JP2005055329A - レーダ装置のビーム経路内にある成形品及びその製造方法 - Google Patents

レーダ装置のビーム経路内にある成形品及びその製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】 電波透過損失が少なく且つ金属色を呈するレーダ装置のビーム経路内にある成形品を提供することにある。
【解決手段】レーダ装置のビーム経路内にある成形品は、基体と、該基体の外面を覆うセラミックス系材料の層とを有する。セラミックス系材料は、窒化物系セラミックス、酸化物系セラミックス、炭化物系セラミックス又はこれらの混合物を含む。セラミックス系材料は、窒化チタン、又は、及び、窒化アルミニウムを含む。
【選択図】 図1

Description

本発明はレーダ装置を保護するための成形品に関し、特に、自動車のフロントグリルの背後に設けられたレーダ装置のビーム経路内にある成形品に関する。
図10に示すように、自動車に装備されるレーダ装置100は、通常、フロントグリル101の背後に配置される。フロントグリル101には、自動車製造会社のエンブレム102又は特有な装飾品が装着される。レーダ装置からのミリ波は、フロントグリル及びエンブレムを経由して前方に放射され、対象物からの反射光はフロントグリル及びエンブレムを経由してレーダ装置に戻る。
従って、フロントグリル及びエンブレム、特に、レーダ装置のビーム経路に配置される部分には、電波透過損失が少なく且つ所定の美観を提供する材料及び塗料が用いられる。特に、エンブレムには金属色の塗料が塗布される。
特開2000−159039号公報 特開2000−49522号公報 特開2000−344032号公報
特開2000−159039号公報及び特開2000−344032号公報には、フロントグリルにインジウム膜を蒸着することが記載されている。特開2000−49522号公報には、エンブレム又はレードームに二酸化ケイ素からなるセラミック皮膜を設けることが記載されている。
インジウム膜は、金属色を呈するため、エンブレム等の皮膜に好適であるが、電磁波透過損失が大きく、レーダ装置の前方に配置すると、レーダ装置からのビームを減衰させる。また、インジウム膜は、容易に剥がれやすく、耐久性に乏しい欠点がある。また、金属であるため、腐食する可能性がある。
二酸化ケイ素からなるセラミック皮膜は、耐久性に優れ、皮膜又は塗料を保護するために設けられる。しかしながら、二酸化ケイ素からなるセラミック皮膜は、無色であり、金属色等の美観を提供することはできない。
本発明の目的は、電波透過損失が少ないレーダ装置のビーム経路内にある成形品を提供することにある。
本発明の目的は、光輝色を呈するレーダ装置のビーム経路内にある成形品を提供することにある。
本発明によると、基体の外面にセラミックス系材料の層が設けられる。セラミックス系材料は、窒酸化物系セラミックス、酸化物系セラミックス、炭化物系セラミックス又はこれらの混合物を含む。セラミックス系材料は、窒化チタン、又は、及び、窒化アルミニウムを含む。
本発明によると、電波透過損失が少ないレーダ装置のビーム経路内にある成形品を提供することができる利点がある。
本発明によると、光輝色を呈するレーダ装置のビーム経路内にある成形品を提供することができる利点がある。
図1及び図2は、本発明によるレーダ装置のビーム経路内にある成形品の表面の断面構造を示す。図1(a)は本発明の第1の例を示す。本例の成形品は、基体10とその上に配置されたセラミックス系材料の層12を有する。セラミックス系材料層12は、窒化物系セラミックス、酸化物系セラミックス、又は炭化物系セラミックスより構成されてよい。窒化物系セラミックスには、窒化チタンTiN、窒化アルミニウムAlN、窒化クロムCrN、窒化ケイ素Si34、窒化鉄FeN、窒化ガリウムGaN、窒化ジルコニウムZrN等が含まれ、炭化物系セラミックスには、炭化ケイ素SiC、炭化チタンTiC、炭化ジルコニウムZrC、炭化ホウ素B4C、炭化タングステンWC等が含まれる。
本例では、セラミックス系材料の層12は、好ましくは、窒化チタンTiN又は窒化アルミニウムAlNからなる。
図1(b)は本発明の第2の例を示す。本例の成形品は、基体10とその上に配置された第1のセラミックス系材料の層12と第2のセラミックス系材料の層13とを有する。2つのセラミックス系材料の層12、13は、上述の窒化物系セラミックス、酸化物系セラミックス、及び炭化物系セラミックスに含まれるセラミックス系材料から選択された互いに異なる2種のセラミックス材からなる。しかしながら、好ましくは、窒化チタンTiNと窒化アルミニウムAlNである。
より好ましくは、下側の第1のセラミックス系材料の層12は、窒化チタンTiN層であり、上側の第2のセラミックス系材料の層13は、窒化アルミニウムAlN層である。こうして、金属色を呈する窒化チタンTiN層の上に透明な且つ虹色の干渉色を呈する窒化アルミニウムAlN層を形成することによって、金属色の且つ虹色の干渉色を呈する美観が得られる。
図1(c)は本発明の第3の例を示す。本例の成形品は、基体10とその上に配置されたセラミックス系材料混合層14を有する。セラミックス系材料混合層14は2つ以上のセラミックス系材料の混合物からなる。混合物を構成するセラミックス系材料の例は上述の通りであるが、このましくは、窒化チタンTiNと窒化アルミニウムAlNである。
図1(d)は本発明の第4の例を示す。本例の成形品は、基体10とその上に配置された第1のセラミックス系材料混合層14と第2のセラミックス系材料混合層15とを有する。2つのセラミックス系材料混合層14、15は、互いに異なるセラミックス系材料組成を有する。各混合物を構成するセラミックス系材料の例は上述の通りである。しかしながら、このましくは、窒化チタンTiNと窒化アルミニウムAlNを使用する。この場合、窒化チタンTiNと窒化アルミニウムAlNの含有率は、2つの混合層14、15において、互いに異なる。
セラミックス系材料層12、13及びセラミックス系材料混合層14、15はスパッタリングによって形成されてよい。セラミックス系材料層12、13及びセラミックス系材料混合層14、15の各層は、好ましくは、0.1nm〜1000nmの厚さであり、より好ましくは、10nm〜500nmの厚さである。
セラミックス系材料層12、13及びセラミックス系材料混合層14、15を構成するセラミックス系材料の種類及びその層の厚さを適当に選択することにより、所望の色を発現させることが可能である。
基体10は、電波透過損失が小さく且つ誘電特性に優れた材料により構成される。誘電特性として、例えば、比誘電率ε’と誘電損失tanδがある。基体10は、透明な樹脂からなり、好ましくは、ポリカーボネートからなる。
図2を参照して本発明の他の例を説明する。図2(a)は本発明の第5の例を示す。本例の成形品は、基体10とその上の下塗り層11とその上のセラミックス系材料層12を有する。本例の成形品は、図1(a)の例と比較して下塗り層11が設けられている点が異なる。下塗り層11は、セラミックス系材料層12が発現する色調を引き立たせるための塗料からなり、所望の色の塗料が選択される。セラミックス系材料層12が窒化チタンTiNのように金属色を呈する場合には、下塗り層11は黒色の塗料であってよい。
図2(b)は本発明の第6の例を示す。本例の成形品は、基体10とその上に配置された下塗り層11とその上の第1のセラミックス系材料層12と第2のセラミックス系材料層13を有する。本例の成形品は、図1(b)の例と比較して下塗り層11が設けられている点が異なる。
図2(c)は本発明の第7の例を示す。本例の成形品は、基体10とその上に配置された下塗り層11とその上のセラミックス系材料混合層14を有する。本例の成形品は、図1(c)の例と比較して下塗り層11が設けられている点が異なる。図2(d)は本発明の第8の例を示す。本例の成形品は、基体10とその上に配置された下塗り層11とその上の第1のセラミックス系材料混合層14と第2のセラミックス系材料混合層15とを有する。本例の成形品は、図1(d)の例と比較して下塗り層11が設けられている点が異なる。
以下に、本発明による例と従来技術による例を比較するために行った実験の結果を説明する。
図3を参照して、発明者が実行した自由空間法による電波特性試験を説明する。電波特性試験では、互いに向き合った2つのホーンアンテナ301、302の間に50×50mmの試料303を配置する。一方のホーンアンテナ301は、信号発生器304によって生成されたミリ波を送信すると同時に、試料303を反射したミリ波を受信する。他方のホーンアンテナ302は試料303を透過したミリ波を受信する。ネットワークアナライザ305は、信号発生器304によって生成された入射ビームと、入射側のホーンアンテナ301から得られた反射ビームと、透過側のホーンアンテナ302から得られた透過ビームと、を入力し、透過損失と誘電特性を計測する。表1に示すように、5つの試料を用意した。
(1)ポリカーボネート樹脂からなる基体。これは、基体そのものであり、塗料又は皮膜を設けていない。これを試料0とする。
(2)基体に本発明による窒化チタン膜を形成した。窒化チタン膜の厚さが100nmのものを試料1、200nmのものを試料2とする。窒化チタン膜はスパッタリングにより形成した。
(3)基体に従来の技術によるインジウム膜を形成した。インジウム膜の厚さが10nmのものを試料3とし、30nmのものを試料4とする。インジウム膜は真空蒸着により形成した。
Figure 2005055329
本例によると、窒化チタン膜の厚さを調節することにより光輝を有し且つ透明からシルバー色まで所望の色彩が得られることがわかった。
図4は、電波特性試験の結果より得られた各試料の透過損失(dB)を示す。各試料に対して75〜110GHz帯域のミリ波を照射した。曲線a0、a1、a2、a3、a4は、試料0、1、2、3、4に対する透過損失の測定結果である。図示のように、本発明による試料1、2(曲線a1、a2)の透過損失は、従来技術による試料3、4(曲線a3、a4)の透過損失に比べて十分小さい。尚、ポリカーボネートからなる基体である試料0(曲線a0)の透過損失は略ゼロと見なすことができる。例えば、試料1(曲線a1)と試料2(曲線a2)の透過損失を比較すると明らかなように、成膜の厚さが厚いほうが、透過損失は大きい。
図5は、電波特性試験の結果より得られた各試料の誘電特性を示す。各試料に対して75〜110GHz帯域のミリ波を照射した。誘電特性には、比誘電率ε’と誘電損失tanδがある。先ず、比誘電率ε’について考察する。曲線b0、b1、b2、b3は、試料0、1、2、3に対する比誘電率ε’の測定結果である。試料4については比誘電率ε’を測定することができなかった。本発明による試料1、2(曲線b1、b2)の、比誘電率ε’は、基体である試料0(曲線b0)の、比誘電率ε’に略等しい。即ち、本発明によって形成された皮膜を有する成形品は、ポリカーボネート製の基体と同様な誘電物質であることがわかる。従来技術による試料3(曲線b3)の比誘電率ε’は、試料0、1、2(曲線b0、b1、b2)の比誘電率ε’より小さい。インジウムは、基本的には金属であり、誘電物質であるポリカーボネート製の基体の表面に薄いインジウム膜を積層することによって、一種の半導体と同様な物質になっていると考えることができる。
次に、誘電損失tanδについて考察する。曲線c0、c1、c2、c3は、試料0、1、2、3に対する誘電損失tanδの測定結果である。試料4については誘電損失tanδを測定することができなかった。誘電損失tanδは、試料0、1、2、3(曲線c0、c1、c2、c3)の順に小さい。即ち、基体である試料0(曲線c0)の誘電損失tanδは最も小さく、次に、本発明による試料1、2(曲線c1、c2)の誘電損失tanδが大きく、従来技術による試料3(曲線c3)の誘電損失tanδは最も大きい。
図4に示した透過損失と図5に示した誘電損失が対応しているのがわかる。従来の技術による試料3に関して、図4の曲線a3と図5の曲線c3を比較すると明らかなように、試料3は誘電損失よりも導電損失が支配的であると考えられる。次に、表2に示すように、更に3つの試料を用意した。
Figure 2005055329
(1)ポリカーボネート樹脂からなる基体。これは、基体そのものであり、塗料又は皮膜を設けていない。これを試料10とする。試料10は、表1の試料0と同一である。
(2)基体に本発明による窒化アルミニウム膜を形成した。窒化アルミニウム膜の厚さが50nmのものを試料11、100nmのものを試料12とする。窒化アルミニウム膜はスパッタリングにより形成した。
図6は、第2の電波特性試験の結果より得られた各試料の透過損失を示す。各試料に対して75〜110GHz帯域のミリ波を照射した。曲線d10、d11、d12は、試料10、11、12に対する透過損失の測定結果である。図示のように、本発明による試料11、12の透過損失は、ポリカーボネートからなる基体である試料10の透過損失と同様に略ゼロと見なすことができる。
図7は、第2の電波特性試験の結果より得られた各試料の誘電特性、即ち、比誘電率ε’と誘電損失tanδを示す。各試料に対して75〜110GHz帯域のミリ波を照射した。曲線e10、e11、e12は、試料10、11、12に対する比誘電率ε’の測定結果である。3つの曲線e10、e11、e12は重なり、略同一である。即ち、本発明による試料11、12の比誘電率ε’は、基体である試料10の比誘電率ε’に等しい。同様に、曲線f10、f11、f12は、試料10、11、12に対する誘電損失tanδの測定結果である。3つの曲線f10、f11、g12は重なり、略同一である。即ち、本発明による試料11、12の誘電損失tanδは、基体である試料10の誘電損失tanδに等しい。
図8を参照して、発明者が実行した耐磨耗性試験を説明する。図8は平面磨耗試験方法を示す。図示のように試料台801の上に試料802を固定し、試料802の表面を磨耗子803によって擦った。磨耗子803には支持体805を介して錘806が装着されている。磨耗子803の先端に加わる力は9.8Nである。磨耗子803の先端の球面の半径は10mmであり、その表面には綿帆布(6号)804が巻かれている。
磨耗子803のストロークは、100mmであり、移動速度は、毎分50往復である。試料の表面の皮膜が剥がれ始めたときの磨耗子の往復回数を計測した。皮膜の剥がれは目視による観察によって判断した。本発明による試料1と従来技術による試料4を用意して、磨耗試験を行った。
表3に測定結果を示す。
Figure 2005055329
表3より明らかなように、本発明による試料1は、従来技術による試料4に比べて、耐磨耗性が高いことがわかる。
図9を参照して、発明者が実行した硬さ試験を説明する。図9は鉛筆引っかき試験方法を示す。図示のように試料902の表面を芯の長さが約3mmの鉛筆903によって引っかいた。鉛筆903の傾斜角が約45度となるように、右手で握り、芯が折れないように、しかし、出来るだけ強く試料902の表面に押し付けながら、一定速度にて前方に約1cm移動した。鉛筆の硬度が高いものから低いものまで使用し、剥離した鉛筆の濃度記号を記録した。濃度記号が9Hのものが最も硬く、6Bのものが最も柔らかい。
表4に測定結果を示す。
Figure 2005055329
表4より明らかなように、本発明による試料1は、従来技術による試料4に比べて、硬さが高いことがわかる。
本発明によるレーダ装置のビーム経路内にある成形品は耐磨耗性及び硬度が高いため、従来の技術による成形品のように表面に二酸化ケイ素の保護膜を塗布する必要がない利点がある。しかしながら、本発明によると、図1及び図2に示した成形品の表面に更に透明な保護膜を設けてもよい。
以上本発明の例を説明したが本発明は上述の例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲にて様々な変更が可能であることは当業者に理解されよう。
本発明によるレーダ装置のビーム経路内にある成形品の表面付近の断面構成を示す図である。 本発明によるレーダ装置のビーム経路内にある成形品の表面付近の断面構成を示す図である。 電波特性試験方法を説明するための説明図である。 電波特性試験により得られた各試料の透過損失を示す図である。 電波特性試験の結果より得られた各試料の誘電特性を示す図である。 第2の電波特性試験の結果より得られた各試料の透過損失を示す図である。 第2の電波特性試験の結果より得られた各試料の誘電特性を示す図である。 耐磨耗性試験の方法を示す図である。 硬さ試験の方法を示す図である。 従来の成形品の構成を示す図である。
符号の説明
10…基体、11…下塗り層、12、13…セラミックス系材料層、14,15…セラミックス系材料混合層

Claims (13)

  1. 基体と、該基体の外面を覆うセラミックス系材料の層とを有するレーダ装置のビーム経路内にある成形品。
  2. 請求項1記載のレーダ装置のビーム経路内にある成形品において、上記セラミックス系材料の層は、複数の層を含むことを特徴とするレーダ装置のビーム経路内にある成形品。
  3. 請求項1又は2記載のレーダ装置のビーム経路内にある成形品において、上記セラミックス系材料は、窒化物系セラミックス、酸化物系セラミックス、炭化物系セラミックス、又は、これらの混合物を含むことを特徴とするレーダ装置のビーム経路内にある成形品。
  4. 請求項1から3のいずれか一項記載のレーダ装置のビーム経路内にある成形品において、上記セラミックス系材料は、窒化チタン、窒化アルミニウム又はこれらの混合物を含むことを特徴とするレーダ装置のビーム経路内にある成形品。
  5. 請求項1から4のいずれか一項記載のレーダ装置のビーム経路内にある成形品において、上記セラミックス系材料は、窒化チタンからなる層と窒化アルミニウムからなる層を含むことを特徴とするレーダ装置のビーム経路内にある成形品。
  6. 請求項1から5のいずれか一項記載のレーダ装置のビーム経路内にある成形品において、上記基体と上記セラミックス系材料の層の間に、上記セラミックス系材料が発現する色調を引き立たせるための色調の塗料の層が配置されていることを特徴とするレーダ装置のビーム経路内にある成形品。
  7. 請求項1から6のいずれか一項記載のレーダ装置のビーム経路内にある成形品において、上記セラミックス系材料の層はスパッタリングによって形成されていることを特徴とするレーダ装置のビーム経路内にある成形品。
  8. 請求項1から7のいずれか一項記載のレーダ装置のビーム経路内にある成形品において、上記セラミックス系材料の各層は0.1nm〜1000nmの厚さであることを特徴とするレーダ装置のビーム経路内にある成形品。
  9. 請求項1から8のいずれか一項記載のレーダ装置のビーム経路内にある成形品において、上記セラミックス系材料の各層は10nm〜500nmの厚さであることを特徴とするレーダ装置のビーム経路内にある成形品。
  10. 請求項1から9のいずれか一項記載のレーダ装置のビーム経路内にある成形品において、上記基体は電波透過損失が少ない透明な樹脂によって形成されていることを特徴とするレーダ装置のビーム経路内にある成形品。
  11. 請求項1から10のいずれか一項記載のレーダ装置のビーム経路内にある成形品において、上記基体は誘電損失が少ない透明な樹脂によって形成されていることを特徴とするレーダ装置のビーム経路内にある成形品。
  12. 基体の表面にスパッタリングによって第1のセラミックス系材料の層を形成することを含むレーダ装置のビーム経路内にある成形品の製造方法。
  13. 請求項12記載のレーダ装置のビーム経路内にある成形品の製造方法において、更に、上記第1のセラミックス系材料の層の上にスパッタリングによって第2のセラミックス系材料の層を形成することを含むレーダ装置のビーム経路内にある成形品の製造方法。
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