JP2007150355A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 複数の電極を有する基板上に、はんだ粉と沸点を有する添加剤とを含有する樹脂を供給する工程と、
   前記基板上に供給された前記樹脂の表面に平板を当接させ、前記基板と前記平板との間の距離が一定となるように保持する工程と、
   前記添加剤の沸点以上かつ前記はんだ粉が溶融する温度以上で前記樹脂を加熱し、前記電極上に前記はんだ粉を集合させてバンプを形成する工程と、
   前記平板を除去する工程と、
   を含むバンプ付き基板の製造方法。
2. 前記添加剤の沸点以上かつ前記はんだ粉が溶融する温度以上で前記樹脂を加熱することによって、前記添加剤を沸騰させて前記樹脂中に気泡を発生させ、前記気泡が前記樹脂中を対流することによって、前記はんだ粉を前記電極の周辺に集合させることを特徴とする、請求項１に記載のバンプ付き基板の製造方法。
3. 前記添加剤は、グリセリン、イソプロピルアルコール、酢酸ブチル、ブチルカルビトールおよびエチレングリコールよりなる群から選ばれた１種もしくは２種以上からなることを特徴とする、請求項１または２に記載のバンプ付き基板の製造方法。
4. 前記はんだ粉は、略同一の粒径を有していることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一つに記載のバンプ付き基板の製造方法。
5. 前記基板上に形成された電極と前記平板との間に設けられた一定の隙間は、前記はんだ粉の粒径よりも広いことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに一つに記載のバンプ付き基板の製造方法。
6. 前記平板に一定の圧力を加えることによって、前記樹脂を押圧しながら、前記樹脂を加熱することを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一つに記載のバンプ付き基板の製造方法。
7. 前記添加剤が沸騰することによって生じる気泡が、前記基板と前記平板との間に設けられた隙間の周辺部から、外部に蒸発することを特徴とする、請求項２〜６のいずれか一つに記載のバンプ付き基板の製造方法。
8. 前記平板の前記基板に対向する平面上に、前記基板に形成された複数の電極と対向する位置に、前記電極と略同一形状の金属パタ−ンが形成されていることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一つに記載のバンプ付き基板の製造方法。
9. 前記バンプが溶融した状態で、前記平板を除去し、前記電極上に、前記電極と前記平板との間に設けられた隙間の間隔よりも高いバンプを形成することを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一つに記載のバンプ付き基板の製造方法。
10. 前記バンプを形成する工程の後、前記基板を冷却し、前記基板の冷却後、前記樹脂表面に当接されている平板を、前記樹脂表面から離間させることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一つに記載のバンプ付き基板の製造方法。
11. 前記平板を除去する工程の後、前記基板を冷却する工程を更に含み、前記基板の冷却後、前記樹脂を除去する工程を含むことを特徴とする、請求項１〜９のいずれか一つに記載のバンプ付き基板の製造方法。
12. 前記はんだ粉は、鉛フリーはんだ材料からなることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか一つに記載のバンプ付き基板の製造方法。
13. 前記はんだ粉は、０．５〜３０体積％の割合で、前記樹脂中に含有されていることを特徴とする、請求項１〜１２のいずれか一つに記載のバンプ付き基板の製造方法。
14. 前記基板が、配線基板または半導体チップであることを特徴とする、請求項１〜１３のいずれか一つに記載のバンプ付き基板の製造方法。
15. 前記樹脂は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、または光硬化性樹脂のいずれか一つを主成分とすることを特徴とする、請求項１〜１４のいずれか一つに記載のバンプ付き基板の製造方法。