JP2013157278A - 発光装置、画像形成装置及び撮像装置 - Google Patents
発光装置、画像形成装置及び撮像装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013157278A JP2013157278A JP2012018816A JP2012018816A JP2013157278A JP 2013157278 A JP2013157278 A JP 2013157278A JP 2012018816 A JP2012018816 A JP 2012018816A JP 2012018816 A JP2012018816 A JP 2012018816A JP 2013157278 A JP2013157278 A JP 2013157278A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- organic
- light emitting
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 40
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims abstract description 13
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims abstract description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 24
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 286
- 239000000463 material Substances 0.000 description 51
- 239000010408 film Substances 0.000 description 37
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 27
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 25
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 13
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 7
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 7
- 229940125898 compound 5 Drugs 0.000 description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 229940125782 compound 2 Drugs 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 229940126214 compound 3 Drugs 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 3
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 3
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L caesium carbonate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 2
- 229940125773 compound 10 Drugs 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZLVXBBHTMQJRSX-VMGNSXQWSA-N jdtic Chemical compound C1([C@]2(C)CCN(C[C@@H]2C)C[C@H](C(C)C)NC(=O)[C@@H]2NCC3=CC(O)=CC=C3C2)=CC=CC(O)=C1 ZLVXBBHTMQJRSX-VMGNSXQWSA-N 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 polycyclic compound Chemical class 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- 238000000391 spectroscopic ellipsometry Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MKZHJJQCUIZEDE-UHFFFAOYSA-N 1-[(2-hydroxy-3-naphthalen-1-yloxypropyl)-propan-2-ylamino]-3-naphthalen-1-yloxypropan-2-ol Chemical compound C1=CC=C2C(OCC(O)CN(CC(O)COC=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)C(C)C)=CC=CC2=C1 MKZHJJQCUIZEDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001339 alkali metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001341 alkaline earth metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000000572 ellipsometry Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G15/00—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
- G03G15/04—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for exposing, i.e. imagewise exposure by optically projecting the original image on a photoconductive recording material
- G03G15/04036—Details of illuminating systems, e.g. lamps, reflectors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G15/00—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
- G03G15/04—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for exposing, i.e. imagewise exposure by optically projecting the original image on a photoconductive recording material
- G03G15/04036—Details of illuminating systems, e.g. lamps, reflectors
- G03G15/04045—Details of illuminating systems, e.g. lamps, reflectors for exposing image information provided otherwise than by directly projecting the original image onto the photoconductive recording material, e.g. digital copiers
- G03G15/04054—Details of illuminating systems, e.g. lamps, reflectors for exposing image information provided otherwise than by directly projecting the original image onto the photoconductive recording material, e.g. digital copiers by LED arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/876—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
- H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
- H10K85/626—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing more than one polycyclic condensed aromatic rings, e.g. bis-anthracene
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【解決手段】 有機EL素子の発光層と第1電極110の反射面との間の第1光学距離L1が、有機EL素子の発する光のスペクトルの最大ピーク波長λ、波長λにおける第1電極110の反射面の位相シフトΦ1に対して
L1>0でかつ(λ/8)×(−1−2Φ1/π)<L1<(λ/8)×(1−2Φ1/π)
を満たし、第1電極110は、トランジスタ12と接するAlを含む第1層101と第1層101を覆うMoとWのうち少なくとも一方を含む第2層102とを有する。
【選択図】 図3
Description
L=(2m−(Φ/π))×(λ/4) ・・・式1
一方、反射性電極の構成として、特許文献1で示すような、膜厚100nmのAl系金属層からなる反射板と、その金属層の上に膜厚100nmのITO層からなる陽極とが積層された構成が知られている。また特許文献1では、Al系金属とITOとの接触抵抗が高いために、陽極が有機EL素子を駆動するためのTFTとコンタクトホールで直接接続されることについて開示している。
L1>0でかつ(λ/8)×(−1−2Φ1/π)<L1<(λ/8)×(1−2Φ1/π) ・・・式A
ここで、λは各有機EL素子の発する光のスペクトルの最大ピーク波長、Φ1は波長λにおける前記第1電極の反射面の位相シフトを表す。
L1=−(Φ1/π)×(λ/4) ・・・式2
ここで、λは各有機EL素子の発する光のスペクトルの最大ピーク波長、Φ1は波長λにおける第1電極110の位相シフトを表す。
φ=tan−1(2n1k2/(n1 2−n2 2−k2 2)) ・・・式3
式2を満たすようにするためには、正孔輸送層の膜厚を調整したり、一部の有機EL素子に正孔輸送層を形成したりする等の方法が挙げられる。
つまり、本発明の有機EL素子は、下記式4を満たすように設定されればよい。ただし、L1>0である。
(λ/8)×(−1−2Φ1/π)<L1<(λ/8)×(1−2Φ1/π) ・・・式4
(λ/16)×(−1−4Φ1/π)≦L1≦(λ/16)×(1−4Φ1/π) ・・・式5
なお、金属層を有する第1電極110の位相シフトはおよそ−πであるので、式4,5から
λ/8<L1<3λ/8 ・・・式4’
3λ/16≦L1≦5λ/16 ・・・式5’
を満たすようにしてもよい。
L2=−(Φ2/π)×(λ/4) ・・・式6
ここで、Φ2は波長λにおける第2電極104の位相シフトを表す。
(λ/8)×(−1−2Φ2/π)<L2<(λ/8)×(1−2Φ2/π) ・・・式7
(λ/16)×(−1−4Φ2/π)≦L2≦(λ/16)×(1−4Φ2/π) ・・・式8
なお、金属層を有する第2電極104の位相シフトはおよそ−πであるので、式7,8から
λ/8<L2<3λ/8 ・・・式7’
3λ/16≦L2≦5λ/16 ・・・式8’
を満たすようにしてもよい。
|HD|<|HH|かつ|HH|−|HD|>|LD|−|LH| ・・・式9
式9を満たす発光層の場合、正孔が発光ドーパント材料にトラップされやすく、正孔の移動度が小さくなる。このため、正孔輸送層側で、電子と正孔との再結合する確率が高くなるため、正孔輸送層側で発光強度が大きくなると考える。
|LD|>|LH|かつ|LD|−|LH|>|HH|−|HD| ・・・式10
式10を満たす発光層の場合、電子が発光ドーパント材料にトラップされやすく、電子の移動度が小さくなる。このため、電子輸送層側で、電子と正孔との再結合する確率が高くなるため、電子輸送層側で発光強度が大きくなると考える。
まず、洗浄したガラス基板上にスパッタリング法により、Al層を100nm成膜し、大気開放することなく連続してMo層を0.0nm(Mo層を設けない)、2.1nm、3.5nm、7.1nm、9.0nmで成膜し5種類の反射電極A乃至Eを形成した。その後、大気中にて反射電極が形成されたガラス基板を純水洗浄した。
本実施例は、実施例1で作製した反射電極を第1電極として用いた青色の有機EL素子の作製例である。
本比較例は、反射電極Aの上にMoO3層を設けないこと以外は、実施例2と同じ方法で有機EL素子を作製した。実施例2と同様に、比較例1の有機EL素子の特性を測定しようとしたが、この有機EL素子は10V以下の電圧では発光しなかったため測定できなかった。
次に、UV−オゾン処理時間による駆動電圧の違いを確認した。反射電極Cの構成で、UV−オゾン処理時間0分,2分とした以外は実施例2と同様に青色の有機EL素子を作製した。下記表4に、電流密度が25mA/cm2における駆動電圧を示す。
本実施例では、赤色の有機EL素子、緑色の有機EL素子、青色の有機EL素子を備えた発光装置の作製例を示す。
12 トランジスタ
101 第1層
102 第2層
104 第2電極
110 第1電極
Claims (6)
- 基板上に、第1電極と発光層と第2電極とを有する有機EL素子と、前記第1電極と接続されたトランジスタと、を有する発光装置であって、
前記有機EL素子の前記発光層の発光位置と前記第1電極の反射面との間の第1光学距離L1は下記式Aを満たし、
前記第1電極は、前記トランジスタと接続されたAlを含む第1層と、前記第1層を覆うMoとWのうち少なくとも一方を含む第2層と、を有することを特徴とする発光装置。
L1>0でかつ(λ/8)×(−1−2Φ1/π)<L1<(λ/8)×(1−2Φ1/π) ・・・式A
ここで、λは各有機EL素子の発する光のスペクトルの最大ピーク波長、Φ1は波長λにおける前記第1電極の反射面の位相シフトを表す。 - 前記第2層は、MoとWのうち少なくとも一方を含む金属膜と、MoとWのうち少なくとも一方の酸化物を含む酸化膜と、を前記第1層側から順に有することを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記有機EL素子の前記発光層の発光位置と前記第2電極の反射面との間の第2光学距離L2は下記式Bを満たしていることを特徴とする請求項1又は2に記載の発光装置。
L2>0でかつ(λ/8)×(−1−2Φ2/π)<L2<(λ/8)×(1−2Φ2/π) ・・・式B
ここで、Φ2は波長λにおける前記第2電極の反射面の位相シフトを表す。 - 請求項1乃至3のいずれか1項に記載の発光装置と、前記発光装置によって潜像が形成される感光体と、前記感光体を帯電する帯電手段と、を有することを特徴とする画像形成装置。
- 前記複数の有機EL素子が、異なる色を発する複数の有機EL素子を含んでいることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の発光装置。
- 請求項5に記載の発光装置と、撮像素子と、を有することを特徴とする撮像装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012018816A JP5963458B2 (ja) | 2012-01-31 | 2012-01-31 | 発光装置、画像形成装置及び撮像装置 |
US13/753,164 US9099675B2 (en) | 2012-01-31 | 2013-01-29 | Light emitting apparatus, image forming apparatus, display apparatus, and image pickup apparatus |
CN201310051071.XA CN103227188B (zh) | 2012-01-31 | 2013-01-31 | 发光装置、图像形成装置、显示装置和摄像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012018816A JP5963458B2 (ja) | 2012-01-31 | 2012-01-31 | 発光装置、画像形成装置及び撮像装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013157278A true JP2013157278A (ja) | 2013-08-15 |
JP2013157278A5 JP2013157278A5 (ja) | 2015-02-26 |
JP5963458B2 JP5963458B2 (ja) | 2016-08-03 |
Family
ID=48837565
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012018816A Active JP5963458B2 (ja) | 2012-01-31 | 2012-01-31 | 発光装置、画像形成装置及び撮像装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9099675B2 (ja) |
JP (1) | JP5963458B2 (ja) |
CN (1) | CN103227188B (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013157226A (ja) * | 2012-01-31 | 2013-08-15 | Canon Inc | 有機el素子及びこれを用いた表示装置 |
WO2016015422A1 (zh) * | 2014-07-30 | 2016-02-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管阵列基板及显示装置 |
WO2016015395A1 (zh) * | 2014-07-30 | 2016-02-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管阵列基板及显示装置 |
WO2020202284A1 (ja) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
JP2021157987A (ja) * | 2020-03-27 | 2021-10-07 | キヤノン株式会社 | 発光装置、表示装置、撮像装置、電子機器、照明装置及び移動体 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6210745B2 (ja) * | 2013-06-11 | 2017-10-11 | キヤノン株式会社 | 有機発光素子 |
CN110112297B (zh) * | 2014-07-17 | 2022-11-18 | 索尼公司 | 光电转换元件及其制造方法、成像装置、光学传感器 |
US20160299454A1 (en) * | 2015-04-08 | 2016-10-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Light emitter, image formation system, and exposure unit |
JP7120280B2 (ja) | 2020-09-11 | 2022-08-17 | カシオ計算機株式会社 | 端末装置及びプログラム |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002289358A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Ricoh Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2004127795A (ja) * | 2002-10-04 | 2004-04-22 | Sony Corp | 表示素子およびこれを用いた表示装置 |
JP2005056848A (ja) * | 2003-08-05 | 2005-03-03 | Lg Electron Inc | 有機el素子 |
JP2006303463A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-11-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
JP2007005784A (ja) * | 2005-05-27 | 2007-01-11 | Fujifilm Holdings Corp | 有機el素子 |
JP2009272150A (ja) * | 2008-05-08 | 2009-11-19 | Seiko Epson Corp | 有機el装置、電子機器、有機el装置の製造方法 |
WO2010038356A1 (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-08 | パナソニック株式会社 | 有機elデバイスおよびその製造方法 |
JP2010161185A (ja) * | 2009-01-08 | 2010-07-22 | Ulvac Japan Ltd | 有機el表示装置、有機el表示装置の製造方法 |
WO2011055440A1 (ja) * | 2009-11-05 | 2011-05-12 | キヤノン株式会社 | 表示装置 |
JP2011119233A (ja) * | 2009-11-04 | 2011-06-16 | Canon Inc | 有機el素子とそれを用いた表示装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4136185B2 (ja) * | 1999-05-12 | 2008-08-20 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス多色ディスプレイ及びその製造方法 |
JP2005285395A (ja) | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Fujitsu Display Technologies Corp | 配線構造並びにそれを備えた表示装置用基板及び表示装置 |
US7309956B2 (en) * | 2005-01-14 | 2007-12-18 | Eastman Kodak Company | Top-emitting OLED device with improved-off axis viewing performance |
JP4573672B2 (ja) * | 2005-02-28 | 2010-11-04 | 三洋電機株式会社 | 有機elパネル |
US9166197B2 (en) * | 2005-08-29 | 2015-10-20 | The Hong Kong University Of Science And Technology | Metallic anode treated by carbon tetrafluoride plasma for organic light emitting device |
JP5484853B2 (ja) * | 2008-10-10 | 2014-05-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
-
2012
- 2012-01-31 JP JP2012018816A patent/JP5963458B2/ja active Active
-
2013
- 2013-01-29 US US13/753,164 patent/US9099675B2/en active Active
- 2013-01-31 CN CN201310051071.XA patent/CN103227188B/zh active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002289358A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Ricoh Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2004127795A (ja) * | 2002-10-04 | 2004-04-22 | Sony Corp | 表示素子およびこれを用いた表示装置 |
JP2005056848A (ja) * | 2003-08-05 | 2005-03-03 | Lg Electron Inc | 有機el素子 |
JP2006303463A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-11-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
JP2007005784A (ja) * | 2005-05-27 | 2007-01-11 | Fujifilm Holdings Corp | 有機el素子 |
JP2009272150A (ja) * | 2008-05-08 | 2009-11-19 | Seiko Epson Corp | 有機el装置、電子機器、有機el装置の製造方法 |
WO2010038356A1 (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-08 | パナソニック株式会社 | 有機elデバイスおよびその製造方法 |
JP2010161185A (ja) * | 2009-01-08 | 2010-07-22 | Ulvac Japan Ltd | 有機el表示装置、有機el表示装置の製造方法 |
JP2011119233A (ja) * | 2009-11-04 | 2011-06-16 | Canon Inc | 有機el素子とそれを用いた表示装置 |
WO2011055440A1 (ja) * | 2009-11-05 | 2011-05-12 | キヤノン株式会社 | 表示装置 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013157226A (ja) * | 2012-01-31 | 2013-08-15 | Canon Inc | 有機el素子及びこれを用いた表示装置 |
WO2016015422A1 (zh) * | 2014-07-30 | 2016-02-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管阵列基板及显示装置 |
WO2016015395A1 (zh) * | 2014-07-30 | 2016-02-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管阵列基板及显示装置 |
US9923031B2 (en) | 2014-07-30 | 2018-03-20 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Organic light-emitting diode array substrate and display apparatus |
US10193096B2 (en) | 2014-07-30 | 2019-01-29 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Organic light-emitting diode array substrate and display apparatus |
WO2020202284A1 (ja) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
JP2021157987A (ja) * | 2020-03-27 | 2021-10-07 | キヤノン株式会社 | 発光装置、表示装置、撮像装置、電子機器、照明装置及び移動体 |
JP7475180B2 (ja) | 2020-03-27 | 2024-04-26 | キヤノン株式会社 | 発光装置、表示装置、撮像装置、電子機器、照明装置及び移動体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103227188B (zh) | 2016-12-28 |
JP5963458B2 (ja) | 2016-08-03 |
US9099675B2 (en) | 2015-08-04 |
US20130194477A1 (en) | 2013-08-01 |
CN103227188A (zh) | 2013-07-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5963458B2 (ja) | 発光装置、画像形成装置及び撮像装置 | |
US9985250B2 (en) | Organic light emitting device and display unit | |
US8227981B2 (en) | Light-emitting device, illumination apparatus, and display apparatus | |
JP4393249B2 (ja) | 有機発光素子,画像表示装置、及びその製造方法 | |
KR101990312B1 (ko) | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 | |
JP5425242B2 (ja) | 有機el素子及びこれを用いた表示装置 | |
US8946684B2 (en) | Light-emitting device, illumination apparatus, and display apparatus | |
US20110187260A1 (en) | Light-emitting apparatus, illumination apparatus, and display apparatus | |
US8183564B2 (en) | Multicolor display apparatus | |
JP2011018451A (ja) | 発光表示装置 | |
JP5562379B2 (ja) | 有機発光素子及びそれを利用した発光装置、表示装置 | |
US20130193418A1 (en) | Light-emitting apparatus, image-forming apparatus, display apparatus, and image pickup apparatus | |
JP2013118173A (ja) | 表示装置 | |
KR101735885B1 (ko) | 발광 소자, 표시 장치 및 조명 장치 | |
JP4454354B2 (ja) | 発光表示装置 | |
US8063558B2 (en) | Multi-color display apparatus | |
KR20120041949A (ko) | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 | |
JP7515665B2 (ja) | 有機デバイス、表示装置、撮像装置、照明装置および移動体 | |
JP6995569B2 (ja) | 有機el素子及びこれを用いた表示装置と照明装置 | |
JP2013157276A (ja) | 発光装置、画像形成装置及び撮像装置 | |
US10396305B2 (en) | Organic EL device, and display apparatus and lighting apparatus using the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150108 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150108 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20151007 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151020 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151210 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160531 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160628 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5963458 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |