JP2004530288A5

JP2004530288A5 -

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Publication number: JP2004530288A5
Application number: JP2002566524A
Authority: JP
Filing date: 2002-01-17
Publication date: 2008-06-05
Anticipated expiration: 2022-01-17

Claims

（i）フィルムを形成するために基盤の表面に、
（Ａ）一分子あたり平均少なくとも２つのシリコンに結合したアルケニル基を含有する有機ポリシロキサンと、
（Ｂ）組成物を硬化するのに充分な濃度において、一分子あたり平均少なくとも２つのシリコンに結合した水素原子を含有する有機シリコン化合物と、
（Ｃ）白金（ＩＩ）β−ジケトネート錯体、（η−シクロペンタジエニル）トリアルキル白金錯体、トリアゼン酸化物−遷移金属錯体、（η−ジオレフィン）（σ−アリール）白金錯体、又はこれらの触媒を２つ以上含む混合物から選択される光活性ヒドロシリル化触媒の触媒量と、
を含むシリコーン組成物を適用する段階と、
（ii）表面の一部を覆っている無露光領域及び表面の残部を覆っている露光領域を有する部分的に露光したフィルムを製造する為に１５０〜８００ｎｍの波長を有する放射光にフィルムの一部をさらす段階と、
（iii）露光領域が現像溶媒に実質的に不溶解となり、そして無露光領域が現像溶媒に溶解できるようになる時間のあいだ、部分的に露光したフィルムを加熱する段階と、
（iv）現像溶媒で加熱したフィルムの無露光領域を除去して、パターン化フィルムを形成する段階と、
（v）硬化したシリコーン層を形成するのに充分な時間のあいだ、パターン化フィルムを加熱する段階と、
により特徴付けられた、パターン化フィルムを製造する方法。
基盤は半導体ウェーハーを含み、表面は半導体ウェーハーの活性表面を含み、活性表面は少なくとも一つの集積回路を含み、各集積回路は多数のボンドパッドを有する請求項１に記載の方法。
ウェーハーがストリートをさらに含む請求項２に記載の方法。
硬化したシリコーン層の厚さが１〜５０μｍである請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
成分（Ａ）が本質的にＲ^１ _３ＳｉＯ_１／２シロキサン単位とＳｉＯ_４／２シロキサン単位からなる有機ポリシロキサン樹脂であり、各Ｒ^１は一価炭化水素及び一価ハロゲン化炭化水素基から独立して選択され、有機ポリシロキサン樹脂におけるＳｉＯ_４／２単位に対するＲ^１ _３ＳｉＯ_１／２単位のモル比が０．６〜１．９である請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
成分（Ｂ）が有機水素ポリシロキサンである請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
成分（Ｂ）の濃度が成分（Ａ）中のアルケニル基あたり０．７〜１．２のシリコンに結合した水素原子を提供するに充分な量である請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
光活性触媒が白金（ＩＩ）βジケトネートである請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
シリコーン組成物が、さらに有機溶媒を含む請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
請求項２〜９のいずれか一項に記載の方法により調製された半導体パッケージ。