JP2005166716A - 絶縁膜の形成方法及び絶縁膜形成システム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 1台のCVD装置で、ヒータをオンし、1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン(TMCTS)を導入し、高周波電圧を印加せずに、焼成処理を行い、多孔質シリカなどの多孔質低誘電率膜の改質処理を行う。続いて、同一のCVD装置で、ヒータをオンし、TMCTSを導入し、高周波電圧を印加して、TMCTSのプラズマを生成し、多孔質低誘電率膜の上に密度・硬度の高い絶縁膜を形成する。
【選択図】 図3
Description
第1の絶縁膜を所定の反応性物質を含む雰囲気中で加熱する熱処理工程と、
前記反応性物質を含むガスを利用した化学気相成長(CVD)により、前記熱処理工程による熱処理後の前記第1の絶縁膜上に、第2の絶縁膜を形成する成膜工程と、
を備えることを特徴とする。
この場合、前記反応性物質は、シリコンと水素との結合を2以上含む物質から構成されることが望ましい。
一般式
(式中、R11、R12、R13、R14、R15、R16は同一でも異なっていてもよく、それぞれH、OH、C6H5、CaH2a+1、CbH2b+1O、CF3(CF2)c(CH2)d、CeH2e−1またはハロゲン原子を示し、aは1〜3の整数、bは1〜3の整数、cは0〜10の整数、dは0〜4の整数、eは2〜4の整数であり、Lは0〜8の整数、mは0〜8の整数、nは0〜8の整数で、かつ3≦L+m+n≦8である。)
で表される少なくとも1種の環状シロキサンから構成される。
一般式
で表される少なくとも1種のケイ素化合物から構成されるものも使用可能である。
一般式
(式中、R5、R6、R7、R8、R9、R10は、同一でも異なっていてもよく、それぞれH、OH、C6H5、CaH2a+1、CbH2b+1O、CF3(CF2)c(CH2)d、CeH2e−1またはハロゲン原子を示し、aは1〜3の整数、bは1〜3の整数、cは0〜10の整数、dは0〜4の整数、eは2〜4の整数である。)
で表される少なくとも1種のケイ素化合物から構成されるものも使用可能である。
一般式
(式中、R17、R18、R19、R20、R21、R22は、同一でも異なっていてもよく、それぞれH、OH、C6H5、CaH2a+1、CbH2b+1O、CF3(CF2)c(CH2)d、CeH2e−1またはハロゲン原子を示し、aは1〜3の整数、bは1〜3の整数、cは0〜10の整数、dは0〜4の整数、eは2〜4の整数であり、Xは、O、(CH2)f、C6H4、(OSiR23R24)nO、OSiR25R26YSiR27R28O、またはNR29であり、R23、R24、R25、R26、R27、R28、R29は互いに同一でも異なっていてもよく、それぞれH、OH、C6H5、CaH2a+1、CbH2b+1O、CF3(CF2)c(CH2)d、CeH2e−1、ハロゲン原子またはOSiR30R31R32を示し、aは1〜3の整数、bは1〜3の整数、cは0〜10の整数、dは0〜4の整数、eは2〜4の整数、fは1〜6の整数、nは1〜10の整数であり、Yは(CH2)m、C6H4を示し、mは1〜6の整数であり、R30、R31、R32は、同一でも異なっていてもよく、それぞれHまたはCH3である。)
で表される少なくとも1種のケイ素化合物から構成されるものも使用可能である。
一般式
(式中、R33、R34、R35、R36、R37、R38、R39、R40、R41は、互いに同一でも異なっていてもよく、それぞれH、OH、C6H5、CaH2a+1、CbH2b+1O、CF3(CF2)c(CH2)d、CeH2e−1またはハロゲン原子を示し、aは1〜3の整数、bは1〜3の整数、cは0〜10の整数、dは0〜4の整数、eは2〜4の整数であり、Lは0〜8の整数、mは0〜8の整数、nは0〜8の整数であり、かつ3≦L+m+n≦8である。)
で表される少なくとも1種の環状シラザンから構成されるものも使用可能である。
シリコンを含む多孔質膜を1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサンを含む雰囲気中に配置すると共に加熱して、該多孔質膜を改質する改質工程と、
改質された前記多孔質膜を1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサンを含む雰囲気中に配置し、前記1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサンを含むガスを用いた化学気相成長により、前記多孔質膜上に、前記改質された多孔質膜よりも硬度と密度との少なくとも一方が高い絶縁膜を形成する工程と、
を備えることを特徴とする。
第1のチャンバと、前記第1のチャンバ内に配置され被処理体を支持する第1の支持体と、前記第1の支持体により支持された被処理体を加熱する第1のヒータと、前記第1のチャンバ内に所定の反応性物質を含むガスを供給する第1のガス供給手段と、第1の支持体上に第1の絶縁膜が配置された状態で、前記第1のガス供給手段により前記第1のチャンバ内に前記反応性物質を含むガスを導入すると共に前記第1のヒータにより前記第1の絶縁膜を加熱する第1の制御手段と、第2のチャンバと、前記第2のチャンバ内に配置され被処理体を支持する第2の支持体と、前記第2の支持体により支持された被処理体を加熱する第2のヒータと、前記第2のチャンバ内に前記反応性物質を含むガスを供給する第2のガス供給手段と、前記第2の支持体に前記第1の絶縁膜が支持された状態で、前記第2のガス供給手段により前記第2のチャンバ内に前記反応性物質を含むガスを導入し、前記第1の絶縁膜上に前記反応物質からの生成物を含む第2の絶縁膜を形成する第2の制御手段と、を備えることを特徴とする。
1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサンを使用して改質工程と成膜工程とを実行するので、ガス供給プロセスが簡略化可能である。また、改質工程で実行する処理が成膜工程で実行する処理の一部(1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサンの供給と加熱処理)にほぼ等しいので、成膜工程で使用する装置構成を用いて、改質工程と成膜工程とを実行することが可能であり(これに限定されるものではない)、システムの構成などが簡略化可能であり、制御も容易となる。
各CVD装置111は、いわゆる平行平板型プラズマCVD装置であり、図2に示すように、円筒形状のチャンバ112を有する。チャンバ112は、アルマイト処理(陽極酸化処理)されたアルミニウム等の導電性材料から構成される。
これにより、下部電極Eには、直流電圧が印加され、静電チャックとして機能する。
シャワーヘッド131のサセプタ116に対向する面には、多数のガス穴132を有する電極板133が設けられている。シャワーヘッド131は、電極支持体134により、チャンバ112の天井部分に支持されている。
この成膜装置11による、成膜処理は概略的には、図3の手順図に示すように、被処理体である半導体ウエハWの搬入(ステップS1)、スピン塗布装置101による多孔質低誘電率膜の材料液のスピン塗布処理(ステップS2)、スピン塗布装置101からCVD装置111への半導体ウエハWの搬送(ステップS3)、CVD装置111による多孔質低誘電率膜の焼成・改質処理(ステップS4)、CVD装置111によるハードマスクの形成(ステップS5)、処理済の半導体ウエハWの搬出(ステップS6)、という手順になる。
なお、以下の手順は、すべて制御部100が内部に記憶しているプロセス制御プログラムに基づいて、制御部100の制御により実行される。ただし、理解を容易にするため、制御部100に逐一言及することは避けることとする。
ゲート24を開き、被処理対象である半導体ウエハWを搬入出室15に搬送し、ゲート24を閉じる。ゲート23を開き、搬送アーム17により半導体ウエハWをピックアップし、これを搬送し、ゲート21を開いて、スピン塗布室12内のスピン塗布装置101のターンテーブル上に半導体ウエハWを載置する。
スピン塗布装置101は、ターンテーブルを回転し、所定回転速度になると、所定量の多孔質低誘電率膜の形成材料を、半導体ウエハWの上面に滴下し、一定時間回転を続ける。図4(a)に示すように、所望の厚さの多孔質低誘電率膜211が半導体ウエハWの上に形成されると、ターンテーブルの回転を停止する。
ゲート22を開き、多孔質低誘電率膜211が塗布・形成された半導体ウエハWをターンテーブル上から搬送アーム17により取り出し、ゲート22を閉じ、その時点で空いている、CVD室13内のCVD装置111のサセプタ116の突出しているリフトピン119上に載置する。
続いて、ゲート22を閉じる。
リフトピン119を下げて、半導体ウエハWをサセプタ116上に載置する。
続いて、ヒータコントローラ118を介してヒータ117に通電し、サセプタ116と半導体ウエハWとを、例えば、200℃〜500℃、望ましくは、400℃近辺まで加熱する。
その一方で、チャンバ112内の圧力を10Pa〜100kPa、望ましくは、24kPa程度まで減圧する。
さらに、TMCTS/希釈ガス(例えば、N2)=0.001〜1.0程度、望ましくは、0.005近辺に設定した状態で、TMCTSガスをチャンバ112内に供給する。
この状態を0.5分〜3時間(望ましくは、2分程度)維持することにより、図4(b)に示すように、多孔質低誘電率膜211の改質(疎水化、高強度化)を行う。
続いて、ヒータコントローラ118を介してヒータ117に通電し、サセプタ116と半導体ウエハWとを、例えば、200℃〜500℃、望ましくは、400℃近辺の温度に維持する。
その一方で、チャンバ112内の圧力を0.1Pa〜100Pa、望ましくは、5Pa程度まで減圧する。
さらに、TMCTS/希釈ガス(例えば、He)=0.001〜1.0程度、望ましくは、0.005近辺に設定した状態で、TMCTSガスをチャンバ112内に供給する。
成膜処理を所望の時間継続すると、高周波数電力の供給を停止し、ヒータ117をオフし、ガスの供給を停止し、内部ガスをパージして常圧に戻し、リフトピン119をアップする。
続いて、ゲート22を開き、搬送アーム17により処理済の半導体ウエハWをCVD装置111から取り出し、ゲート23を開き、搬出室15まで搬送し、最後に、ゲート24を開いて、成膜装置11から搬出する。
なお、希釈ガスの種類や流量比は任意である。また、必要に応じて、適当なガス種の添加ガスを添加ガス源138からチャンバ112内に供給するようにしてもよい。
上記実施の形態においては、共通の反応性物質を用いて、多孔質低誘電率膜211の改質とハードマスク213の形成処理とを行う例を説明したが、この発明はこれに限定されず、種々の変形及び応用が可能であり、以下、
ダマシン法を用いた銅配線用の多孔質低誘電率層間絶縁膜の改質と銅配線及びバリアメタル層の拡散防止用のシール層の形成を、共通の反応性物質(TMCTS)と共通のCVD装置とを用いて行う実施の形態を説明する。
被処理対象である半導体ウエハWをスピン塗布装置101に搬送する。
まず、前提として、ダマシン法により、半導体ウエハWに形成された絶縁膜221上にハードマスク222を形成し、これらに配線溝223を形成し、配線溝223の内面にバリアメタル層224を形成し、さらに、その内に銅配線225を形成する。続いて、エッチストッパ膜226を形成する。
さらにこの構造物上に、スピン塗布装置101により、例えば、多孔質無機シリカ、多孔質有機シリカ等の多孔質低誘電率膜227を形成する。さらに、その上に、CVD等によりハードマスク228を形成し、図5(a)に断面で示す構造体を製造する。
上記構造体を成膜装置11内に配置されている図示せぬフォトリソグラフ装置及びエッチング装置に搬送し、改質を行うことなく、フォトリソ処理とエッチング処理を行い、エッチストッパ膜226までエッチングして、図5(b)に示すように、配線孔231を形成する。続いて、洗浄装置に移して、洗浄処理を行い、エッチング残渣を除去する。
続いて、上記構造体をCVD装置111に搬送し、第1の実施の形態と同様にして、TMCTS雰囲気における焼成処理により、図5(c)に示すように、多孔質低誘電率膜227の改質処理を行う。
続いて、第1の実施の形態におけるハードマスクを形成する処理と同様の条件により、図6(d)に示すように、配線孔231の少なくとも内面に、高密度・高硬度でバリアメタルの拡散を防止可能なシール膜232を形成する。
異方性気相エッチングにより、図6(e)に示すように、シール膜232の底面部分とエッチストッパ膜226とをエッチングし、銅配線225の上面を露出する。
図6(f)に示すように、配線孔231の内面(側壁)にバリアメタル層233を形成し、銅配線234を形成する。
また、この成膜方法によれば、多孔質シリカ膜のTMCTS処理が膜方向に対し均一に処理されることが期待でき、ポーラスシリカ膜全体の高強度化が可能となる。
また、2回目のエッチング後の洗浄では、多孔質膜はTMCTS CVD膜に保護されている。TMCTS膜の洗浄薬液耐性は、多孔質膜の薬液耐性より優れているため、洗浄液から保護される。
さらに、多孔質膜がTMCTS CVD膜によりシールされているため、バリアメタル成膜時に金属原料が多孔質膜に拡散しにくくなる。
この発明は上記第1、第2の実施の形態に限定されず、さらに種々の変形が可能である。
例えば、多孔質膜の改質、表面領域の空孔をふさぐことによる疎水処理、さらに他の膜の形成というような一連の工程に適用することも可能である。
まず、多孔質低誘電率膜311を形成する。多孔質低誘電率膜311の断面モデルを図7(a)に示す。
上記実施の形態においては、絶縁膜をプラズマCVDにより成膜したが、熱CVDにより成膜することも可能である。この場合には、チャンバ内に高周波電界を印加するための構成、即ち、電極、高周波電源、整合器などを配置する必要はない。代わりに、熱CVDを実現・制御できる程度のヒータとヒータコントローラを配置する。
例えば、低誘電率膜は、多孔質か非多孔質かは問わない。
また、その材質としては、
1) 構成元素として少なくともSiとOを含む、非多孔質の薄膜。
SiとOの他にC、H、N、Fの元素が一つ以上含まれていても良い。
2) 構成元素として、少なくともCとHを含む有機薄膜。
CとHの他にO、F、Nの元素が一つ以上含まれていても良い。
等が使用可能である。
1) TMCTSと同等の効果の発現が期待できる材料
Si−H結合を分子内に2個以上含む物質、例えば、
モノシラン、ジシラン、ジメチルシラン、ジクロロシラン、テトラエチルシクロテトラシロキサン、1,2,3−トリエチル−2,4,6−トリメチルシクロトリシラザン、1,2,3,4,5,6−ヘキサメチルシクロトリシラザン、モノメチルシラン、等である。
ヘキサフェニルシクロトリシラザン、オクタメチルシクロテトラシラザン、
オクタエチルシクロテトラシラザン、テトラエチル−テトラメチルシクロテトラシラザン、テトラフェニルジメチルジシラザン、ジフェニル−テトラメチルジシラザン、トリビニル−トリメチルシクロトリシラザン、テトラビニル−テトラメチルシクロテトラシラザン、等の物質を使用することも可能である。
3) また、TMCTS効果のうち、高強度化に重点をおきたい場合には、テトラエトキシシラン等を使用することも可能である。
(式中、R11、R12、R13、R14、R15、R16は同一でも異なっていてもよく、それぞれH、OH、C6H5、CaH2a+1、CbH2b+1O、CF3(CF2)c(CH2)d、CeH2e−1またはハロゲン原子を示し、aは1〜3の整数、bは1〜3の整数、cは0〜10の整数、dは0〜4の整数、eは2〜4の整数であり、Lは0〜8の整数、mは0〜8の整数、nは0〜8の整数で、かつ3≦L+m+n≦8である。)
で表される少なくとも1種の環状シロキサン。
(式中、R1、R2、R3、R4は、同一でも異なっていてもよく、それぞれH、OH、C6H5、CaH2a+1、CbH2b+1O、CF3(CF2)c(CH2)d、CeH2e−1またはハロゲン原子を示し、aは1〜3の整数、bは1〜3の整数、cは0〜10の整数、dは0〜4の整数、eは2〜4の整数である。)
で表される少なくとも1種のケイ素化合物。
(式中、R5、R6、R7、R8、R9、R10は、同一でも異なっていてもよく、それぞれH、OH、C6H5、CaH2a+1、CbH2b+1O、CF3(CF2)c(CH2)d、CeH2e−1またはハロゲン原子を示し、aは1〜3の整数、bは1〜3の整数、cは0〜10の整数、dは0〜4の整数、eは2〜4の整数である。)
で表される少なくとも1種のケイ素化合物。
(式中、R17、R18、R19、R20、R21、R22は、同一でも異なっていてもよく、それぞれH、OH、C6H5、CaH2a+1、CbH2b+1O、CF3(CF2)c(CH2)d、CeH2e−1またはハロゲン原子を示し、aは1〜3の整数、bは1〜3の整数、cは0〜10の整数、dは0〜4の整数、eは2〜4の整数であり、Xは、O、(CH2)f、C6H4、(OSiR23R24)nO、OSiR25R26YSiR27R28O、またはNR29であり、R23、R24、R25、R26、R27、R28、R29は互いに同一でも異なっていてもよく、それぞれH、OH、C6H5、CaH2a+1、CbH2b+1O、CF3(CF2)c(CH2)d、CeH2e−1、ハロゲン原子またはOSiR30R31R32を示し、aは1〜3の整数、bは1〜3の整数、cは0〜10の整数、dは0〜4の整数、eは2〜4の整数、fは1〜6の整数、nは1〜10の整数であり、Yは(CH2)m、C6H4を示し、mは1〜6の整数であり、R30、R31、R32は、同一でも異なっていてもよく、それぞれHまたはCH3である。)
で表される少なくとも1種のケイ素化合物。
一般式
(式中、R33、R34、R35、R36、R37、R38、R39、R40、R41は、互いに同一でも異なっていてもよく、それぞれH、OH、C6H5、CaH2a+1、CbH2b+1O、CF3(CF2)c(CH2)d、CeH2e−1またはハロゲン原子を示し、aは1〜3の整数、bは1〜3の整数、cは0〜10の整数、dは0〜4の整数、eは2〜4の整数であり、Lは0〜8の整数、mは0〜8の整数、nは0〜8の整数であり、かつ3≦L+m+n≦8である。)
で表される少なくとも1種の環状シラザン。
例えば、枚葉方式の装置に限定されず、バッチ式の装置を使用することも可能である。この場合には、例えば、図8に示すように、チャンバ112の上部電極(電極板133)と下部電極Eとの間に、ボート401に載置して複数の半導体ウエハWを載置し、シャワーヘッド又はガス導入管などからTMCTSガスを導入して、上述の処理を行うようにしてもよい。また、ヒータは、側方等に配置してもよい。
12 スピン塗布(コータ)室
13(131〜13n)CVD室
14 搬送室
15 搬入出室
16 搬送レール
17 搬送アーム
21 ゲート
22(221〜22n) ゲート
23 ゲート
24 ゲート
100 制御部
101 スピン塗布(コータ)装置
111(1111〜111n) CVD(Chemical Vepor Deposition)装置
112 チャンバ
113 排気口
114 排気装置
115 サセプタ支持台
116 サセプタ
117 ヒータ
118 ヒータコントローラ
119 リフトピン
120 高周波電源
121 整合器
122 直流電源
131 シャワーヘッド
132 ガス穴
133 電極板
134 電極支持体
135 ガス導入管
136 TMCTSガス源
137 不活性ガス源
138 添加ガス源
139 高周波電源
140 整合器
211 多孔質低誘電率膜
213 ハードマスク
221 絶縁膜
223 配線溝
224 バリアメタル層
225 銅配線
226 エッチストッパ膜
227 多孔質低誘電率膜
228 ハードマスク
231 配線孔
232 シール膜(拡散防止膜)
311 多孔質低誘電率膜
313 絶縁膜
401 ボート
E 下部電極
W ウエハ
Claims (19)
- 第1の絶縁膜を所定の反応性物質を含む雰囲気中で加熱する熱処理工程と、
前記反応性物質を含むガスを利用した化学気相成長により、前記熱処理工程による熱処理後の前記第1の絶縁膜上に、第2の絶縁膜を形成する成膜工程と、
を備える絶縁膜の形成方法。 - 前記成膜工程は、前記熱処理工程で前記反応性物質を励起するよりも高いエネルギーで前記反応性物質を励起することにより、化学気相成長を起こす工程から構成される、ことを特徴とする請求項1に記載の絶縁膜の形成方法。
- 前記熱処理工程では、前記反応性物質を含むガスのプラズマを生成せず、
前記成膜工程では、前記反応性物質を含むガスのプラズマを生成して、化学気相成長を行う、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の絶縁膜の形成方法。 - 前記第1の絶縁膜は、多孔質絶縁膜から構成され、
前記熱処理工程は、前記反応性物質により前記多孔性絶縁膜を疎水化及び高強度化する改質工程から構成され、
前記成膜工程は、前記反応性物質を含む雰囲気中に改質された前記第1の絶縁膜を配置し、該第1の絶縁膜を加熱すると共に前記反応性物質を含むガスのプラズマを生成する工程から構成される、
ことを特徴とする請求項1、2又は3に記載の絶縁膜の形成方法。 - 前記反応性物質は、常温常圧力で気体又は常温での蒸気圧が1Pa〜101.3kPaの反応性物質から構成される、ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の絶縁膜の形成方法。
- 前記反応性物質は、シリコンと水素を含む物質から構成される、ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の絶縁膜の形成方法。
- 前記反応性物質は、シリコンと水素との結合を2以上含む物質から構成される、
ことを特徴とする請求項6に記載の絶縁膜の形成方法。 - 前記反応性物質は、シリコンの数が1〜30、且つ、水素、酸素、窒素から得られる元素を含有する物質から構成される、
ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の絶縁膜の形成方法。 - 前記反応性物質が、1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサンであることを特徴とする請求項6に記載の絶縁膜の形成方法。
- 前記第1の絶縁膜はシリコンを含む多孔質絶縁膜から構成される、ことを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の絶縁膜の形成方法。
- 前記第1の絶縁膜は、半導体装置の層間絶縁膜を構成し、
前記第2の絶縁膜は、前記第1の絶縁膜よりも硬度と密度との少なくとも一方が高い絶縁層を構成する、
ことを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項に記載の絶縁膜の形成方法。 - 熱処理工程は、時間の経過と共に前記反応性物質の平均分子量を変化させる工程を含む、
ことを特徴とする請求項1乃至12のいずれか1項に記載の絶縁膜の形成方法。 - 前記熱処理工程による熱処理対象の第1の絶縁膜は、スピン塗布法により形成された多孔質絶縁膜又は化学気相成長により形成された多孔質絶縁膜から構成される、
ことを特徴とする請求項1乃至13のいずれか1項に記載の絶縁膜の形成方法。 - シリコンを含む多孔質膜を1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサンを含む雰囲気中に配置すると共に加熱して、該多孔質膜を改質する改質工程と、
改質された前記多孔質膜を1,3,5,7,−テトラメチルシクロテトラシロキサンを含む雰囲気中に配置し、前記1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサンを含むガスを用いた化学気相成長により、前記多孔質膜上に、前記改質された多孔質膜よりも硬度と密度との少なくとも一方が高い絶縁膜を形成する工程と、
を備える絶縁膜の形成方法。 - 前記改質工程では、1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサンを含む雰囲気ガスのプラズマを生成せず、
前記成膜工程では、1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサンを含むガスのプラズマを生成して化学気相成長を行う、ことを特徴とする請求項15に記載の絶縁膜の形成方法。 - 第1のチャンバと、前記第1のチャンバ内に配置され被処理体を支持する第1の支持体と、前記第1の支持体により支持された被処理体を加熱する第1のヒータと、
前記第1のチャンバ内に所定の反応性物質を含むガスを供給する第1のガス供給手段と、
第1の支持体上に第1の絶縁膜が配置された状態で、前記第1のガス供給手段により前記第1のチャンバ内に前記反応性物質を含むガスを導入すると共に前記第1のヒータにより前記第1の絶縁膜を加熱する第1の制御手段と、
第2のチャンバと、前記第2のチャンバ内に配置され被処理体を支持する第2の支持体と、
前記第2の支持体により支持された被処理体を加熱する第2のヒータと、前記第2のチャンバ内に前記反応性物質を含むガスを供給する第2のガス供給手段と、
前記第2の支持体に前記第1の絶縁膜が支持された状態で、前記第2のガス供給手段により前記第2のチャンバ内に前記反応性物質を含むガスを導入し、前記第1の絶縁膜上に前記反応物質からの生成物を含む第2の絶縁膜を形成する第2の制御手段と、
を備えることを特徴とする絶縁膜形成システム。 - 前記第2のチャンバ内に前記反応性物質を含むガスのプラズマを生成するプラズマ生成手段を更に備え、
前記第2の制御手段は、第2の支持体上に第1の絶縁膜が配置された状態で、前記第2のガス供給手段により前記第2のチャンバ内に前記反応性物質を含むガスを導入し、前記第2のヒータにより前記第1の絶縁膜を加熱し、さらに、プラズマ生成手段により前記反応性物質を含むガスのプラズマを生成することにより、前記第1の絶縁膜上に前記反応物質からの生成物を含む第2の絶縁膜を形成する、
ことを特徴とする請求項17に記載の絶縁膜形成システム。 - 前記第1と第2のチャンバとは物理的に一つのチャンバから構成され、
前記第1と第2の支持体は物理的に一つの支持体から構成され、
前記第1と第2のヒータとは、物理的に一つのヒータから構成され、
前記第1と第2のガス供給手段は、物理的に一つのガス供給手段から構成され、
前記第1と第2の制御手段は、物理的に共通の制御部から構成され、
前記チャンバは、該チャンバに導入されたガスに高周波電界を印加する高周波電界印加手段を備え、
前記制御部は、熱処理時にはガスに高周波電界を印加せず、成膜時には、高周波電界を印加するように高周波電界印加手段を制御する手段を備え、
1台で前記第1の絶縁膜の熱処理と熱処理された第1の絶縁膜上への第2の絶縁膜の形成とが可能なことを特徴とする請求項17又は18に記載の絶縁膜形成システム。
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