JP4684594B2 - 有機el素子 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 50
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 34
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 26
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 26
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 18
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 7
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- 229910000583 Nd alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEPMXWGXLQIFJN-UHFFFAOYSA-K aluminum;2-carboxyquinolin-8-olate Chemical compound [Al+3].C1=C(C([O-])=O)N=C2C(O)=CC=CC2=C1.C1=C(C([O-])=O)N=C2C(O)=CC=CC2=C1.C1=C(C([O-])=O)N=C2C(O)=CC=CC2=C1 XEPMXWGXLQIFJN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
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- H—ELECTRICITY
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- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
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- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
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- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31678—Of metal
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Description
有機EL素子は、低電圧で駆動が可能であり、電力消耗が少ないことを特徴とする次世代ディスプレイ素子である。
その中で、上部発光方式の有機EL素子は、基板上部に正孔が注入されて、発光された光の反射膜の機能を有する陽極と、1層以上の有機物からなる有機層、電子が注入されて発光された光を透過させる陰極とで構成される。
一般的に、CD、DVDなどの光学記録媒体に用いられている反射膜や、反射型STN液晶表示装置、有機EL表示装置などでよく用いられる光反射性導電膜としてAlやAl合金が用いられている。
そして、現在まで上部発光方式の有機EL素子において、陽極物質として用いることができると判断される物質としては、仕事関数が高いCr、Ni、Mo、Agなどの単元素および元素のうちいずれか二つ以上の元素が添加された合金がある。
第一に、従来有機EL素子よりも陽極の反射率が15〜20%程度向上し、その結果、有機EL素子の駆動電流を減少させることができる。
第二に、正孔注入用薄膜として耐環境性に優れ、かつ仕事関数が大きい金属を用いることにより、光効率が向上し、長寿命の有機EL素子を作ることができる。
陽極2は、正孔を注入し、有機発光層(Organic emitting layer)5から発光された光を反射する役割をする。
Au薄膜の場合、500〜550nm程度の領域で反射率が急激に低下して、470nmで40%程度の反射率を示す。
これと反対に、正孔注入用薄膜10が1nmより薄く形成されると、その下に形成された反射膜9を構成するAl薄膜又はAl合金薄膜の低い仕事関数のため、I−V特性が低下する。
ここで、反射膜9と正孔注入用薄膜10は、抵抗加熱法、スパッタリング、E−ビーム法などを用いて蒸着することができる。
有機層8は、正孔注入層3、正孔輸送層4、有機発光層5、電子輸送層6で構成される。
正孔注入層3は、主に10〜30nm厚さのCuPc(Copper Phthalocyanine)で形成する。
正孔輸送層4上に有機発光層5を形成する。この時、必要に応じて不純物を添加するが、緑色発光の場合、主に有機発光層5としてAlq3(tris(8-hydroxy-quinolate)aluminum)を30〜60nm程度蒸着し、不純物としてはクマリン6(coumarin 6)又はQd(Quinacridone)を多く使用する。
また、有機発光層5上に電子輸送層6を形成する。
図2は、本発明の第1実施形態として、Al薄膜上にCr薄膜を形成した時、Cr薄膜の厚さによる反射率の変化を示した図である。
Al薄膜は、200W、2mTorr(ミリトル)の条件下で、99.999%の4"(インチ)ターゲットを用いて150nmの厚さで蒸着し、Cr薄膜は、200W、1mTorrの条件下で99.999%の4インチターゲットを用いて各々2nm、3nm、7nm、11nmの厚さで蒸着した。
また、Crの厚さが10nmより大きい場合、かえってCr単層で構成された薄膜より反射率が低くなり、本発明の目的である反射率の改善を達成することができない。
したがって、Al薄膜上に、Crの厚さを10nmより小さく形成して反射率の改善を得ることができる。
これは、XRD(X-ray diffraction)で分析した結果、1mTorrの場合には5.75g/cm3、10mTorrの場合には4.14g/cm3であって、1mTorrのCr薄膜の密度が、10mTorrのCr薄膜の密度より高いためである。しかし、10mTorrの場合にもCrの厚さが増加することにより、陽極2の全体反射率は減少する。
すなわち、陽極2向けの反射膜9として、Al薄膜の代わりに200W、1mTorrの条件下でAl−2原子パーセントNd合金の4インチターゲットを用いて、150nmの厚さの薄膜を形成した。
そして、その上部に正孔注入用薄膜10であるCr薄膜を200W、10mTorrの条件下で99.999%の4インチターゲットを用いて3nmの厚さで蒸着した。
しかし、Al−Nd薄膜上にCr薄膜が3nm蒸着されても、Al−Nd薄膜の反射率は殆ど変化しないことを確認できる。
また、後続熱処理および工程時、表面照度を維持させることができる。
すなわち、本発明のように、Al又はAlにNd、Ta、Nb、Mo、W、Ti、Si、B、Ni元素を5原子パーセント以内に添加した合金を反射膜9として使用せず、可視光領域で反射率に優れたAgを反射膜9として用いたものである。
しかし、この場合、青色と緑色の短波長帯で急激な反射率の低下が生じるため、陽極2としての効用が微々たることがわかる。
また、正孔注入用薄膜10としては、Cr、Ni、Ti、Mo、Auのような耐環境性に優れ、かつ仕事関数が大きい金属を使用し、その厚さは1〜10nm程度で蒸着することが好ましいことがわかる。
よって、本発明の技術的範囲は実施形態に記載された内容に限定することではなく、特許請求範囲により定められるべきである。
2:陽極
3:正孔注入層
4:正孔輸送層
5:有機発光層
6:電子輸送層
7:陰極
8:有機層
9:反射膜
10:正孔注入用薄膜
Claims (2)
- 陽極と陰極との間に有機層を有する上部発光方式の有機EL素子において、
前記有機EL素子の陽極は、
前記有機層から発光した光が反射される反射膜と、
前記反射膜の上部に形成され、正孔が注入される正孔注入用薄膜と、で構成され、
前記反射膜は、AlにTi、B元素を、前記Alに対して5原子パーセント(at.%)以内で添加した合金のうちいずれか一つからなり、
前記正孔注入用薄膜は、Tiで構成され、1〜10nmの厚さを有することを特徴とする有機EL素子。 - 前記反射膜と正孔注入用薄膜は、抵抗加熱法、スパッタリング、E−ビーム法のうちいずれか一つの方法を用いて蒸着されることを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030054122A KR100546662B1 (ko) | 2003-08-05 | 2003-08-05 | 유기 el 소자 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005056848A JP2005056848A (ja) | 2005-03-03 |
JP4684594B2 true JP4684594B2 (ja) | 2011-05-18 |
Family
ID=34114269
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004229344A Expired - Lifetime JP4684594B2 (ja) | 2003-08-05 | 2004-08-05 | 有機el素子 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7276297B2 (ja) |
JP (1) | JP4684594B2 (ja) |
KR (1) | KR100546662B1 (ja) |
CN (1) | CN100477322C (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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---|---|
KR20050015342A (ko) | 2005-02-21 |
US7276297B2 (en) | 2007-10-02 |
US20050031901A1 (en) | 2005-02-10 |
CN100477322C (zh) | 2009-04-08 |
KR100546662B1 (ko) | 2006-01-26 |
JP2005056848A (ja) | 2005-03-03 |
CN1592527A (zh) | 2005-03-09 |
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A711 | Notification of change in applicant |
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A977 | Report on retrieval |
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