JP2006100775A5

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Publication number: JP2006100775A5
Application number: JP2005091336A
Authority: JP
Filing date: 2005-03-28
Publication date: 2006-12-14
Anticipated expiration: 2025-03-28

Claims

バンプを形成する方法であって、
（１）複数の電極が形成された基板を用意する工程と、
（２）前記基板上に、はんだ粉及び対流添加剤を含有する樹脂を供給する工程と、
（３）前記基板を前記はんだ粉が溶融する温度に加熱し、前記対流添加剤が前記樹脂中を対流する工程と
を含む、前記電極上にバンプを形成する方法。
前記基板を加熱する工程（３）は、前記対流添加剤の沸点よりも高い温度で行なわれることを特徴とする、請求項１に記載のバンプ形成方法。
前記基板を加熱する工程（３）において、前記はんだ粉は、溶融状態で前記樹脂中を対流することを特徴とする、請求項１または２に記載のバンプ形成方法。
前記対流添加剤は、溶剤、グリセリン、ワックス、イソプロピルアルコール、酢酸ブチル、ブチルカルビトールおよびエチレングリコールよりなる群から選ばれた１種もしくは２種以上からなることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一つに記載のバンプ形成方法。
前記はんだ粉は、略同一の粒径を有していることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一つに記載のバンプ形成方法。
前記基板を加熱する工程（３）において、前記基板上に供給された前記樹脂表面に平板を当接させながら、前記基板を加熱することを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一つに記載のバンプ形成方法。
前記基板上に形成された電極と前記平板との間に、一定の幅の隙間が形成されるように平板を保持することを特徴とする、請求項６に記載のバンプ形成方法。
前記基板を加熱する工程（３）において、前記基板上に形成された電極と前記平板との間に設けられた一定の隙間は、前記はんだ粉の粒径よりも広いことを特徴とする請求項７に記載のバンプ形成方法。
前記基板を加熱する工程（３）において、前記平板に一定の圧力を加えることによって、前記樹脂を押圧しながら、前記基板を加熱することを特徴とする、請求項６に記載のバンプ形成方法。
前記基板を加熱する工程（３）において、前記沸騰した対流添加剤は、前記基板と前記平板との間に設けられた隙間の周辺部から、外部に蒸発することを特徴とする、請求項６〜９のいずれかに記載のバンプ形成方法。
前記平板の前記基板に対向する平面上に、前記基板に形成された複数の電極と対向する位置に、前記電極と略同一形状の金属パタ−ンが形成されていることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか一つに記載のバンプ形成方法。
前記基板を加熱する工程（３）において、前記電極上にバンプが形成された後、平板を除去することを特徴とする、請求項６〜１１のいずれか一つに記載のバンプ形成方法。
前記基板を冷却することなく、前記平板を除去し、前記電極上に、前記電極と前記平板と間に設けられた隙間の間隔よりも高いバンプを形成することを特徴とする、請求項１２に記載のバンプ形成方法。
前記基板を加熱する工程（３）の後、前記基板を冷却する工程を更に含み、
前記基板の冷却後、前記樹脂表面に当接されている平板を、前記樹脂表面から離間させることを特徴とする、請求項６〜１２のいずれか一つに記載のバンプ形成方法。
前記基板を加熱する工程（３）の後、前記基板を冷却する工程を含み、
前記基板の冷却後、前記樹脂を除去する工程を含むことを特徴とする、請求項１〜１４のいずれか一つに記載のバンプ形成方法。
前記基板を加熱する工程（３）は、前記樹脂の粘度が低下する温度で行われることを特徴とする、請求項１〜１５のいずれか一つに記載のバンプ形成方法。
前記基板上への樹脂の供給工程（１）において、前記樹脂は、少なくとも前記基板に形成された複数の電極を覆うように供給され、
前記基板を加熱する工程（３）において、前記溶融したはんだ粉を前記電極上に自己集合させることによって、前記電極上のみにバンプが形成されることを特徴とする、請求項１〜１６のいずれかに記載のバンプ形成方法。
前記複数の電極の表面に、前記はんだ粉に対して、ぬれ性の大きい金属膜が形成されていることを特徴とする、請求項１〜１７のいずれか一つに記載のバンプ形成方法。
前記複数の電極が形成されていない前記基板の表面は、前記はんだ粉に対して、ぬれ性の低い膜が形成されていることを特徴とする、請求項１〜１８のいずれか一つに記載のバンプ形成方法。
前記平板は、前記はんだ粉に対して、ぬれ性の低い材料でできていることを特徴とする、請求項６〜１４のいずれか一つに記載のバンプ形成方法。
前記はんだ粉は、鉛フリーはんだ材料からなることを特徴とする、請求項１〜２０のいずれか一つに記載のバンプ形成方法。
前記はんだ粉は、０．５〜３０体積％の割合で、前記樹脂中に含有されていることを特徴とする、請求項１〜２１のいずれか一つに記載のバンプ形成方法。
基板表面に形成された複数の電極上に形成されたはんだバンプであって、
前記はんだバンプは、前記基板上に供給された、はんだ粉および対流添加剤を含有する樹脂中のはんだ粉が溶融し、前記対流添加剤が前記樹脂中を対流して、前記電極上に自己集合して形成されたものであることを特徴とするはんだバンプ。
前記基板が、配線基板または半導体チップであることを特徴とする、請求項２３に記載のはんだバンプ。
前記はんだ粉は、鉛フリーはんだ材料からなることを特徴とする、請求項２３または２４に記載のはんだバンプ。
基板または半導体チップの電極上へのバンプ形成に用いるバンプ形成用樹脂組成物であって、
はんだ粉と対流添加剤を含有している樹脂から成り、前記対流添加剤の沸点は、前記はんだ粉の融点よりも低いことを特徴とするバンプ形成用樹脂組成物。
前記対流添加剤は、溶剤、グリセリン、ワックス、イソプロピルアルコール、酢酸ブチル、ブチルカルビトールおよびエチレングリコールよりなる群から選ばれた１種もしくは２種以上からなることを特徴とする、請求項２６に記載のバンプ形成用樹脂組成物。
樹脂は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、または光硬化性樹脂のいずれか一つを主成分とすることを特徴とする、請求項２６または２７に記載のバンプ形成用樹脂組成物。