JP2013157278A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 基板上に、第１電極と発光層と第２電極とを有する有機ＥＬ素子と、前記第１電極と接続されたトランジスタと、を有する発光装置であって、
   前記有機ＥＬ素子の前記発光層の発光位置と前記第１電極の反射面との間の第１光学距離Ｌ_１は下記式Ａを満たし、
   前記第１電極は、前記トランジスタと接続された第１層と、前記第１層を覆う第２層と、を有し、
   前記第１層は、Ａｌを含み、
   前記第２層は、ＭｏとＷのうち少なくとも一方を含むことを特徴とする発光装置。
   Ｌ_１＞０でかつ（λ／８）×（−１−２Φ_１／π）＜Ｌ_１＜（λ／８）×（１−２Φ_１／π） ・・・式Ａ
   ここで、λは各有機ＥＬ素子の発する光のスペクトルの最大ピーク波長、Φ_１は波長λにおける前記第１電極の反射面の位相シフトを表す。
2. 前記第１電極は、前記第２層を覆う第３層をさらに有し、
   前記第３層は、ＭｏとＷのうち少なくとも一方の酸化物を含む酸化膜を有することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
3. 前記第３層の層厚が、１ｎｍ以上５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
4. 前記有機ＥＬ素子の前記発光層の発光位置と前記第２電極の反射面との間の第２光学距離Ｌ_２は下記式Ｂを満たしていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の発光装置。
   Ｌ_２＞０でかつ（λ／８）×（−１−２Φ_２／π）＜Ｌ_２＜（λ／８）×（１−２Φ_２／π） ・・・式Ｂ
   ここで、Φ_２は波長λにおける前記第２電極の反射面の位相シフトを表す。
5. 前記第２層の層厚が、２ｎｍ以上９ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の発光装置。
6. 請求項１乃至５のいずれか１項に記載の発光装置と、前記発光装置によって潜像が形成される感光体と、前記感光体を帯電する帯電手段と、を有することを特徴とする画像形成装置。
7. 前記複数の有機ＥＬ素子が、異なる色を発する複数の有機ＥＬ素子を含んでいることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の発光装置。
8. 請求項７に記載の発光装置と、撮像素子と、を有することを特徴とする撮像装置。