CN103296153A - Led芯片封装方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种LED芯片封装方法。首先在电路板基板的电极的表面上加锡。再在电路板基板的上表面除电极以外的部分设置胶，将LED芯片放置在电路板基板上，且P极和N极的凸点对应电路板基板上的电极，对LED芯片加热和加压，使P极和N极的凸点与电路板基板的电极上的锡共晶熔接。对LED芯片加热时，使胶固化以使LED芯片与电路板基板相连。至此，LED芯片封装完成。本发明工艺简单，LED芯片与电路板基板之间连接牢固，不易脱落。
Description
技术领域
本发明属于发光二极管（LED）封装领域，更具体的说是涉及LED芯片的封装方法。
背景技术
目前使用的LED芯片的封装方式是：LED芯片与印刷电路板（PCB）基板之间用金属线搭线的方式导通并封装。由于金属线容易折断，需要用胶保护。这样LED芯片的散热效果就会变的比较差，牢固度也不好。还会造成LED芯片光损，使LED芯片在使用的过程中会逐渐变暗，严重影响LED芯片的质量及使用寿命。而且，市场上LED芯片的体积比较大，成本也较高。
发明内容
本发明的目的是要提供一种改进的LED芯片封装方法。
根据本发明的一个方面，提供了一种LED芯片封装方法。LED芯片包括衬底、绝缘层、P极和N极。绝缘层、P极和N极均设于衬底一侧，绝缘层铺设于除P极和N极之外的衬底上。绝缘层的厚度在4000埃至10000埃之间。LED芯片封装方法包括以下步骤：在电路板基板的电极的表面上加锡；在电路板基板的上表面除电极以外的部分设置胶。将LED芯片放置在电路板基板上，且P极和N极的凸点对应电路板基板上的电极。对LED芯片加热和加压，使P极和N极的凸点与电路板基板的电极上的锡共晶熔接。对LED芯片加热时，使胶固化以使LED芯片与电路板基板相连。
在一些实施方式中，胶为热固化胶。
在一些实施方式中，加热步骤中的加热温度介于200度至400度之间，加热时间介于5秒至30秒之间。
在一些实施方式中，加压步骤中的加压压力在0.1兆帕至0.5兆帕之间。。
在一些实施方式中，P极和N极的高度设置在3微米至20微米之间。
本发明中，LED芯片的绝缘层设置于4000埃至10000埃之间，这样LED芯片在加热和加压时，该绝缘层不易破碎，绝缘效果较好。LED芯片与电路板基板之间采用热固化胶熔接，牢固性强。
附图说明
图1是本发明一实施方式的LED芯片封装方法的示意图；
图中标号：
1、衬底；2、绝缘层；3、P极；4、N极；5、电路板基板；6、电极；7、锡；8、胶。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明。
如图1所示的一种LED芯片封装方法。LED芯片包括衬底1、绝缘层2、P极3和N极4。绝缘层2、P极3和N极4均设于衬底1一侧，绝缘层2铺设于除P极3和N极4之外的衬底1上。绝缘层2的材料可以为二氧化硅。绝缘层2的厚度在4000埃至10000埃之间。这样LED芯片在加热和加压时，绝缘层2不易破碎，绝缘效果较好。使P极3和N极4之间不易短路。
在电路板基板5的电极6的表面上加锡7。
在电路板基板5的上表面除电极6以外的部分设置胶8。该胶8可以采用热固化胶，一般采用耐高温、绝缘的胶，如环氧胶。
将LED芯片的P极3和N极4的凸点的高度设置在3微米以上。在本实施方式中，P极3和N极4的凸点的高度设置在3微米至20微米之间。在LED芯片封装时，能使P极3和N极4与电路板基板5的熔接程度更好。P极3和N极4的凸点的材料为金、锡或其它可与锡熔接的材料。
将LED芯片放置在电路板基板5上，且LED芯片的P极3和N极4的凸点对应电路板基板5上的电极6。
对LED芯片进行加热和加压，包括利用超声波对LED芯片进行加热。加热步骤中的加热温度可介于200度至400度之间，加热时间可介于5秒至30秒之间。加压步骤中的加压压力需大于0.1兆帕，一般在0.1兆帕至0.5兆帕之间。加压时间根据具体情况作相应的调整，一般在7秒至60秒之间。在此条件下，LED芯片的P极3和N极4的凸点与电路板基板5电极6上的锡7会共晶熔接。加热步骤和加压步骤是同时进行。
对LED芯片加热时，使胶8固化，以使LED芯片与电路板基板5相连。
至此，LED芯片的封装工艺完成。
本发明工艺简单，LED芯片与电路板基板5之间连接牢固，不易脱落。LED芯片的P极3和N极4的凸点高度不管是否等高，LED芯片封装时P极3和N极4与电路板基板5的熔接程度均不受影响，LED芯片的稳定性提高。
以上所述的仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离发明创造构思的前提下，还可以做出其它变形或改进，这些都属于本发明的保护范围。
Claims (7)
1.LED芯片封装方法，所述LED芯片包括衬底、绝缘层、P极和N极，所述绝缘层、P极和N极均设于衬底一侧，所述绝缘层铺设于除P极和N极之外的衬底上，其特征在于，所述绝缘层的厚度在4000埃至10000埃之间，LED芯片封装方法包括以下步骤：
在电路板基板的电极的表面上加锡；
在电路板基板的上表面除电极以外的部分设置胶；
将LED芯片放置在电路板基板上，且P极和N极的凸点对应电路板基板上的电极；
对LED芯片加热和加压，使P极和N极的凸点与电路板基板的电极上的锡共晶熔接；
对LED芯片加热时，使胶固化以使LED芯片与电路板基板相连。
2.根据权利要求1所述的LED芯片封装方法，其中，所述胶为热固化胶。
3.根据权利要求2所述的LED芯片封装方法，其中，所述加热步骤中的加热温度介于200度至400度之间，加热时间介于5秒至30秒之间。
4.根据权利要求2或3所述的LED芯片封装方法，其中，所述加压步骤中的加压压力大于0.1兆帕。
5.根据权利要求4所述的LED芯片封装方法，其中，所述加压压力在0.1兆帕至0.5兆帕之间。
6.根据权利要求1所述的LED芯片封装方法，其中，所述P极和N极的高度设置在3微米以上。
7.根据权利要求6所述的LED芯片封装方法，其中，所述P极和N极的高度设置在3微米至20微米之间。
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