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  1. 非単結晶材料からなる層を含む負帯電用電子写真感光体の製造方法において、
    第1ステップとして、排気手段に接続され、原料ガス供給手段を備えた真空気密可能な成膜炉内に導電性の表面を有する円筒状基体を設置し、原料ガスを高周波電力により分解し、該基体上に、非単結晶材料からなる光導電層を有する第1の層を堆積する工程と、
    第2ステップとして、前記第1の層を積層した基体を一旦成膜炉から取り出す工程と、
    第3ステップとして、前記第1ステップにおいて積層された前記第1の層表面の突起に対して、少なくともその頭頂部を除去する工程と、
    第4ステップとして、排気手段と原料ガス供給手段を備えた真空気密可能な成膜炉内に前記第3ステップの工程を終えた基体を設置し、周期表第13族元素を含むガスと、水素、アルゴン及びヘリウムから選ばれる少なくとも一つからなる希釈ガスと、で前記第1の層表面をプラズマ処理する工程と、
    第5ステップとして、原料ガスを高周波電力により分解し、前記第1の層上に非単結晶材料からなる表面保護層としての第2の層を積層させる工程
    を有することを特徴とする負帯電用電子写真感光体の製造方法。
  2. 前記第1の層が、前記光導電層よりも表面側に、珪素と周期表第13族元素を含む上部阻止層を更に有し、該光導電層の形成工程の後に、該上部阻止層の形成工程を有することを特徴とする請求項1に記載の負帯電用電子写真感光体の製造方法。
  3. 前記上部阻止層が炭素、珪素及び周期表第13族元素を含む非単結晶材料からなり、前記第2の層が、炭素、珪素を含む非単結晶材料からなる請求項2に記載の負帯電用電子写真感光体の製造方法。
  4. 前記第1の層が、前記光導電層よりも表面側に、珪素と周期表第13族元素を含む上部阻止層と、珪素を含む非単結晶材料からなり、該第1の層の最表面を形成する保護層と、を更に有し、該光導電層の形成工程の後に、該上部阻止層の形成工程と、該保護層の形成工程を有することを特徴とする請求項1に記載の負帯電用電子写真感光体の製造方法。
  5. 前記上部阻止層が炭素、珪素及び周期表第13族元素を含む非単結晶材料からなり、前記保護層が炭素及び珪素を含む非単結晶材料からなり、前記第2の層が炭素及び珪素を含む非単結晶材料からなる請求項4に記載の負帯電用電子写真感光体の製造方法。
  6. 前記上部阻止層を構成する珪素に対する炭素の組成比が、表面側に向かって増加していることを特徴とする請求項3または5に記載の負帯電用電子写真感光体の製造方法。
  7. 前記第2の層が炭素原子を母材とする非単結晶材料からなることを特徴とする請求項1乃至のいずれかに記載の負帯電用電子写真感光体の製造方法。
  8. 前記上部阻止層に含まれる、構成元素の総数に対する周期表第13族元素の含有量が100原子ppm以上、30000原子ppm以下であることを特徴とする請求項2乃至のいずれかに記載の負帯電用電子写真感光体の製造方法。
  9. 前記第4ステップにおいて、導入される全ガス流量中の周期表第13族元素の含有量が、2.0×10-4 mol%以上、2.0×10-2mol%以下であることを特徴とする請求項1乃至8のいずれかに記載の負帯電用電子写真感光体の製造方法。
  10. 前記第4ステップにおける周期表第13族元素を含むガスが、B26ガスであることを特徴とする請求項1乃至9のいずれかに記載の負帯電用電子写真感光体の製造方法。
  11. 前記第3ステップにおける頭頂部の除去を研磨加工により行うことを特徴とする請求項1乃至10のいずれかに記載の負帯電用電子写真感光体の製造方法。
  12. 前記第3ステップにおいて、前記第4ステップに進む前に前記第1の層の表面を水と接触させる処理が施されることを特徴とする請求項1乃至11のいずれかに記載の負帯電用電子写真感光体の製造方法。
  13. 導電性の表面を有する円筒状基体上に、非単結晶材料からなる光導電層と、炭素、珪素を含む非単結晶材料からなる上部阻止層及び保護層を含む第1の層と、前記第1の層上に非単結晶材料からなる表面保護層としての第2の層を積層させた電子写真感光体において、第1の層内の異常成長部が第2の層まで達しておらず、第1の層と第2の層との界面領域に周期表第13族元素の含有量分布がピークを有することを特徴とする負帯電用電子写真感光体。
  14. 前記上部阻止層を構成する珪素に対する炭素の組成比が、表面側に向かって増加していることを特徴とする請求項13に記載の負帯電用電子写真感光体。
  15. 前記第1の層と第2の層との界面領域における周期表第13族元素の含有量分布のピークが、5.0×1017個/cm3以上、1.0×1021個/cm3以下であることを特徴とする請求項13または14に記載の負帯電用電子写真感光体。
  16. 請求項13乃至15のいずれかに記載の負帯電用電子写真感光体を用いた電子写真装置。
  17. 前記電子写真装置の帯電手段が、接触帯電手段からなることを特徴とする請求項16に記載の電子写真装置。
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