JP2005142466A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 第1の半導体構成体4は、ベース板1上に搭載され、周囲を絶縁材16により上面を上層絶縁膜17により覆われて密封状態とされており、上層絶縁膜17上に形成された上層再配線20、24と前記ベース板1下に下層絶縁膜31、34を介して形成された下層再配線33、37が上下導通材43により接続され、下層再配線31、34に接続された第2の半導体構成体40が表出して搭載されている。
【選択図】 図1
Description
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記ベース板は上下面に上層配線および下層配線を有することを特徴とするものである。
請求項3に記載の発明は、請求項2に記載の発明において、前記ベース板、前記絶縁材および前記上層絶縁膜に設けられた貫通孔内に上下導通部が前記上層再配線を前記上層配線または前記下層配線の少なくともいずれかに接続するように設けられていることを特徴とするものである。
請求項4に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記ベース板、前記絶縁材および前記上層絶縁膜に設けられた貫通孔内に上下導通部が前記上層再配線と前記下層再配線とを接続するように設けられていることを特徴とするものである。
請求項5に記載の発明は、請求項4に記載の発明において、前記上層配線および前記下層配線の少なくともいずれかは前記上下導通部に接続されていることを特徴とするものである。
請求項6に記載の発明は、請求項4に記載の発明において、前記第1の半導体構成体は、前記外部接続用電極としての柱状電極を有するものであることを特徴とするものである。
請求項7に記載の発明は、請求項4に記載の発明において、前記最上層の上層再配線の接続パッド部を除く部分を覆う最上層絶縁膜を有することを特徴とするものである。
請求項8に記載の発明は、請求項7に記載の発明において、前記最上層の上層再配線の接続パッド部上に半田ボールが設けられていることを特徴とするものである。
請求項9に記載の発明は、請求項4に記載の発明において、前記最下層の下層再配線の接続パッド部を除く部分を覆う最下層絶縁膜を有し、前記最下層絶縁膜下に前記第2の半導体構成体が前記最下層の下層再配線の接続パッド部に接続されて設けられていることを特徴とするものである。
請求項10に記載の発明は、請求項4に記載の発明において、前記第1の半導体構成体の半導体基板はSOIを構成し、前記上層配線はべたパターンからなるグラウンド配線を構成し、前記SOIの配線パターンと前記グラウンド配線によりマイクロストリップライン構造が構成されていることを特徴とするものである。
請求項11に記載の発明は、ベース板、絶縁材および上層絶縁膜により各々が複数の外部接続用電極を有する第1の半導体構成体をそれぞれ密封して形成する工程と、前記上層絶縁膜上に上層再配線を形成する工程と、前記ベース板上に直接、あるいは下層絶縁膜を介して下層再配線を形成する工程と、前記上層再配線または下層再配線の少なくともいずれかに第2の半導体構成体を接続する工程と、前記前記ベース板、前記絶縁材および前記上層絶縁膜を切断して少なくとも1つの前記第1の半導体構成体および少なくとも1つの前記第2の半導体構成体半導体装置を複数個得る工程と、を有することを特徴とするものである。
請求項12に記載の発明は、請求項11に記載の発明において、前記ベース板のは上下面に上層配線および下層配線を有することを特徴とするものである。
請求項13に記載の発明は、請求項12に記載の発明において、前記ベース板、前記絶縁材および前記上層絶縁膜に貫通穴を形成する工程と、前記貫通穴内に前記上層再配線を前記上層配線または前記下層配線の少なくともいずれかに接続する上下導通部を形成する工程とを有することを特徴とするものである。
請求項14に記載の発明は、請求項11に記載の発明において、前記ベース板、前記絶縁材および前記上層絶縁膜に貫通穴を形成する工程と、前記貫通孔内に前記上層再配線と前記下層再配線とを接続する上下導通部を形成する工程と、を有することを特徴とするものである。
請求項15に記載の発明は、請求項14に記載の発明において、前記上層配線および前記下層配線の少なくともいずれかは前記上下導通部に接続されることを特徴とするものである。
請求項16に記載の発明は、請求項14に記載の発明において、前記第1の半導体構成体は、前記外部接続用電極としての柱状電極を有するものであることを特徴とするものである。
請求項17に記載の発明は、請求項14に記載の発明において、前記最上層の上層再配線の接続パッド部を除く部分を覆う最上層絶縁膜を形成する工程を有することを特徴とするものである。
請求項18に記載の発明は、請求項17に記載の発明において、前記最上層の上層再配線の接続パッド部上に半田ボールを形成する工程を有することを特徴とするものである。
請求項19に記載の発明は、請求項14に記載の発明において、前記最下層の下層再配線の接続パッド部を除く部分を覆う最下層絶縁膜を形成する工程を有し、前記最下層絶縁膜下に前記第2の半導体構成体を前記最下層の下層再配線の接続パッド部に接続させて実装することを特徴とするものである。
2 上層配線
3 下層配線
4 半導体構成体(第1の半導体構成体)
5 接着層
6 シリコン基板
7 接続パッド
13 再配線
14 柱状電極
15 封止膜
16 絶縁層
17 第1の上層絶縁膜
20 第1の上層再配線
21 第2の上層絶縁膜
24 第2の上層再配線
25 最上層絶縁膜
27 半田ボール
31 第1の下層絶縁膜
33 第1の下層再配線
34 第2の下層絶縁膜
37 第2の下層再配線
38 最下層絶縁膜
40 半導体構成体(第2の半導体構成体)
42 貫通孔
43 上下導通部
Claims (19)
- ベース板上に搭載し、周囲を絶縁材により上面を上層絶縁膜により覆うことにより複数の外部接続用電極を有する第1の半導体構成体を密封状態となし、前記上層絶縁膜上に上層再配線を設け、前記ベース板上に直接、あるいは下層絶縁膜を介して下層再配線を設け、少なくとも前記上層再配線または前記下層再配線のいずれかに第2の半導体構成体を接続して実装したことを特徴とする半導体装置。
- 請求項1に記載の発明において、前記ベース板は上下面に上層配線および下層配線を有することを特徴とする半導体装置。
- 請求項2に記載の発明において、前記ベース板、前記絶縁材および前記上層絶縁膜に設けられた貫通孔内に上下導通部が前記上層再配線を前記上層配線または前記下層配線の少なくともいずれかに接続するように設けられていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1に記載の発明において、前記ベース板、前記絶縁材および前記上層絶縁膜に設けられた貫通孔内に上下導通部が前記上層再配線と前記下層再配線とを接続するように設けられていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項4に記載の発明において、前記上層配線および前記下層配線の少なくともいずれかは前記上下導通部に接続されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項4に記載の発明において、前記第1の半導体構成体は、前記外部接続用電極としての柱状電極を有するものであることを特徴とする半導体装置。
- 請求項4に記載の発明において、前記最上層の上層再配線の接続パッド部を除く部分を覆う最上層絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。
- 請求項7に記載の発明において、前記最上層の上層再配線の接続パッド部上に半田ボールが設けられていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項4に記載の発明において、前記最下層の下層再配線の接続パッド部を除く部分を覆う最下層絶縁膜を有し、前記最下層絶縁膜下に前記第2の半導体構成体が前記最下層の下層再配線の接続パッド部に接続されて設けられていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項4に記載の発明において、前記第1の半導体構成体の半導体基板はSOIを構成し、前記上層配線はべたパターンからなるグラウンド配線を構成し、前記SOIの配線パターンと前記グラウンド配線によりマイクロストリップライン構造が構成されていることを特徴とする半導体装置。
- ベース板、絶縁材および上層絶縁膜により各々が複数の外部接続用電極を有する第1の半導体構成体をそれぞれ密封して形成する工程と、
前記上層絶縁膜上に上層再配線を形成する工程と、
前記ベース板上に直接、あるいは下層絶縁膜を介して下層再配線を形成する工程と、
前記上層再配線または下層再配線の少なくともいずれかに第2の半導体構成体を接続する工程と、
前記前記ベース板、前記絶縁材および前記上層絶縁膜を切断して少なくとも1つの前記第1の半導体構成体および少なくとも1つの前記第2の半導体構成体半導体装置を複数個得る工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項11に記載の発明において、前記ベース板のは上下面に上層配線および下層配線を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項12に記載の発明において、前記ベース板、前記絶縁材および前記上層絶縁膜に貫通穴を形成する工程と、前記貫通穴内に前記上層再配線を前記上層配線または前記下層配線の少なくともいずれかに接続する上下導通部を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項11に記載の発明において、
前記ベース板、前記絶縁材および前記上層絶縁膜に貫通穴を形成する工程と、
前記貫通孔内に前記上層再配線と前記下層再配線とを接続する上下導通部を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項14に記載の発明において、前記上層配線および前記下層配線の少なくともいずれかは前記上下導通部に接続されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項14に記載の発明において、前記第1の半導体構成体は、前記外部接続用電極としての柱状電極を有するものであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項14に記載の発明において、前記最上層の上層再配線の接続パッド部を除く部分を覆う最上層絶縁膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項17に記載の発明において、前記最上層の上層再配線の接続パッド部上に半田ボールを形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項14に記載の発明において、前記最下層の下層再配線の接続パッド部を除く部分を覆う最下層絶縁膜を形成する工程を有し、前記最下層絶縁膜下に前記第2の半導体構成体を前記最下層の下層再配線の接続パッド部に接続させて実装することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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