JPH11345780A

JPH11345780A - 真空処理装置および真空処理方法、並びに該方法によって作成される電子写真感光体

Info

Publication number: JPH11345780A
Application number: JP11082569A
Authority: JP
Inventors: Kazuyoshi Akiyama; 和敬秋山; Toshiyasu Shirasago; 寿康白砂; Takashi Otsuka; 崇志大塚; Kazuto Hosoi; 一人細井; Daisuke Tazawa; 大介田澤; Hitoshi Murayama; 仁村山; Tatsuyuki Aoike; 達行青池
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1998-03-31
Filing date: 1999-03-25
Publication date: 1999-12-14
Anticipated expiration: 2019-03-25
Also published as: JP3483494B2; US6250251B1

Abstract

(57)【要約】【課題】反応容器内で発生する膜はがれを効果的に防止
することができ、球状突起の少ない品質に優れた堆積膜
を形成することのできる真空処理装置、および真空処理
方法を提供すること。【解決手段】容器と、該容器内にガスを供給する手段と
電力を供給する手段とを備え、前記ガスを前記電力によ
り分解し、放電を生起する真空処理装置または真空処理
方法であって、放電に接する部分の表面が、（１）十点平均粗さ（Ｒｚ）が５μｍ以上２００μｍ以
下の範囲で且つ（２）局部山頂の平均間隔（Ｓ）が、５μｍ以上１００
μｍ以下の範囲の条件を満たすようにした真空処理装置
または真空処理方法を提供すること。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は真空処理装置および
真空処理方法、並びに該方法によって得られる電子写真
感光体に関し、特に基体上に堆積膜、とりわけ機能性堆
積膜、特に半導体デバイス、電子写真用光受容部材、画
像入力用ラインセンサー、撮像デバイス、光起電力デバ
イス等に用いる、アモルファス半導体堆積膜をプラズマ
ＣＶＤによって形成できる真空処理装置および真空処理
方法に関し、更に円筒状基体上にアモルファスシリコン
系堆積膜を形成するアモルファスシリコン系電子写真用
感光体を作成できるような真空処理装置および真空処理
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体デバイスの製造において
は、いわゆるＲＦプラズマＣＶＤ法が繁用されている。
当該ＲＦプラズマＣＶＤ法においては、１３．５６ＭＨ
ｚの高周波が電波法に基づく観点から一般的に使用され
ている。また、周波数２．４５ＧＨｚのいわゆるマイク
ロ波を用いたマイクロ波ＣＶＤ法が提案されている。マ
イクロ波ＣＶＤ法は、ＲＦプラズマＣＶＤ法では達成で
きない利点を有する。即ち、マイクロ波プラズマＣＶＤ
法によれば、極めて高いガス利用効率で、格段に大きい
膜堆積速度を達成できる。特開昭６０−１８６８４９号
公報には周波数２．４５ＧＨｚのいわゆるマイクロ波を
用いたマイクロ波ＣＶＤ法が開示されている。

【０００３】こうした原料ガスの分解方法にかかわる開
発とあわせて、いかにデバイスを高品質で安定して供給
するかという観点からも堆積膜の形成装置の開発は進め
られている。特に、プラズマＣＶＤ装置においては、基
体上に堆積膜を形成する間に基体に膜を形成する装置内
部にも堆積膜が形成されるが、この堆積膜の剥離（膜は
がれ）が生じるとはがれた堆積膜がとびちり、その結果
基体上に形成される堆積膜の品質を著しく悪化させるこ
とから、膜はがれを防止するためにさまざまな提案がな
されてきた。たとえば、特開平９−２１９３７３号公報
（以下文献１と記す）では、高周波電力導入手段の表面
の粗さ（１０点平均粗さ：Ｒｚ）を５μｍから２００μ
ｍにすることで膜はがれを防止した例が開示されてい
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】また、近年では、上記
のようなアモルファスシリコンデバイスを用いた機器の
総合的な性能の向上により、アモルファスシリコンデバ
イスについてもさらに高品質化の要求が高まってきてい
る。特に、電子写真の分野においては、前記のように装
置内部で形成された堆積膜の膜はがれが発生すると、は
がれた膜が電子写真基体表面に当たり、その結果感光体
上に「球状突起」と呼ばれる異常成長が発生する。球状
突起は、長期にわたって画像形成を繰り返すと、コピー
画像上に白い点を発生させるいわゆる白ポチや、逆に黒
い点を発生させるいわゆる黒ポチを発生させる原因とな
ることがある。

【０００５】この様に電子写真の分野では、球状突起が
直接画像欠陥となって画像品質を悪化させることに加
え、さらに他のデバイスに比較して厚くかつ大面積の堆
積膜が必要とされることにより、とりわけ膜はがれに対
する周到な対策が必要となる。くわえてオフィス環境の
改善のための小スペース化や、低価格化の流れが強い傾
向にあり、ゆえに感光体の小径化、プロセススピードの
高速化が加速する現状があり、従来は問題にならなかっ
たレベルの球状突起の発生が改めて問題視されるように
なっている。たとえば、直径１０ミクロン未満の球状突
起は従来は問題を引き起こす例はほとんどなかったが、
条件によっては長期にわたって画像形成を繰り返した場
合に画像欠陥の原因となりうることがわかってきた。ま
た、このような微少な球状突起についてはグロー放電と
接する部分のＲｚを制御しても若干効果が上がったもの
の必ずしも十分な効果が得られていないことも明らかに
なってきた。このようなことから、堆積膜形成装置中の
グロー放電と接する部分において従来以上に、膜はがれ
を防ぐ対策が求められている。

【０００６】そこで、本発明は、堆積膜形成中に反応容
器内で発生する膜はがれを効果的に防止することがで
き、球状突起の少ない品質に優れた堆積膜を基体上に形
成することのできる真空処理装置および真空処理方法を
提供し、特にアモルファスシリコン系の堆積膜を形成す
ることのできる真空処理装置および真空処理方法を提供
し、並びに該方法で作成されるアモルファスシリコン系
電子写真用感光体を提供することを目的としている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するため、真空処理装置および真空処理方法、並びに
該方法によって作成される電子写真感光体を、つぎのよ
うに構成したことを特徴とするものである。すなわち、
本発明の真空処理装置は、容器と、前記容器内で放電を
発生させるための電力導入手段と、前記容器内にガスを
供給するためのガス導入手段と、を有する真空処理装置
において、放電空間に面する部材の表面が、（１）十点
平均粗さ（Ｒｚ）が５μｍ以上２００μｍ以下の範囲で
あり且つ、（２）局部山頂の平均間隔（Ｓ）が５μｍ以
上１００μｍ以下の範囲であることを特徴としている。
また、本発明の真空処理方法は、放電空間内ヘガスを供
給する工程と、電力導入手段へ電力を供給する工程と、
を有する真空処理方法において、（１）十点平均粗さ
（Ｒｚ）が５μｍ以上２００μｍ以下の範囲であり且
つ、（２）局部山頂の平均間隔（Ｓ）が５μｍ以上１０
０μｍ以下の範囲である部材の表面が面する前記放電空
間において放電を発生させる工程を有することを特徴と
している。また、これらの本発明の装置又は方法におい
ては、前記部材が、前記電力導入手段であることを特徴
としている。また、これらの本発明の装置又は方法にお
いては、前記部材が、前記容器であることを特徴として
いる。また、これらの本発明の装置又は方法において
は、前記部材が、前記ガス導入手段であることを特徴と
している。また、これらの本発明の装置又は方法におい
ては、前記部材が、前記容器内で基体の端部を覆うため
のダミーであることを特徴としている。また、これらの
本発明の装置又は方法においては、前記部材が、前記容
器内で基体を回転させるための回転軸であることを特徴
としている。また、これらの本発明の装置又は方法にお
いては、前記部材が、防着板であることを特徴としてい
る。また、これらの本発明の装置又は方法においては、
前記防着板が、筒形であることを特徴としている。ま
た、これらの本発明の装置又は方法においては、前記防
着板が、前記電力導入手段と前記容器との間に配置され
ることを特徴としている。また、これらの本発明の装置
又は方法においては、前記防着板が、前記電力導入手段
を囲むように配置されることを特徴としている。また、
これらの本発明の装置又は方法においては、前記部材の
前記表面がセラミックからなることを特徴としている。
また、これらの本発明の装置又は方法においては、前記
セラミックが酸化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化アル
ミニウムのうち少なくともいずれか１つであることを特
徴としている。また、本発明の真空処理装置は、前記容
器内に収容される基体に堆積膜を形成する堆積膜形成装
置であることを特徴としている。また、本発明の真空処
理装置は、電子写真感光体を作成するための堆積膜形成
装置であることを特徴としている。また、本発明の真空
処理方法は、前記放電空間を囲む容器内に基体を収容
し、前記基体に堆積膜を形成する工程を有する堆積膜形
成方法であることを特徴としている。また、本発明にお
いては、前記堆積膜形成方法によって電子写真感光体を
得ることを特徴としている。

【０００８】

【発明の実施の形態】本発明によって、放電に接する部
分、具体的には基体を収容するための装置の内部に堆積
膜形成中に発生する膜はがれを効果的に防止できる。そ
して、その結果、球状突起の少ない堆積膜を基体上に容
易に得ることができる。次に、本発明者らによって実現
した本発明について詳述する。まず、その経緯について
述べると、基体を収容するための装置の内部（反応容器
内部）に形成される堆積膜が膜はがれをおこすことを防
止するために反応容器内部を構成する部材の表面形状を
所望の形状に制御することが有効であり、Ｒｚを所望の
範囲に制御することで若干膜はがれ防止の効果をあげる
ことができるのは前述の通りである。これは部材の表面
を粗すことにより部材表面に細かな凹凸を設け、堆積膜
と接触する部材の接触面を増やすことで堆積膜と部材表
面との接触頻度があがり密着性を向上させ膜はがれを防
止することが出来るためと理解される。このことからＲ
ｚをできるだけ大きくする方が膜の密着性が向上すると
考えられる。しかしながら際限なくＲｚを大きくするこ
とは表面処理あるいは加工上困難である。Ｒｚの制御以
外の工夫を追加することが膜はがれ防止効果を上げるう
えで重要である。

【０００９】ところで、前記した文献１によれば、望ま
しいＲｚの値は５μｍ〜２００μｍの範囲であることが
開示されている。しかしながら、部材表面の粗さを上記
の範囲に制御しても直径１０μｍ未満の球状突起が基体
上に形成することを防ぐためには、文献１が開示するＲ
ｚの範囲内に部材表面を処理することに加えて、更に工
夫を加える必要がある。この工夫とは、具体的には、堆
積膜の局所山頂の平均間隔を所望の範囲とすることであ
る。本発明者は、まずはじめにこの文献１の結果に習
い、反応容器の内部を構成する部材の表面粗さと、形成
した電子写真用感光体上に発生する球状突起の関係を調
べるため、以下に示す実験を行った。

【００１０】（実験１）図１は本発明の真空処理装置の
構成を有する堆積膜形成装置である。実験１ではこの堆
積膜形成装置を用いて、高周波電力導入手段の２．５ｍ
ｍを基準長さとする十点平均粗さＲｚを５μｍ〜２００
μｍの範囲で変化させ、図２に示した層構成の電子写真
用感光体を表１の条件で作成した。なお、Ｒｚの測定は
１９９４年の日本工業規格、即ちＪＩＳ規格のＪＩＳ
Ｂ０６０１に従った。そして、測定物の粗さ曲線から
基準長さ分だけ取り出し、取り出した粗さ曲線の平均線
からもっとも高い山頂から５番目までの山頂の距離（Ｙ
ｐ１〜Ｙｐ５）の絶対値の平均と、もっとも低い谷底か
ら５番目までの谷底の距離（Ｙｖ１〜Ｙｖ５）の絶対値
の平均との和をもってＲｚとしている。

【００１１】

【表１】表１において層厚はおおよその目安を示している。

【００１２】図１において、（ａ）は電子写真用感光体
形成用の堆積膜形成装置を上方から模式的に表わした横
断面、（ｂ）は側方から模式的に表わした縦断面を示し
ている。この装置では反応容器１００は排気管１１２を
介して排気装置（図示せず）に接続されている。基体１
０１は高周波電力導入手段１０２を中心とする同心円上
に複数（図では８本）配置される。また高周波電力導入
手段１０２と各基体１０１との間で配置円内放電空間１
０３が形成される。放電空間１０３内には原料ガスを導
入するための原料ガス導入手段１０５が配置されてお
り、原料ガス導入手段１０５は原料ガス供給装置（図示
せず）に接続されている。高周波電力供給手段１０２は
放電電極のことであり、Ｏ−リング等の真空導入機構
（図示せず）を介して反応容器内の気密性を維持しつ
つ、反応容器外部においてマッチングボックス１０６に
接続され、さらに高周波電源１０７に接続される。基体
１０１はそれぞれ回転軸１０８上に設置され、さらに基
体内部に収まるようにヒーター１０４が配置され、ヒー
ター１０４は基体１０１を成膜時に加熱することができ
る。回転軸は真空軸受け（図示せず）を介して反応容器
外部でギヤ１１０が取り付けられ、さらにモーター１０
９が接続される。

【００１３】図１に示した装置を用いて、円筒状の基体
１０１の表面に堆積膜を形成するが、この基体１０１上
に堆積される堆積膜の層構成について図２を用いて説明
する。図２は本実施形態の堆積膜形成装置を用いて基体
上に設けられる堆積膜の層構成をあらわした断面模式図
でありこの層構成は、基体１１０１（図１の基体１０１
に相当）上に電荷注入阻止層１１０２、光導電層１１０
３、表面層１１０４を積層してなる層構成である。そし
てこのような層構成の電子写真用感光体を形成する場合
の手順はおおよそ以下のようになる。まずあらかじめ脱
脂洗浄した基体１０１を反応容器内の回転軸１０８上に
設置し、反応容器１００内を排気装置を作動して、反応
容器内の圧力を０．０１Ｐａ以下に排気する。ついでＡ
ｒなどの不活性ガスを原料ガス供給手段１０５より所望
の流量で反応容器内に導入し、圧力計（図示せず）を見
ながら排気配管１１２に設置された排気バルブ（図示せ
ず）を操作し、反応容器の圧力を所望の圧力に調整した
うえで、ヒーター１０４によって基体１０１を２０℃〜
５００℃の所望の温度に加熱する。基体１０１が所望の
温度になったところで、不活性ガスの流入を止め反応容
器内の圧力を再び０．０１Ｐａ以下に排気する。

【００１４】次に、原料ガス供給手段１０５より電荷阻
止層に対する所望の原料ガス（反応性ガス）を供給し、
再び圧力計を見ながら排気配管１１２に設置された不図
示の排気バルブを操作し、反応容器の圧力を所望の圧力
に調整する。圧力が安定したところで高周波電源１０７
の出力を所望の電力に設定して、マッチングボックス１
０６を調整し放電空間１０３内にグロー放電を生起させ
る。原料ガス流量、基板温度、内圧、供給電力といった
各条件の設定値と、得られる膜厚の値は、表１のとおり
である。その結果、原料ガスが分解され基体１０１上に
堆積膜が形成される。堆積膜形成中は、基体１０１をモ
ーター１０９で回転させることにより、基体１０１上に
全周にわたって均一に堆積膜を形成することができる。
所望の厚さの電荷阻止層が形成されたところで、高周波
電力と原料ガスの供給を止めグロー放電を停止し、再度
真空容器１００内を０．０１Ｐａ以下に排気する。以
降、原料ガスをそれぞれ光導電層形成用、表面層形成用
に入れ替え表１に示す各条件に従い上記の操作を同様に
繰り返すことで光導電層を形成し、次いで表面層を形成
し、所望の電子写真用感光体を得ることができる。なお
本実験では、高周波導入手段の材質としてステンレス
（ＳＵＳ３０４材）を用いているが、この高周波導入手
段は、ブラスト法によって表面があらされており、高周
波導入手段に付着する堆積膜が膜剥れをすることを防ぐ
ことができる。こうして作成した電子写真用感光体８本
について、放電と接する部分のＲｚをかえることで、基
体上に形成される堆積膜の表面に生じる球状突起の数が
どのように変化するかを調べるべく、堆積膜表面のおの
おのの表面を顕微鏡によって観察し、１０平方センチメ
ートルあたりの球状突起の数を調べた。この数について
は同時に形成した電子写真用感光体８本すべてにたいし
て計測し、その平均値を採用した。

【００１５】このようにして得た結果を図３に示す。図
３は異なる１０点平均粗さの値における直径５μｍ以上
１０μｍ未満の球状突起の数と、直径１０μｍ以上の球
状突起の数とを表したグラフである。図３が示すグラフ
において、高周波電力供給手段表面のＲｚが１８９．２
μｍのときに基体上に形成された堆積膜に発生する直径
５〜１０μｍ未満の球状突起の数を基準とし、同様に直
径１０μｍ以上の球状突起に関してもＲｚが１８９．２
μｍのときの数を基準として、異なる各１０点平均粗さ
における各球状突起の数を相対値で示す。なお、本発明
における球状突起の直径について図８を用いて説明す
る。図８は、堆積膜１３０上に発生した球状突起１２０
をあらわした図である。このとき堆積膜１３０表面は実
質的に平坦であり、顕微鏡等で観察すれば、球状突起が
存在する箇所と、球状突起が存在していない箇所とを容
易に区別することができる。球状突起の直径は、平坦な
堆積膜１３０表面に対して球状突起の境界上の任意の２
点間の最大距離Ｒを測定した値である。球状突起は例え
ば複数の球状突起がつながって実質的に１つの球状突起
を形成する場合もある。図３によれば、直径１０μｍ以
上、つまり直径の大きな球状突起の数については、Ｒｚ
が増加するにしたがって減少する傾向が見られ、Ｒｚを
増加させることで球状突起の発生を防ぐことができるこ
とがわかり、いずれも良好なものであった。なお、Ｒｚ
の値の上限は、２００μｍであることが好ましく、２０
０μｍ以下であれば同じ表面粗さの堆積膜を高い歩留り
で基体上に形成できる。ところで直径５〜１０μｍ未満
つまり直径の小さな球状突起についてはＲｚが１０μｍ
くらいまでは直径１０μｍ以上の球状突起の数と同様に
減少するが、Ｒｚが５０μｍをこえると、直径１０μｍ
以上の球状突起はほとんど数が変化しないのに対し、直
径５〜１０μｍ未満の球状突起の数は、多くなる場合が
あったり少なくなる場合があり制御が困難であることが
わかった。このように直径５〜１０μｍ未満といった微
少な球状突起は必ずしもＲｚの値が増加しても減少しな
いことがわかった。

【００１６】次に先述した、ＪＩＳＢ０６０１によ
るＲｚの定義をもとに本発明者らが本実施形態で採用し
たＲｚを求める式を図４中に示す。図４に示した式は測
定物の粗さ曲線から基準長さ分だけ取り出し、取り出し
た粗さ曲線の平均線からもっとも高い山頂から５番目ま
での山頂の距離（Ｙｐ１〜Ｙｐ５）の絶対値の平均と、
もっとも低い谷底から５番目までの谷底の距離（Ｙｖ１
〜Ｙｖ５）の絶対値の平均との和をもってＲｚとしてい
る。この方法によれば表面を粗す際の表面の凹凸の度合
いを直感的に知ることができるので便利であるが、Ｒｚ
の算出に関わらない山及び谷の形状に関する情報は提供
されない。

【００１７】そこで、本発明者らは様々な粗さ曲線を持
つ高周波電力導入手段を用いて実験を行った結果、表面
の凹凸（粗さ）を制御することに加えて粗れ方の間隔を
制御することで基体上に形成される堆積膜表面に発生す
る５〜１０μｍの範囲の微少な球状突起の数を制御でき
ることを見出した。この粗れ方の間隔は、粗さ曲線上の
隣り合う山頂の間隔のことである。この間隔は前記ＪＩ
ＳＢ０６０１によれば「局部山頂の平均間隔
（Ｓ）」として定義されている。このＳは一般にピッチ
と呼ばれるものである。その定義を表す式を図５中に示
した。すなわちＳの値は、基準長さだけ抜き取られた粗
さ曲線のうち、抜き取った曲線上の隣り合う局部山頂
（局所山頂）間の平均値をもって定義されている。

【００１８】部材表面からの膜はがれを防止する場合、
表面に所望のＲｚの値となるように凹凸をつけることで
部材と堆積膜との接触面積を広げ、密着性を向上させる
ことが重要であり、その結果直径１０μｍ以上の球状突
起が基体上に形成される堆積膜上に存在する数をへらす
効果があるということは前記した実験の通りである。し
かしながら、同じ材質で同じＲｚを得るように表面をあ
らす場合にも、あらす条件によりＳの値が様々に異なる
ことがある。さらにＲｚを大きくすることで直径１０μ
ｍ以上の球状突起の発生を防ぐことが出来るが、Ｓの値
を５μｍ以上にすると、隣り合う山頂の間の表面におい
て直径５〜１０μｍ未満の微少な球状突起の発生も防ぐ
ことができる。またＳが５μｍ未満になると、膜はがれ
を防止できるような高さをもつ凹凸が形成されなくなる
ため、微少な球状突起が増加する。Ｓがまた１００μｍ
を越えると直径５〜１０μｍ未満の微少な球状突起が反
対に発生しやすくなるということも本発明者らによって
わかった。具体的にはＳが１００μｍを超えると、微少
な球状突起が顕著に増加する傾向が現れる。

【００１９】ところで、表面の高低差を大きくするほど
表面積が増大するが、加えてＳの値を小さくすると、膜
はがれ防止効果が高くなる。つまりＳの値を規定し、加
えて個々の凹凸の山の高さ（互いに隣り合う山頂と谷底
の距離：以下Ｈと記す）も規定することで膜はがれ防止
効果を向上することができる。さらにＨの値は一般にＳ
の値にほぼ対応して大きくなる。さらにＳが５μｍ以上
１００μｍ以下の範囲となる表面では、Ｈの値は微少な
球状突起の発生を防止するに十分な大きさとなるのでこ
の領域ではＳが大きくなるにつれＨも大きくなる傾向に
ある。またＳの値を制御することの方が、Ｈの値を制御
することと比べて微少な球状突起の数を制御しやすい。
そして部材の表面処理の制御においてはＳの値を好まし
い範囲に制御するだけで十分であり、Ｈの値を規定しな
くてもよい。

【００２０】直径１０μｍ以上の球状突起が発生するこ
とを防止するという観点にたてば、Ｒｚの値は一定の値
以上であることが望ましい。例えばＲｚが５μｍ未満で
は基体上に直径１０μｍ以上の球状突起を発生させるよ
うな膜はがれが防止できなくなる。このようなＲｚの条
件ではＨの値も小さくならざるをえず、直径１０μｍ以
上の球状突起も発生しやすく、更に微少な膜はがれも抑
制できないので、直径５〜１０μｍ末満の球状突起も大
幅に増加してしまう。本発明では部材のＲｚを５μｍ以
上２００μｍ以下として、Ｓを５μｍ以上〜１００μｍ
以下の範囲に制御することで直径１０μｍ以上の球状突
起のみならず直径５μｍ以上１０μｍ未満の微少な球状
突起の発生を押さえることができる。

【００２１】上記のような観点から、部材の表面を（１）Ｒｚが５〜２００μｍの範囲（２）Ｓが５〜１００μｍの範囲とすることで、直径５μｍ以上の球状突起の発生を効果
的に抑制できる。なお、ＪＩＳＢ０６０１によれ
ば、基準長さの標準値は０．０８ｍｍ、０．２５ｍｍ、
０．８ｍｍ、２．５ｍｍ、８ｍｍ、２５ｍｍ、のいずれ
かから選べばよく、Ｒｚ、Ｓの大きさにしたがって決め
られているが、本発明ではいずれの場合についてもＲ
ｚ、Ｓを求めるにおいて基準長さを２．５ｍｍとして計
測した。なお、均一に粗されている表面では、基準長さ
の大小でＲｚやＳの値は大差がないことから、本発明は
基準長さによらず効果を得ることができる。

【００２２】本発明では、高周波電力導入手段の表面を
制御する以外に反応容器の内部を構成する部材の表面の
うち少なくともグロー放電に接する一部の表面の表面粗
さを上記の範囲としても、球状突起の発生を防ぐことが
できる。これらの部材の例としてはたとえば図１に示す
反応容器１００の内壁や、原料ガス導入手段１０５、基
体１０１の両端を覆うダミー１１３、回転軸１０８など
のほか、堆積膜形成中に堆積膜が付着しうる部分であれ
ばどのような個所であってもよい。この堆積膜が付着し
うる部分とは、平坦な部分か電極の機能を有する部分か
温度の高い部分か大きな面を有する部分かを考慮に入れ
て具体的に特定される部分であることが好ましい。ま
た、本発明では、上記の部材のグロー放電に接する面に
防着板を設けることができる。この場合、防着板の表面
の少なくともグロー放電に接する部分の表面粗さを上記
の範囲にすることで本発明の効果を得ることができる。
防着板を設ける場合、堆積膜が付着した防着板をとりは
ずし、堆積膜が付着していない別の防着板に交換するこ
とで反応容器の内部のクリーニングが容易になると同時
に、表面をあらす際の容易性が向上する効果があげられ
る。特に、反応容器内壁近傍、あるいは高周波導入手段
を覆う程度の近傍に防着板を設けることで、膜はがれを
防止できる。

【００２３】そしてＲｚとＳの値が上述の範囲内となる
ように加工されるべき部材の材質は、上記の表面粗さを
達成できるものであれば制限はないが、たとえば、導電
性が要求される高周波電力導入手段や、シールド性が要
求される反応容器内壁には金属材料の中から選択でき
る。このような金属材料の例としては、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍ
ｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｆｅやこれらの合
金があげられるほか、絶縁材料の表面に導電層を形成し
たものも使用できる。この場合は、たとえばプラズマ溶
射法のように直接表面をあらすことができる粉体でコー
ティングする方法や、化学めっき法等の方法が採れる
が、めっき法などの場合には表面粗さを損なわないよう
な条件をもうけることで可能となる。おるいは、ガラス
等の粉体を吹きつけるブラスト法も耐摩耗性が高いとい
う点で好ましい方法である。

【００２４】また、機能上導電性が要求されない部材た
とえば防着板、原料ガス導入手段あるいはダミー等に関
しては、上記の金属材料に加えて、絶縁材料も使用でき
る。これらの絶縁材料の例としてはたとえば、テフロ
ン、ポリカーボネート等の樹脂類、石英ガラス、パイレ
ックスガラス等のガラス類のほか、アルミナ、ジルコニ
ア、ムライト、コージェライト、炭化珪素、窒化硼素、
窒化アルミ等のセラミックス材料に加え、これらの混合
物が使用できる。また、反応容器の構成によっては導電
性または絶縁性が要求される部材、たとえば回転軸等
は、必要に応じて先述した上記金属材料、または上記絶
縁材料を使用することができる。

【００２５】上記の絶縁材料の中でも、誘電体材料とし
てセラミックス材料は堆積膜の密着性が高く、球状突起
発生防止のために部材として好ましく用いられる。さら
にセラミックス材料の中でもアルミナ、窒化ホウ素、窒
化アルミニウムは誘電正接や絶縁抵抗等の電気特性にす
ぐれ、高周波電力の吸収が少ないことから、反応容器内
部を構成する部材の材料として好ましく、とりわけ防着
板の表面の材料として好適である。また上述のアルミ
ナ、窒化ホウ素、窒化アルミニウム等のセラミックス材
料はたとえばマイクロ波の透過窓や高周波導入手段の碍
子等として、もっとも適したものとして使用できる。

【００２６】上記に例示した金属材料あるいは絶縁材料
の表面をあらす方法は、Ｒｚが５μｍ〜２００μｍ、Ｓ
が５μｍ〜１００μｍの範囲を得られる方法であればい
ずれの方法であっても差し支えない。たとえば、上述し
たようにガラス等の粉体、いいかえれば投射体を高圧で
吹き付けるブラスト法や、微粒子を高圧高温でコーティ
ングするプラズマ溶射法、エッチング法等があげられる
が、中でもブラスト法、プラズマ溶射法はＲｚを大きく
した場合でもＳを小さくすることが比較的簡単なため好
適である。表面をあらす方法としてプラズマ溶射法を採
用する場合には、上記で例示した金属材料上にセラミッ
クス材料を溶射する事もできる。

【００２７】本発明で使用される基体は、導電性でも電
気絶縁性であってもよい。導電性基体としては、Ａｌ、
Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐ
ｔ、Ｐｄ、Ｆｅ、リン青銅等の金属、およびこれらの合
金、例えばステンレス、等が挙げられる。また、ポリエ
ステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロース
アセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリス
チレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルムまたはシー
ト、ガラス、セラミック等の電気絶縁性基体の少なくと
も光受容層を形成する側の表面を導電処理した基体も用
いることができる。こうした基体は、堆積膜形成中は２
０℃〜５００℃の所望の温度に加熱することができる。

【００２８】本発明においてアモルファスシリコン（ａ
−Ｓｉ：Ｈ）よりなる堆積膜を基体表面上に形成する場
合には、原料ガスとしてＳｉＨ₄、Ｓｉ₂Ｈ₆、Ｓｉ
₃Ｈ₈、Ｓｉ₄Ｈ₁₀等のガス状態のシラン化合物、または
ガス化し得る水素化珪素（例えばシラン類）が有効に使
用されるものとして挙げられ、更に層作成時の取り扱い
易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ₄、Ｓｉ₂Ｈ₆
が好ましいものとして挙げられる。また必要に応じてこ
れらのガスに加えて伝導性を制御する原始を含むガスを
用いることもできる。伝導性を制御する原子としては、
半導体分野における、いわゆる不純物を挙げることがで
き、ｐ型伝導特性を与える周期律表第IIIb族に属する原
子（以後「第IIIb族原子」と略記する）またはｎ型伝導
特性を与える周期律表第Ｖｂ族に属する原子（以後「第
Ｖｂ族原子」と略記する）を用いることができる。第II
Ib族原子導入用の原料物質として具体的には、硼素原子
導入用としては、Ｂ₂Ｈ₆、Ｂ₄Ｈ₁₀、Ｂ₅Ｈ₉、Ｂ₅Ｈ₁₁、
Ｂ₆Ｈ₁₀、Ｂ₆Ｈ₁₂、Ｂ₆Ｈ₁₄等の水素化硼素、ＢＦ₃、Ｂ
Ｃｌ₃、ＢＢｒ₃等のハロゲン化硼素等が挙げられる。こ
の他、ＡｌＣｌ₃、ＧａＣｌ₃、Ｇａ（ＣＨ₃）₃、ＩｎＣ
ｌ₃、ＴｌＣｌ₃等も挙げることができる。

【００２９】第Ｖｂ族原子導入用の原料物質として有効
に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ₃、Ｐ₂
Ｈ₄等の水素化燐、ＰＨ₄Ｉ、ＰＦ₃、ＰＦ₅、ＰＣｌ₃、
ＰＣｌ₅、ＰＢｒ₃、ＰＢｒ₅、ＰＩ₃等のハロゲン化燐が
挙げられる。この他、ＡｓＨ ₃、ＡｓＦ₃、ＡｓＣｌ₃、
ＡｓＢｒ₃、ＡｓＦ₃、ＳｂＨ₃、ＳｂＦ₃、ＳｂＦ₅、Ｓ
ｂＣｌ₃、ＳｂＣｌ₅、ＢｉＨ₃、ＢｉＣｌ₃、ＢｉＢｒ₃
等も第Ｖｂ族原子導入用の出発物質の有効なものとして
挙げることができる。また、これらの伝導性を制御する
原子導入用の原料物質を必要に応じてＨ2および／また
はＨｅにより希釈して使用してもよい。

【００３０】また、アモルファス炭化シリコン（ａ−Ｓ
ｉＣ）よりなる層を形成する場合には、前記原料ガスの
ほかに、ＣＨ₄、Ｃ₂Ｈ₆、Ｃ₃Ｈ₈、Ｃ₄Ｈ₁₀等のガス状態
の、またはガス化し得る物質が使用できる。例えばアモ
ルファス酸化シリコン（ａ−ＳｉＯ）を形成する場合に
は、前記の原料ガスのほかに、酸素原子導入用のガスと
して使用出来るものとして、酸素（Ｏ₂）オゾン
（Ｏ₃）、一酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ₂）、
一二酸化窒素（Ｎ₂Ｏ）、三二酸化窒素（Ｎ₂Ｏ₃）、四
二酸化窒素（Ｎ₂Ｏ₄）、五二酸化窒素（Ｎ₂Ｏ₅）、三酸
化窒素（ＮＯ₃）、シリコン原子（Ｓｉ）と酸素原子
（Ｏ）と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする例えば、ジ
シロキサン（Ｈ₃ＳｉＯＳｉＨ₃）、トリシロキサン（Ｈ
₃ＳｉＯＳｉＨ₂ＯＳｉＨ₃）等の低級シロキサン等を挙
げることができる。本発明において、例えばアモルファ
ス窒化シリコン（ａ−ＳｉＮ）を形成する場合には、前
記の原料ガスのほかに、窒素原子導入用のガスとして使
用出来るものとして、窒素（Ｎ₂），アンモニア（Ｎ
Ｈ₃），ヒドラジン（Ｈ₂ＮＮＨ₂），アジ化水素（Ｈ
Ｎ₃）等のガス状のまたはガス化し得る窒素、窒素物及
びアジ化物等の窒素化合物を挙げることができる。

【００３１】本発明で使用する高周波電力の周波数はい
ずれのものであっても差し支えない。たとえば１３．５
６ＭＨｚ等のＲＦ帯域や、２．４５ＧＨｚ等のマイクロ
波帯域のほか１０５ＭＨｚ等のＶＨＦ帯域が使用でき
る。高周波電力は目的に応じて決めればよいが、通常基
体１体あたり１０〜５０００Ｗの範囲が好ましい。また
反応容器の圧力についても同様に目的とする通常の場
合、０．０１Ｐａ〜１０００Ｐａの範囲が好ましいもの
とされる。これら基体温度、使用するガス種及び流量、
高周波電力、反応容器の圧力はそれぞれ個別的、一義的
に決定されるのものではなく、目的とする堆積膜の特性
により最適範囲を選択するのが望ましい。

【００３２】

【実施例】以下、本発明の実施例について詳細に説明す
るが、本発明はこれらによって何ら限定されるものでは
ない。［実施例１］図１の堆積膜形成装置を用いて、図２に示
した電子写真用感光体を表１の条件で作成した。本実施
例では、高周波電力導入手段の表面をブラスト法によっ
てＲｚをほぼ一定とし、Ｓを変化させたものを使用し
た。それぞれのＳとＲｚは表２に示した。なお、表２の
ＳとＲｚはおのおのの高周波電力導入手段の表面上を任
意に１０点選んでＳとＲｚを測定し、その平均値を採っ
た。

【００３３】

【表２】こうして作成した８本の電子写真用感光体についておの
おのの表面を顕微鏡で１０平方センチメートルの範囲で
観察し、直径５〜１０μｍ未満の球状突起の数、直径１
０μｍ以上の球状突起の数を計測し、それぞれの平均値
を採った。その結果を図６に示す。なお、図６では、直
径５〜１０μｍ未満の球状突起の数と、直径１０μｍ以
上の球状突起の数それぞれについて試料４（Ｓ＝４６．
３μｍ、Ｒｚ＝２６．４）の球状突起の数を１として相
対値で比較した。なお、この時の値は先の実験１で基準
とした値に対して直径５〜１０μｍ未満の球状突起につ
いては０．２８倍、直径１０μｍ以上の球状突起につい
ては１．３８倍であった。図６の結果によれば、Ｓが約
５μ未満では直径５〜１０μｍ未満の球状突起の数が急
激に増加している。これはＳが５μｍ未満では粗さ曲線
上で細かい山頂を形成する山の高さが、膜はがれを防止
するのに十分な高さを得ていないためであると思われ
る。Ｓが５．０μｍから５０．０μｍでは直径５〜１０
μｍ未満の球状突起の数に大きな変化はないが、Ｓが５
０．０μｍより大きくなると、徐々に球状突起は増加
し、約１００μｍ以上では急激に増加する傾向が顕著と
なる。一方、直径が１０μｍ以上の球状突起について
は、Ｓに対して顕著な傾向は表れていない。

【００３４】［実施例２］図１の堆積膜形成装置を用い
て、図２に示した電子写真用感光体を表１の条件で作成
した。本実施例では、高周波電力導入手段の表面をブラ
スト法によってＳをほぼ一定とし、Ｒｚを変化させたも
のを使用した。それぞれのＳとＲｚは表３に示した。な
お、表３のＳとＲｚはおのおのの高周波電力導入手段の
表面上を任意に１０点選んでＳとＲｚを測定し、その平
均値を採った。

【００３５】

【表３】こうして計測した結果を図７に示す。なお、図７では、
直径５〜１０μｍ未満の球状突起の数と、直径１０μｍ
以上の球状突起の数それぞれについて実施例１の試料４
（Ｓ＝４６．３μｍ、Ｒｚ＝２６．４μｍ）の球状突起
の数を１として相対値で比較した。図７の結果によれ
ば、Ｒｚが５μｍ未満ではＳが良好な範囲であっても、
直径１０μｍ以上の球状突起の数と、直径５〜１０μｍ
未満の球状突起の数がともに急激に増加している。これ
はＲｚが５μｍ未満では直径１０μｍ以上の球状突起の
数を増加させる原因となる膜はがれを押さえることがで
きず、その影響で直径５〜１０μｍ未満の球状突起の数
も増加するためと考えられる。また、Ｒｚが大きくなる
につれて、直径１０μｍ以上の球状突起の数と、直径５
〜１０μｍ未満の球状突起の数の双方とも減少する傾向
にある。

【００３６】以上実施例１及び２の結果から、直径１０
μｍ以上の球状突起は主としてＲｚの値に依存し、Ｓが
良好な範囲であっても、Ｒｚが良好な範囲つまり５μｍ
以上２００μｍ以下の範囲を外れれば増加することがわ
かった。一方、直径５〜１０μｍ未満の球状突起を誘発
する微少な膜はがれは主としてＳに依存すると考えられ
るが、直径１０μｍ以上の球状突起が増えるような状況
ではその影響によって直径５〜１０μｍ未満の球状突起
の数も増える。すなわち、本発明においてはＲｚを５〜
２００μｍ、Ｓを５〜１００μｍの２つの条件を同時に
満たすことが球状突起を防止する上で重要である。

【００３７】［実施例３］図１の堆積膜形成装置の高周
波電力導入手段の表面を、アルミニウム（Ａ５０５２
材）、ステンレス（ＳＵＳ３０４）、アルミナ、窒化ホ
ウ素、窒化アルミ、ムライト、炭化けい素の７種類の材
料で覆うことで６つの試料を作成した。アルミニウムあ
るいはステンレスを用いて高周波電力導入手段を覆う場
合、高周波電力導入手段の材料は、表面を覆う材料と同
じ材料を用いた。そしてアルミニウムあるいはステンレ
スをプラズマ溶射法にて高周波電力導入手段表面にコー
ティングすることで、２つの試料を得た。また、アルミ
ナ、窒化ホウ素、窒化アルミ、ムライト、炭化ケイ素の
材料を用いて高周波電力導入手段を覆う場合、各材料を
円筒形状に成型して防着板とし、高周波電力供給手段を
囲むように防着板を配置することで、５つの試料を作成
した。なおこの防着板の表面のうち、放電と接する部分
の表面はブラスト法によってあらされている。そして、
反応容器内に載置された基体を表４の条件で処理し、電
子写真用感光体を作成した。

【００３８】

【表４】表４において層厚はおおよその目安を示している。また
本実施例で使用した防着板の表面粗さを表５に示した。

【００３９】

【表５】なお、表５中のＲｚ及びＳの値は、実施例１と同様にそ
れぞれの試料の表面のうち任意に選んだ１０点において
それぞれＲｚとＳとを計測した値の平均値である。こう
して作成した７本の電子写真用感光体について、実施例
１と同様にして直径５〜１０μｍ未満の球状突起と、直
径１０μｍ以上の球状突起の数を評価した。その結果を
表６に示した。表６において、直径５〜１０μｍ未満の
球状突起の数と直径１０μｍ以上の球状突起の数はそれ
ぞれ実施例１で使用した試料４（材質ステンレス：ＳＵ
Ｓ３０４、Ｓ＝４６．３μｍ、Ｒｚ＝２６．４μｍ）の
値を１とした相対評価で示した。

【００４０】

【表６】表６の結果から、いずれの材料で高周波電力供給手段の
表面を覆っても球状突起の発生を防ぐという効果を得る
ことができた。なかでも、材質をセラミックスとするこ
とが、球状突起の抑制により効果的であることが分かっ
た。中でもアルミナ、窒化ホウ素、窒化アルミの３種類
のそれぞれからなるセラミックスで最も高い効果が得ら
れた。これは、アルミナ、窒化ホウ素、窒化アルミがセ
ラミックス材料の中でも特に電気特性にすぐれるためで
あると考えられ、具体的には、高周波電力の吸収が低く
極端な昇温を起こし難いからであり、あるいは、他のセ
ラミックス材料の場合に比べて堆積膜中の応力が小さい
からであると考えられる。

【００４１】［実施例４］図１の堆積膜形成装置の高周
波電力導入手段に６種類の防着板をとりつけ表４の条件
でそれぞれ電子写真感光体を作成した。これらの防着板
は、アルミナ、窒化ホウ素、窒化アルミの３種類の材料
からなり、同じ材料で作成される２種類の防着板は、そ
れぞれＲｚとＳとが異なっている。またこの防着板は、
表面をブラスト法によってあらされている。その他の点
については実施例１と同じである。また、本実施例で使
用した防着板の表面粗さを表７に示した。

【００４２】

【表７】なお、表７中のＲｚ及びＳの値は、実施例１と同様にそ
れぞれの試料の表面のうち任意に選んだ１０点において
それぞれＲｚとＳとを計測した値の平均値である。こう
して作成した６本の電子写真用感光体について、実施例
１と同様にして直径５〜１０μｍ未満の球状突起と、直
径１０μｍ以上の球状突起の数を評価した。その結果を
表８に示した。表８において、直径５〜１０μｍ未満の
球状突起の数と直径１０μｍ以上の球状突起の数はそれ
ぞれ実施例１で使用した試料４（材質ステンレス：ＳＵ
Ｓ３０４、Ｓ＝４６．３μｍ、Ｒｚ＝２６．４μｍ）の
値を１とした相対評価で示した。

【００４３】

【表８】以上表８の結果から、材質によらず、Ｓの値が５μｍ未
満及び１００μｍより大きい場合には直径５〜１０μｍ
未満の球状突起の数が増加していることがわかる。

【００４４】［実施例５］図１の堆積膜形成装置の高周
波電力導入手段に、アルミ（Ａ５０５２材）、アルミナ
の２種類の材料で作成し、ブラスト法によって表面をあ
らしたものを防着板として設置し、表９の条件で電子写
真用感光体を作成した。本実施例において高周波電力は
６０ＭＨｚであり、他の実施例と比べて低い。

【００４５】

【表９】表９において層厚はおおよその目安を示している。ま
た、本実施例で用いた防着板の表面粗さを表１０に示し
た。

【００４６】

【表１０】なお、表１０中のＲｚ及びＳの値は、実施例１と同様に
それぞれの試料の表面を任意に選んだ１０点についてそ
れぞれ計測し、その平均値を採った。

【００４７】次に、比較例としてＳの値の範囲が５μｍ
未満あるいは１００μｍよりも大きい値を超える表面を
有する防着板を高周波電力導入手段に用いた。図１の堆
積膜形成装置の高周波電力導入手段に、アルミ（Ａ５０
５２材）、アルミナの２種類の材料で作成し、ブラスト
法によって表面をあらしたものを防着板として設置し、
表９の条件で電子写真用感光体を作成し比較例とした。
本比較例で用いた防着板の表面粗さを表１１に示した。

【００４８】

【表１１】なお、表１１中のＲｚ及びＳの値は、実施例１と同様に
それぞれの試料の表面を任意に選んだ１０点においてそ
れぞれＲｚとＳとを計測した値の平均値である。

【００４９】次に、試料Ｎｏ．３０乃至３５を用いて作
成した６本の電子写真用感光体について、直径５〜１０
μｍ未満の球状突起の数と直径１０μｍ以上の球状突起
の数について評価した。また、それぞれの電子写真用感
光体について白ぽちと黒ぽちの有無について以下の方法
で評価した。・全面黒色画像の評価（白ぽちの有無の評価）おのおのの電子写真用感光体を電子写真装置（キヤノン
社製ＮＰ６０８５を実験用に改造したもの）にセットし
て画像露光を切り、全面黒色画像（ベタ黒画像）を作成
する。こうして作成したベタ黒画像を目視で観察し白ぽ
ちの有無を評価した。全面黒色画像の評価を以下の指標
に基づき記号を用いて説明する。

【００５０】 ◎…きわめて良好（白ぽちは確認できない） ○…良好（白ぽちが数個確認できる） △…実用上問題なし（白ぽちが確認できるが、画像読み
取り上は支障なし） ×…画像上の欠陥が顕著で実用できないの４段階で評価した。・全面白色画像の評価（黒ぽちの有無の評価）おのおのの電子写真用感光体を電子写真装置（キヤノン
社製ＮＰ６０８５を実験用に改造したもの）にセットし
て原稿台に白紙を置き、前面白色画像（ベタ白画像）を
作成する。こうして作成したベタ白画像を目視で観察し
黒ぽちの有無を評価した。全面白色画像の評価を以下の
指標に基づき記号を用いて説明する。

【００５１】 ◎…きわめて良好（黒ぽちは確認できない） ○…良好（黒ぽちが数個確認できる） △…実用上問題なし（黒ぽちが確認できるが、画像読み
取り上は支障なし） ×…画像上の欠陥が顕著で実用できないの４段階で評価した。表１０および表１１にあらわした
試料Ｎｏ．３０乃至３５の白ぽちと黒ぽちの評価と、直
径５〜１０μｍ未満の球状突起の数と、直径１０μｍ以
上の球状突起の数を測定した。その結果を表１２に示
す。

【００５２】

【表１２】なお、表１２において直径５〜１０μｍ未満の球状突起
の数および直径１０μｍ以上の球状突起の数はそれぞれ
実施例１で使用した試料４（材質ステンレス：ＳＵＳ３
０４、Ｓ＝４６．３μｍ、Ｒｚ＝２６．４μｍ）の値を
１とした相対評価で示した。表１２の結果から、本発明
によって作成された防着板では球状突起の数が少ないこ
とがわかる。一方、本発明と比較するために作成した試
料３２〜３５についてはいずれも直径５〜１０μｍ末満
の球状突起の数の増加が見られ、コピー画像上でも特に
黒ぽちが多く見られた。

【００５３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
堆積膜形成装置を構成する物品のうち、放電と接触する
物品の表面の十点平均粗さ（Ｒｚ）を５μｍ以上２００
μｍ以下とし、且つ局部山頂の平均間隔（Ｓ）を５μｍ
以上１００μｍ以下とすることで堆積膜形成装置内での
膜はがれを効果的に防止することができ、堆積膜の異常
成長の防止が可能な堆積膜形成装置及び方法を実現する
ことができ、特に、電子写真用感光体を形成した場合、
コピー画像上の白ポチ、黒ポチの画像欠陥を効果的に抑
制することができ、品質に優れたアモルファスシリコン
系感光体を供給することが可能なアモルファスシリコン
系電子写真用感光体の形成方法を実現することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は本実施形態の堆積膜形成装置の横断面
の模式図であり、（ｂ）は該堆積膜形成装置の縦断面の
模式図である。

【図２】電子写真用感光体の層構成を示す図である。

【図３】局部山頂の平均間隔（Ｓ）が制御されていない
高周波電力導入手段を用いて堆積膜を形成した場合に発
生する球状突起の数を示す図である。

【図４】１０点平均粗さ（Ｒｚ）の定義を示す図であ
る。

【図５】局部山頂の平均間隔（Ｓ）の定義を示す図であ
る。

【図６】実験例１における球状突起の数を示す図であ
る。

【図７】実験例２における球状突起の数を示す図であ
る。

【図８】本発明における球状突起の直径をあらわす図で
ある。

【符号の説明】

１００：反応容器１０１：基体１０２：高周波電力導入手段１０３：放電空間１０４：ヒーター１０５：原料ガス導入手段１０６：マッチングボックス１０７：高周波電源１０８：回転軸１０９：モーター１１０：ギヤ１１２：排気管１２０：球状突起１３０：堆積膜１１０１：基体１１０２：電荷注入阻止層１１０３：光導電層１１０４：表面層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者細井一人東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者田澤大介東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者村山仁東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者青池達行東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】容器と、前記容器内で放電を発生させるための電力導入手段と、前記容器内にガスを供給するためのガス導入手段と、を
有する真空処理装置において、放電空間に面する部材の表面が、（１）十点平均粗さ（Ｒｚ）が５μｍ以上２００μｍ以
下の範囲であり且つ、（２）局部山頂の平均間隔（Ｓ）が５μｍ以上１００μ
ｍ以下の範囲であることを特徴とする真空処理装置。
【請求項２】前記部材は、前記電力導入手段であること
を特徴とする請求項１記載の真空処理装置。
【請求項３】前記部材は、前記容器であることを特徴と
する請求項１記載の真空処理装置。
【請求項４】前記部材は、前記ガス導入手段であること
を特徴とする請求項１記載の真空処理装置。
【請求項５】前記部材は、前記容器内で基体の端部を覆
うためのダミーであることを特徴とする請求項１記載の
真空処理装置。
【請求項６】前記部材は、前記容器内で基体を回転させ
るための回転軸であることを特徴とする請求項１記載の
真空処理装置。
【請求項７】前記部材は、防着板であることを特徴とす
る請求項１記載の真空処理装置。
【請求項８】前記防着板は、筒形であることを特徴とす
る請求項７記載の真空処理装置。
【請求項９】前記防着板は、前記電力導入手段と前記容
器との間に配置されることを特徴とする請求項７記載の
真空処理装置。
【請求項１０】前記防着板は、前記電力導入手段を囲む
ように配置されることを特徴とする請求項７記載の真空
処理装置。
【請求項１１】前記部材の前記表面はセラミックからな
ることを特徴とする請求項１記載の真空処理装置。
【請求項１２】前記セラミックは酸化アルミニウム、窒
化ホウ素、窒化アルミニウムのうち少なくともいずれか
１つであることを特徴とする請求項１１記載の真空処理
装置。
【請求項１３】前記真空処理装置は、前記容器内に収容
される基体に堆積膜を形成する堆積膜形成装置であるこ
とを特徴とする請求項１記載の真空処理装置。
【請求項１４】前記堆積膜形成装置は、電子写真感光体
を作成するための堆積膜形成装置であることを特徴とす
る請求項１３記載の真空処理装置。
【請求項１５】放電空間内ヘガスを供給する工程と、電力導入手段へ電力を供給する工程と、を有する真空処
理方法において、（１）十点平均粗さ（Ｒｚ）が５μｍ以上２００μｍ以
下の範囲であり且つ、（２）局部山頂の平均間隔（Ｓ）が５μｍ以上１００μ
ｍ以下の範囲である部材の表面が面する前記放電空間に
おいて放電を発生させる工程を有することを特徴とする
真空処理方法。
【請求項１６】前記部材は、前記電力導入手段であるこ
とを特徴とする請求項１５記載の真空処理方法。
【請求項１７】前記部材は、前記放電空間に面する容器
であることを特徴とする請求項１５記載の真空処理方
法。
【請求項１８】前記部材は、前記ガス導入手段であるこ
とを特徴とする請求項１５記載の真空処理方法。
【請求項１９】前記部材は、前記放電空間を囲む容器内
で基体の端部を覆うためのダミーであることを特徴とす
る請求項１５記載の真空処理方法。
【請求項２０】前記部材は、前記放電空間を囲む容器内
で基体を回転させるための回転軸であることを特徴とす
る請求項１５記載の真空処理方法。
【請求項２１】前記部材は、防着板であることを特徴と
する請求項１５記載の真空処理方法。
【請求項２２】前記防着板は、筒形であることを特徴と
する請求項２１記載の真空処理方法。
【請求項２３】前記防着板は、前記電力導入手段と前記
放電空間を囲む容器との間に配置されることを特徴とす
る請求項２１記載の真空処理方法。
【請求項２４】前記防着板は、前記電力導入手段を囲む
ように配置されることを特徴とする請求項２１記載の真
空処理方法。
【請求項２５】前記部材の前記表面はセラミックからな
ることを特徴とする請求項１５記載の真空処理方法。
【請求項２６】前記セラミックは酸化アルミニウム、窒
化ホウ素、窒化アルミニウムのうち少なくともいずれか
１つであることを特徴とする請求項２５記載の真空処理
方法。
【請求項２７】前記真空処理方法は、前記放電空間を囲
む容器内に基体を収容し、前記基体に堆積膜を形成する
工程を有する堆積膜形成方法であることを特徴とする請
求項１５記載の真空処理方法。
【請求項２８】請求項２７に記載の前記堆積膜形成方法
によって得られる電子写真感光体。