JP2005293813A - Nandフラッシュメモリ素子及びその読み取り方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図2
Description
110 セルストリング部
120 ストリング選択部
130 ソース選択部
200 Xデコーダ部
210 ストリング伝送トランジスタ
220 ワードライン伝送トランジスタ
230 ソース伝送トランジスタ
300 スイッチ部
310 ストリング放電トランジスタ
320 ソース放電トランジスタ
Claims (12)
- ローカルストリング選択信号によって複数のビットライン信号を伝送するストリング選択部と、ローカルソース選択信号によって共通ソースライン信号を伝送するソース選択部と、複数のビットライン信号、共通ソースライン信号及び複数のローカルワードライン信号によって所定のデータを格納するセルストリング部とを含むセルブロックと、
動作信号によってグローバルストリング選択信号、グローバルソース選択信号及び複数のグローバルワードライン信号をそれぞれ前記ローカルストリング選択信号、前記ローカルソース選択信号及び前記複数のローカルワードライン信号に伝送するXデコーダ部と、
所定の制御信号によって前記ローカルストリング選択信号及び前記ローカルソース選択信号に接地電源信号を印加するスイッチ部と
を備えることを特徴とするNANDフラッシュメモリ素子。 - 前記スイッチ部は、
前記制御信号によってそれぞれ前記ローカルストリング選択信号に接地電源を伝送するストリング放電トランジスタと、
前記ローカルソース選択信号に接地電源を伝送するソース放電トランジスタと
を備えることを特徴とする請求項1に記載のNANDフラッシュメモリ素子。 - 選択された前記セルブロックと接続した前記スイッチ部に印加する前記制御信号はロジックローであり、選択されない前記セルブロックと接続した前記スイッチ部に印加する前記制御信号はロジックハイであることを特徴とする請求項2に記載のNANDフラッシュメモリ素子。
- 読み出し動作信号によって前記ビットラインに検出電圧を印加し、前記検出電圧の状態によってセルのプログラム及び消去状態をセンシングするページバッファ部をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のNANDフラッシュメモリ素子。
- 前記セルブロックは、
複数のビットラインにそれぞれ接続され前記ローカルストリング選択信号によって前記ビットライン信号を伝送する複数のストリング選択トランジスタと、
共通ソースラインに接続され前記ローカルソース選択信号によって前記共通ソースライン信号を伝送する複数のソース選択トランジスタと、
直列接続された複数のセルが前記複数のストリング選択トランジスタと前記複数のソース選択トランジスタとの間にそれぞれ接続された複数のセルストリングを含み、複数のセルストリング内の同一位置にある前記セルのゲート各々にローカルワードラインが接続され前記複数のビットライン信号、前記共通ソースライン信号及び前記複数のローカルワードライン信号によって所定のデータを格納したり消去することを特徴とする請求項1に記載のNANDフラッシュメモリ素子。 - 前記Xデコーダ部は、
前記動作信号によってそれぞれ前記グローバルストリング選択信号を前記ローカルストリング選択信号に伝送するストリング伝送トランジスタと、
前記グローバルソース選択信号を前記ローカルソース選択信号に伝送するソース伝送トランジスタと、
前記複数のグローバルワードライン信号を前記複数のローカルワードライン信号に伝送する複数のワードライン伝送トランジスタと
を備えることを特徴とする請求項1に記載のNANDフラッシュメモリ素子。 - 少なくとも2個以上の前記セルブロックの前記ソース選択部に同じ前記ローカルソース選択信号が印加されるように、前記セルブロック間の前記ソース選択部を電気的に接続することを特徴とする請求項1に記載のNANDフラッシュメモリ素子。
- 前記セルブロックの前記ソース選択部にそれぞれ独立された前記ローカルソース選択信号が印加されるように、前記セルブロックの前記ソース選択部を電気的に分離することを特徴とする請求項1に記載のNANDフラッシュメモリ素子。
- 複数のビットラインに接続された複数のストリング選択トランジスタと共通ソースラインに接続された複数のソース選択トランジスタとの間に直列接続された複数のセルストリングと、前記複数のストリング選択トランジスタのゲート端子に接続されたローカルストリング選択ラインと、前記複数のソース選択トランジスタのゲート端子に接続されたローカルソース選択ライン及び前記セルストリング内のセル各々のゲート端子に接続された複数のローカルワードラインとを含む複数のセルブロックと、
それぞれ動作電圧によって駆動しグローバルストリング選択ラインと前記ローカルストリング選択ラインとに接続されたストリング伝送トランジスタと、グローバルソース選択ラインと前記ローカルソース選択ラインとに接続されたソース伝送トランジスタ、複数のグローバルワードラインと前記複数のローカルワードラインとに接続された複数のワードライン伝送トランジスタとを含むXデコーダ部と、
それぞれ制御電圧によって駆動し接地電源と前記ローカルストリング選択ラインとに接続されたストリング放電トランジスタと、接地電源と前記ローカルソース選択ラインとに接続されたソース放電トランジスタとを含むスイッチ部と、
読み出し動作信号によって前記ビットラインに検出電圧を印加し、前記検出電圧の状態によってセルのプログラム及び消去状態を判断するページバッファ部と
を備えるNANDフラッシュメモリ素子の読み取り方法において、
前記Xデコーダ部にグローバルストリング選択電圧、グローバルソース選択電圧及び選択されない複数のワードラインにはパス電圧を印加し、選択されたワードラインには読み出し電圧を印加し、選択された前記セルブロックと接続された前記Xデコーダ部にロジックハイの動作電圧を印加し、選択されない前記セルブロックと接続された前記Xデコーダ部にロジックローの動作電圧を印加するステップと、
選択された前記セルブロックと接続された前記スイッチ部にロジックローの制御電圧を印加し、選択されない前記セルブロックと接続された前記スイッチ部にロジックハイの制御電圧を印加するステップと、
前記共通ソースラインとバルクとに接地電圧を印加し、前記ページバッファを介して選択された前記ビットラインに検出電圧を印加した後、前記検出電圧の変化をセンシングするステップと
を備えることを特徴とするNANDフラッシュメモリ素子の読み取り方法。 - 前記グローバルストリング選択電圧、前記グローバルソース選択電圧及び前記パス電圧として4.0ないし5.0Vの電圧を使用し、前記読み出し電圧として接地電圧を使用することを特徴とする請求項9に記載のNANDフラッシュメモリ素子の読み取り方法。
- 選択された前記セルブロックと接続された前記Xデコーダ部に印加されるロジックハイの動作電圧として4.0V+2Vtないし5.0V+2Vt電圧を使用し、選択されない前記セルブロックと接続された前記Xデコーダ部に印加されるロジックローの動作電圧として接地電圧を使用することを特徴とする請求項9に記載のNANDフラッシュメモリ素子の読み取り方法。
- 前記選択されたセルブロックと接続した前記スイッチ部に印加する前記制御電圧はロジックローであり、前記選択されないセルブロックと接続した前記スイッチ部に印加する前記制御電圧はロジックハイであることを特徴とする請求項9に記載のNANDフラッシュメモリ素子の読み取り方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040022677A KR100559716B1 (ko) | 2004-04-01 | 2004-04-01 | 낸드 플래시 메모리 소자 및 이의 독출 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005293813A true JP2005293813A (ja) | 2005-10-20 |
Family
ID=35034188
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004192821A Pending JP2005293813A (ja) | 2004-04-01 | 2004-06-30 | Nandフラッシュメモリ素子及びその読み取り方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7035143B2 (ja) |
JP (1) | JP2005293813A (ja) |
KR (1) | KR100559716B1 (ja) |
CN (1) | CN1677569B (ja) |
DE (1) | DE102004030931A1 (ja) |
TW (1) | TWI264727B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009043394A (ja) * | 2007-08-06 | 2009-02-26 | Hynix Semiconductor Inc | ブロックデコーダ及びこれを含む半導体メモリ素子 |
Families Citing this family (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3999900B2 (ja) * | 1998-09-10 | 2007-10-31 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体メモリ |
KR100671625B1 (ko) * | 2004-12-28 | 2007-01-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 블록 사이즈를 변경할 수 있는 난드 플래시 메모리 장치 |
KR100612569B1 (ko) * | 2005-03-10 | 2006-08-11 | 주식회사 하이닉스반도체 | 향상된 프리-프로그램 기능을 가지는 플래쉬 메모리 장치및 그 프리-프로그램 동작 제어방법 |
US7499326B2 (en) * | 2006-04-12 | 2009-03-03 | Sandisk Corporation | Apparatus for reducing the impact of program disturb |
US7684243B2 (en) | 2006-08-31 | 2010-03-23 | Micron Technology, Inc. | Reducing read failure in a memory device |
KR100827695B1 (ko) * | 2006-11-03 | 2008-05-07 | 삼성전자주식회사 | 연약 셀을 표식자로서 활용하는 불휘발성 반도체 메모리장치 |
KR100811278B1 (ko) * | 2006-12-29 | 2008-03-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 셀프 부스팅을 이용한 낸드 플래시 메모리소자의 읽기 방법 |
US7778086B2 (en) * | 2007-01-25 | 2010-08-17 | Micron Technology, Inc. | Erase operation control sequencing apparatus, systems, and methods |
US7656740B2 (en) * | 2007-02-05 | 2010-02-02 | Micron Technology, Inc. | Wordline voltage transfer apparatus, systems, and methods |
KR100865821B1 (ko) * | 2007-03-14 | 2008-10-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 불휘발성 메모리 장치의 독출 방법 |
JP5057850B2 (ja) * | 2007-06-04 | 2012-10-24 | 東芝メモリシステムズ株式会社 | 半導体装置 |
KR101411976B1 (ko) | 2007-07-09 | 2014-06-27 | 삼성전자주식회사 | 플래시 메모리 시스템 및 그것의 에러 정정 방법 |
KR100976694B1 (ko) * | 2007-07-25 | 2010-08-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | 불휘발성 메모리 장치의 블록 디코더 |
US7701761B2 (en) * | 2007-12-20 | 2010-04-20 | Sandisk Corporation | Read, verify word line reference voltage to track source level |
JP2009206492A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-09-10 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
KR101458792B1 (ko) | 2008-02-11 | 2014-11-10 | 삼성전자주식회사 | 플래시 메모리 장치 |
KR100965066B1 (ko) * | 2008-03-28 | 2010-06-21 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래시 메모리 소자 및 그 블록 선택 회로 |
KR101411499B1 (ko) | 2008-05-19 | 2014-07-01 | 삼성전자주식회사 | 가변 저항 메모리 장치 및 그것의 관리 방법 |
US7889572B2 (en) * | 2008-09-04 | 2011-02-15 | Macronix International Co., Ltd. | Memory with high reading performance and reading method thereof |
US8164134B2 (en) | 2009-06-09 | 2012-04-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2011040706A (ja) * | 2009-07-15 | 2011-02-24 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
US8837221B2 (en) * | 2010-09-03 | 2014-09-16 | Aplus Flash Technology, Inc. | Write bias condition for 2T-string NOR flash cell |
WO2012084751A1 (en) * | 2010-12-23 | 2012-06-28 | Imec | Vertical memory devices |
US8614918B2 (en) | 2011-05-02 | 2013-12-24 | Micron Technology, Inc. | Memory apparatus and methods |
JP2014063556A (ja) | 2012-09-24 | 2014-04-10 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
KR102127416B1 (ko) | 2013-06-27 | 2020-06-26 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치, 그것을 포함하는 메모리 시스템 및 그것의 읽기 방법 |
KR102210520B1 (ko) * | 2013-12-19 | 2021-02-02 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 그것의 소거 방법 |
CN104835528B (zh) * | 2014-02-07 | 2018-09-11 | 华邦电子股份有限公司 | 快闪存储器装置及其数据读取方法 |
KR20160008875A (ko) * | 2014-07-15 | 2016-01-25 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 그것의 동작 방법 |
KR20160094117A (ko) * | 2015-01-30 | 2016-08-09 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 플래시 메모리 소자 |
KR102424371B1 (ko) * | 2016-01-19 | 2022-07-25 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 이의 동작 방법 |
KR102650333B1 (ko) | 2016-08-10 | 2024-03-25 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 스토리지 장치 |
TWI611409B (zh) * | 2016-12-08 | 2018-01-11 | 旺宏電子股份有限公司 | 記憶體裝置與其相關的控制方法 |
CN108206039B (zh) * | 2016-12-19 | 2020-09-11 | 旺宏电子股份有限公司 | 存储器装置与其相关的控制方法 |
CN107507639B (zh) * | 2017-07-17 | 2020-06-09 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 消除sonos器件字线耦合影响读余量的电路和方法 |
US10475510B2 (en) * | 2017-12-21 | 2019-11-12 | Macronix International Co., Ltd. | Leakage compensation read method for memory device |
WO2019181465A1 (ja) | 2018-03-19 | 2019-09-26 | 日鉄ケミカル&マテリアル株式会社 | 有機電界発光素子 |
CN108511021B (zh) * | 2018-03-26 | 2020-10-27 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 一种虚拟接地闪存读取电路 |
US10714166B2 (en) * | 2018-08-13 | 2020-07-14 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods for decoding memory access addresses for access operations |
KR102564605B1 (ko) * | 2018-12-21 | 2023-08-14 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
KR20200132270A (ko) * | 2019-05-16 | 2020-11-25 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 장치, 메모리 장치를 포함하는 메모리 시스템 및 메모리 시스템의 동작 방법 |
CN112309476B (zh) * | 2019-07-26 | 2023-03-10 | 西安格易安创集成电路有限公司 | 一种NAND Flash单元数据的读取方法和装置 |
CN112002357B (zh) * | 2020-08-13 | 2023-09-26 | 长江存储科技有限责任公司 | 用于操作半导体器件的方法及半导体器件 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3890647B2 (ja) * | 1997-01-31 | 2007-03-07 | ソニー株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置 |
US5886923A (en) * | 1997-10-27 | 1999-03-23 | Integrated Silicon Solution Inc. | Local row decoder for sector-erase fowler-nordheim tunneling based flash memory |
KR100301932B1 (ko) * | 1999-04-27 | 2001-10-29 | 윤종용 | 불 휘발성 반도체 메모리 장치 |
KR100418521B1 (ko) * | 2001-06-11 | 2004-02-11 | 삼성전자주식회사 | 계층적 섹터구조를 갖는 불휘발성 반도체 메모리 장치 |
KR100432884B1 (ko) * | 2001-08-28 | 2004-05-22 | 삼성전자주식회사 | 공유된 행 선택 구조를 갖는 불 휘발성 반도체 메모리 장치 |
KR100463199B1 (ko) * | 2002-03-04 | 2004-12-23 | 삼성전자주식회사 | 플렉서블 리던던시 스킴을 갖는 반도체 메모리 장치 |
KR100502412B1 (ko) * | 2002-10-23 | 2005-07-19 | 삼성전자주식회사 | 불 휘발성 반도체 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법 |
KR100559714B1 (ko) * | 2004-04-19 | 2006-03-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 낸드 플래시 메모리 소자 및 이의 프로그램 방법 |
-
2004
- 2004-04-01 KR KR1020040022677A patent/KR100559716B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-24 US US10/876,319 patent/US7035143B2/en active Active
- 2004-06-25 DE DE102004030931A patent/DE102004030931A1/de not_active Withdrawn
- 2004-06-30 TW TW093119305A patent/TWI264727B/zh active
- 2004-06-30 JP JP2004192821A patent/JP2005293813A/ja active Pending
- 2004-08-30 CN CN2004100748926A patent/CN1677569B/zh active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009043394A (ja) * | 2007-08-06 | 2009-02-26 | Hynix Semiconductor Inc | ブロックデコーダ及びこれを含む半導体メモリ素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1677569B (zh) | 2011-05-11 |
US20050226048A1 (en) | 2005-10-13 |
US7035143B2 (en) | 2006-04-25 |
KR20050097595A (ko) | 2005-10-10 |
TW200534287A (en) | 2005-10-16 |
KR100559716B1 (ko) | 2006-03-10 |
DE102004030931A1 (de) | 2005-10-20 |
CN1677569A (zh) | 2005-10-05 |
TWI264727B (en) | 2006-10-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081224 |
|
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