JP2005538552A5 - - Google Patents
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- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims 15
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N Silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 12
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims 3
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 claims 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 2
- ZXEYZECDXFPJRJ-UHFFFAOYSA-N $l^{3}-silane;platinum Chemical compound [SiH3].[Pt] ZXEYZECDXFPJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- WKODDKLNZNVCSL-UHFFFAOYSA-N 1,3,2$l^{2},4$l^{2}-oxazadisiletidine Chemical compound N1[Si]O[Si]1 WKODDKLNZNVCSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N molybdenum Chemical group [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims 1
- 229910021339 platinum silicide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
Claims (24)
- １トランジスタ・セルを備えた揮発性ランダム・アクセス・メモリであって、ダイオードが、制御ゲートと浮遊ゲートとの間のコンデンサの代わりに使用され、情報は、前記トランジスタのソース端子とドレイン端子との間の抵抗を感知することによって読み取られる、揮発性ランダム・アクセス・メモリ。
- トランジスタのゲートのダイオード分離を有する１トランジスタ・セルを備えたダイナミック不揮発性ランダム・アクセス・メモリであって、前記ダイオードを介した前記ゲートの充放電は、前記ダイオードを形成する材料の電気特性を変化させず、また、ゲート酸化物にストレスを与えない、ダイナミック不揮発性ランダム・アクセス・メモリ。
- リアルタイムのデータ処理を可能にするために、書き込みサイクル数は、十分に大きく、充放電の速度は、十分に速い、請求項２に記載のダイナミック不揮発性ランダム・アクセス・メモリ。
- １トランジスタ・セルを備えたダイナミック不揮発性ランダム・アクセス・メモリであって、炭化ケイ素デバイスが、制御ゲートと浮遊ゲートとの間のコンデンサの代わりに使用され、情報は、前記トランジスタのソース端子とドレイン端子との間の抵抗を感知することによって読み取られる、ダイナミック不揮発性ランダム・アクセス・メモリ。
- 前記炭化ケイ素デバイスは、ダイオードである、請求項４に記載のダイナミック不揮発性ランダム・アクセス・メモリ。
- 前記炭化ケイ素デバイスは、制御されたスイッチである請求項４に記載のダイナミック不揮発性ランダム・アクセス・メモリ。
- 前記炭化ケイ素は、３Ｃ ＳｉＣウェハである、請求項４に記載のダイナミック不揮発性ランダム・アクセス・メモリ。
- 前記ダイオードは、前記１Ｔメモリ・セルを電気的にリフレッシュする必要を回避するために十分長い電荷保持時間を創出するように不動態化されたＳｉＣ−ＳｉＯ２界面を有する炭化ケイ素で実施される、請求項５に記載のダイナミック不揮発性ランダム・アクセス・メモリ。
- 前記電荷保持時間は、７年を超える、請求項７に記載のダイナミック不揮発性ランダム・アクセス・メモリ。
- 前記ＳｉＣ−ＳｉＯ２界面は、ＮＯまたはＮ２Ｏどちらかのリッチ環境（ｒｉｃｈ ｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔｓ）内で窒化される、請求項８に記載のダイナミック不揮発性ランダム・アクセス・メモリ。
- 電子とホールの発生／再結合率および電荷漏洩は、非平衡電荷をかなりの時間維持することができる程低減され、かつ、メモリ・セルを接続するためのスイッチとして使用される炭化ケイ素トランジスタを含む不揮発性ランダム・アクセス・メモリ。
- １トランジスタ・セルからなるダイナミック不揮発性ランダム・アクセス・メモリであって、前記トランジスタは、
（ａ）ポリシリコンの本体と、
（ｂ）ソース領域またはドレイン領域として機能する、金属接点または高濃度ドーピングされたポリシリコン接点と、
（ｃ）分離ダイオードのアノードまたはカソードと一体になっているＳｉＣゲートと、
を伴って創出された、ダイナミック不揮発性ランダム・アクセス・メモリ。 - 前記分離ダイオードは、順方向ターン・オン電圧および逆方向ターン・オン電圧を超えたとき、順方向オン動作と逆方向オン動作の両方を有する基準型ダイオードである、請求項５に記載のダイナミック不揮発性ランダム・アクセス・メモリ。
- 前記基準型ダイオードは、ＮＰＮ層またはＰＮＰ層のいずれかより創出される、請求項１１に記載のダイナミック不揮発性ランダム・アクセス・メモリ。
- シリコンまたは炭化ケイ素のトランジスタは、メモリ素子として使用され、炭化ケイ素のトランジスタは、前記メモリ素子のゲートに接続するスイッチとして使用される、ダイナミック不揮発性ランダム・アクセス・メモリ。
- 前記炭化ケイ素トランジスタのゲート酸化物は、直接の酸化物成長によって、あるいはＮＯまたはＮ２Ｏの存在下で予め成長させた酸化物のアニールによって用意される、請求項１２に記載のダイナミック不揮発性ランダム・アクセス・メモリ。
- トランジスタゲートのダイオード分離を有する１トランジスタ・セルを備えた揮発性ランダム・アクセス・メモリ。
- ワード線と交差するビット線を有し、前記ワード線と平行であるソースを有し、シリコンまたは炭化ケイ素で実施される金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ。
- 前記ビット線は、ＭＯＳＦＥＴのドレインを含み、前記ワード線は、ＭＯＳＦＥＴのゲートを含む、請求項１８に記載の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ。
- 書き込み動作は、ゲートを接地して実行される、請求項１６に記載の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ。
- 窒化酸化ケイ素ゲートを炭化ケイ素基板上に形成し、次いでイオン注入を実行し、それからＭＯＳＦＥＴの形成を仕上げる工程を含む、請求項１０に記載の不揮発性ランダム・アクセス・メモリまたは請求項１６に記載のＭＯＳＦＥＴを製造する方法。
- 前記ＳｉＣ−ＳｉＯ２界面は、ＮＯまたはＮ２Ｏどちらかの環境内において高温で窒化されることによって不動態化される、請求項２１に記載の方法。
- 前記炭化ケイ素は、３Ｃ ＳｉＣウェハである、請求項２２に記載の方法。
- 前記トランジスタは、ゲートを含み、前記ゲートは、モリブデン、Ｐ＋ポリシリコン、およびプラチナ・シリサイドの中から選択される、請求項１２に記載の不揮発性ランダム・アクセス・メモリ。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| AU2002951339A AU2002951339A0 (en) | 2002-09-12 | 2002-09-12 | Non volatile memory cell |
| AU2003900911A AU2003900911A0 (en) | 2003-02-28 | 2003-02-28 | Nonvolatile memory cell |
| PCT/AU2003/001186 WO2004025660A1 (en) | 2002-09-12 | 2003-09-12 | Memory cell |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010226721A Division JP2011091395A (ja) | 2002-09-12 | 2010-10-06 | メモリ・セル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005538552A JP2005538552A (ja) | 2005-12-15 |
| JP2005538552A5 true JP2005538552A5 (ja) | 2006-08-31 |
Family
ID=31994781
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004534858A Pending JP2005538552A (ja) | 2002-09-12 | 2003-09-12 | メモリ・セル |
| JP2010226721A Pending JP2011091395A (ja) | 2002-09-12 | 2010-10-06 | メモリ・セル |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010226721A Pending JP2011091395A (ja) | 2002-09-12 | 2010-10-06 | メモリ・セル |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7362609B2 (ja) |
| EP (2) | EP1537585A4 (ja) |
| JP (2) | JP2005538552A (ja) |
| KR (2) | KR101032870B1 (ja) |
| TW (1) | TWI320571B (ja) |
| WO (1) | WO2004025660A1 (ja) |
Families Citing this family (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2003
- 2003-09-10 TW TW092125058A patent/TWI320571B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-09-12 KR KR1020057004311A patent/KR101032870B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-09-12 JP JP2004534858A patent/JP2005538552A/ja active Pending
- 2003-09-12 WO PCT/AU2003/001186 patent/WO2004025660A1/en active IP Right Grant
- 2003-09-12 US US10/526,382 patent/US7362609B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-09-12 EP EP03794699A patent/EP1537585A4/en not_active Withdrawn
- 2003-09-12 EP EP10183908A patent/EP2296151A1/en not_active Withdrawn
- 2003-09-12 KR KR1020107021028A patent/KR20100107084A/ko not_active Application Discontinuation
-
2010
- 2010-10-06 JP JP2010226721A patent/JP2011091395A/ja active Pending
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