JP2004221417A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複数の半導体装置に対応するサイズの銅箔1a上の所定の複数箇所にCSPと呼ばれる半導体構成体3を配置する。次に、半導体構成体3間に、例えばプリプレグ材と呼ばれる格子状でシート状の第1の絶縁材材料14a、14bを配置し、その上に、例えばビルドアップ材と呼ばれるシート状の第2の絶縁材材料15aを配置する。次に、一対の加熱加圧板を用いて加熱加圧することにより、導体構成体3の周囲における銅箔1aの上面に第1の絶縁材14を形成するとともに、それらの上面に上面が平坦な第2の絶縁材15を形成する。そして、その上に、上層再配線、上層絶縁膜、半田ボール等を形成し、次いで、互いに隣接する半導体構成体3間において切断すると、半田ボールを備えた半導体装置が複数個得られる。
【選択図】 図10
Description
【発明の属する技術分野】
この発明は半導体装置およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、携帯電話に代表されるような携帯型電子機器の小型化に相俟ってCSP(chip size package)と呼ばれる半導体装置が開発されている。このCSPは、複数の外部接続用の接続パッドが形成されたベアーの半導体装置の上面にパッシベーション膜(中間絶縁膜)を設け、このパッシベーション膜の各接続パッドの対応部に開口部を形成し、該開口部を介して各接続パッドに接続される再配線を形成し、各再配線の他端部側に柱状の外部接続用電極を形成するとともに、各外部接続用電極間に封止材を充填したものである。このような、CSPによれば、各柱状の外部接続用電極上に半田ボールを形成しておくことにより、接続端子を有する回路基板にフェースダウン方式でボンディングすることができ、実装面積をほぼベアーの半導体装置と同一のサイズとすることが可能となるので、従来のワイヤーボンディング等を用いたフェースアップ方式のボンディング方法に比し、電子機器を大幅に小型化することが可能である。このような、CSPにおいて、生産性を高めるために、ウエハ状態の半導体基板にパッシベーション膜、再配線、外部接続用電極、および封止材を形成し、さらに、封止材で覆われずに露出された外部接続用電極の上面に半田ボールを設けた後、ダイシングラインで切断するようにしたものがある(例えば、特許文献1参照)。
【0003】
【特許文献1】
特開2001−168128号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記従来の半導体装置では、集積化が進むに従って、外部接続用電極の数が増加すると、次のような問題があった。すなわち、上述した如く、CSPは、ベアーの半導体装置の上面に外部接続用電極を配列するので、通常は、マトリクス状に配列するのであるが、そのために、外部接続用電極数の多い半導体装置の場合には、外部接続用電極のサイズおよびピッチが極端に小さくなってしまう欠点を有しており、このため、ベアーの半導体装置のサイズの割に外部接続用電極が多いものには適用できないものであった。すなわち、外部接続用電極のサイズおよびピッチが極端に小さくなれば、回路基板との位置合わせが困難であるばかりでなく、接合強度が不足する、ボンディング時に電極間の短絡が発生する、通常はシリコン基板からなる半導体基板と回路基板の線膨張係数の差に起因して発生する応力により外部接続用電極が破壊される等の致命的な問題が発生するのである。
【0005】
そこで、この発明は、外部接続用電極の数が増加しても、そのサイズおよびピッチを必要な大きさにすることが可能となる新規な半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の発明は、半導体基板上に設けられた複数の外部接続用電極を有する少なくとも1つの半導体構成体と、該半導体構成体の側方に設けられた絶縁シートと、前記半導体構成体の外部接続用電極に接続されて設けられ且つ接続パッド部を有する少なくとも1層の上層再配線とを備え、前記上層再配線のうち、最上層の上層再配線の少なくとも一部の接続パッド部は前記絶縁シート上に対応して配置されていることを特徴とするものである。
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記半導体構成体を複数個備えていることを特徴とするものである。
請求項3に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記半導体構成体は、接続パッドと、該接続パッドに接続された柱状の外部接続用電極と、該外部接続用電極の周囲に設けられた封止膜とを含むことを特徴とするものである。
請求項4に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記絶縁シートは繊維に熱硬化性樹脂が含浸された材料からなることを特徴とするものである。
請求項5に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記絶縁シートと前記上層再配線との間に絶縁材が形成されていることを特徴とするものである。
請求項6に記載の発明は、請求項5に記載の発明において、前記絶縁材はシートであることを特徴とするものである。
請求項7に記載の発明は、請求項5に記載の発明において、前記絶縁材の上面は平坦であることを特徴とするものである。
請求項8に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記最上層の上層再配線の接続パッド部を除く部分を覆う上層絶縁膜を有することを特徴とするものである。
請求項9に記載の発明は、請求項8に記載の発明において、前記最上層の上層再配線の接続パッド部上に半田ボールが設けられていることを特徴とするものである。
請求項10に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記半導体構成体および前記絶縁シートの下面に金属層が設けられていることを特徴とするものである。
請求項11に記載の発明は、請求項10に記載の発明において、前記金属層の下面に絶縁層が設けられていることを特徴とするものである。
請求項12に記載の発明は、請求項10に記載の発明において、前記金属層は少なくとも金属箔を有することを特徴とするものである。
請求項13に記載の発明は、請求項12に記載の発明において、前記金属箔は銅箔であることを特徴とするものである。
請求項14に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、少なくとも前記絶縁シートの下面に下層再配線が設けられ、前記上層再配線のうちの最下層の上層再配線と前記下層再配線とは前記絶縁シート内に設けられた上下導通部を介して接続されていることを特徴とするものである。
請求項15に記載の発明は、ベース板上に、各々が半導体基板上に設けられた複数の外部接続用電極を有する複数の半導体構成体を相互に離間させて配置し、且つ、前記各半導体構成体に対応する部分に開口部を有する少なくとも1枚の絶縁シートを配置する工程と、前記絶縁シート上から前記絶縁シートを加熱加圧して、前記半導体構成体間に前記絶縁シートを溶融し、固化する工程と、接続パッド部を有し且ついずれかの前記半導体構成体の対応する前記外部接続用電極に接続される少なくとも1層の上層再配線を、該上層再配線のうち、最上層の上層再配線の接続パッド部が前記絶縁シート上に対応して配置されるように形成する工程と、前記半導体構成体間における前記絶縁シートを切断して前記最上層の上層再配線の接続パッド部が前記絶縁シート上に配置された半導体装置を複数個得る工程とを有することを特徴とするものである。
請求項16に記載の発明は、請求項15に記載の発明において、前記半導体構成体は、接続パッドと、該接続パッドに接続された柱状の外部接続用電極と、該外部接続用電極の周囲に設けられた封止膜とを含むことを特徴とするものである。
請求項17に記載の発明は、請求項15に記載の発明において、前記絶縁シートの切断は、前記半導体構成体が複数個含まれるように切断することを特徴とするものである。
請求項18に記載の発明は、請求項15に記載の発明において、前記絶縁シートを切断する前に、前記ベース板を除去することを特徴とするものである。
請求項19に記載の発明は、請求項15に記載の発明において、前記絶縁シートを切断した後、前記ベース板を除去することを特徴とするものである。
請求項20に記載の発明は、請求項15に記載の発明において、前記加熱加圧処理は、加圧制限面を設けて行なうことを特徴とするものである。
請求項21に記載の発明は、請求項15に記載の発明において、前記絶縁シートの開口部のサイズは前記半導体構成体のサイズよりもやや大きくなっていることを特徴とするものである。
請求項22に記載の発明は、請求項21に記載の発明において、前記ベース板上に配置する前記絶縁シートの厚さは前記半導体構成体の厚さよりも厚いものであることを特徴とするものである。
請求項23に記載の発明は、請求項15に記載の発明において、前記絶縁シートは繊維に熱硬化性樹脂を含浸された材料からなることを特徴とするものである。
請求項24に記載の発明は、請求項15に記載の発明において、前記絶縁シートと前記上層再配線との間に絶縁材を形成する工程を有することを特徴とするものである。
請求項25に記載の発明は、請求項24に記載の発明において、前記絶縁材はシートであることを特徴とするものである。
請求項26に記載の発明は、請求項15に記載の発明において、前記配置工程で前記複数の半導体構成体および前記絶縁シートを前記ベース板上に設けられた金属箔上に配置し、前記絶縁シート切断工程で前記絶縁シートを切断するとともに前記金属箔を切断し、前記半導体装置として前記金属箔を備えたものを得ることを特徴とするものである。
請求項27に記載の発明は、請求項26に記載の発明において、前記金属箔上に前記半導体構成体および前記絶縁シートを配置した後に、前記絶縁シートを仮硬化させることを特徴とするものである。
請求項28に記載の発明は、請求項27に記載の発明において、前記仮硬化後に、前記ベース板を除去することを特徴とするものである。
請求項29に記載の発明は、請求項28に記載の発明において、前記ベース板を除去した後に、前記金属箔を覆う絶縁層を形成し、前記絶縁シート切断工程で前記絶縁シートおよび前記金属箔を切断するとともに前記絶縁層を切断し、前記半導体装置として前記絶縁層を備えたものを得ることを特徴とするものである。
請求項30に記載の発明は、請求項26に記載の発明において、前記金属箔は銅箔であることを特徴とするものである。
請求項31に記載の発明は、請求項15に記載の発明において、前記絶縁シート切断工程で前記絶縁シートを切断するとともに前記ベース板を切断し、前記半導体装置として前記ベース板を備えたものを得ることを特徴とするものである。
請求項32に記載の発明は、請求項15に記載の発明において、前記最上層の上層再配線の接続パッド部を除く部分を覆う上層絶縁膜を形成する工程を有することを特徴とするものである。
請求項33に記載の発明は、請求項32に記載の発明において、前記最上層の上層再配線の接続パッド部上に半田ボールを形成する工程を有することを特徴とするものである。
請求項34に記載の発明は、請求項15に記載の発明において、前記上層再配線形成工程前に、前記ベース板を除去し、前記絶縁シートに貫通孔を形成し、少なくとも前記絶縁シートの下面に下層再配線を形成し、さらに前記貫通孔内に前記上層再配線と前記下層再配線とを接続する上下導通部を形成する工程を有することを特徴とするものである。
請求項35に記載の発明は、請求項15に記載の発明において、前記配置工程で前記半導体構成体および前記絶縁シートを前記ベース板上に設けられた金属箔上に配置し、前記上層再配線形成工程前に、前記ベース板を除去し、前記絶縁シートに貫通孔を形成し、該貫通孔内に上下導通部を前記金属箔に接続させて形成し、前記上層再配線形成工程で前記上層再配線を形成するとともに少なくとも前記絶縁シートの下面に下層再配線を前記上下導通部を介して前記上層再配線に接続させて形成する工程を有することを特徴とするものである。
請求項36に記載の発明は、請求項34または35に記載の発明において、前記下層再配線を覆う絶縁層を形成する工程を有することを特徴とするものである。
そして、この発明によれば、半導体構成体の側方に設けられた絶縁シート上に最上層の上層再配線の少なくとも一部の接続パッド部を配置しているので、最上層の上層再配線の接続パッド部(外部接続用電極)の数が増加しても、そのサイズおよびピッチを必要な大きさにすることが可能となる。
【0007】
【発明の実施の形態】
(第1実施形態)
図1はこの発明の第1実施形態としての半導体装置の断面図を示したものである。この半導体装置は、銅等からなる平面矩形形状の金属層1の下面にソルダーレジスト等からなる絶縁層2が設けられたものを備えている。この場合、金属層1は、帯電を防止したり、後述するシリコン基板5の集積回路への光の照射を防止したりするためのものである。絶縁層2は、金属層1を保護するためのものである。
【0008】
金属層1の上面中央部には、金属層1のサイズよりもやや小さいサイズの平面矩形形状の半導体構成体3の下面がダイボンド材からなる接着層4を介して接着されている。この場合、半導体構成体3は、後述する再配線、柱状電極、封止膜を有しており、一般的にはCSPと呼ばれるものであり、特に、後述の如く、シリコンウエハ上に再配線、柱状電極、封止膜を形成した後、ダイシングにより個々の半導体構成体3を得る方法を採用しているため、特に、ウエハレベルCSP(W−CSP)とも言われている。以下に、半導体構成体3の構成を説明する。
【0009】
半導体構成体3はシリコン基板(半導体基板)5を備えており、接着層4により金属層1に接着されている。シリコン基板5の上面中央部には集積回路(図示せず)が設けられ、上面周辺部にはアルミニウム系金属等からなる複数の接続パッド(外部接続用電極)6が集積回路に接続されて設けられている。接続パッド6の中央部を除くシリコン基板5の上面には酸化シリコン等からなる絶縁膜7が設けられ、接続パッド6の中央部は絶縁膜7に設けられた開口部8を介して露出されている。
【0010】
シリコン基板5上に設けられた絶縁膜7の上面にはエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等からなる保護膜(絶縁膜)9が設けられている。この場合、絶縁膜7の開口部8に対応する部分における保護膜9には開口部10が設けられている。両開口部8、10を介して露出された接続パッド6の上面から保護膜9の上面の所定の箇所にかけて銅等からなる再配線11が設けられている。
【0011】
再配線11の接続パッド部上面には銅からなる柱状電極(外部接続用電極)12が設けられている。再配線11を含む保護膜9の上面にはエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等からなる封止膜(絶縁膜)13がその上面が柱状電極12の上面と面一となるように設けられている。このように、W−CSPと呼ばれる半導体構成体3は、シリコン基板5、接続パッド6、絶縁膜7を含み、さらに、保護膜9、再配線11、柱状電極12、封止膜13を含んで構成されている。
【0012】
半導体構成体3の周囲における金属層1の上面には矩形枠状の第1の絶縁材(絶縁シート)14がその上面が半導体構成体3の上面とほぼ面一となるように設けられている。半導体構成体3および第1の絶縁材14の上面には第2の絶縁材15がその上面を平坦とされて設けられている。
【0013】
第1の絶縁材14は、通常、プリプレグ材と言われるもので、例えば、ガラス繊維にエポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させたものである。また、第2の絶縁材15は、ビルドアップ基板に用いられる、通常、ビルドアップ材と言われるもので、例えば、エポキシ系樹脂やBT樹脂等の熱硬化性樹脂中に繊維やフィラー等の補強材を含有させたものからなっている。この場合、繊維は、ガラス繊維やアラミド繊維等である。フィラーは、シリカフィラーやセラミックス系フィラー等である。
【0014】
柱状電極12の上面中央部に対応する部分における第2の絶縁材15には開口部16が設けられている。開口部16を介して露出された柱状電極12の上面から第2の絶縁材15の上面の所定の箇所にかけて銅等からなる上層再配線17が設けられている。
【0015】
上層再配線17を含む第2の絶縁材15の上面にはソルダーレジスト等からなる上層絶縁膜18が設けられている。上層再配線17の接続パッド部に対応する部分における上層絶縁膜18には開口部19が設けられている。開口部19内およびその上方には半田ボールからなる突起電極20が上層再配線17の接続パッド部に接続されて設けられている。複数の突起電極20は、上層絶縁膜18上にマトリクス状に配置されている。
【0016】
ところで、金属層1のサイズを半導体構成体3のサイズよりもやや大きくしているのは、シリコン基板5上の接続パッド6の数の増加に応じて、突起電極20の配置領域を半導体構成体3のサイズよりもやや大きくし、これにより、上層再配線17の接続パッド部(上層絶縁膜18の開口部19内の部分)のサイズおよびピッチを柱状電極12のサイズおよびピッチよりも大きくするためである。
【0017】
このため、マトリクス状に配置された上層再配線17の接続パッド部は、半導体構成体3に対応する領域のみでなく、半導体構成体3の周側面の外側に設けられた第1の絶縁材14に対応する領域上にも配置されている。つまり、マトリクス状に配置された突起電極20のうち、少なくとも最外周の突起電極20は半導体構成体3よりも外側に位置する周囲に配置されている。
【0018】
このように、この半導体装置では、シリコン基板5上に、接続パッド6、絶縁膜7を有するのみでなく、保護膜9、再配線11、柱状電極12、封止膜13等をも形成した半導体構成体3の周囲およびそれらの上面に第1および第2の絶縁材14、15を設け、第2の絶縁材15の上面に、該第2の絶縁材15に形成された開口部16を介して柱状電極12に接続される上層再配線17を設ける構成を特徴としている。
【0019】
この場合、第2の絶縁材15の上面が平坦であることにより、後述する如く、以降の工程で形成する上層再配線17や突起電極20の上面の高さ位置を均一にし、ボンディング時の信頼性を向上することができる。
【0020】
次に、この半導体装置の製造方法の一例について説明するに、まず、半導体構成体3の製造方法の一例について説明する。この場合、まず、図2に示すように、ウエハ状態のシリコン基板(半導体基板)5上にアルミニウム系金属等からなる接続パッド6、酸化シリコン等からなる絶縁膜7およびエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等からなる保護膜9が設けられ、接続パッド6の中央部が絶縁膜7および保護膜9に形成された開口部8、10を介して露出されたものを用意する。上記において、ウエハ状態のシリコン基板5には、各半導体構成体が形成される領域に所定の機能の集積回路が形成され、接続パッド6は、それぞれ、対応する領域に形成された集積回路に電気的に接続されているものである。
【0021】
次に、図3に示すように、両開口部8、10を介して露出された接続パッド6の上面を含む保護膜9の上面全体に下地金属層11aを形成する。この場合、下地金属層11aは、無電解メッキにより形成された銅層のみであってもよく、またスパッタにより形成された銅層のみであってもよく、さらにスパッタにより形成されたチタン等の薄膜層上にスパッタにより銅層を形成したものであってもよい。これは、後述する上層再配線17の下地金属層の場合も同様である。
【0022】
次に、下地金属層11aの上面にメッキレジスト膜21をパターン形成する。
この場合、再配線11形成領域に対応する部分におけるメッキレジスト膜21には開口部22が形成されている。次に、下地金属層11aをメッキ電流路として銅の電解メッキを行なうことにより、メッキレジスト膜21の開口部22内の下地金属層11aの上面に上層金属層11bを形成する。次に、メッキレジスト膜21を剥離する。
【0023】
次に、図4に示すように、上層金属層11bを含む下地金属層11aの上面にメッキレジスト膜23をパターン形成する。この場合、柱状電極12形成領域に対応する部分におけるメッキレジスト膜23には開口部24が形成されている。
次に、下地金属層11aをメッキ電流路として銅の電解メッキを行なうことにより、メッキレジスト膜23の開口部24内の上層金属層11bの接続パッド部上面に柱状電極12を形成する。
【0024】
次に、メッキレジスト膜23を剥離し、次いで、柱状電極12および上層金属層11bをマスクとして下地金属層11aの不要な部分をエッチングして除去すると、図5に示すように、上層金属層11b下にのみ下地金属層11aが残存され、この残存された下地金属層11aおよびその上面全体に形成された上層金属層11bにより再配線11が形成される。
【0025】
次に、図6に示すように、スクリーン印刷法、スピンコーティング法、ダイコート法等により、柱状電極12および再配線11を含む保護膜9の上面全体にエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等からなる封止膜13をその厚さが柱状電極12の高さよりも厚くなるように形成する。したがって、この状態では、柱状電極12の上面は封止膜13によって覆われている。次に、封止膜13および柱状電極12の上面側を適宜に研磨し、図7に示すように、柱状電極12の上面を露出させ、且つ、この露出された柱状電極12の上面を含む封止膜13の上面を平坦化する。
【0026】
ここで、柱状電極12の上面側を適宜に研磨するのは、電解メッキにより形成される柱状電極12の高さにばらつきがあるため、このばらつきを解消して、柱状電極12の高さを均一にするためである。また、この場合、軟質の銅からなる柱状電極12とエポキシ系樹脂等からなる封止膜13とを同時に研磨するため、適宜な粗さの砥石を備えたグラインダーを用いている。
【0027】
次に、図8に示すように、シリコン基板5の下面全体に接着層4を接着する。
接着層4は、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等のダイボンド材からなるものであり、加熱加圧により、仮硬化した状態でシリコン基板5に固着する。次に、シリコン基板5に固着された接着層4をダイシングテープ(図示せず)に貼り付け、図9に示すダイシング工程を経た後に、ダイシングテープから剥がすと、図1に示すように、シリコン基板5の下面に接着層4を有する半導体構成体3が複数個得られる。
【0028】
このようにして得られた半導体構成体3では、シリコン基板5の下面に接着層4を有するため、ダイシング工程後に各半導体構成体3のシリコン基板4の下面にそれぞれ接着層を設けるといった極めて面倒な作業が不要となる。なお、ダイシング工程後にダイシングテープから剥がす作業は、ダイシング工程後に各半導体構成体3のシリコン基板4の下面にそれぞれ接着層を設ける作業に比べれば、極めて簡単である。
【0029】
次に、このようにして得られた半導体構成体3を用いて、図1に示す半導体装置を製造する場合の一例について説明する。まず、図10に示すように、図1に示す金属層1の上面側を後述の如く構成する銅箔を複数枚採取することができる大きさで、限定する意味ではないが、平面形状が長方形、好ましくは、ほぼ正方形のベース板31の上面に接着層32を介して銅箔1aが接着されたものを用意する。
【0030】
なお、ベース板31は、ガラス、セラミックス、樹脂等の絶縁材であってもよいが、ここでは、一例として、アルミニウムからなるものを用いる。また、寸法の一例として、アルミニウムからなるベース板31の厚さは0.4mm程度であり、銅箔1aの厚さは0.012mm程度である。ここで、ベース板31を用いるのは、厚さが薄すぎる銅箔1aのみではベース板としての役目を果たさないためである。なお、銅箔1aは、製造工程中の帯電防止としての役目も有する。
【0031】
次に、銅箔1aの上面の所定の複数箇所にそれぞれ半導体構成体3のシリコン基板5の下面に接着された接着層4を接着する。ここでの接着は、加熱加圧により、接着層4を本硬化させる。次に、半導体構成体3間および最外周に配置された半導体構成体3の外側における銅箔1aの上面に格子状でシート状の2枚の第1の絶縁材材料14a、14bを位置決めしながら積層して配置し、さらにその上面にシート状の第2の絶縁材材料15aを載置する。なお、2枚の第1の絶縁材材料14a、14bを積層して配置した後に、半導体構成体3を配置するようにしてもよい。
【0032】
格子状の第1の絶縁材材料14a、14bは、ガラス繊維にエポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させ、熱硬化性樹脂を半硬化状態にしてシート状となしたプリプレグ材に、型抜き加工やエッチング等により複数の矩形形状の開口部33を形成することにより得られる。この場合、第1の絶縁材材料14a、14bは、平坦性を得るためにシート状であることが必要であるが、材料は、必ずしもプリプレグ材に限られるものではなく、熱硬化性樹脂や、熱硬化性樹脂中にガラス繊維やシリカフィラー等の補強材を分散させたものでもよい。
【0033】
シート状の第2の絶縁材材料15aは、限定する意味ではないが、ビルドアップ材が好ましく、このビルドアップ材としては、エポキシ系樹脂やBT樹脂等の熱硬化性樹脂中にシリカフィラーを混入させ、熱硬化性樹脂を半硬化状態にしたものがある。しかしながら、第2の絶縁材材料15aとして、上述のプリプレグ材、またはフィラーが混入されない、熱硬化性樹脂のみからなる材料を用いることもできる。
【0034】
ここで、第1の絶縁材材料14a、14bの開口部33のサイズは半導体構成体3のサイズよりもやや大きくなっている。このため、第1の絶縁材材料14a、14bと半導体構成体3との間には隙間34が形成されている。この隙間34の間隔は、一例として、0.2mm程度である。また、第1の絶縁材材料14a、14bの合計厚さは、半導体構成体3の厚さよりも厚く、後述の如く、加熱加圧されたときに、隙間34を十分に埋めることができる程度の厚さとなっている。
【0035】
この場合、第1の絶縁材材料14a、14bとして、厚さが同じものを用いているが、厚さが異なるものを用いてもよい。また、第1の絶縁材材料は、上記の如く、2層であってもよいが、1層または3層以上であってもよい。なお、第2の絶縁材材料15aの厚さは、図1において、半導体構成体3上に形成すべき第2の絶縁材15の厚さに対応する厚さまたはそれよりもやや厚い厚さとなっている。
【0036】
次に、図11に示す一対の加熱加圧板35、36を用いて第1の絶縁材材料14a、14bおよび第2の絶縁材材料15aを加熱加圧する。すると、第1の絶縁材材料14a、14b中の溶融された熱硬化性樹脂が押し出されて、図10に示す、第1の絶縁材材料14a、14bと半導体構成体3との間の隙間34に充填され、その後の冷却により各半導体構成体3および各半導体構成体3間の銅箔1aに固着した状態で固化する。かくして、図11に示すように、半導体構成体3間および最外周に配置された半導体構成体3の外側における銅箔2aの上面に補強材を含む熱硬化性樹脂からなる第1の絶縁材14がベース板31に固着して形成されるとともに、半導体構成体3および第1の絶縁材14の上面に補強材を含む熱硬化性樹脂からなる第2の絶縁材15が形成される。
【0037】
この場合、図7に示すように、ウエハ状態において、半導体構成体3の柱状電極12の高さは均一とされ、且つ、柱状電極12の上面を含む封止膜13の上面は平坦化されているため、図11に示す状態において、複数の半導体構成体3の各厚さは同じである。
【0038】
そこで、図11に示す状態において、半導体構成体3の上面よりも補強材(例えば、シリカフィラー)の直径だけ高い仮想面を加圧制限面として加熱加圧を行なうと、半導体構成体3上における第2の絶縁材15の厚さはその中の補強材(例えば、シリカフィラー)の直径と同じとなる。また、一対の加熱加圧板35、36を備えたプレス装置として、オープンエンド型(開放型)の平面プレス装置を用いると、絶縁材材料14a、14b、15a中の余分の熱硬化性樹脂は一対の加熱加圧板35、36の外側に押し出される。
【0039】
また、第2の絶縁材15の上面は、上側の加熱加圧板36の下面によって押さえ付けられるため、平坦面となる。したがって、第2の絶縁材15の上面を平坦化するための研磨工程は不要である。このため、銅箔1aのサイズが例えば500×500mm程度と比較的大きくても、その上に配置された複数の半導体構成体3に対して第2の絶縁材15の平坦化を一括して簡単に行なうことができる。
【0040】
さらに、第1および第2の絶縁材14、15は、熱硬化性樹脂中に繊維やフィラー等の補強材を含有させたものからなっているので、熱硬化性樹脂のみからなる場合と比較して、熱硬化性樹脂の硬化時の収縮による応力を小さくすることができ、ひいては銅箔1a等が反りにくいようにすることができる。
【0041】
なお、図11に示す製造工程において、上面側からは加圧のみとし、加熱は半導体構成体3の下面側をヒーター等で行なうというように、加熱と加圧は別々の手段で行ってもよいし、加圧と加熱とを別の工程で行なうようにすることもできる。
【0042】
さて、図11に示す製造工程が終了すると、第1、第2の絶縁材14、15、半導体構成体3および銅箔1aは一体化されるため、これらのみで必要な強度を維持することができる。そこで、次に、ベース板31および接着層32を剥がし、あるいは、研磨やエッチング等により除去する。これは、後述するダイシングでの負荷を軽減するためと、製品としての半導体装置の厚さを薄くするためである。なお、図10に示す製造工程において、仮圧着により絶縁材材料14a、14b、15aを仮硬化させて銅箔1aの上面に仮接合した場合には、その後に、ベース板31および接着層32を剥がし、あるいは、研磨やエッチング等により除去するようにしてもよい。
【0043】
次に、図12に示すように、レーザビームを照射するレーザ加工により、柱状電極12の上面中央部に対応する部分における第2の絶縁材15に開口部16を形成する。次に、必要に応じて、開口部16内等に発生したエポキシスミア等をデスミア処理により除去する。
【0044】
次に、図13に示すように、開口部16を介して露出された柱状電極12の上面を含む第2の絶縁材15の上面全体に上層再配線形成用層17aを形成するとともに、銅箔1aの下面に金属膜1bを形成する。この場合、上層再配線形成用層17aおよび金属膜1bは、例えば無電解メッキによる銅からなる下地金属層と、該下地金属層をメッキ電流路として銅の電解メッキを行なうことにより、該下地金属層の表面に形成された上層金属層とからなっている。
【0045】
次に、上層再配線形成用層17aをフォトリソグラフィ法によりパターニングすると、図14に示すように、第2の絶縁材15の上面の所定の箇所に上層再配線17が形成される。この状態では、上層再配線17は第2の絶縁材15の開口部16を介して柱状電極12の上面に接続されている。また、銅箔1aとその下面に形成された金属層1bとにより、金属層1が形成されている。
【0046】
次に、図15に示すように、スクリーン印刷法やスピンコーティング法等により、上層再配線17を含む第2の絶縁材15の上面全体にソルダーレジストからなる上層絶縁膜18を形成する。この場合、上層再配線17の接続パッド部に対応する部分における上層絶縁膜18には開口部19が形成されている。また、金属層1の下面にスピンコーティング法等によりソルダーレジストからなる絶縁層2を形成する。次に、開口部19内およびその上方に突起電極20を上層再配線17の接続パッド部に接続させて形成する。
【0047】
次に、図16に示すように、互いに隣接する半導体構成体3間において、上層絶縁膜18、第1、第2の絶縁材14、15、金属層1および絶縁層2を切断すると、図1に示す半導体装置が複数個得られる。
【0048】
このようにして得られた半導体装置では、半導体構成体3の柱状電極12に接続される上層再配線17を無電解メッキ(またはスパッタ)および電解メッキにより形成しているので、半導体構成体3の柱状電極12と上層再配線17との間の導電接続を確実とすることができる。
【0049】
また、上記製造方法では、銅箔1a上に複数の半導体構成体3を接着層4を介して配置し、複数の半導体構成体3に対して第1、第2の絶縁材14、15、上層再配線17、上層絶縁膜18および突起電極20の形成を一括して行い、その後に分断して複数個の半導体装置を得ているので、製造工程を簡略化することができる。また、図12に示す製造工程以降では、銅箔1aと共に複数の半導体構成体3を搬送することができるので、これによっても製造工程を簡略化することができる。
【0050】
さらに、上記製造方法では、図10に示すように、再配線11および柱状電極12を備えたCSPタイプの半導体構成体3を銅箔1a上に接着層4を介して接着しているので、例えば、シリコン基板5上に接続パッド6および絶縁膜7を設けてなる通常の半導体チップを銅箔1a上に接着して、半導体チップの周囲に設けられた封止膜上等に再配線および柱状電極を形成する場合と比較して、コストを低減することができる。
【0051】
例えば、切断前の銅箔1aがシリコンウエハのように一定のサイズのほぼ円形状である場合、銅箔1a上に接着された半導体チップの周囲に設けられた封止膜上等に再配線および柱状電極を形成すると、処理面積が増大する。換言すれば、低密度処理になるため、一回当たりの処理枚数が低減し、スループットが低下するので、コストアップとなる。
【0052】
これに対し、上記製造方法では、再配線11および柱状電極12を備えたCSPタイプの半導体構成体3を銅箔1a上に接着層4を介して接着した後に、ビルドアップしているので、プロセス数は増大するが、柱状電極12を形成するまでは高密度処理のため、効率が良く、プロセス数の増大を考慮しても、全体の価格を低減することができる。
【0053】
なお、上記実施形態においては、突起電極20を、半導体構成体3上およびその周囲の第1の絶縁材14上の全面に対応してマトリクス状に配列されるよう設けているが、突起電極20を半導体構成体3の周囲の第1の絶縁材14上に対応する領域上にのみ設けるようにしてもよい。その場合、突起電極20を半導体構成体3の全周囲ではなく、半導体構成体3の4辺の中、1〜3辺の側方のみに設けてもよい。また、このような場合には、第1の絶縁材14を矩形枠状のものとする必要はなく、突起電極20を設ける辺の側方のみに配置されるようにしてもよい。
【0054】
(第2実施形態)
図17はこの発明の第2実施形態としての半導体装置の断面図を示したものである。この半導体装置において、図1に示す半導体装置と異なる点は、絶縁層2を備えていないことである。
【0055】
この第2実施形態の半導体装置を製造する場合には、図15に示す製造工程において、金属層1の下面に絶縁層2を形成せず、突起電極20を形成した後に、互いに隣接する半導体構成体3間において、上層絶縁膜18、第1、第2の絶縁材14、15および金属層1を切断すると、図17に示す半導体装置が複数個得られる。このようにして得られた半導体装置では、絶縁層2を備えていないので、その分だけ、薄型化することができる。
【0056】
(第3実施形態)
図18はこの発明の第3実施形態としての半導体装置の断面図を示したもである。この半導体装置は、図13に示す製造工程において、銅箔1aの下面に金属層1bを形成せず、且つ、図15に示す製造工程において、絶縁層2を形成することにより得られるものである。
【0057】
(第4実施形態)
図19はこの発明の第4実施形態としての半導体装置の断面図を示したものである。この半導体装置は、図13に示す製造工程において、銅箔1aの下面に金属層1bを形成せず、且つ、図15に示す製造工程において、絶縁層2を形成しない場合に得られるものである。
【0058】
(第5実施形態)
図20はこの発明の第5実施形態としての半導体装置の断面図を示したものである。この半導体装置において、図1に示す半導体装置と異なる点は、金属層1および絶縁層2を備えていないことである。
【0059】
この第5実施形態の半導体装置を製造する場合には、例えば、図15に示す製造工程において、金属層1の下面に絶縁層2を形成せず、突起電極20を形成した後に、金属層1を研磨やエッチング等により除去し、次いで互いに隣接する半導体構成体3間において、上層絶縁膜18および第1、第2の絶縁材14、15を切断すると、図20に示す半導体装置が複数個得られる。このようにして得られた半導体装置では、金属層1および絶縁層2を備えていないので、さらに薄型化することができる。
【0060】
(第6実施形態)
図21はこの発明の第6実施形態としての半導体装置の断面図を示したものである。この半導体装置は、例えば、図19に示された状態において、金属層1を研磨やエッチング等により除去した後に、接着層4を含むシリコン基板5の下面側および第1の絶縁材14の下面側を適宜に研磨し、次いで互いに隣接する半導体構成体3間において、上層絶縁膜18および第1、第2の絶縁材14、15を切断すると、得られるものであり、このようにして得られた半導体装置では、さらに薄型化することができる。
【0061】
なお、突起電極20を形成する前に、金属層1を研磨やエッチング等により除去し(必要に応じてさらに接着層4を含むシリコン基板5の下面側および第1の絶縁材14の下面側を適宜に研磨し)、次いで突起電極20を形成し、次いで互いに隣接する半導体構成体3間において、上層絶縁膜18および第1、第2の絶縁材14、15を切断するようにしてもよい。
【0062】
(第7実施形態)
図22はこの発明の第7実施形態としての半導体装置の断面図を示したものである。この半導体装置において、図1に示す半導体装置と異なる点は、金属層1および絶縁層2を備えておらず、その代わりに、ベース板31を備えていることである。
【0063】
この第7実施形態の半導体装置を製造する場合には、図10に示す製造工程において、ベース板31の上面に接着層32および銅箔1aを形成せず、ベース板31の上面に半導体構成体3をその下面に設けられた接着層4を介して接着し、ベース板31の下面に何も形成せず、突起電極20を形成した後に、互いに隣接する半導体構成体3間において、上層絶縁膜18、第1、第2の絶縁材14、15およびベース板31を切断すると、図22に示す半導体装置が複数個得られる。
【0064】
(第8実施形態)
図23はこの発明の第8実施形態としての半導体装置の断面図を示したものである。この半導体装置において、図1に示す半導体装置と大きく異なる点は、接着層4および第1の絶縁材14の下面に下層再配線41が形成され、この下層再配線41と上層再配線17とが半導体構成体3の周囲に設けられた第1、第2のの絶縁材14、15の所定の箇所に形成された貫通孔42の内壁面に形成された上下導通部43を介して接続されていることである。
【0065】
この第8実施形態の半導体装置を製造する場合には、例えば、図11に示すような製造工程後に、まず、ベース板31、接着層32および銅箔1aを研磨やエッチング等により除去する。次に、図24に示すように、レーザ加工により、柱状電極12の上面中央部に対応する部分における第2の絶縁材15に開口部16を形成するとともに、半導体構成体3の周囲に設けられた第1、第2の絶縁材14、15の所定の箇所に貫通孔42を形成する。
【0066】
次に、図25に示すように、銅の無電解メッキおよび銅の電解メッキを連続して行なうことにより、開口部16を介して露出された柱状電極12の上面を含む第2の絶縁材15の上面全体に上層再配線形成用層17aを形成し、また接着層および第1の絶縁材14の下面全体に下層再配線形成用層41aを形成し、さらに貫通孔42の内壁面に上下導通部43を形成する。
【0067】
次に、上層再配線形成用層17aおよび下層再配線形成用層41aをフォトリソグラフィ法によりパターニングすると、例えば、図23に示すように、第2の絶縁材15の上面に上層再配線17が形成され、また接着層4および第1の絶縁材14の下面に下層再配線41が形成され、さらに貫通孔42の内壁面に上下導通部43が残存される。
【0068】
次に、図23を参照して説明すると、上層再配線17を含む第2の絶縁材15の上面に開口部19を有するソルダーレジストからなる上層絶縁膜18を形成するとともに、下層再配線41を含む第1の絶縁材14の下面全体にソルダーレジストからなる下層絶縁膜44を形成する。この場合、上下導通部43の内部にはソルダーレジストが充填される。次に、突起電極20を形成し、次いで互いに隣接する半導体構成体3間において、上層絶縁膜18、第1、第2の絶縁材14、15および下層絶縁膜44を切断すると、図23に示す半導体装置が複数個得られる。
【0069】
(第9実施形態)
図26はこの発明の第9実施形態としての半導体装置の断面図を示したものである。この半導体装置において、図23に示す半導体装置と大きく異なる点は、下層再配線41が銅箔1aとその下面に設けられた銅層41aとによって形成され、また貫通孔42内に上下導通部43が隙間無く形成されていることである。
【0070】
この第9実施形態の半導体装置を製造する場合には、例えば、図12に示すような製造工程において、図27に示すように、レーザ加工により、柱状電極12の上面中央部に対応する部分における第2の絶縁材15に開口部16を形成するとともに、半導体構成体3の周囲に設けられた第1、第2の絶縁材14、15の所定の箇所に貫通孔42を形成する。ただし、この場合、接着層4および第1の絶縁材14の下面全体には銅箔1aが設けられているため、貫通孔42の下面側は銅箔1aによって覆われている。
【0071】
次に、図28に示すように、銅箔1aをメッキ電流路として銅の電解メッキを行なうことにより、貫通孔42内の銅箔1aの上面に上下導通部43を形成する。この場合、上下導通部43の上面は貫通孔42の上面とほぼ同じかそれよりもやや低い位置となるようにするのが好ましい。
【0072】
次に、図29に示すように、銅の無電解メッキおよび銅の電解メッキを連続して行なうことにより、開口部16を介して露出された柱状電極12の上面および貫通孔42内の上下導通部43の上面を含む第2の絶縁材15の上面全体に上層再配線形成用層17aを形成し、また銅箔1aの下面全体に下層再配線形成用層41aを形成する。以下、上記第8実施形態の場合と同様の製造工程を経ると、図26に示す半導体装置が複数個得られる。
【0073】
(第10実施形態)
図30はこの発明の第10実施形態としての半導体装置の断面図を示したものである。この半導体装置において、図1に示す半導体装置と異なる点は、第2の絶縁材15を備えていないことである。
【0074】
この第10実施形態の半導体装置を製造する場合には、図11に示す製造工程後に、ベース板31および接着層32を除去し、また第2の絶縁材15を研磨して除去する。この場合、第2の絶縁材15を研磨して除去するとき、半導体構成体3の柱状電極12を含む封止膜13上面側および第1の絶縁材14の上面側がやや研磨されても、何ら支障はない。
【0075】
以下の製造工程は上記第1実施形態の場合と同じであるが、この実施形態の場合には、図30に示すように、半導体構成体3および第1の絶縁材14の上面に上層再配線17が柱状電極12の上面に接続されて形成され、その上に開口部19を有する上層絶縁膜18が形成され、開口部19内およびその上方に突起電極20が上層再配線17の接続パッド部に接続されて形成される。この場合、平面図は記載されていないが、柱状電極12がマトリクス状に配列されている場兄は、当然のことではあるが、上層再配線17は、各柱状電極12の間を引き回して配線される。
【0076】
(第11実施形態)
図31はこの発明の第11実施形態としての半導体装置の断面図を示したものである。この半導体装置は、図23に示す場合において、上記第10実施形態の場合と同様に、第2の絶縁材15を研磨して除去した場合に得られるものである。
【0077】
(第12実施形態)
図32はこの発明の第12実施形態としての半導体装置の断面図を示したものである。この半導体装置は、図26に示す場合において、上記第10実施形態の場合と同様に、第2の絶縁材15を研磨して除去した場合に得られるものである。
【0078】
(第13実施形態)
上記実施形態では、例えば、図1に示すように、第2の絶縁材15上に上層再配線17および上層絶縁膜18をそれぞれ1層ずつ形成した場合について説明したが、これに限らず、それぞれ2層ずつ以上としてもよく、例えば、図33に示すこの発明の第13実施形態のように、それぞれ2層ずつとしてもよい。
【0079】
すなわち、この半導体装置では、第2の絶縁材15の上面に第1の上層再配線51が第2の絶縁材15に形成された開口部16を介して柱状電極12の上面に接続されて形成されている。第1の上層再配線51を含む第2の絶縁材15の上面にはエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等からなる第1の上層絶縁膜52が設けられている。第1の上層絶縁膜52の上面には第2の上層再配線54が第1の上層絶縁膜52に形成された開口部53を介して第1の上層再配線51の接続パッド部上面に接続されて形成されている。
【0080】
第2の上層再配線54を含む第1の上層絶縁膜52の上面にはソルダーレジスト等からなる第2の上層絶縁膜55が設けられている。第2の上層再配線54の接続パッド部に対応する部分における第2の上層絶縁膜55には開口部56が設けられている。開口部56内およびその上方には突起電極20が第2の上層再配線54の接続パッド部に接続されて設けられている。なお、この場合、接着層4および第1の絶縁材14の下面には銅箔1aのみが設けられている。
【0081】
(第14実施形態)
例えば、図16に示す場合には、互いに隣接する半導体構成体3間において切断したが、これに限らず、2個またはそれ以上の半導体構成体3を1組として切断し、例えば、図34に示すこの発明の第14実施形態のように、3個の半導体構成体3を1組として切断し、マルチチップモジュール型の半導体装置を得るようにしてもよい。この場合、3個で1組の半導体構成体3は同種、異種のいずれであってもよい。
【0082】
なお、上記各実施形態において、半導体構成体3は、外部接続用電極として、接続パッド6の他に、再配線11、柱状電極12を有するものとしたが、本発明は、半導体構成体3の外部接続用電極として接続パッド6のみを有するもの、或いは接続パッド6、および接続パッド部を有する再配線11を有するものに適用することが可能である。
【0083】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、半導体構成体の側方に設けられた第1の絶縁材上に最上層の上層再配線の少なくとも一部の接続パッド部を配置しているので、最上層の上層再配線の接続パッド部の数が増加しても、そのサイズおよびピッチを必要な大きさにすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1実施形態としての半導体装置の断面図。
【図2】図1に示す半導体装置の製造方法の一例において、当初用意したものの断面図。
【図3】図2に続く製造工程の断面図。
【図4】図3に続く製造工程の断面図。
【図5】図4に続く製造工程の断面図。
【図6】図5に続く製造工程の断面図。
【図7】図6に続く製造工程の断面図。
【図8】図7に続く製造工程の断面図。
【図9】図8に続く製造工程の断面図。
【図10】図9に続く製造工程の断面図。
【図11】図10に続く製造工程の断面図。
【図12】図11に続く製造工程の断面図。
【図13】図12に続く製造工程の断面図。
【図14】図13に続く製造工程の断面図。
【図15】図14に続く製造工程の断面図。
【図16】図15に続く製造工程の断面図。
【図17】この発明の第2実施形態としての半導体装置の断面図。
【図18】この発明の第3実施形態としての半導体装置の断面図。
【図19】この発明の第4実施形態としての半導体装置の断面図。
【図20】この発明の第5実施形態としての半導体装置の断面図。
【図21】この発明の第6実施形態としての半導体装置の断面図。
【図22】この発明の第7実施形態としての半導体装置の断面図。
【図23】この発明の第8実施形態としての半導体装置の断面図。
【図24】図23に示す半導体装置の製造方法の一例において、所定の製造工程の断面図。
【図25】図24に続く製造工程の断面図。
【図26】この発明の第9実施形態としての半導体装置の断面図。
【図27】図26に示す半導体装置の製造方法の一例において、所定の製造工程の断面図。
【図28】図27に続く製造工程の断面図。
【図29】図28に続く製造工程の断面図。
【図30】この発明の第10実施形態としての半導体装置の断面図。
【図31】この発明の第11実施形態としての半導体装置の断面図。
【図32】この発明の第12実施形態としての半導体装置の断面図。
【図33】この発明の第13実施形態としての半導体装置の断面図。
【図34】この発明の第14実施形態としての半導体装置の断面図。
【符号の説明】
1 金属層
2 絶縁層
3 半導体構成体
4 接着層
5 シリコン基板
6 接続パッド
11 再配線
12 柱状電極
13 封止膜
14 第1の絶縁材(絶縁シート)
15 第2の絶縁材
17 上層再配線
18 上層絶縁膜
20 突起電極
Claims (36)
- 半導体基板上に設けられた複数の外部接続用電極を有する少なくとも1つの半導体構成体と、該半導体構成体の側方に設けられた絶縁シートと、前記半導体構成体の外部接続用電極に接続されて設けられ且つ接続パッド部を有する少なくとも1層の上層再配線とを備え、前記上層再配線のうち、最上層の上層再配線の少なくとも一部の接続パッド部は前記絶縁シート上に対応して配置されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1に記載の発明において、前記半導体構成体を複数個備えていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1に記載の発明において、前記半導体構成体は、接続パッドと、該接続パッドに接続された柱状の外部接続用電極と、該外部接続用電極の周囲に設けられた封止膜とを含むことを特徴とする半導体装置。
- 請求項1に記載の発明において、前記絶縁シートは繊維に熱硬化性樹脂が含浸された材料からなることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1に記載の発明において、前記絶縁シートと前記上層再配線との間に絶縁材が形成されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項5に記載の発明において、前記絶縁材はシートであることを特徴とする半導体装置。
- 請求項5に記載の発明において、前記絶縁材の上面は平坦であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1に記載の発明において、前記最上層の上層再配線の接続パッド部を除く部分を覆う上層絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。
- 請求項8に記載の発明において、前記最上層の上層再配線の接続パッド部上に半田ボールが設けられていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1に記載の発明において、前記半導体構成体および前記絶縁シートの下面に金属層が設けられていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項10に記載の発明において、前記金属層の下面に絶縁層が設けられていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項10に記載の発明において、前記金属層は少なくとも金属箔を有することを特徴とする半導体装置。
- 請求項12に記載の発明において、前記金属箔は銅箔であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1に記載の発明において、少なくとも前記絶縁シートの下面に下層再配線が設けられ、前記上層再配線のうちの最下層の上層再配線と前記下層再配線とは前記絶縁シート内に設けられた上下導通部を介して接続されていることを特徴とする半導体装置。
- ベース板上に、各々が半導体基板上に設けられた複数の外部接続用電極を有する複数の半導体構成体を相互に離間させて配置し、且つ、前記各半導体構成体に対応する部分に開口部を有する少なくとも1枚の絶縁シートを配置する工程と、
前記絶縁シート上から前記絶縁シートを加熱加圧して、前記半導体構成体間に前記絶縁シートを溶融し、固化する工程と、
接続パッド部を有し且ついずれかの前記半導体構成体の対応する前記外部接続用電極に接続される少なくとも1層の上層再配線を、該上層再配線のうち、最上層の上層再配線の接続パッド部が前記絶縁シート上に対応して配置されるように形成する工程と、
前記半導体構成体間における前記絶縁シートを切断して前記最上層の上層再配線の接続パッド部が前記絶縁シート上に配置された半導体装置を複数個得る工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項15に記載の発明において、前記半導体構成体は、接続パッドと、該接続パッドに接続された柱状の外部接続用電極と、該外部接続用電極の周囲に設けられた封止膜とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項15に記載の発明において、前記絶縁シートの切断は、前記半導体構成体が複数個含まれるように切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項15に記載の発明において、前記絶縁シートを切断する前に、前記ベース板を除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項15に記載の発明において、前記絶縁シートを切断した後、前記ベース板を除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項15に記載の発明において、前記加熱加圧処理は、加圧制限面を設けて行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項15に記載の発明において、前記絶縁シートの開口部のサイズは前記半導体構成体のサイズよりもやや大きくなっていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項21に記載の発明において、前記ベース板上に配置する前記絶縁シートの厚さは前記半導体構成体の厚さよりも厚いものであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項15に記載の発明において、前記絶縁シートは繊維に熱硬化性樹脂を含浸された材料からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項15に記載の発明において、前記絶縁シートと前記上層再配線との間に絶縁材を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項24に記載の発明において、前記絶縁材はシートであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項15に記載の発明において、前記配置工程で前記複数の半導体構成体および前記絶縁シートを前記ベース板上に設けられた金属箔上に配置し、前記絶縁シート切断工程で前記絶縁シートを切断するとともに前記金属箔を切断し、前記半導体装置として前記金属箔を備えたものを得ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項26に記載の発明において、前記金属箔上に前記半導体構成体および前記絶縁シートを配置した後に、前記絶縁シートを仮硬化させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項27に記載の発明において、前記仮硬化後に、前記ベース板を除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項28に記載の発明において、前記ベース板を除去した後に、前記金属箔を覆う絶縁層を形成し、前記絶縁シート切断工程で前記絶縁シートおよび前記金属箔を切断するとともに前記絶縁層を切断し、前記半導体装置として前記絶縁層を備えたものを得ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項26に記載の発明において、前記金属箔は銅箔であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項15に記載の発明において、前記絶縁シート切断工程で前記絶縁シートを切断するとともに前記ベース板を切断し、前記半導体装置として前記ベース板を備えたものを得ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項15に記載の発明において、前記最上層の上層再配線の接続パッド部を除く部分を覆う上層絶縁膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項32に記載の発明において、前記最上層の上層再配線の接続パッド部上に半田ボールを形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項15に記載の発明において、前記上層再配線形成工程前に、前記ベース板を除去し、前記絶縁シートに貫通孔を形成し、少なくとも前記絶縁シートの下面に下層再配線を形成し、さらに前記貫通孔内に前記上層再配線と前記下層再配線とを接続する上下導通部を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項15に記載の発明において、前記配置工程で前記半導体構成体および前記絶縁シートを前記ベース板上に設けられた金属箔上に配置し、前記上層再配線形成工程前に、前記ベース板を除去し、前記絶縁シートに貫通孔を形成し、該貫通孔内に上下導通部を前記金属箔に接続させて形成し、前記上層再配線形成工程で前記上層再配線を形成するとともに少なくとも前記絶縁シートの下面に下層再配線を前記上下導通部を介して前記上層再配線に接続させて形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項34または35に記載の発明において、前記下層再配線を覆う絶縁層を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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