JP4316623B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
請求項2に記載の発明は、ベース板上に、各々が半導体基板上に設けられた複数の外部接続用電極を有する複数の半導体構成体をフェースダウン状態で相互に離間させて配置し、且つ、前記各半導体構成体に対応する部分に開口部を有する少なくとも1枚の絶縁シートを配置する工程と、前記絶縁シートを加熱加圧して、前記半導体構成体間に前記絶縁シートを溶融し、固化する工程と、前記ベース板を除去する工程と、前記半導体基板および前記絶縁シートの下面に金属箔を接着する工程と、前記絶縁シートに貫通孔を形成する工程と、前記金属箔をメッキ電流路として電解メッキを行うことにより、貫通孔内の前記金属箔の上面に上下導通部を形成する工程と、接続パッド部を有し且ついずれかの前記半導体構成体の対応する前記外部接続用電極に接続される少なくとも1層の上層再配線を、該上層再配線のうち、最上層の上層再配線の接続パッド部が前記絶縁シート上に対応して配置されるように形成し、前記絶縁シートの下面に前記上下導通部を介して前記上層再配線に接続される下層再配線を形成する工程と、前記半導体構成体間における前記絶縁シートを切断して前記最上層の上層再配線の接続パッド部が前記絶縁シート上に配置された半導体装置を複数個得る工程と、を有することを特徴とするものである。
請求項3に記載の発明は、請求項1または2に記載の発明において、前記下層再配線を覆う絶縁層を形成する工程を有することを特徴とするものである。
図1はこの発明の参考実施形態1としての製造方法により製造された半導体装置の断面図を示したものである。この半導体装置は、ソルダーレジスト等からなる平面矩形形状の絶縁層1を備えている。絶縁層1は、後述するシリコン基板の下面を保護するためのものである。
図16はこの発明の参考実施形態2としての製造方法により製造された半導体装置の断面図を示したものである。この半導体装置において、図1に示す半導体装置と異なる点は、絶縁層1を備えていないことである。
図17はこの発明の参考実施形態3としての製造方法により製造された半導体装置の断面図を示したものである。この半導体装置は、例えば、図16に示された状態において、シリコン基板3および第1の絶縁材12の下面側を適宜に研磨し、次いで互いに隣接する半導体構成体2間において、上層絶縁膜16および第1、第2の絶縁材12、13を切断すると、得られるものであり、このようにして得られた半導体装置では、さらに薄型化することができる。
図18はこの発明の参考実施形態4としての製造方法により製造された半導体装置の断面図を示したものである。この半導体装置において、図1に示す半導体装置と異なる点は、シリコン基板3および第1の絶縁材12の下面に接着層36を介して金属層37が接着されていることである。金属層37は、厚さ数十μmの銅箔等からなり、帯電を防止したり、シリコン基板3の集積回路への光の照射を防止したりするためのものである。
図19はこの発明の参考実施形態5としての製造方法により製造された半導体装置の断面図を示したものである。この半導体装置において、図1に示す半導体装置と異なる点は、半導体構成体2の上面に第2の絶縁材13が設けられ、半導体構成体2および第2の絶縁材13の周囲における絶縁層1の上面に第1の絶縁材12が設けられていることである。
図24はこの発明の第1実施形態としての製造方法により製造された半導体装置の断面図を示したものである。この半導体装置において、図1に示す半導体装置と大きく異なる点は、シリコン基板3および第1の絶縁材12の下面に下層再配線41が形成され、この下層再配線41と上層再配線15とが半導体構成体2の周囲に設けられた第1、第2の絶縁材12、13の所定の箇所に形成された貫通孔42の内壁面に形成された上下導通部43を介して接続されていることである。
図27はこの発明の第2実施形態としての製造方法により製造された半導体装置の断面図を示したものである。この半導体装置において、図24に示す半導体装置と大きく異なる点は、下層再配線41が銅箔41aとその下面に設けられた銅層41bとによって形成され、また貫通孔42内に上下導通部43が隙間無く形成されていることである。
上記実施形態では、例えば、図1に示すように、第2の絶縁材13上に上層再配線15および上層絶縁膜16をそれぞれ1層ずつ形成した場合について説明したが、これに限らず、それぞれ2層ずつ以上としてもよく、例えば、図32に示すこの発明の変形例1のように、それぞれ2層ずつとしてもよい。
例えば、図15に示す場合には、互いに隣接する半導体構成体2間において切断したが、これに限らず、2個またはそれ以上の半導体構成体2を1組として切断し、例えば、図33に示すこの発明の変形例2のように、3個の半導体構成体2を1組として切断し、マルチチップモジュール型の半導体装置を得るようにしてもよい。この場合、3個で1組の半導体構成体2は同種、異種のいずれであってもよい。
2 半導体構成体
3 シリコン基板
4 接続パッド
9 再配線
10 柱状電極
11 封止膜
12 第1の絶縁材(絶縁シート)
13 第2の絶縁材(絶縁シート)
15 上層再配線
16 上層絶縁膜
18 突起電極
Claims (3)
- ベース板上に、各々が半導体基板上に設けられた複数の外部接続用電極を有する複数の半導体構成体をフェースダウン状態で相互に離間させて配置し、且つ、前記各半導体構成体に対応する部分に開口部を有する少なくとも1枚の絶縁シートを配置する工程と、
前記絶縁シートを加熱加圧して、前記半導体構成体間に前記絶縁シートを溶融し、固化する工程と、
前記ベース板を除去する工程と、
前記絶縁シートに貫通孔を形成する工程と、
接続パッド部を有し且ついずれかの前記半導体構成体の対応する前記外部接続用電極に接続される少なくとも1層の上層再配線を、該上層再配線のうち、最上層の上層再配線の接続パッド部が前記絶縁シート上に対応して配置されるように形成し、前記絶縁シートの下面に下層再配線を形成し、さらに前記貫通孔内に前記上層再配線と前記下層再配線とを接続する上下導通部を形成する工程と、
前記半導体構成体間における前記絶縁シートを切断して前記最上層の上層再配線の接続パッド部が前記絶縁シート上に配置された半導体装置を複数個得る工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - ベース板上に、各々が半導体基板上に設けられた複数の外部接続用電極を有する複数の半導体構成体をフェースダウン状態で相互に離間させて配置し、且つ、前記各半導体構成体に対応する部分に開口部を有する少なくとも1枚の絶縁シートを配置する工程と、
前記絶縁シートを加熱加圧して、前記半導体構成体間に前記絶縁シートを溶融し、固化する工程と、
前記ベース板を除去する工程と、
前記半導体基板および前記絶縁シートの下面に金属箔を接着する工程と、
前記絶縁シートに貫通孔を形成する工程と、
前記金属箔をメッキ電流路として電解メッキを行うことにより、貫通孔内の前記金属箔の上面に上下導通部を形成する工程と、
接続パッド部を有し且ついずれかの前記半導体構成体の対応する前記外部接続用電極に接続される少なくとも1層の上層再配線を、該上層再配線のうち、最上層の上層再配線の接続パッド部が前記絶縁シート上に対応して配置されるように形成し、前記絶縁シートの下面に前記上下導通部を介して前記上層再配線に接続される下層再配線を形成する工程と、
前記半導体構成体間における前記絶縁シートを切断して前記最上層の上層再配線の接続パッド部が前記絶縁シート上に配置された半導体装置を複数個得る工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1または2に記載の発明において、前記下層再配線を覆う絶縁層を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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