JP2005056848A - 有機el素子 - Google Patents

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Abstract

【課題】 光効率および安定性を高めた上部発光方式の有機EL素子を提供すること。
【解決手段】 陽極2と陰極7の間に有機層8を有する上部発光方式の有機EL素子において、有機EL素子の陽極2が、有機層8から発光された光が反射される反射膜9と、前記反射膜9の上部に形成されて、正孔が注入される正孔注入用薄膜10とで構成され、反射率及び仕事関数が高く、耐環境性及び耐食性に優れた陽極を形成する。
【選択図】図1

Description

本発明は、有機EL素子に関し、特に有機EL素子の光効率および安定性を高める陽極に関する。
有機EL素子(Organic Electroluminescence device)は、電子注入電極と、正孔注入電極との間に形成された有機膜に電荷を注入すると、電子と正孔とが対を成した後、消滅しながら光を発する素子である。
有機EL素子は、低電圧で駆動が可能であり、電力消耗が少ないことを特徴とする次世代ディスプレイ素子である。
一方、有機EL素子は、その発光方式により、基板側に光を発する下部発光(bottom-emission)方式と、その基板の反対面に光を発する上部発光(Top-emission)方式とがある。
その中で、上部発光方式の有機EL素子は、基板上部に正孔が注入されて、発光された光の反射膜の機能を有する陽極と、1層以上の有機物からなる有機層、電子が注入されて発光された光を透過させる陰極とで構成される。
有機EL素子の構成要素の中で、陽極は高い仕事関数、高反射率、低抵抗、低い表面照度、基板との優れた接合性、容易なエッチング性、および耐環境性などの条件が要求される。
一般的に、CD、DVDなどの光学記録媒体に用いられている反射膜や、反射型STN液晶表示装置、有機EL表示装置などでよく用いられる光反射性導電膜としてAlやAl合金が用いられている。
ここで、AlやAl合金の薄膜は、良好な反射率(80〜90%)を有し、電気抵抗が低いという特性がある。また、その表面に緻密なAl23膜を形成するため、空気中でも安定的な耐食性を有する。
それゆえ、AlやAl合金を上部発光方式の有機EL素子の陽極として適用しようとする試みがあった。しかし、その適用の結果、有機EL素子の仕事関数が低いため、I−V特性と光効率とが劣るという問題があった。
そして、現在まで上部発光方式の有機EL素子において、陽極物質として用いることができると判断される物質としては、仕事関数が高いCr、Ni、Mo、Agなどの単元素および元素のうちいずれか二つ以上の元素が添加された合金がある。
しかし、Cr、Ni、Moなどの物質は、仕事関数は高いが、反射率が低いという短所を有する。そして、Ag単元素およびその合金は、仕事関数および反射率が高いが、耐環境性および耐食性が劣るという短所がある。
本発明は、上記の問題点を解決する有機EL素子を提供することを目的としており、さらに、本発明に係る上部発光方式の有機EL素子は、反射率および仕事関数が高いと同時に、耐環境性および耐食性に優れた陽極を構成することにより、光効率および安定性を高めることにその目的がある。
上記目的を達成するために、本発明は、陽極と陰極との間に有機層を有する上部発光方式の有機EL素子において、前記有機EL素子の陽極は、前記有機層から発光した光が反射される反射膜と、前記反射膜の上部に形成され、正孔が注入される正孔注入用薄膜とで構成されることを特徴とする。
前記反射膜は、Alからなることを特徴とする。
前記反射膜は、AlにNd、Ta、Nb、Mo、W、Ti、Si、B、Ni元素を添加した合金のうちいずれか一つからなることを特徴とする。
前記Alに添加される前記元素は、Alに対して5原子パーセント(at.%)以内であることを特徴とする。
前記正孔注入用薄膜は、Cr、Ni、Ti、Mo、Auのうちいずれか一つ、または少なくとも二つ以上からなる合金で構成されることを特徴とする。
前記正孔注入用薄膜は、1〜10nmの厚さを有することを特徴とする。
前記反射膜と正孔注入用薄膜は、抵抗加熱法、スパッタリング、E−ビーム法のうちいずれか一つの方法を用いて蒸着されることを特徴とする。
本発明の有機EL素子は、陽極2を正孔注入用薄膜と反射膜9との複層で構成することにより、次のような効果が得られる。
第一に、従来有機EL素子よりも陽極の反射率が15〜20%程度向上し、その結果、有機EL素子の駆動電流を減少させることができる。
第二に、正孔注入用薄膜として耐環境性に優れ、かつ仕事関数が大きい金属を用いることにより、光効率が向上し、長寿命の有機EL素子を作ることができる。
以下、本発明に係る有機EL素子の好適な実施の形態について、添付の図面に基づいて詳細に説明する。
図1は、本発明に係る上部発光方式の有機EL素子の構造を示す図である。
図示したように、本発明に係る有機EL素子において、基板1の上部に形成される陽極2は、反射膜9と正孔注入用薄膜10とが順番に蒸着された複数の層で構成されている。
陽極2は、正孔を注入し、有機発光層(Organic emitting layer)5から発光された光を反射する役割をする。
その中で、反射膜9が発光した光を反射するためには、その使用される物質が可視光領域の全体で、反射率を有しなければならない。現在まで、可視光領域である400〜700nmの波長帯で80%以上の反射率を示す単原子金属薄膜としては、AlとAgが存在するだけである。
Au薄膜の場合、500〜550nm程度の領域で反射率が急激に低下して、470nmで40%程度の反射率を示す。
よって、反射膜9として使用可能な金属は、AlとAgの二つであり、本発明に係る有機EL素子は、Al、またはAlにNd、Ta、Nb、Mo、W、Ti、Si、B、Ni元素のうちいずれか一つを5原子パーセント以内に添加した合金を用いる。
そして、正孔注入用薄膜10としては、Cr、Ni、Ti、Mo、Auのうちいずれか一つ、または二つ以上が含まれた合金を用いる。その理由は、物質等は耐環境性に優れ、かつ仕事関数が大きい金属であるためである。
また、正孔注入用薄膜10の厚さは、1〜10nm程度に形成する。正孔注入用薄膜10の厚さを10nmより厚く形成すると、正孔注入用薄膜10が光を吸収するため、その下に形成された反射膜9の効果が減少して光効率が減少する。
これと反対に、正孔注入用薄膜10が1nmより薄く形成されると、その下に形成された反射膜9を構成するAl薄膜又はAl合金薄膜の低い仕事関数のため、I−V特性が低下する。
ここで、反射膜9と正孔注入用薄膜10は、抵抗加熱法、スパッタリング、E−ビーム法などを用いて蒸着することができる。
一方、反射膜9と正孔注入用薄膜10の複層で構成された陽極2の上部には、有機層8が蒸着されており、有機層8の上部には電子を注入して発光した光を透過させる陰極7が形成されている。
有機層8は、正孔注入層3、正孔輸送層4、有機発光層5、電子輸送層6で構成される。
正孔注入層3は、主に10〜30nm厚さのCuPc(Copper Phthalocyanine)で形成する。
次に、正孔注入層3上に正孔輸送層4を形成するが、主にTPD又はNPDを30〜60nm程度蒸着する。
正孔輸送層4上に有機発光層5を形成する。この時、必要に応じて不純物を添加するが、緑色発光の場合、主に有機発光層5としてAlq3(tris(8-hydroxy-quinolate)aluminum)を30〜60nm程度蒸着し、不純物としてはクマリン6(coumarin 6)又はQd(Quinacridone)を多く使用する。
また、有機発光層5上に電子輸送層6を形成する。
このように構成された本発明に係る有機EL素子は、高反射率および高効率を有するようになる。
さらに向上した反射率及び光効率を有する本発明の実施形態等を添付した図面を通して説明すると次の通りである。
図2は、本発明の第1実施形態として、Al薄膜上にCr薄膜を形成した時、Cr薄膜の厚さによる反射率の変化を示した図である。
即ち、陽極2を構成する反射膜9としてAlを、正孔注入用薄膜10としてCrを用いた場合である。
Al薄膜は、200W、2mTorr(ミリトル)の条件下で、99.999%の4"(インチ)ターゲットを用いて150nmの厚さで蒸着し、Cr薄膜は、200W、1mTorrの条件下で99.999%の4インチターゲットを用いて各々2nm、3nm、7nm、11nmの厚さで蒸着した。
図示したように、Crの厚さが増加することにより、陽極2の全体的な反射率が低下することを確認できる。
また、Crの厚さが10nmより大きい場合、かえってCr単層で構成された薄膜より反射率が低くなり、本発明の目的である反射率の改善を達成することができない。
したがって、Al薄膜上に、Crの厚さを10nmより小さく形成して反射率の改善を得ることができる。
この時、Crの蒸着条件を10mTorrに変化させると、既に説明した1mTorrで蒸着した同じ厚さのCr薄膜と比較して、反射率がもっと大きい。
これは、XRD(X-ray diffraction)で分析した結果、1mTorrの場合には5.75g/cm3、10mTorrの場合には4.14g/cm3であって、1mTorrのCr薄膜の密度が、10mTorrのCr薄膜の密度より高いためである。しかし、10mTorrの場合にもCrの厚さが増加することにより、陽極2の全体反射率は減少する。
図3は、本発明の第2実施形態であって、反射膜9をAl薄膜の代わりにAl−Nd合金で形成した時の反射率の変化を示す図である。
すなわち、陽極2向けの反射膜9として、Al薄膜の代わりに200W、1mTorrの条件下でAl−2原子パーセントNd合金の4インチターゲットを用いて、150nmの厚さの薄膜を形成した。
そして、その上部に正孔注入用薄膜10であるCr薄膜を200W、10mTorrの条件下で99.999%の4インチターゲットを用いて3nmの厚さで蒸着した。
図示したように、2原子パーセントのNdが添加されたAlターゲットを用いた場合、Al単元素薄膜に比べて可視光領域で反射率が2%程度低下する。
しかし、Al−Nd薄膜上にCr薄膜が3nm蒸着されても、Al−Nd薄膜の反射率は殆ど変化しないことを確認できる。
このように、Nd、Ta、Nb、Mo、W、Ti、Si、B、Ni元素を5原子パーセント以内に添加した合金を反射膜9として使用すると、反射率の低下は殆ど生じないながら、電子移動(electro migration)に対する抵抗性が増加する。
また、後続熱処理および工程時、表面照度を維持させることができる。
図4は、本発明との比較のために反射膜9としてAgを使用した場合における、反射率の変化を示した図面である。
すなわち、本発明のように、Al又はAlにNd、Ta、Nb、Mo、W、Ti、Si、B、Ni元素を5原子パーセント以内に添加した合金を反射膜9として使用せず、可視光領域で反射率に優れたAgを反射膜9として用いたものである。
図示したように、Agを反射膜9として用いた場合にも、Cr薄膜の厚さが増加することにより、陽極2の反射率が低下することがわかる。
しかし、この場合、青色と緑色の短波長帯で急激な反射率の低下が生じるため、陽極2としての効用が微々たることがわかる。
このように、本発明に係る有機EL素子の正孔注入用薄膜10と反射膜9とで区分されて蒸着された陽極2の場合、反射膜9として、Al、またはAlにNd、Ta、Nb、Mo、W、Ti、Si、B、Ni元素を5原子パーセント以内に添加した合金を使用することが好ましい。
また、正孔注入用薄膜10としては、Cr、Ni、Ti、Mo、Auのような耐環境性に優れ、かつ仕事関数が大きい金属を使用し、その厚さは1〜10nm程度で蒸着することが好ましいことがわかる。
以上、説明した内容を通して、当業者であれば、本発明の技術思想を逸脱しない範囲で色々な変更および修正が可能であることがわかる。
よって、本発明の技術的範囲は実施形態に記載された内容に限定することではなく、特許請求範囲により定められるべきである。
本発明に係る上部発光方式の有機EL素子の構造を示す図である。 本発明の第1実施形態であって、Al薄膜上にCr薄膜を形成した時、Cr薄膜の厚さによる反射率の変化を示す図である。 本発明の第2実施形態であって、反射膜をAl薄膜の代わりにAl−Nd合金で形成した時の反射率の変化を示す図である。 本発明との比較のため、反射膜としてAgを用いた時における反射率の変化を示す図である。
符号の説明
1:基板
2:陽極
3:正孔注入層
4:正孔輸送層
5:有機発光層
6:電子輸送層
7:陰極
8:有機層
9:反射膜
10:正孔注入用薄膜

Claims (7)

  1. 陽極と陰極との間に有機層を有する上部発光方式の有機EL素子において、
    前記有機EL素子の陽極は、
    前記有機層から発光した光が反射される反射膜と、
    前記反射膜の上部に形成され、正孔が注入される正孔注入用薄膜と、で構成されることを特徴とする有機EL素子。
  2. 前記反射膜は、Alからなることを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。
  3. 前記反射膜は、AlにNd、Ta、Nb、Mo、W、Ti、Si、B、Ni元素を添加した合金のうちいずれか一つをからなることを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。
  4. 前記Alに添加される前記元素は、Alに対して5原子パーセント(at.%)以内であることを特徴とする請求項3に記載の有機EL素子。
  5. 前記正孔注入用薄膜は、Cr、Ni、Ti、Mo、Auのうちいずれか一つ、または少なくとも二つ以上からなる合金で構成されることを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。
  6. 前記正孔注入用薄膜は、1〜10nmの厚さを有することを特徴とする請求項5に記載の有機EL素子。
  7. 前記反射膜と正孔注入用薄膜は、抵抗加熱法、スパッタリング、E−ビーム法のうちいずれか一つの方法を用いて蒸着されることを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。
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Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2007043697A1 (ja) * 2005-10-14 2009-04-23 パイオニア株式会社 発光素子および表示装置
US7615290B2 (en) 2004-09-07 2009-11-10 Sony Corporation Organic electroluminescent device and display device
JP2010153365A (ja) * 2008-11-19 2010-07-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子、発光装置、電子機器及び照明装置
WO2010131481A1 (ja) * 2009-05-14 2010-11-18 三菱マテリアル株式会社 上部発光型有機EL素子の陽極層を形成するAl合金反射電極膜
JP4647708B2 (ja) * 2008-09-30 2011-03-09 パナソニック株式会社 有機elデバイスおよびその製造方法
JP2011119288A (ja) * 2008-09-19 2011-06-16 Panasonic Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2012161139A1 (ja) * 2011-05-24 2012-11-29 株式会社神戸製鋼所 有機elディスプレイ用の反射アノード電極を含む配線構造
JP2012243740A (ja) * 2011-05-24 2012-12-10 Kobe Steel Ltd 有機elディスプレイ用の反射アノード電極を含む配線構造
JP2012243741A (ja) * 2011-05-24 2012-12-10 Kobe Steel Ltd 有機elディスプレイ用の反射アノード電極を含む配線構造
JP2012243742A (ja) * 2011-05-24 2012-12-10 Kobe Steel Ltd 有機elディスプレイ用の反射アノード電極を含む配線構造
JP2013020986A (ja) * 2005-03-25 2013-01-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
JP2013157278A (ja) * 2012-01-31 2013-08-15 Canon Inc 発光装置、画像形成装置及び撮像装置
WO2014041974A1 (ja) * 2012-09-13 2014-03-20 株式会社神戸製鋼所 有機EL素子のアノード電極用Al合金膜、有機EL素子およびAl合金スパッタリングターゲット
WO2018038067A1 (ja) * 2016-08-26 2018-03-01 株式会社神戸製鋼所 反射電極およびAl合金スパッタリングターゲット
KR20190085929A (ko) 2016-12-01 2019-07-19 도레이 카부시키가이샤 유기 el 표시 장치

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100477746B1 (ko) * 2002-06-22 2005-03-18 삼성에스디아이 주식회사 다층 구조의 애노드를 채용한 유기 전계 발광 소자
TWI293538B (en) * 2005-01-21 2008-02-11 Au Optronics Corp Organic light emitting device (oled)
JP2006236839A (ja) * 2005-02-25 2006-09-07 Mitsubishi Electric Corp 有機電界発光型表示装置
US20080139790A1 (en) * 2006-12-08 2008-06-12 Jennings Philip A Chimeric antibodies
KR20100026247A (ko) * 2008-08-29 2010-03-10 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광소자 및 그의 제조방법
JP2010157493A (ja) * 2008-12-02 2010-07-15 Sony Corp 表示装置およびその製造方法
JP2010192413A (ja) * 2009-01-22 2010-09-02 Sony Corp 有機電界発光素子および表示装置
US20120058353A1 (en) * 2009-05-14 2012-03-08 Shozo Komiyama Al ALLOY REFLECTIVE ELECTRODE FILM FOR FORMING ANODE LAYER FOR TOP-EMITTING ORGANIC EL ELEMENT
KR101156428B1 (ko) * 2009-06-01 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자
JP5969216B2 (ja) 2011-02-11 2016-08-17 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、表示装置、照明装置、及びこれらの作製方法
CN102694125B (zh) * 2011-03-21 2015-10-28 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件
US8729554B2 (en) 2011-04-27 2014-05-20 Chimei Innolux Corporation Top-emission organic light-emitting diode structure
CN104979285A (zh) * 2015-07-01 2015-10-14 深圳市华星光电技术有限公司 有机发光二极管显示器及其制造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09171188A (ja) * 1995-12-18 1997-06-30 Ulvac Japan Ltd 積層型透明導電膜
JPH10289784A (ja) * 1997-04-14 1998-10-27 Mitsubishi Chem Corp 有機電界発光素子
JPH1131590A (ja) * 1997-07-09 1999-02-02 Tdk Corp 有機el素子
JPH11249175A (ja) * 1998-03-05 1999-09-17 Seiko Epson Corp アクティブマトリクス基板およびその製造方法ならびに液晶表示パネル
JP2001043980A (ja) * 1999-07-29 2001-02-16 Sony Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置
JP2001176669A (ja) * 1999-12-22 2001-06-29 Tdk Corp 有機el素子

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6501217B2 (en) * 1998-02-02 2002-12-31 International Business Machines Corporation Anode modification for organic light emitting diodes
US6366017B1 (en) * 1999-07-14 2002-04-02 Agilent Technologies, Inc/ Organic light emitting diodes with distributed bragg reflector
KR100809931B1 (ko) 2001-06-30 2008-03-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기 발광소자 및 그 제조방법
US6833667B2 (en) * 2002-02-27 2004-12-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Organic electroluminescence element and image forming apparatus or portable terminal unit using thereof
US6911772B2 (en) * 2002-06-12 2005-06-28 Eastman Kodak Company Oled display having color filters for improving contrast

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09171188A (ja) * 1995-12-18 1997-06-30 Ulvac Japan Ltd 積層型透明導電膜
JPH10289784A (ja) * 1997-04-14 1998-10-27 Mitsubishi Chem Corp 有機電界発光素子
JPH1131590A (ja) * 1997-07-09 1999-02-02 Tdk Corp 有機el素子
JPH11249175A (ja) * 1998-03-05 1999-09-17 Seiko Epson Corp アクティブマトリクス基板およびその製造方法ならびに液晶表示パネル
JP2001043980A (ja) * 1999-07-29 2001-02-16 Sony Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置
JP2001176669A (ja) * 1999-12-22 2001-06-29 Tdk Corp 有機el素子

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7615290B2 (en) 2004-09-07 2009-11-10 Sony Corporation Organic electroluminescent device and display device
US9246056B2 (en) 2005-03-25 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP2015057792A (ja) * 2005-03-25 2015-03-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2013020986A (ja) * 2005-03-25 2013-01-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
JPWO2007043697A1 (ja) * 2005-10-14 2009-04-23 パイオニア株式会社 発光素子および表示装置
JP2011119288A (ja) * 2008-09-19 2011-06-16 Panasonic Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4647708B2 (ja) * 2008-09-30 2011-03-09 パナソニック株式会社 有機elデバイスおよびその製造方法
JP2010153365A (ja) * 2008-11-19 2010-07-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子、発光装置、電子機器及び照明装置
US9224976B2 (en) 2008-11-19 2015-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
JP2010287565A (ja) * 2009-05-14 2010-12-24 Mitsubishi Materials Corp 上部発光型有機EL素子の陽極層を形成するAl合金反射電極膜
WO2010131481A1 (ja) * 2009-05-14 2010-11-18 三菱マテリアル株式会社 上部発光型有機EL素子の陽極層を形成するAl合金反射電極膜
JP2012243742A (ja) * 2011-05-24 2012-12-10 Kobe Steel Ltd 有機elディスプレイ用の反射アノード電極を含む配線構造
WO2012161139A1 (ja) * 2011-05-24 2012-11-29 株式会社神戸製鋼所 有機elディスプレイ用の反射アノード電極を含む配線構造
JP2012243741A (ja) * 2011-05-24 2012-12-10 Kobe Steel Ltd 有機elディスプレイ用の反射アノード電極を含む配線構造
JP2012243740A (ja) * 2011-05-24 2012-12-10 Kobe Steel Ltd 有機elディスプレイ用の反射アノード電極を含む配線構造
JP2013157278A (ja) * 2012-01-31 2013-08-15 Canon Inc 発光装置、画像形成装置及び撮像装置
WO2014041974A1 (ja) * 2012-09-13 2014-03-20 株式会社神戸製鋼所 有機EL素子のアノード電極用Al合金膜、有機EL素子およびAl合金スパッタリングターゲット
JP2014056770A (ja) * 2012-09-13 2014-03-27 Kobe Steel Ltd 有機EL素子のアノード電極用Al合金膜、有機EL素子およびAl合金スパッタリングターゲット
WO2018038067A1 (ja) * 2016-08-26 2018-03-01 株式会社神戸製鋼所 反射電極およびAl合金スパッタリングターゲット
KR20190085929A (ko) 2016-12-01 2019-07-19 도레이 카부시키가이샤 유기 el 표시 장치
US11011707B2 (en) 2016-12-01 2021-05-18 Toray Industries, Inc. Organic EL display device

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