、右側を「右」、左側を「左」と言う。

以下、第５実施形態のアクチュエータについて、前記第１実施形態のアクチュエータとの相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第５実施形態のアクチュエータは、ピエゾアクチュエータにより駆動するように構成され、それ以外は、前記第１実施形態のアクチュエータ１と同様である。
すなわち、図１２に示すアクチュエータ１は、第１の質量部２１、２２の上面の端部に、それぞれ、１つのピエゾアクチュエータ（圧電素子を備えたアクチュエータ）４００が設けられている。

このアクチュエータ１では、ピエゾアクチュエータ４００の駆動により、第１の質量部２１、２２にひずみ（伸縮）が生じ、そのひずみによって、第２の質量部２３を回動（駆動）する。
このような第５実施形態のアクチュエータ１によっても、前記第１実施形態のアクチュエータと同様に製造することができ、また同様の作用・効果が得られる。

具体的には、基体２’’’’と対向基板３とを、可動イオンを含む接合層を介して陽極接合することができる。
特に、本実施形態においては、ピエゾアクチュエータ４００を第１の質量部２１、２２に設けたことにより、電極３２が不要になり、生産コストを下げることができる。また、電極３２を不要とすることにより、開口部３１の左右方向での寸法を、第１の質量部２１、２２に対応する位置にまで大きくすることができる。これにより、第１の質量部２１、２２の回転角度をより大きくすることができる。

また、本実施形態では、第１の質量部２１、２２に、１つの（１層の）ピエゾアクチュエータ４００を設けたが、これに限らず、例えば、バイモルフ型ピエゾアクチュエータ（２層構造のピエゾアクチュエータのうち、一方のピエゾアクチュエータを圧縮方向に振動させ、他方のピエゾアクチュエータを伸長方向に振動させる撓み振動を生じさせるアクチュエータ）等の２つ（２層）以上のピエゾアクチュエータを設けてもよい。

なお、本実施形態では、ピエゾアクチュエータ４００を第１の質量部２１、２２の上面の端部にそれぞれ設けたが、これに限らず、例えば、第１の質量部２１、２２の上面の全面に設けてもよいし、第１の質量部２１、２２の下面（対向基板３２側の面）の端部または全面に設けてもよい。
以上説明したようなアクチュエータは、例えば、レーザープリンタ、バーコードリーダー、走査型共焦点レーザー顕微鏡等の光スキャナ、イメージング用ディスプレイ等に好適に適用することができる。

以上、本発明のアクチュエータおよびその製造方法について、図示の各実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
例えば、前述の第１実施形態および第２実施形態では、基体または対向基板に接合層を成膜した後にこれらを陽極接合したが、基体および対向基板の両方に接合層を成膜した後にこれらを接合してもよい。また、可動イオンを含むガラスを基体と対向基板との間に介在させた状態で、基体と対向基板との陽極接合してもよい。例えば、シート状や粉状などのガラスを基体と対向基板との間に介在させ、ガラスを陽極接合時の加熱により溶融させて接合層とするとともに、基体と対向基板とを陽極接合するようにしてもよい。

また、例えば、本発明のアクチュエータは、前記第１〜第５実施形態のうちの任意の２以上の構成を組み合わせるようにしてもよい。
また、本発明のアクチュエータでは、各部の構成は、同様の機能を発揮する任意の構成のものに置換することができ、また、任意の構成を付加することもできる。
また、前述した実施形態では、第１の弾性連結部を一対または二対有するものとして説明したが、これに限定されず、例えば、三対以上であってもよい。

また、前述した実施形態では、第２の弾性連結部を一対または二対有するものとして説明したが、これに限定されず、例えば、三対以上であってもよい。
また、前述した実施形態では、光反射部２３１が第２の質量部２３の上面に設けられている構成について説明したが、例えば、その逆の面に設けられている構成であってもよいし、両方の面に設けられている構成であってもよい。

また、前述した第１〜第３実施形態では、対向基板３上に電極３２が設けられている構成について説明したが、対向基板３と第１の質量部２１、２２の両方に設けられていてもよい。
また、前述した第１〜第３実施形態では、第１の質量部２１、２２に対応する位置に、それぞれ一対の電極３２を設けたが、これに限らず、それぞれ、電極３２を１つ、もしくは３つ以上設けてもよい。

なお、第１の質量部２１、２２に対応する位置に、それぞれ１つの電極３２を設けた場合は、例えば、オフセット電圧を加えた、最小電位がグランド電位である正弦波（交流電圧）等を印加するのが好ましい。
また、前述した実施形態では、第１の弾性連結部および第２の弾性連結部の形状として図示の構成のものについて説明したが、これに限定されず、例えば、その形状が、クランク形状等であってもよいし、分岐した構造を有するものであってもよい。

また、前述した第１〜第３実施形態では、第１の質量部２１、２２の電極３２と対向する面に、短絡防止用の絶縁膜が設けられている構成について説明したが、例えば、このような絶縁膜は、電極３２の表面に設けられていてもよいし、両方に設けられていてもよい。
また、前述した第４実施形態では、コイル２０が第１の質量部２１、２２の上面に設けられている構成について説明したが、例えば、その逆の面に設けられていてもよいし、第１の質量部２１、２２の内部に設けられているものであってもよい。
また、前述した実施形態では、第１の質量部が一対で設けられる構成のものであったが、第１の質量部は、第２の質量部を囲むように設けられる構成のものであってもよい。

本発明のアクチュエータの第１実施形態を示す平面図である。 図１中のＡ−Ａ線断面図である。 図１に示すアクチュエータの電極の配置を示す平面図である。 印加する交流電圧の一例を示す図である。 印加した交流電圧の周波数と、第１の質量部および第２の質量部の共振曲線を示すグラフである。 第１実施形態のアクチュエータの製造方法を説明するための図である。 第１実施形態のアクチュエータの製造方法を説明するための図である。 第２実施形態のアクチュエータの製造方法を説明するための図である。 第２実施形態のアクチュエータの製造方法を説明するための図である。 本発明のアクチュエータの第３実施形態を示す平面図である。 本発明のアクチュエータの第４実施形態を示す平面図である。 本発明のアクチュエータの第５実施形態を示す平面図である。 従来のアクチュエータを説明するための図である。

符号の説明

１、１’……アクチュエータ ２、２’、２’’、２’’’、２’’’’……基体 ２１、２２……第１の質量部 ２１１、２２１……端部 ２３……第２の質量部 ２３１……光反射部 ２３２……端部 ２４、２４’……支持部 ２５、２５’……第１の弾性連結部 ２６、２６’……第２の弾性連結部 ２７……回動中心軸 ２８……空間 ３……対向基板 ３１……開口部 ３２……電極 ４、４’……接合層 ３４……スペーサ ５、５’……シリコン基板 ５１……凹部 ６……金属マスク ７……レジストマスク ９……シリコン基板 １０……端子 ２０……コイル ４０……永久磁石 ４００……ピエゾアクチュエータ Ｌ_１、Ｌ_２、Ｌ_３……距離 １２００……スペーサ １３００、１３００ａ、１３００ｂ、１３００ｃ……可動電極 １４００……固定電極 １５００……電源 １６００……スイッチ １０００……ガラス基板

Claims (16)

1. ２自由度振動系を有する基体に、前記２自由度振動系に対向するように対向基板を接合して、アクチュエータを得るアクチュエータの製造方法であって、
   少なくとも前記接合に供される部分がシリコンを主材料として構成された前記基体と、シリコンを主材料として構成された前記対向基板との間に、可動イオンを含むガラスを介在させた状態で、前記基体と前記対向基板とを陽極接合することを特徴とするアクチュエータの製造方法。
2. ２自由度振動系を有する基体に、前記２自由度振動系に対向するように対向基板を接合して、アクチュエータを得るアクチュエータの製造方法であって、
   少なくとも前記接合に供される部分がシリコンを主材料として構成された前記基体と、シリコンを主材料として構成された前記対向基板との少なくとも一方に、主として可動イオンを含むガラスで構成された接合層を形成する第１の工程と、
   前記接合層を介して前記基体と前記対向基板とを陽極接合する第２の工程とを有することを特徴とするアクチュエータの製造方法。
3. 前記第１の工程では、前記基体に前記接合層を形成する請求項２に記載のアクチュエータの製造方法。
4. 前記第１の工程では、前記対向基板に前記接合層を形成する請求項２または３に記載のアクチュエータの製造方法。
5. 前記基体は、前記２自由度振動系として、第１の質量部と、第２の質量部と、支持部と、前記第１の質量部を前記支持部に対して回動可能とするように前記第１の質量部と前記支持部とを連結する少なくとも一対の第１の弾性連結部と、前記第２の質量部を前記第１の質量部に対して回動可能とするように前記第１の質量部と前記第２の質量部とを連結する少なくとも一対の第２の弾性連結部とを有し、交流電圧の印加により、前記第１の質量部が回動駆動され、この回動駆動に伴い前記第２の質量部が回動されるものである請求項１ないし４のいずれかに記載のアクチュエータの製造方法。
6. 前記第１の工程では、前記接合層を、前記対向基板における前記基体との接合部位から前記第１の質量部に対応する部位にわたって形成し、しかる後に、前記接合層上の前記第１の質量部に対応する部位に電極を設ける請求項５に記載のアクチュエータの製造方法。
7. 前記基体は、前記対向基板側の面の前記第１の質量部および前記第２の質量部に対応する部位に、前記第２の質量部の回動のための空間をなす凹部が形成されている請求項５または６に記載のアクチュエータの製造方法。
8. 前記対向基板の前記第２の質量部に対応する位置には、前記第２の質量部が回動したとき、該第２の質量部が前記対向基板に接触するのを防止するための逃げ部が形成されている請求項５ないし７のいずれかに記載のアクチュエータの製造方法。
9. 前記第２の工程に先立って、前記対向基板の前記基体側の面の前記第１の質量部に対応する部位に電極を設ける請求項５ないし８のいずれかに記載のアクチュエータの製造方法。
10. 前記基体の全体が、シリコンを主材料として構成されている請求項１ないし９のいずれかに記載のアクチュエータの製造方法。
11. 前記ガラスは、硼珪酸ガラスである請求項１ないし１０のいずれかに記載のアクチュエータの製造方法。
12. 前記ガラスは、アルカリ金属が添加されたものである請求項１ないし１１のいずれかに記載のアクチュエータの製造方法。
13. 前記接合層の平均厚さは、１〜３０μｍである請求項１ないし１２のいずれかに記載のアクチュエータの製造方法。
14. 前記接合層の熱膨張係数と、前記基体および前記対向基板の熱膨張係数との差は、５０×１０^−７℃^−１以下である請求項１ないし１３のいずれかに記載のアクチュエータの製造方法。
15. 請求項１ないし１４のいずれかに記載の製造方法によって製造されたことを特徴とするアクチュエータ。
16. ２自由度振動系を有する基体と、前記２自由度振動系に対向して前記基板に接合される対向基板とを有し、前記基体のうちの少なくとも前記対向基板と接合される部分がシリコンを主材料として構成されているアクチュエータであって、
    前記対向基板は、シリコンを主材料として構成され、
    前記基体と前記対向基板とが、可動イオンを含むガラスで構成された接合層を介して、陽極接合されていることを特徴とするアクチュエータ。
    

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