DE102006016276B3 - Verfahren zum Aufbringen von Lotpartikeln auf Kontaktflächen sowie hierfür geeignete Lotpartikel und Bauteile mit Kontaktflächen - Google Patents
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Abstract
Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zum Aufbringen einer Lage (18) von Lotpartikeln (16) auf Kontaktflächen (14) eines Bauteils (13). Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass zum Aufbringen der Lotpartikel (16) ein Prozess der Selbstorganisation genutzt wird, der beispielsweise durch Alkanthiol-Moleküle (15) hervorgerufen werden kann. Diese stellen die Bindeglieder zwischen den Kontaktflächen (14) und den Lotpartikeln (16) dar, wobei letztere zur Unterstützung des Prozesses der Selbstorganisation mit einer Wachsschicht (17) versehen sind. Durch Nutzung eines Prozesses der Selbstorganisation ist vorteilhaft eine wirtschaftliche und präzise Dosierung von Lotwerkstoff auf Kontaktflächen (14) vom Bauteil (13) möglich. Weiterhin unter Schutz gestellt sind Bauteile (13) und Lotpartikel (16), die zur Anwendung des Belotungsverfahrens nach dem Prinzip der Selbstorganisation vorbereitet sind.
Description
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Aufbringen einer Lage von Lotpartikeln auf Kontaktflächen zur Herstellung einer elektrischen Verbindung.
- Ein Verfahren der eingangs genannten Art ist beispielsweise aus der US 2004/0078966 A1 bekannt. Auf die Kontaktflächen eines Schaltungsträgers können dünne Lotschichten dadurch aufgebracht werden, dass die Kontaktflächen zunächst mit einem Kleber beschichtet werden. Nach Vorbeschichtung der Kontaktflächen können Lotpartikel auf den Schaltungsträger aufgebracht werden, wobei diese nur an den durch Klebstoff vorbereiteten Kontaktflächen haften bleiben. Hierdurch entsteht eine einlagige Schicht von Lotpartikeln auf der vorbereiteten Klebstoffschicht, die bei der Weiterverarbeitung das Lotdepot zur Herstellung einer elektrischen Verbindung darstellen.
- Weiterhin ist aus dem Stand der Technik bekannt, dass elektronische Bauteile mittels Prozessen zur Selbstorganisation an geeigneten Stellen von Schaltungsträgern montiert werden können.
- Die Nutzung von Prozessen zur Selbstorganisation (auch self-assembly genannt) wird bereits für das Platzieren von elektrisch kontaktierbaren Bauelementen auf Schaltungsträgern verwendet. Gemäß A. O'Riordan: „Field-configured self-assembly: manufacturing at the mesoscale", Materials Science and Engineering C 23 (2003), Seiten 3-6 ist beispielsweise ein Verfahren bekannt, mit dem lichtemittierende Dioden in einer großen Menge auf einem Schaltungsträger platziert werden können. Hierdurch lassen sich mit geringem Fertigungsaufwand beispielsweise großflächige Displays herstellen. Der Prozess der Selbstorganisation wird durch geeignete elektrische Felder unterstützt, die die zu montierenden Leuchtdioden auf die vorbereiteten Montageplätze leiten, da hierdurch ein energetisch günstiger Zustand erreicht wird.
- Weiterhin beschreiben H.O. Jacobs und andere in „Fabrication of a Cylindrical Display by Patterned Assembly", Science, Vol 296, 12. April 2002, Seiten 323 bis 325 ein Verfahren, bei dem zu montierende Bauelemente (Leuchtdioden) in Wasser suspendiert werden und diese sich auf einem Substrat mit geeignet vorbereiteter Oberfläche ablegen. Hierbei werden Goldkontaktflächen der Bauelemente genutzt, die sich auf dem Array geeigneter Oberflächenbereiche des Substrates anlagern. Nach der selbst organisierten Bestückung kann auf die bestückten Bauelemente beispielsweise eine Folie zur weiteren Kontaktierung der Bauelemente auf die Rückseiten der Bauelemente aufgebracht werden.
- Gemäß Yeh und Smith, „Fluidic Self-Assembly of Microstructures and its Application to the Integration of GaAs on Si", IEEE (1994), Seiten 279 bis 284 ist es weiterhin bekannt, einen selbst organisierten Bestückungsprozess von Leuchtdioden dadurch zu erreichen, dass spezielle Leuchtdioden mit einem trapezförmigen Querschnitt hergestellt werden, welche sich in geeigneten Vertiefungen eines Substrates ablegen lassen. Die Selbstorganisation wird damit mittels eines Formschlusses (Schlüssel-Schloss-Prinzip) erreicht. Anschließend muss noch eine elektrische Kontaktierung der platzierten Leuchtdioden erfolgen.
- Xiong und andere beschreiben in „Controlled Multibatch Self-Assembly of Microdevices", IEEE (2003), Seiten 117 bis 127 ein Verfahren, mit dem ein selbst organisiertes Platzieren mit Hilfe geeignet vorbereiteter Flächen jeweils mit hydrophilen bzw. hydrophoben Eigenschaften erreicht werden kann. Die Bauelemente werden zur Durchführung dieses Prozesses in Wasser dispergiert, wobei in aufeinander folgenden Platzierungsschritten verschiedenartige Bauelemente auf die jeweils zu diesem Zweck modifizierten Oberflächenbereiche des Substrates aufgebracht werden können. Weiterhin ist eine elektrische Kontaktierung der einmal platzierten Bauelemente auf elektrochemischem Wege möglich. Dabei wächst das elektrische Verbindungsmaterial auf hierzu vorgesehenen Flächen der Bauelemente und des Substrates elektrochemisch auf, bis die Distanz zwischen den Bauelementen und dem Substrat durch den aufwachsenden Kontaktwerkstoff verbunden ist.
- Zuletzt ist in der US 2005/0048697 A1 ein Verfahren zum Aufbringen kleinster Röhrchen aus Kohlenstoff (Nanotubes) offenbart, mit deren Hilfe eine elektrische Verbindung hergestellt werden soll. Dabei werden die Nanotubes durch einen Prozess der Selbstorganisation auf die angrenzenden Kontaktflächen aufgetragen. Die Nanotubes weisen funktionelle Oberflächen zum Auslösen des Prozesses der Selbstorganisation auf.
- Alle der genannten Verfahren erfordern eine geeignete Vorbereitung des Substrates, um den Prozess der Selbstorganisation beim Platzieren der Bauelemente zu erzwingen. Allerdings müssen beim Vorbereiten der Schaltungsträger für den Prozess der Selbstorganisation auch die Gegebenheiten berücksichtigt werden, die sich beispielsweise durch die Geometrie oder andere Funktionsbereiche des Schaltungsträgers ergeben.
- Die Aufgabe besteht darin, ein Verfahren zum Aufbringen einer Lage von Lotpartikeln auf Kontaktflächen anzugeben, mit dem sich die Menge an Lotwerkstoff auf den Kontaktflächen präzise dosieren lässt und welches dabei einfach in der Anwendung ist.
- Diese Aufgabe wird mit dem eingangs angegebenen Verfahren erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass die Lotpartikel durch einen Prozess der Selbstorganisation auf die Kontaktflächen aufgetragen werden, wobei hierzu die Kontaktflächen und die Lotpartikel den Prozess der Selbstorganisation auslösende Oberflächen aufweisen. Damit die Oberflächen den Prozess der Selbstorganisation auslösen können, müssen diese geeignete Oberflächeneigenschaften aufweisen. Dies kann bereits durch die Eigenschaften des Werkstoffes für die Lotpartikel bzw. Kontaktflächen gegeben sein. Eine andere Möglichkeit liegt darin, die Kontaktflächen bzw. die Oberfläche der Lotpartikel mit einer geeigneten Beschichtung zu versehen, welche die notwendigen Eigenschaften aufweist, den Prozess der Selbstorganisation auszulösen.
- Die Nutzung eines Prozesses der Selbstorganisation für die Herstellung von Lotdepots auf Kontaktflächen hat den Vorteil, dass über die Größe der Lotpartikel, die eine Monolage auf den Kontaktflächen bilden, eine sehr genaue Dosierung des Lotwerkstoffes möglich ist. Anders, als beispielsweise mit herkömmlichen Schablonendruckverfahren kann außerhalb der Kontaktflächen nämlich kein überschüssiges Lot angelagert werden, da die Lotpartikel nur direkt an die Kontaktflächen angelagert werden können, die für den Prozess der Selbstorganisation vorbereitet sind. Gleichzeitig ist das Verfahren vorteilhaft auch sehr einfach durchzuführen, da der Prozess der Selbstorganisation ohne äußere Eingriffe auskommt um das Ergebnis in der gewünschten Qualität herbeizuführen. Bei der Auswahl von Funktionsprinzipien für den Prozess der Selbstorganisation kann auf die im Stand der Technik allgemein bekannten Funktionsprinzipien zurückgegriffen werden.
- Gemäß einer Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, dass der Prozess der Selbstorganisation durch Organothiol-Moleküle, insbesondere Alkanthiol-Moleküle, hervorgerufen wird, wobei die Moleküle als Bindeglied zwischen den Kontaktflächen und den Lotpartikeln zum Einsatz kommen. Organothiol- Moleküle unterstützen den Prozess der Selbstorganisation dahingehend, dass sie mit ihrer Thiol-Gruppe bevorzugt mit Edelmetallen eine verhältnismäßig stabile Metall-Thiolat-Bindung ausbilden, wodurch die Bindung zum einen Verbindungspartner (Lotwerkstoff oder Kontaktfläche) hergestellt wird. Der jeweilige andere Verbindungspartner muss derart auf den Prozess der Selbstorganisation vorbereitet werden, dass er mit dem organischen Teil der Organothiol-Moleküle reagiert (beispielsweise aufgrund von Van-der-Wals-kräften oder Dipolen). Hierzu kann der andere Verbindungspartner beispielsweise mit einer organischen Substanz beschichtet werden, die durch einen anschließenden Lötprozess wieder entfernt wird, um eine leitfähige Verbindung zu erzeugen. Eine andere Möglichkeit besteht darin, auch den anderen Verbindungspartner über Metall-Thiolat-Bindungen mit Organothiol-Molekülen zu verbinden, so dass der Prozess der Selbstorganisation über die jeweiligen organischen Teile der Organothiol-Moleküle erfolgt. Diese können hierzu mit geeigneten funktionellen Gruppen versehen sein (beispielsweise Esterbindung).
- Besonders vorteilhaft ist es, wenn die Lotpartikel mit einer lipophilen Oberfläche, insbesondere aus Wachs versehen sind und die Oberfläche der Kontaktflächen aus einem Metall gebildet ist, welches mit den Thiol-Gruppen der Organothiol-Moleküle Metall-Thiolat-Bindungen bildet. In diesem Fall werden die Thiol-Gruppen an die im Allgemeinen edle oder veredelte Oberfläche der Kontaktflächen angelagert, welche bevorzugt aus Gold, Silber oder Kupfer besteht. Die Lotpartikel, die beispielsweise eine Beschichtung aus Wachs oder einer anderen lipophilen Substanz aufweisen, lagern sich dann im Rahmen des Prozesses der Selbstorganisation bevorzugt an den organischen Teilen der Organothiol-Moleküle an.
- Die Oberflächen der Lotpartikel müssen derart beschaffen sein, dass die Abstoßungskräfte der Lotpartikel nur gering sind, damit diese sich benachbart an die vorbereiteten Kontaktflächen anlagern können. Andererseits soll die Vorbereitung der Oberfläche der Lotpartikel jedoch eine Agglomeration der Lotpartikel verhindern, was durch geringe Abstoßungskräfte oder zumindest ein neutrales Verhalten der Lotpartikel erreicht wird.
- Weiterhin vorteilhaft ist es auch wenn die Lotpartikel eine im Wesentlichen gleichmäßige Größe aufweisen. Hierdurch lassen sich einlagige Lotwerkstoff-Schichten auf den Kontaktflächen ausbilden, welche eine konstante Dicke aufweisen. Außerdem ist durch eine gleichmäßige Größe der Lotpartikel gewährleistet, dass eine exakte Dosierung (abhängig von dem Flächeninhalt der Kontaktfläche und der Größe der Lotpartikel) möglich ist.
- Weiterhin bezieht sich die Erfindung auf Lotpartikel aus einem Lotwerkstoff. Wie der bereits eingangs erwähnten US 2004/0078966 A1 zu entnehmen ist, können derartige Lotpartikel zur Herstellung von Lotschichten auf Kontaktflächen von Schaltungsträgern Verwendung finden.
- Die Aufgabe der Erfindung liegt darin, Lotpartikel aus einem Lotwerkstoff anzugeben, mit denen eine exakte Dosierung unter Anwendung eines vergleichsweise unproblematischen Belotungsverfahrens möglich ist.
- Diese weitere Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass die Lotpartikel mit einer lipophilen Beschichtung insbesondere aus Wachs umgeben sind. Diese Lotpartikel eignen sich daher zur Anwendung in einem Belotungsverfahren, welches sich einen Prozess der Selbstorganisation zunutze macht, wobei insbesondere die bereits erwähnten Organothiol-Moleküle als Bindeglieder zwischen den erfindungsgemäßen Lotpartikeln und geeigneten Kontaktflächen zum Einsatz kommen. Der Belotungsprozess lässt sich mit dem genannten Verfahren vorteilhaft präzise und ohne großen Fertigungsaufwand durchführen.
- Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung ist vorgesehen, dass auf der lipophilen Beschichtung eine Monolage von Organothiol-Molekülen, insbesondere Alkanthiol-Molekülen mit dem organischen Teil angelagert ist, so dass die Thiol-Gruppen der Moleküle die Oberfläche der Lotpartikel bilden. Derart vorbereitete Lotpartikel können vorteilhaft ohne weitere Vorbereitungsschritte beispielsweise in ein Bad gegeben werden, welches sich zur Belotung von Schaltungsträgern eignet. Die verwendeten Schaltungsträger weisen Kontaktflächen aus einem Metall, insbesondere Kupfer, Silber oder Gold auf, auf denen die Lotpartikel durch einen Prozess der Selbstorganisation unter Ausbildung von Metall-Thiolat-Bindungen angelagert werden können.
- Zuletzt bezieht sich die Erfindung auf ein Bauteil mit mindestens einer elektrischen Kontaktfläche aus einem Metall, wobei auf der Kontaktfläche eine Monolage von Organothiol-Molekülen, insbesondere Alkanthiol-Molekülen unter Ausbildung von Metall-Thiolat-Bindungen angelagert ist, so dass die organischen Teile dieser Moleküle die Oberfläche der Kontaktfläche bilden.
- Aus der
DE 10 2004 041 555 A1 ist ein Bauteil bekannt, welches mindestens eine elektrische Kontaktschicht aufweist. Diese kann beispielsweise aus Gold bestehen. Auf der Kontaktfläche ist eine Monolage einer organischen Verbindung mit Thiolgruppen als Ankergruppe aufgebracht. Damit wird eine Verbindung der Kontaktschicht mit der Verbindung sicherge stellt. Hierdurch entsteht eine selbst organisierte Schicht, auf der weiterhin eine zweite Elektrode aufgebracht werden kann, wodurch gleichzeitig eine elektrische Verbindung zwischen den beiden Elektroden entsteht. - Hiervon ausgehend besteht eine weitere Aufgabe der Erfindung darin, ein Bauteil mit elektrischen Kontaktflächen anzugeben, welches sich für ein einfach durchzuführendes Belotungsverfahren eignet, wobei bei der Belotung eine präzise Dosierung des Lotwerkstoffes auf den Kontaktflächen möglich ist.
- Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß mit dem Bauteil dadurch gelöst, dass an der Monolage der Moleküle auf dem Bauteil mindestens ein Lotpartikel angelagert ist, welches seinerseits eine lipophile Oberfläche insbesondere aus Wachs aufweist. Derartige Bauteile können als vorbelotetete Bauteile vorteilhaft in einen weiteren Fertigungsprozess eingeschleust werden.
- Die Oberfläche der Kontaktfläche kann vorteilhaft einen Prozess der Selbstorganisation auslösen, wenn die Oberfläche mit Lotpartikeln beaufschlagt wird, die bevorzugt an den organischen Teilen der Organothiol-Moleküle haften bleiben. Dies kann beispielsweise durch eine Beschichtung von Lotpartikeln mit Wachs erreicht werden. Durch Nutzung des Prozesses der Selbstorganisation lässt sich das Belotungsverfahren vorteilhaft ohne großen Aufwand durchführen, wobei durch Bildung von Monolagen von Lotpartikeln außerdem eine präzise Dosierung auf den Kontaktflächen möglich ist.
- Weitere Einzelheiten der Erfindung werden im Folgenden anhand der Zeichnung beschrieben. Gleiche oder sich entsprechende Zeichnungselemente sind in den einzelnen Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen und werden nur insoweit mehr fach erläutert, wie sich Unterschiede zwischen den einzelnen Figuren ergeben. Es zeigen
-
1 und2 ein Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens, bei dem in einem ersten Schritt Alkanthiol-Moleküle auf Kontaktflächen eines Bauteils aufgebracht werden und in einem zweiten Schritt Lotpartikel mit den Alkanthiol-Molekülen verbunden werden, -
3 ein Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Bauelementes und -
4 ein Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Lotpartikel. - In
1 ist ein Behälter11 mit einer wässrigen Lösung12 dargestellt, in die ein Schaltungsträger13 mit Kontaktflächen14 eingelegt wurde. Die Kontaktflächen haben eine Oberfläche aus Gold. In die wässrige Lösung sind Alkanthiol-Moleküle15 (schematisch dargestellt) gegeben worden. Diese bilden, wie im Folgenden noch näher erläutert wird, auf den Kontaktflächen14 eine Monolage18a aus. - In einem zweiten Schritt (
2 ) werden in die Lösung12 Lotpartikel16 gegeben, welche mit einer lipophilen Beschichtung17 aus Wachs versehen sind. Diese lagern sich in einem Prozess der Selbstorganisation als weitere Monolage18b auf den Kontaktflächen14 ab, wodurch präzise dosierte Lotdepots entstehen. - Ein Beispiel für einen selbst organisierenden Prozess, der zur Platzierung der Lotpartikel
16 auf den Kontaktflächen geeignet ist, soll im Folgenden angegeben werden. Die Kontaktflächen14 sind aus Gold hergestellt. Für Oberflächen aus diesem Metall gilt, das auf ihm die Thiol-Gruppen19 unterschiedlicher Moleküle chemisch angelagert werden können. Dabei wird ein Wasserstoffatom aus der Thiol-Gruppe19 abgespalten und eine Metall-Thiolatverbindung20 gebildet. Als mögliche Thiole kommen beispielsweise Alkanthiole15 infrage, die eine Alkan-Kette21 aufweisen, an deren Ende sich die Thiol-Gruppe19 befindet. Durch benachbartes Anlagern der Thiol-Gruppen19 an der Oberfläche der Kontaktflächen bilden sich daher parallel ausgerichtete Alkan-Ketten (Monolage18a ), die von der Oberfläche der Kontaktflächen14 abstehen. Wenn man andererseits die Lotpartikel16 beispielsweise mit einer Beschichtung17 aus Wachs versieht, so wird eine Bin dung zwischen den Alkanketten21 , die nun die Oberflächeneigenschaften der Kontaktfläche14 bestimmen und der Oberfläche der Lotpartikel16 aufgrund der jeweils lipophilen Eigenschaften dieser Substanzen stark gefördert, weswegen eine selbst organisierte Anlagerung der Lotpartikel16 auf den Kontaktflächen14 erfolgt (Monolage18b ). Alternativ können die Alkanthiole15 natürlich auch mit ihrem langkettigen Alkanteil21 in einem ersten Prozessschritt an die Wachsoberfläche der Lotpartikel16 angelagert werden, so dass diese bei Einbringen in den Behälter11 an die Kontaktflächen14 anlagern, welche in diesem Fall nicht weiter vorbereitet werden müssen (vgl.4 ). - Für den gemäß der
1 und2 stattfindenden Prozess der Selbstorganisation sollen im Folgenden Alternativen genannt werden. Als Selbstorganisation ist ein thermodynamischer Prozess zu verstehen, bei dem eine Ordnung scheinbar von selbst entsteht. In Wirklichkeit beruht das Wesen der Selbstorganisation auf der spontanen Herausbildung geordneter Strukturen an Grenzflächen (im Ausführungsbeispiel fest-flüssig, denkbar ist jedoch auch fest-gasförmig oder flüssig-gasförmig). Dabei wird ein energetisches Minimum erreicht, wenn die gewünschte Form der Selbstorganisation erreicht wird. Mit anderen Worten: Die individuellen, sich selbst organisierenden Komponenten ordnen sich aufgrund von Abstoßungs- und Anziehungskräften in der gewünschten Weise an, wobei die genannten Kräfte sich aus Form, Oberflächeneigenschaften, Ladung, Polarität, magnetischem Moment oder der Masse oder auch anderer beliebiger codierter Informationen ergeben können. - Allgemein kann man die zum Einsatz kommenden Wirkprinzipien in physikalische, chemische und biochemische unterteilen, wobei in der genannten Reihenfolge die erreichbare Selektivität möglicher Anordnungen aufgrund der Adressierung der Grenzflä chen steigt (möglich wäre beispielsweise die gleichzeitige Anlagerung von Lotpartikeln unterschiedlicher Größe oder Legierungszusammensetzung selektiv an den dafür vorgesehenen Flächen). Als physikalische Wirkprinzipien kommen beispielsweise Oberflächenspannung (Nutzung der Kapillarkräfte) sowie mechanische, elektrostatische und magnetische Kräfte infrage. Chemische Wirkprinzipien können auf nicht kovalenten, teilkovalenten oder kovalenten Wechselwirkungen, Komplexbildungen bis hin zur chemischen Bindung oder einem Ionenaustausch bis, hin zur Schiff'schen Base beruhen. Als biochemische Wirkprinzipien kommen beispielsweise die Antigen-Antikörperbindungen, Bindungen zwischen Oligonukleotiden oder Enzym-Substrat-Bindungen infrage. Zur Nutzung der genannten Effekte müssen die Oberflächenbereiche, die zur Durchführung des Prozesses der Selbstorganisation vorgesehen werden, geeignete Oberflächeneigenschaften aufweisen. Dies kann einmal durch Wahl des Werkstoffes der Oberfläche erfolgen, ist jedoch auch zu erreichen, indem die Oberflächenbereiche in einer geeigneten Weise mit einer funktionellen Beschichtung versehen werden.
- Um verschiedenartige Lotpartikel platzieren zu können, wird unter den mannigfachen Wirkprinzipien eine Kombination ausgewählt, die die jeweilige Selektivität bestimmter Oberflächenbereiche zu bestimmten zu platzierenden Bauelementen sicherstellt, d. h. eine Kompatibilität zwischen anderen Oberflächenbereichen darf nicht gegeben sein, um eine Eindeutigkeit der Platzierung der Lotpartikel sicherzustellen.
- Gemäß
3 ist ein Bauelement22 dargestellt, welches als Flip-Chip ausgeführt ist. Dieses weist an seiner Montageseite23 Kontaktflächen14 auf, die in der bereits beschriebenen Weise mit Alkanthiol-Molekülen15 als Bindeglieder zu einzelnen kugelförmigen Lotpartikeln16 zum Einsatz kommen. Gemäß dieser Variante der Erfindung sind mittels der Alkanthiol- Moleküle15 also für jede Kontaktfläche genau eine Lotkugel vorgesehen, wie dies bei der Flip-Chip Montage üblich ist. Nicht dargestellt, jedoch genauso möglich ist es, die Lotkugeln einzeln auf den vorbereiteten Kontaktflächen eines Schaltungsträgers zu fixieren, auf die der Flip-Chip aufgesetzt werden soll. - Die einzelnen Lotpartikel
16 bilden im weiteren Sinne ebenfalls eine Monolage auf den Kontaktflächen, da ein Stapeln der Lotpartikel auf den Kontaktflächen nicht möglich ist.
Claims (8)
- Verfahren zum Aufbringen einer Lage von Lotpartikeln (
16 ) auf Kontaktflächen (14 ) zur Herstellung einer elektrischen Verbindung, dadurch gekennzeichnet, dass die Lotpartikel (16 ) durch einen Prozess der Selbstorganisation auf die Kontaktflächen (14 ) aufgetragen werden, wobei hierzu die Kontaktflächen (14 ) und die Lotpartikel (16 ) den Prozess der Selbstorganisation auslösende Oberflächen aufweisen. - Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Prozess der Selbstorganisation durch Organothiol-Moleküle, insbesondere Alkanthiol-Moleküle (
15 ), hervorgerufen wird, wobei die Moleküle als Bindeglied zwischen den Kontaktflächen (14 ) und den Lotpartikeln (16 ) zum Einsatz kommen. - Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Lotpartikel (
16 ) mit einer lipophilen Beschichtung (17 ), insbesondere aus Wachs versehen sind und die Oberfläche der Kontaktflächen (14 ) aus einem Metall gebildet ist, welches mit den Thiol-Gruppen der Organothiol-Moleküle Metall-Thiolat-Bindungen bildet. - Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche der Kontaktflächen (
14 ) aus Gold, Silber oder Kupfer bestehen. - Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Lotpartikel (
16 ) eine im Wesentlichen gleichmäßige Größe aufweisen. - Lotpartikel aus einem Lotwerkstoff, dadurch gekennzeichnet, dass dieses mit einer lipophilen Beschichtung (
17 ) umgeben ist. - Lotpartikel nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass auf der lipophilen Beschichtung (
17 ) eine Monolage (18a ) von Organothiol-Molekülen, insbesondere Alkanthiol-Molekülen (15 ) mit dem organischen Teil angelagert ist, so dass die Thiolgruppen der Moleküle die Oberfläche der Lotpartikel (16 ) bilden. - Bauteil (
13 ,22 ) mit mindestens einer elektrischen Kontaktfläche (14 ) aus einem Metall, wobei auf der Kontaktfläche (14 ) eine Monolage (18a ) von Organothiol-Molekülen, insbesondere Alkanthiol-Molekülen (15 ) unter Ausbildung von Metall-Thiolat-Bindungen angelagert ist, so dass die organischen Teile dieser Moleküle die Oberfläche der Kontaktfläche (14 ) bilden, dadurch gekennzeichnet, dass an der Monolage (18a ) mindestens ein Lotpartikel (16 ) angelagert ist, welches seinerseits eine lipophile Oberfläche aufweist.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102006016276A DE102006016276B3 (de) | 2006-03-31 | 2006-03-31 | Verfahren zum Aufbringen von Lotpartikeln auf Kontaktflächen sowie hierfür geeignete Lotpartikel und Bauteile mit Kontaktflächen |
PCT/EP2007/052956 WO2007113182A1 (de) | 2006-03-31 | 2007-03-28 | Verfahren zum aufbringen von lotpartikeln auf kontaktflächen sowie hierfür geeignete lotpartikel und bauteile mit kontaktflächen |
CNA2007800107257A CN101411250A (zh) | 2006-03-31 | 2007-03-28 | 用于在接触面上涂覆焊料颗粒的方法以及适用于此的焊料颗粒和带有接触面的部件 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102006016276A DE102006016276B3 (de) | 2006-03-31 | 2006-03-31 | Verfahren zum Aufbringen von Lotpartikeln auf Kontaktflächen sowie hierfür geeignete Lotpartikel und Bauteile mit Kontaktflächen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102006016276B3 true DE102006016276B3 (de) | 2007-07-12 |
Family
ID=38170171
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102006016276A Expired - Fee Related DE102006016276B3 (de) | 2006-03-31 | 2006-03-31 | Verfahren zum Aufbringen von Lotpartikeln auf Kontaktflächen sowie hierfür geeignete Lotpartikel und Bauteile mit Kontaktflächen |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN101411250A (de) |
DE (1) | DE102006016276B3 (de) |
WO (1) | WO2007113182A1 (de) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102016215879B3 (de) * | 2016-08-24 | 2018-02-01 | Robert Bosch Gmbh | Steckkontakt, Verfahren zur Herstellung eines solchen sowie elektrisches Steckverbindersystem |
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2006
- 2006-03-31 DE DE102006016276A patent/DE102006016276B3/de not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-03-28 CN CNA2007800107257A patent/CN101411250A/zh active Pending
- 2007-03-28 WO PCT/EP2007/052956 patent/WO2007113182A1/de active Application Filing
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2007113182A1 (de) | 2007-10-11 |
CN101411250A (zh) | 2009-04-15 |
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