CN105355729A - Led芯片及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种LED芯片及其制作方法，在多个发光微结构的N型电极和P型电极背离蓝宝石衬底一侧固定一基板，减薄和切割蓝宝石衬底，填充发光微结构和基板之间的空隙，激光剥离衬底，再切割成单个的LED芯片，使发光微结构充分固定在基板上，有效地防止放光微结构发生脱焊和碎裂，提高利率。
Description
技术领域
本发明涉及发光二极管技术领域，更为具体的说，涉及一种LED芯片及其制作方法。
背景技术
目前绝大部分的LED芯片都使用蓝宝石为衬底，而蓝宝石衬底由于较厚，所以热量难于导出，热量聚集在芯片上影响芯片可靠性，增加光衰和减少芯片寿命；2）由于电极挡光，会减少芯片的出光，导致出现光效低的问题；3）电流拥挤会增加芯片的电压，这些都会降低芯片的光效；4）封装复杂，单个LED芯片的电压为3V左右，因此需要变压或者封装将其串联，这些都增加了封装和应用的难度，工艺难度加大，使整个芯片的可靠性变差。
现有技术一般通过激光来剥离蓝宝石衬底，但在激光剥离蓝宝石衬底时，激光被被蓝宝石和外延层界面处的氮化镓吸收，氮化镓的局部温度达到900℃以上，使氮化镓发生热分解，产生大量热量，热量释放不均匀，局部区域热量聚集，容易对芯片造成损伤及影响芯片的光电性能，此外利用激光剥离衬底容易导致芯片碎裂、脱焊等，降低产品良率。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，用于解决上述问题。
本发明提供的技术方案如下：
一种LED芯片的制作方法，包括：
提供一蓝宝石衬底；
在所述蓝宝石衬底任意一表面形成多个发光微结构，所述发光微结构包括位于所述蓝宝石衬底表面的N型氮化镓层，位于所述N型氮化镓层背离所述蓝宝石衬底一侧的有源层和N型电极，位于所述有源层背离所述蓝宝石衬底一侧的P型氮化镓层，位于所述P型氮化镓层背离所述蓝宝石衬底一侧的导电反射膜层，位于所述导电反射膜层背离所述蓝宝石衬底一侧的P型电极，所述N型电极与所述P型电极之间相互绝缘；
采用焊接的方式将所述发光微结构焊接到一基板上，在所述基板对应所述N型电极的区域、且背离所述蓝宝石衬底一侧形成N型连接电极，且在所述基板对应所述P型电极的区域、且背离所述蓝宝石衬底一侧形成P型连接电极；
减薄所述蓝宝石衬底至预设厚度范围，并对所述蓝宝石衬底沿发光微结构边缘进行切割；
填充所述发光微结构和所述基板之间的空隙，使所述发光微结构充分固定在所述基板上；
激光剥离所述蓝宝石衬底；
沿所述发光微结构的边缘进行切割，以得到多个LED芯片。
优选的，填充所述发光微结构和所述基板之间的空隙的方式包括：
采用钢网印刷的方式将胶水填充在所述发光微结构和所述基板之间的空隙。
优选的，所述焊接方式为回流焊或者共晶焊。
优选的，所述预设厚度范围为100μm~500μm，包括端点值。
优选的，对所述蓝宝石衬底沿发光微结构边缘进行切割的方法包括：激光切割、机械切割或者化学切割。
优选的，所述基板为经过电路布线设计的陶瓷基板或硅基板。
优选的，所述发光微结构的形成过程为：
在所述蓝宝石衬底任意一表面形成所述N型氮化镓层；
在所述N型氮化镓层背离所述蓝宝石衬底一侧形成所述有源层；
在所述有源层背离所述蓝宝石衬底一侧形成所述P型氮化镓层；
采用刻蚀工艺将所述N型氮化镓层背离所述蓝宝石衬底一侧的预设区域裸露；
在所述P型氮化镓层背离所述蓝宝石衬底一侧形成所述导电反射膜层；
在所述N型氮化镓层的预设区域、且背离所述蓝宝石衬底一侧形成所述N型电极，且在所述导电反射膜层背离所述蓝宝石衬底一侧形成所述P型电极，所述N型电极与所述P型电极之间相互绝缘。
优选的，在形成所述P型氮化镓层后，且刻蚀裸露所述N型氮化镓层的预设区域前，所述制作方法还包括：
在所述P型氮化镓层背离所述蓝宝石衬底一侧形成欧姆接触层，其中，所述导电反射膜层位于所述欧姆接触层背离所述蓝宝石衬底一侧。
优选的，所述导电反射膜层为金属反射膜层；其中，在形成所述导电反射膜层后，且形成所述N型电极和P型电极前，所述制作方法还包括：
在所述导电反射膜层背离所述蓝宝石衬底一侧形成金属扩散阻挡层，其中，所述P型电极形成于所述金属扩散阻挡层背离所述蓝宝石衬底一侧。
优选的，在形成所述导电反射膜层后，且形成所述N型电极和P型电极前，所述制作方法还包括：
形成覆盖所述导电反射膜层、且延伸覆盖至所述N型氮化镓层的预设区域的钝化层；
其中，所述钝化层对应所述预设区域的区域设置有第一开口，以用于形成所述N型电极，以及，所述钝化层对应所述导电反射膜层的区域设置有第二开口，以用于形成所述P型电极。
相应的，本发明还提供了一种LED芯片，其特征在于，所述LED芯片采用上述制作方法制作而成。
相较于现有技术，本发明提供的技术方案至少具有以下优点：
本发明提供的一种LED芯片及其制作方法，包括：提供一蓝宝石衬底；在所述蓝宝石衬底任意一表面形成多个发光微结构，所述发光微结构包括位于所述蓝宝石衬底表面的N型氮化镓层，位于所述N型氮化镓层背离所述蓝宝石衬底一侧的有源层和N型电极，位于所述有源层背离所述蓝宝石衬底一侧的P型氮化镓层，位于所述P型氮化镓层背离所述蓝宝石衬底一侧的导电反射膜层，位于所述导电反射膜层背离所述蓝宝石衬底一侧的P型电极，所述N型电极与所述P型电极之间相互绝缘；采用焊接的方式将所述发光微结构焊接到一基板上，在所述基板对应所述N型电极的区域、且背离所述蓝宝石衬底一侧形成N型连接电极，且在所述基板对应所述P型电极的区域、且背离所述蓝宝石衬底一侧形成P型连接电极；减薄所述蓝宝石衬底至预设厚度范围，并对所述蓝宝石衬底沿发光微结构边缘进行切割；填充所述发光微结构和所述基板之间的空隙，使所述发光微结构充分固定在所述基板上；激光剥离所述蓝宝石衬底；沿所述发光微结构的边缘进行切割，以得到多个LED芯片。
由上述内容可知，本发明提供的技术方案，填充所述发光微结构和所述基板之间的空隙，使所述发光微结构充分固定在所述基板上，然后再剥离衬底，这样能有效地防止放光微结构在激光剥离衬底时发生脱焊和碎裂，提高良率。此外，通过减薄蓝宝石衬底并对其进行切割，在激光剥离蓝宝石衬底时，N型氮化镓层发生热分解，产生大量热量和气体时，能有效地通过切割道把热量和气体释放出去，避免热量及气体局部聚集而影响芯片的光电性能，减少对芯片的损害。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种LED芯片的制作方法流程图；
图2a至图2g为图1制作方法流程图对应的结构流程图；
图3为本申请实施例提供的一种发光微结构的制作方法的流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
结合图1至图2g所示，图1为本申请实施例提供的一种LED芯片的制作方法的流程图，图2a至图2g为图1制作方法流程图对应的结构流程图；其中，制作方法包括：
S1、提供一蓝宝石衬底。
参考图2a所示，提供一蓝宝石衬底100。
S2、在蓝宝石衬底任意一表面制作发光微结构。
参考图2b所示，在蓝宝石衬底100任意一表面形成多个发光微结构200，发光微结构200包括位于蓝宝石衬底100表面的N型氮化镓层201，位于N型氮化镓层201背离蓝宝石衬底100一侧的有源层202和N型电极205，位于有源层202背离蓝宝石衬底100一侧的P型氮化镓层203，位于P型氮化镓层203背离蓝宝石衬底100一侧的导电反射膜层204，位于导电反射膜层204背离蓝宝石衬底100一侧的P型电极206，N型电极205与P型电极206之间相互绝缘。
具体的，参考图3所示，为本申请实施例提供的一种发光微结构的制作方法的流程图，其中，发光微结构的形成过程为：
S21、在蓝宝石衬底任意一表面形成N型氮化镓层。
S22、在N型氮化镓层背离蓝宝石衬底一侧形成有源层。
S23、在有源层背离蓝宝石衬底一侧形成P型氮化镓层。
此外，在形成P型氮化镓层后，且刻蚀裸露N型氮化镓层的预设区域前，即在步骤S23后，且在步骤S24前，制作方法还包括：
在P型氮化镓层背离蓝宝石衬底一侧形成欧姆接触层，其中，导电反射膜层位于欧姆接触层背离蓝宝石衬底一侧。
S24、采用刻蚀工艺将N型氮化镓层背离蓝宝石衬底一侧的预设区域裸露。
预设区域即为形成N型电极的区域，其中，N型电极的面积小于预设区域的面积，避免N型电极与有源层、P型氮化镓层等叠层接触。本申请实施例提供的刻蚀工艺可以为干法刻蚀工艺，也可以为湿法刻蚀工艺，对此本申请不做具体限制，需要根据实际应用进行选取。
S25、在P型氮化镓层背离蓝宝石衬底一侧形成导电反射膜层。
导电反射膜层的反射面朝向蓝宝石衬底一侧，以将有源区发出的光反射至蓝宝石衬底出射。其中，导电反射膜层优选为金属反射膜层；其中，在形成导电反射膜层后，且形成N型电极和P型电极前，即在步骤S25后，且在步骤S26前，制作方法还包括：
在导电反射膜层背离蓝宝石衬底一侧形成金属扩散阻挡层，其中，P型电极形成于金属扩散阻挡层背离蓝宝石衬底一侧。
具体的，当导电反射膜层为金属反射膜层时，可以采用沉积工艺制备具有高反射率的金属反射膜层；此外，可以采用磁控溅射方式制备金属扩散阻挡层。
进一步的，在形成导电反射膜层后，且形成N型电极和P型电极前，即在步骤S25后，且在步骤S26前，制作方法还包括：
形成覆盖导电反射膜层、且延伸覆盖至N型氮化镓层的预设区域的钝化层；
其中，钝化层对应预设区域的区域设置有第一开口，以用于形成N型电极，以及，钝化层对应导电反射膜层的区域设置有第二开口，以用于形成P型电极。
需要说明的是，当制作过程中在导电反射膜层背离蓝宝石衬底一侧制备有金属扩散阻挡层，则本申请实施例提供的钝化层制备于金属扩散阻挡层背离蓝宝石衬底一侧。
S26、在N型氮化镓层的预设区域、且背离蓝宝石衬底一侧形成N型电极，且在导电反射膜层背离蓝宝石衬底一侧形成P型电极，N型电极与P型电极之间相互绝缘。
S3、将发光微结构焊接在一基板上。
参考图2c所示，在多个发光微结构200的第一电极205和第二电极206背离衬底100一侧焊接一基板300。具体的，采用回流焊或者共晶焊方式，在基板300对应第一电极205的区域、且背离衬底100一侧形成第一连接电极401，且在基板300对应第二电极206的区域、且背离衬底100一侧形成第二连接电极402。其中，为了提高白光LED成品的强度和散热性能，基板为采用硬度较高、散热性能较好的材质，本申请实施例提供的基板可以为经过电路布线设计陶瓷基板或硅基板；此外，在本申请其他实施例中，还可以采用其他材质的基板，对此本申请不做具体限制；另外，本申请实施例对于基板的厚度范围不做具体限制，需要根据实际应用进行具体设计。
S4、减薄蓝宝石衬底，并对蓝宝石衬底沿发光微结构边缘进行切割。
参考图2d所示，减薄对蓝宝石衬底200到预设厚度范围，预设厚度范围为100μm~500μm，包括端点值。其中，本申请实施例对于蓝宝石衬底减薄后的厚度不做具体限制，蓝宝石衬底可以为200μm、400μm等，需要根据实际应用进行具体设计。
此外，还对蓝宝石衬底200沿发光微结构边缘进行切割。本申请实施例提供的切割方法可以为激光切割，也可以为机械切割或者化学切割，对此本申请不做具体限制，需要根据实际应用进行选取。
S5、填充发光微结构和基板之间的空隙。
参考图2e所示，填充发光微结构200和基板300之间的空隙。具体的，本申请实施例提供的制作方法，采用钢网印刷的方式将胶水填充在发光微结构和基板之间的空隙上，使发光微结构充分固定在基板上。其中，本申请实施例对于胶水的种类不做具体限制，需要根据实际应用进行选取。
S6、激光剥离蓝宝石衬底。
参考图2f所示，激光剥离蓝宝石衬底100。具体的，本申请实施例提供的制作方法，利用准分子激光器将发光微结构表面的蓝宝石衬底剥离出来。在激光剥离衬蓝宝石底时，与蓝宝石表面接触的N型氮化镓层会发生热分解产生大量的热量，同时，与蓝宝石衬底表面接触的N型氮化镓会分解成氮气，大量的热量和氮气沿着切割道释放到外界，因此蓝宝石衬底与发光微结构之间产生大量的空隙，从而把蓝宝石衬底剥离出来。
S7、沿发光微结构的边缘进行切割，以得到多个LED芯片。
参考图2g所示，以发光微结构200的边缘为切割道，对基板300进行切割，已得到多个LED芯片。其中，本申请实施例提供的制作方法，可以采用机械或激光切割工艺，对结构进行切割。
相应的，本申请实施例还提供了一种LED芯片，所述LED芯片采用上述实施例提供的制作方法制作而成。
本发明提供的一种LED芯片及其制作方法，包括：提供一蓝宝石衬底；在所述蓝宝石衬底任意一表面形成多个发光微结构，所述发光微结构包括位于所述蓝宝石衬底表面的N型氮化镓层，位于所述N型氮化镓层背离所述蓝宝石衬底一侧的有源层和N型电极，位于所述有源层背离所述蓝宝石衬底一侧的P型氮化镓层，位于所述P型氮化镓层背离所述蓝宝石衬底一侧的导电反射膜层，位于所述导电反射膜层背离所述蓝宝石衬底一侧的P型电极，所述N型电极与所述P型电极之间相互绝缘；采用焊接的方式将所述发光微结构焊接到一基板上，在所述基板对应所述N型电极的区域、且背离所述蓝宝石衬底一侧形成N型连接电极，且在所述基板对应所述P型电极的区域、且背离所述蓝宝石衬底一侧形成P型连接电极；减薄所述蓝宝石衬底至预设厚度范围，并对所述蓝宝石衬底沿发光微结构边缘进行切割；填充所述发光微结构和所述基板之间的空隙，使所述发光微结构充分固定在所述基板上；激光剥离所述蓝宝石衬底；沿所述发光微结构的边缘进行切割，以得到多个LED芯片。
由上述内容可知，本发明提供的技术方案，填充所述发光微结构和所述基板之间的空隙，使所述发光微结构充分固定在所述基板上，然后再剥离衬底，这样能有效地防止放光微结构在激光剥离衬底时发生脱焊和碎裂，提高良率。此外，通过减薄蓝宝石衬底并对其进行切割，在激光剥离蓝宝石衬底时，N型氮化镓层发生热分解，产生大量热量和气体，能有效地通过切割道把热量和气体释放出去，避免热量及气体局部聚集而影响芯片的光电性能，减少对芯片的损害。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (11)
1.一种LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：
提供一蓝宝石衬底；
在所述蓝宝石衬底任意一表面形成多个发光微结构，所述发光微结构包括位于所述蓝宝石衬底表面的N型氮化镓层，位于所述N型氮化镓层背离所述蓝宝石衬底一侧的有源层和N型电极，位于所述有源层背离所述蓝宝石衬底一侧的P型氮化镓层，位于所述P型氮化镓层背离所述蓝宝石衬底一侧的导电反射膜层，位于所述导电反射膜层背离所述蓝宝石衬底一侧的P型电极，所述N型电极与所述P型电极之间相互绝缘；
采用焊接的方式将所述发光微结构焊接到一基板上，在所述基板对应所述N型电极的区域、且背离所述蓝宝石衬底一侧形成N型连接电极，且在所述基板对应所述P型电极的区域、且背离所述蓝宝石衬底一侧形成P型连接电极；
减薄所述蓝宝石衬底至预设厚度范围，并对所述蓝宝石衬底沿发光微结构边缘进行切割；
填充所述发光微结构和所述基板之间的空隙，使所述发光微结构充分固定在所述基板上；
激光剥离所述蓝宝石衬底；
沿所述发光微结构的边缘进行切割，以得到多个LED芯片。
2.根据权利要求1所述的LED芯片的制作方法，填充所述发光微结构和所述基板之间的空隙的方式包括：
采用钢网印刷的方式将胶水填充在所述发光微结构和所述基板之间的空隙。
3.根据权利要求1所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述焊接方式为回流焊或者共晶焊。
4.根据权利要求1所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述预设厚度范围为100μm~500μm，包括端点值。
5.根据权利要求1所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，对所述蓝宝石衬底沿发光微结构边缘进行切割的方法包括：激光切割、机械切割或者化学切割。
6.根据权利要求1所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述基板为经过电路布线设计的陶瓷基板或硅基板。
7.根据权利要求1所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述发光微结构的形成过程为：
在所述蓝宝石衬底任意一表面形成所述N型氮化镓层；
在所述N型氮化镓层背离所述蓝宝石衬底一侧形成所述有源层；
在所述有源层背离所述蓝宝石衬底一侧形成所述P型氮化镓层；
采用刻蚀工艺将所述N型氮化镓层背离所述蓝宝石衬底一侧的预设区域裸露；
在所述P型氮化镓层背离所述蓝宝石衬底一侧形成所述导电反射膜层；
在所述N型氮化镓层的预设区域、且背离所述蓝宝石衬底一侧形成所述N型电极，且在所述导电反射膜层背离所述蓝宝石衬底一侧形成所述P型电极，所述N型电极与所述P型电极之间相互绝缘。
8.根据权利要求7所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，在形成所述P型氮化镓层后，且刻蚀裸露所述N型氮化镓层的预设区域前，所述制作方法还包括：
在所述P型氮化镓层背离所述蓝宝石衬底一侧形成欧姆接触层，其中，所述导电反射膜层位于所述欧姆接触层背离所述蓝宝石衬底一侧。
9.根据权利要求7所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述导电反射膜层为金属反射膜层；其中，在形成所述导电反射膜层后，且形成所述N型电极和P型电极前，所述制作方法还包括：
在所述导电反射膜层背离所述蓝宝石衬底一侧形成金属扩散阻挡层，其中，所述P型电极形成于所述金属扩散阻挡层背离所述蓝宝石衬底一侧。
10.根据权利要求7所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，在形成所述导电反射膜层后，且形成所述N型电极和P型电极前，所述制作方法还包括：
形成覆盖所述导电反射膜层、且延伸覆盖至所述N型氮化镓层的预设区域的钝化层；
其中，所述钝化层对应所述预设区域的区域设置有第一开口，以用于形成所述N型电极，以及，所述钝化层对应所述导电反射膜层的区域设置有第二开口，以用于形成所述P型电极。
11.一种LED芯片，其特征在于，所述LED芯片采用权利要求1~10任意一项所述的制作方法制作而成。
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|---|---|
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106159056A (zh) * | 2016-09-18 | 2016-11-23 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种倒装高压芯片及其制作方法 |
| CN111725360A (zh) * | 2019-03-22 | 2020-09-29 | 安徽三安光电有限公司 | 一种复合衬底及其制备方法和利用其制备发光元件的方法 |
| CN112582515A (zh) * | 2020-12-11 | 2021-03-30 | 苏州芯聚半导体有限公司 | 发光二极管及制作方法 |
| CN114141914A (zh) * | 2021-12-01 | 2022-03-04 | 东莞市中麒光电技术有限公司 | 衬底剥离方法 |
Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004221186A (ja) * | 2003-01-10 | 2004-08-05 | Nanotemu:Kk | 半導体発光装置 |
| CN1564331A (zh) * | 2004-04-05 | 2005-01-12 | 清华大学 | 一种GaN基发光二极管的制作方法 |
| KR20080078975A (ko) * | 2007-02-26 | 2008-08-29 | 서울옵토디바이스주식회사 | 발광 다이오드의 제조 방법 |
| CN101599521A (zh) * | 2009-06-29 | 2009-12-09 | 大连九久光电科技有限公司 | 一种大功率led的封装结构 |
| CN101840972A (zh) * | 2009-03-19 | 2010-09-22 | 先进开发光电股份有限公司 | 倒装芯片式半导体光电元件的结构及其制造方法 |
| CN102130235A (zh) * | 2010-12-31 | 2011-07-20 | 北京大学深圳研究生院 | 一种led芯片的封装方法及封装器件 |
| CN102194985A (zh) * | 2010-03-04 | 2011-09-21 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 晶圆级封装之方法 |
| CN102354724A (zh) * | 2010-10-15 | 2012-02-15 | 广东昭信灯具有限公司 | 一种led倒装结构及其制备方法 |
| CN102810605A (zh) * | 2011-06-01 | 2012-12-05 | 红蝶科技(深圳)有限公司 | 一种基于荧光粉的发光二极管的封装方法 |
| CN102956797A (zh) * | 2012-11-23 | 2013-03-06 | 天津三安光电有限公司 | 发光二极管的制造方法 |
| CN103066169A (zh) * | 2011-10-18 | 2013-04-24 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 厚窗口层led制造 |
| CN103296153A (zh) * | 2012-05-28 | 2013-09-11 | 傅华贵 | Led芯片封装方法 |
| CN104218141A (zh) * | 2014-09-17 | 2014-12-17 | 深圳市晶台股份有限公司 | 一种倒装led芯片的封装结构 |
| CN104900770A (zh) * | 2015-06-19 | 2015-09-09 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | Led芯片及其制作方法、显示装置 |
-
2015
- 2015-12-02 CN CN201510865709.2A patent/CN105355729B/zh active Active
Patent Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004221186A (ja) * | 2003-01-10 | 2004-08-05 | Nanotemu:Kk | 半導体発光装置 |
| CN1564331A (zh) * | 2004-04-05 | 2005-01-12 | 清华大学 | 一种GaN基发光二极管的制作方法 |
| KR20080078975A (ko) * | 2007-02-26 | 2008-08-29 | 서울옵토디바이스주식회사 | 발광 다이오드의 제조 방법 |
| CN101840972A (zh) * | 2009-03-19 | 2010-09-22 | 先进开发光电股份有限公司 | 倒装芯片式半导体光电元件的结构及其制造方法 |
| CN101599521A (zh) * | 2009-06-29 | 2009-12-09 | 大连九久光电科技有限公司 | 一种大功率led的封装结构 |
| CN102194985A (zh) * | 2010-03-04 | 2011-09-21 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 晶圆级封装之方法 |
| CN102354724A (zh) * | 2010-10-15 | 2012-02-15 | 广东昭信灯具有限公司 | 一种led倒装结构及其制备方法 |
| CN102130235A (zh) * | 2010-12-31 | 2011-07-20 | 北京大学深圳研究生院 | 一种led芯片的封装方法及封装器件 |
| CN102810605A (zh) * | 2011-06-01 | 2012-12-05 | 红蝶科技(深圳)有限公司 | 一种基于荧光粉的发光二极管的封装方法 |
| CN103066169A (zh) * | 2011-10-18 | 2013-04-24 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 厚窗口层led制造 |
| CN103296153A (zh) * | 2012-05-28 | 2013-09-11 | 傅华贵 | Led芯片封装方法 |
| CN102956797A (zh) * | 2012-11-23 | 2013-03-06 | 天津三安光电有限公司 | 发光二极管的制造方法 |
| CN104218141A (zh) * | 2014-09-17 | 2014-12-17 | 深圳市晶台股份有限公司 | 一种倒装led芯片的封装结构 |
| CN104900770A (zh) * | 2015-06-19 | 2015-09-09 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | Led芯片及其制作方法、显示装置 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106159056A (zh) * | 2016-09-18 | 2016-11-23 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种倒装高压芯片及其制作方法 |
| CN111725360A (zh) * | 2019-03-22 | 2020-09-29 | 安徽三安光电有限公司 | 一种复合衬底及其制备方法和利用其制备发光元件的方法 |
| CN111725360B (zh) * | 2019-03-22 | 2023-04-07 | 安徽三安光电有限公司 | 一种复合衬底及其制备方法和利用其制备发光元件的方法 |
| CN112582515A (zh) * | 2020-12-11 | 2021-03-30 | 苏州芯聚半导体有限公司 | 发光二极管及制作方法 |
| CN114141914A (zh) * | 2021-12-01 | 2022-03-04 | 东莞市中麒光电技术有限公司 | 衬底剥离方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105355729B (zh) | 2018-06-22 |
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