JP2004530288A - 半導体パッケージおよびその調製方法 - Google Patents
半導体パッケージおよびその調製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004530288A JP2004530288A JP2002566524A JP2002566524A JP2004530288A JP 2004530288 A JP2004530288 A JP 2004530288A JP 2002566524 A JP2002566524 A JP 2002566524A JP 2002566524 A JP2002566524 A JP 2002566524A JP 2004530288 A JP2004530288 A JP 2004530288A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- wafer
- sio
- silicone
- component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0012—Processes making use of the tackiness of the photolithographic materials, e.g. for mounting; Packaging for photolithographic material; Packages obtained by processing photolithographic materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3157—Partial encapsulation or coating
- H01L23/3171—Partial encapsulation or coating the coating being directly applied to the semiconductor body, e.g. passivation layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
各集積回路が多数のボンドパッドを有する、少なくとも一つの集積回路を含む活性表面を有するウェーハーと、活性表面を覆っている硬化したシリコーン層を含む半導体パッケージ。但し、各ボンドパッドの少なくとも一部は、シリコーン層により覆われていない。シリコーン層は本発明の方法により調製される。
Description
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体パッケージ、さらに詳しくは硬化したシリコーン層を含むウェーハーレベルの半導体パッケージに関する。また本発明は半導体パッケージの調製方法にも関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路（ＩＣ）チップ又はダイス(dice)は、一般的にプリント配線基盤（ＰＷＢ）上での組み立ての前にパッケージされる。そのパッケージには、相互接続（電気とシグナル伝達）、機械的あるいは環境的保護及び熱放散を含む多くの重要な機能がある。加えて、そのパッケージは、その接続をＩＣチップ上の狭いピッチ（ボンドパッド間の中央間の間隔）からプリント回路基盤製造業者により要求された比較的幅広いピッチまで拡げる（spread apart）ための仕組みとしての機能を果たす。
【０００３】
電子パッケージングの激しい競争市場において、作動要因、処理量、コスト及び信頼性がパッケージング技術に重大な影響を有する。パッケージングは個々のＩＣチップで通常行われるけれども、ウェーハーレベル（即ち、ウェーハーから個々のチップの個別化前）でＩＣをパッケージする方法を開発することに興味が増大している。ウェーハーレベルでのパッケージングは、潜在的に個々のチップパッケージングよりも多くの処理量、高い信頼性及び低コストを達成できる。
【０００４】
ＩＣパッケージの信頼性は、しばしばダイとパッケージ基盤の間又はパッケージとＰＷＢの間の相互接続要素（例：はんだ接合、ボンドワイヤ）の欠陥により限定される。そのような欠陥は、しばしばシリコンダイ、基盤とＰＷＢ物質間の熱膨張率（ＣＴＥ）の違いのためであるので、半導体パッケージで熱的に誘導された応力を最小にする多種のアプローチが報告されてきた。例えばCagan等による米国特許第5,171,716号では、１５０℃以下のガラス転移温度を有する応力緩和層(stress-relief layer)を含む半導体装置を開示している。
【０００５】
Kang等は、応力緩和層として高CTE／率誘電体ポリマーを含むウェハーレベルでのチップスケールパッケージ教示している（Electronic Components and Technology Conference Proceeding, 2000, 87-92)。
【０００６】
Strandjord等は応力緩和 (stress-buffer)の為の一マスクプロセス及び感光性のベンゾシクロブテンを使う表面処理応用(passivation application)を教示している(IEMT/IMC Symposium Proceeding 1997, 261-266)。
【０００７】
米国特許第6,103,552号は、ウェーハースケールでのパッケージングのためのプロセス及びパッケージを開示している。そのプロセスはチップの表面上にポリイミド、シリコンエラストマー又はベンゾシクロブテンのような重合物質の層を沈積することを含む。さらに第6,103,552号特許は、ポリマーの温度膨張率がパッケージにおける金属鋲(stud)の温度膨張率に調和するように小さくあるべきで、その結果、金属鋲-ポリマー界面での局所応力が最小となることをさらに教示している。
【０００８】
半導体パッケージングへの前記のようなアプローチは、ある範囲の熱特性を有するパッケージを提供するけれども、優れた熱安定性を有する半導体パッケージが引き続き求められている。
【０００９】
本発明は、下記を含む半導体パッケージに向けられるものである：
各集積回路が多数のボンドパッドを有する、少なくとも一つの集積回路を含む活性表面を有する半導体ウェーハーと、
活性表面を覆っている硬化したシリコーン層を含む。但し、各ボンドパッドの少なくとも一部は、シリコーン層により覆われていない。シリコーン層は下記の段階を含む方法により調製される。
（i）フィルムを形成するために活性表面にシリコーン組成物を適用する段階。シリコーン組成物は下記を含む。
（Ａ）一分子あたり平均少なくとも２つのシリコンに結合したアルケニル基を含有する有機ポリシロキサン。
（Ｂ）組成物を硬化するのに充分な濃度において、一分子あたり平均少なくとも２つのシリコンに結合した水素原子を含有する有機シリコン化合物。
（Ｃ）光活性ヒドロシリル化触媒の触媒量。
（ii）各ボンドパッドの少なくとも一部を覆っている無露光領域及び活性表面の残部を覆っている露光領域を有する部分的に露光したフィルムを製造する為に１５０〜８００ｎｍの波長を有する放射光にフィルムの一部をさらす段階。
（iii）露光領域が現像溶媒に実質的に不溶解となり、そして無露光領域が現像溶媒に溶解できるようになる時間のあいだ、部分的に露光したフィルムを加熱する段階。
（iv）現像溶媒で加熱したフィルムの無露光領域を除去して、パターン化フィルムを形成する段階。
（v）硬化したシリコーン層を形成するのに充分な時間のあいだ、パターン化フィルムを加熱する段階。
【００１０】
本発明は半導体パッケージを調製する方法にもさらに向けられる。その方法は下記の段階を含む。
（i）フィルムを形成するために半導体ウェーハーの活性表面にシリコン組成物を適用する段階。この中で、活性表面は少なくとも一つの集積回路を含み、各集積回路は多数のボンドパッドを有する。シリコーン組成物は下記を含む。
（Ａ）一分子あたり平均少なくとも２つのシリコンに結合したアルケニル基を含有する有機ポリシロキサン。
（Ｂ）組成物を硬化するのに充分な濃度において、一分子あたり平均少なくとも２つのシリコンに結合した水素原子を含有する有機シリコン化合物。
（Ｃ）光活性ヒドロシリル化触媒の触媒量。
（ii）各ボンドパッドの少なくとも一部を覆っている無露光領域及び活性表面の残部を覆っている露光領域を有する部分的に露光したフィルムを製造する為に１５０〜８００ｎｍの波長を有する放射光にフィルムの一部をさらす段階。
（iii）露光領域が現像溶媒に実質的に不溶解となり、そして無露光領域が現像溶媒に溶解できるようになる時間の量の間の部分的に露光フィルムを加熱する段階。
（iv）現像溶媒で加熱したフィルムの無露光領域を除去して、パターン化フィルムを形成する段階。
（v）硬化したシリコーン層を形成するのに充分な時間のあいだ、パターン化フィルムを加熱する段階。
【００１１】
本発明の半導体パッケージは、広範の温度にわたる良好な熱的安定性及び良好な耐環境性(environmental resistance)を示す。またこの半導体パッケージはウェーハー上の全ＩＣの同時試験も可能にする。さらに、個々のチップは、ＩＣそれ自身よりわずかに大きいだけのサイズを有する各チップにウェーハーレベル半導体パッケージから単一化（分離）されることもできる。従来のＩＣパッケージよりもより軽く、より小さく及びより薄い、これら「チップスケールパッケージ」は、高密度(high-density)応用に理想的に適している。
【００１２】
本発明の半導体パッケージの調製方法は、生産能力の高い製造プロセスに達することができる。重要なことは、その方法はウェーハー上で全ＩＣの同時パッケージングを提供する。その上、その方法は従来のウェーハー製作技術（例：コーティング、露光、現像、硬化）及び装置を使用する。さらに、その方法は光パターン可能な(photopatternable)シリコーン組成物を使用し、その結果、光パターン可能でない(non-photopatternable)ポリマー組成物の使用を伴う付加的プロセスを不要にする。最後に、本発明のプロセスは高解像能を有する。つまりそのプロセスは、ウェーハー上にフォトマスクからシリコーン層に良好な限界寸法(critical demention)を保持して像(image)を転写することを意味する。
【００１３】
本発明の半導体パッケージは、個々のＩＣチップパッケージを調製するために使用されることができる。チップパッケージはプリント配線基盤を製作するのに有用であり、計算機、電話機、テレビ、大型コンピュータ及びパーソナルコンピュータの様な電子機器の中に組み込まれることができる。
【００１４】
本発明のこれら及び他の特徴、状況及び利用は下記の記述、付帯した請求項及び添付図と関連してより理解されるものとなる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明による半導体パッケージは図１で示される。明確にする為に、単一のボンドパッドを有するウェーハーの一部のみが示される。半導体パッケージは、少なくとも１つの集積回路（示されてはいない）を含む活性表面を有する半導体ウェーハー１０を含む。その中で各集積回路は、多数のボンドパッド２０、及びウェーハーの活性表面を覆っている硬化したシリコーン層３０を有し、各ボンドパッドの少なくとも一部は、シリコーン層で覆われていない。
【００１６】
半導体ウェーハー１０は、シリコン及びガリウムヒ素のような半導体物質を含む。半導体ウェーハーの活性表面は、少なくとも一つ、典型的には１００以上のＩＣを含む。ＩＣの例は、ＤＲＡＭ、ＦＬＡＳＨ及びＬＯＧＩＣ装置を含むがこの限りではない。各ＩＣは多数のボンドパッド２０（即ちI/O terminal）を有し、通常ＩＣの周辺上に位置する。集積回路当たりのボンドパッドの数は、回路の複雑さに依存して約４〜２０００の範囲に及ぶことができる。ボンドパッド２０は電気伝導金属、典型的にはアルミニウム、銅又はそれらの合金から作られる。好ましくは、半導体ウェーハー１０は、ウェーハーがそれに沿って個々のチップに切り取られ得るように、ストリート(street)又は刻んだ線(scribe line)をさらに含む。半導体ウェーハー上の集積回路の製作方法は、当該技術分野で良く知られている。
【００１７】
硬化したシリコーン層３０の厚さは、典型的に０．１〜２００μｍであり、好ましくは１〜５０μｍ、より好ましくは５〜２５μｍである。硬化したシリコーン層３０は、（Ａ）一分子あたり平均少なくとも２つのシリコンに結合したアルケニル基を含有する有機ポリシロキサン、（Ｂ）組成物を硬化するのに充分な濃度において、一分子あたり平均少なくとも２つのシリコンに結合した水素原子を含有する有機シリコン化合物及び（Ｃ）光活性ヒドロシリル化触媒の触媒量、を含んでいるシリコーン組成物を使用することで調製される。
【００１８】
成分（Ａ）は、一分子あたり平均少なくとも２つのシリコンに結合したアルケニル基を含有する、少なくとも１つの有機ポリシロキサンである。有機ポリシロキサンは、直鎖、分枝又は樹脂構造を有することができる。有機ポリシロキサンは、ホモポリマー、共重合体であり得る。アルケニル基は２〜約１０までの炭素原子を典型的に有し、ビニル、アリール、ブテニル、ヘキセニルにより例示されるがその限りではない。有機ポリシロキサン中のアルケニル基は、末端、懸垂(pendant)又は末端と懸垂位置の両方に位置してもよい。有機ポリシロキサン中のその余のシリコンに結合した有機基は、脂肪族不飽和の無い一価の炭化水素及び一価のハロゲン化炭化水素基から独立して選択される。これら一価基は、１〜約２０の炭素原子を典型的に有し、好ましくは１〜１０の炭素原子を有し、メチル、エチル、プロピル、ペンチル、オクチル、ウンデシル及びオクタデシルの様なアルキル、シクロヘキシルの様なシクロアルキル、フェニル、トリル、キシリル、ベンジル及び２−フェニルエチルの様なアリール及び３，３，３−トリフルオロプロピル，３−クロロプロピル及びジクロロフェニルの様なハロゲン化炭化水素基により例示されるがこの限りではない。好ましくは、有機ポリシロキサン中の脂肪族不飽和の無い有機基の少なくとも５０％、より好ましくは少なくとも８０％はメチルである。
【００１９】
２５℃での有機ポリシロキサンの粘度は、分子量及び構造で変化し、典型的には０．００１〜１００，０００Ｐａ・Ｓ、好ましくは０．０１〜１０，０００Ｐａ・Ｓ、より好ましくは０．０１〜１，０００Ｐａ・Ｓである。
【００２０】
シリコーン組成物中で有用な有機ポリシロキサンの例は下記式を有するポリジ有機シロキサンを含むがこの限りではない。
ViMe2SiO(Me2SiO)aSiMe2Vi、
ViMe2SiO(Me2SiO)0.25a(MePhSiO)0.75aSiMe2Vi、
ViMe2SiO(Me2SiO)0.95a(Ph2SiO)0.05aSiMe2Vi、
ViMe2SiO(Me2SiO)0.98a(MeViSiO)0.02aSiMe2Vi、
Me3SiO(Me2SiO)0.95a(MeViSiO)0.05aSiMe3及び
PhMeViSiO(Me2SiO)aSiPhMeVi
式中、Ｍｅ、Ｖｉ及びＰｈは、それぞれメチル、ビニル、フェニルを意味し、ポリジ有機シロキサンの粘度が０．００１〜１００，０００Ｐａ・Ｓであるような値を有する。
【００２１】
シリコーン組成物における使用に適した有機ポリシロキサンの調製方法、例えば対応する有機ハロシランの加水分解及び縮合、又は環状ポリジ有機シロキサンの平衡のような方法は、当該技術分野で良く知られている。
【００２２】
有機ポリシロキサン樹脂の例は、本質的にＲ1 3ＳｉＯ1/2単位及びＳｉＯ4/2を含有するＭＱ樹脂、本質的にＲ1ＳｉＯ3/2単位及びＲ1 2ＳｉＯ2/2を含有するＴＤ樹脂、本質的にＲ1 3ＳｉＯ1/2単位及びＲ1ＳｉＯ3/2単位を含有するＭＴ樹脂及び本質的にＲ1 3ＳｉＯ1/2単位、Ｒ1ＳｉＯ3/2単位及びＲ1 2ＳｉＯ2/2単位を含有するＭＴＤ樹脂を含む。ここで各Ｒ1は一価炭化水素及び一価ハロゲン化炭化水素基から独立して選択される。Ｒ1により表された一価基は、１〜約２０の炭素原子を典型的に有し、より好ましくは１〜約１０の炭素原子を有する。一価基の例はメチル、エチル、プロピル、ペンチル、オクチル、ウンデシル及びオクタデシルの様なアルキル、シクロヘキシルの様なシクロアルキル、ビニル、アリール、ブテニル及びヘキサニルの様なアルケニル、フェニル、トリル、キシリル、ベンジル及び２−フェニルエチルの様なアリール及び３，３，３−トリフルオロプロピル，３−クロロプロピル及びジクロロフェニルの様なハロゲン化炭化水素基を含むがこの限りではない。有機ポリシロキサン樹脂中で、好ましくは少なくとも３分の１、より好ましくは本質的に全てのＲ1基はメチルである。好まれた有機ポリシロキサン樹脂は、本質的に（ＣＨ3）3ＳｉＯ1/2シロキサン単位とＳｉＯ4/2を含有する。この中で（ＣＨ3）3ＳｉＯ1/2単位とＳｉＯ4/2単位のモル比は０．６〜１．９である。
【００２３】
好ましくは、有機ポリシロキサン樹脂は、アルケニル基を平均約３〜３０モルパーセント含む。その樹脂中のアルケニル基のモルパーセントは、樹脂中におけるアルケニル含有シロキサン単位のモル数と樹脂中のシロキサン単位のモル数の比で、１００を掛けることによりここで定義される。
【００２４】
有機ポリシロキサン樹脂は、当該技術分野で良く知られた方法により調製されることができる。好ましくは、その樹脂は、Daudt等のシリカヒドロゾルキャッピング（capping）プロセスにより製造された樹脂共重合体を、少なくとも一種のアルケニル含有末端保護試薬を用いて処理することにより調製される。Daudt等の方法は米国特許第2,676,182号で開示され、本発明における使用に適した有機ポリシロキサン樹脂を製造する方法は、これによりその内容を援用して本明細書の一部とする。
【００２５】
簡単に言うと、Daudt等の方法は酸条件下でトリメチルクロロシランのようなトリ有機シラン、ヘキサメチルジシロキサンのようなシロキサン又はそれらの混合物とシリカヒドロゾルが反応させ、Ｍ及びＱ単位を有する共重合体を回収することを含む。結果として生じた共重合体は、ヒドロキシル基の重量の約２〜５パーセントを一般に含有する。
【００２６】
シリコンに結合したヒドロキシル基の重量で２パーセント未満を典型的に含有する有機ポリシロキサン樹脂は、Daudt等の製品とアルケニル含有末端保護試薬、又はアルケニル含有末端保護試薬と脂肪族不飽和の無い末端保護試薬との混合物が最終製品においてアルケニル基を３〜３０モルパーセント提供するのに充分な量の中で反応することにより調製され得る。末端保護試薬の例としては、シラザン、シロキサン及びシランを含むがこの限りではない。好適な末端保護試薬は当該技術分野で知られ、Blizzard等による米国特許第4,584,355号、Blizzard等による米国特許第4,591,622号、Homan等による米国特許第4,585,836号で例示されており、これによりその内容を援用して本明細書の一部とする。単一の末端保護試薬又はそのような試薬の混合物は、有機ポリシロキサン樹脂を調製するために使用されることができる。
【００２７】
成分（Ａ）は、単一の有機ポリシロキサン、又は少なくとも一つの次の特性：構造、粘度、平均分子量、シロキサン単位及び配列が異なる二つまたはそれ以上の有機ポリシロキサンを含む混合物であり得る。
【００２８】
成分（Ｂ）は、一分子あたり平均少なくとも２つのシリコンに結合した水素原子を含有している少なくとも１つの有機シリコン組成物である。成分（Ａ）における一分子あたりのアルケニル基の平均数と成分（Ｂ）における一分子あたりのシリコンに結合した水素原子の平均数の合計が４よりも大きい時、架橋結合が起こることが一概に理解されている。有機水素ポリシロキサンの中のシリコンに結合した水素原子は、末端、懸垂又は末端と懸垂位置の両方に位置され得る。
【００２９】
有機シリコン組成物は有機シラン又は有機水素シロキサンであり得る。有機シランはモノシラン、ジシラン、トリシラン又はポリシランである。同様に、有機水素シロキサンはジシロキサン、トリシロキサン又はポリシロキサンである。好ましくは、有機シリコン組成物は有機水素シロキサンであり、より好ましくは有機シリコン組成物は有機水素ポリシロキサンである。有機シリコン組成物の構造は直鎖、分枝、環状又は樹脂状である。好ましくは、有機シリコン組成物において有機基の少なくとも５０パーセントがメチルである。
【００３０】
有機シランの例は、ジフェニルシラン及び２−クロロエチルシランの様なモノシラン、１，４−ビス（ジメチルシリル）ベンゼン、ビス［（ｐ−ジメチルシリル）フェニル］エーテル及び１，４−ジメチルジシリルエタンの様なジシラン、１，３，５−トリス（ジメチルシリル）ベンゼン及び１，３，５−トリメチル−１，３，５−トリシランの様なトリシラン及びポリ（メチルシリレン）フェニレン及びポリ（メチルシリレン）メチレンの様なポリシランを含むが、この限りではない。
【００３１】
有機水素シロキサンの例は、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン及び１，１，３，３−テトラフェニルジシロキサンの様なジシロキサン、フェニルトリス（ジメチルシロキシ）シラン及び１，３，５−トリメチルシクロトリシロキサンの様なトリシロキサン、及びトリメチルシロキシ末端ポリ（メチル水素シロキサン）、ジメチル水素シロキシ末端ポリ（メチル水素シロキサン）及び本質的にＨ（ＣＨ3）2ＳｉＯ1/2単位、（ＣＨ3）3ＳｉＯ1/2単位及びＳｉＯ4/2単位からなる樹脂の様なポリシロキサンを含むが、この限りではない。
【００３２】
成分（Ｂ）は、単一の有機シリコン組成物又は次の特性：構造、粘度、平均分子量、シロキサン単位及び配列が異なる二つまたはそれ以上の有機シリコン組成物である。
【００３３】
本発明のシリコーン組成物における成分（Ｂ）の濃度は、組成物を硬化（架橋結合）するために充分な量である。成分（Ｂ）の正確な量は、所望の効果の程度に依存し、それは一概に成分（Ｂ）におけるシリコンに結合した水素原子のモル数と成分（Ａ）におけるアルケニル基のモル数の比が増加するにつれて増加する。典型的に、成分（Ｂ）の濃度は、成分（Ａ）中のアルケニル基当たり０．５〜３のシリコンに結合した水素原子が提供されることで充分である。好ましくは、成分（Ｂ）の濃度は成分（Ａ）中のアルケニル基当たり０．７〜１．２のシリコンに結合した水素原子が提供されることで充分である。
【００３４】
シリコンに結合した水素原子を含有している有機シリコン組成物の調製方法は、当該技術分野で良く知られている。例えば、有機ポリシランは、炭化水素溶媒中においてナトリウム又はリチウム金属の存在下、クロロシランと反応することによって調製され得る（ウルツ反応）。有機ポリシロキサンは有機ハロシランの加水分解及び縮合により調製されることができる。
【００３５】
成分（Ａ）と（Ｂ）の相溶性を確実にするために、各成分中の支配的な有機基が好ましくは同じである。好ましくはこの基はメチルである。
【００３６】
成分（Ｃ）は光活性ヒドロシリル化触媒である。光活性ヒドロシリル化触媒は、１５０〜８００ｎｍの波長を有する放射光にさらすこと及びその後の加熱により、成分（Ａ）と成分（Ｂ）のヒドロシリル化の触媒作用を引き起こすことができるいかなるヒドロシリル化触媒であることができる。白金族金属は、白金、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、オスミウム及びイリジウムを含む。好ましくは、白金族金属は白金であり、ヒドロシリル化反応においてその高活性に拠っている。本発明のシリコン組成物における使用に関して特定の光活性なヒドロシリル化触媒の適否は、下記実施例節でその方法を使用している慣例の実験によりすぐに決定されることができる。
【００３７】
光活性ヒドロシリル化触媒の例は、白金（II）ビス（２，４−ペンタンジオエート）、白金（II）ビス（２，４−ヘキサンジオエート）、白金（II）ビス（２，４−ヘプタンジオエート）、白金（II）ビス（１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタンジオエート）の様な白金（II）β−ジケトネート錯体、（Ｃｐ）トリメチル白金、（Ｃｐ）エチルジメチル白金、（Ｃｐ）トリエチル白金、（クロロ−Ｃｐ）トリメチル白金及び（トリメチルシリル−Ｃｐ）トリメチル白金の様な（轗−シクロペンタジエニル）鳥アルキル白金錯体（ここでＣｐはシクロペンタジエニルを表す。）、Ｐｔ［Ｃ6Ｈ5ＮＮＮＯＣＨ3］4、Ｐｔ［ｐ−ＣＮ−Ｃ6Ｈ4ＮＮＮＯＣ6Ｈ11］4、Ｐｔ［ｐ−Ｈ3ＣＯＣ6Ｈ4ＮＮＮＯＣ6Ｈ11］4、Ｐｔ［ｐ−ＣＨ3（ＣＨ2）x−Ｃ6Ｈ4ＮＮＮＯＣＨ3］4、１，５−シクロオクタジエンＰｔ［ｐ−ＣＮ−Ｃ6Ｈ4ＮＮＮＯＣ6Ｈ11］2、１，５−シクロオクタジエンＰｔ［ｐ−ＣＨ3Ｏ−Ｃ6Ｈ4ＮＮＮＯＣＨ3］2、［（Ｃ6Ｈ5）3Ｐ］Ｒｈ［ｐ−ＣＮ−Ｃ6Ｈ4ＮＮＮＯＣ6Ｈ11］及びＰｄ［ｐ−ＣＨ3（ＣＨ2）x−Ｃ6Ｈ4ＮＮＮＯＣＨ3］2の様なトリアゼン酸化遷移金属錯体（ここでｘは１、３、５、１１又は１７である。）、（轗4−１，５−シクロオクタジエニル）ジフェニル白金、（轗4−１，３，５，７−シクロオクタテトラエニル）ジフェニル白金、（轗4−２，５−ノボラジエニル）ジフェニル白金、（轗4−１，５−シクロオクタジエニル）ビス−（４−ジメチルアミノフェニル）白金、（轗4−１，５−シクロオクタジエニル）ビス−（４−アセチルフェニル）白金及び（轗4−１，５−シクロオクタジエニル）ビス−（４−トリフルオロメチルフェニル白金の様な（轗−ジオレフィン）（σ−アリール）白金錯体を含むが、この限りではない。好ましくは、光活性ヒドロシリル化触媒はＰｔ（II）β−ジケトネート錯体であり、より好ましくはその触媒は白金（II）ビス（２，４−ペンタンジオエート）である。
【００３８】
成分（Ｃ）は単一の光活性ヒドロシリル化触媒、又は二つまたはそれ以上のそのような触媒を含む混合物であり得る。
【００３９】
成分（Ｃ）の濃度は、下記で記述した方法において放射光にさらすこと及び熱により成分（Ａ）と（Ｂ）の付加反応に触媒反応を及ぼすことに充分な量である。成分（Ｃ）の濃度は、典型的には、成分（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）の全体量に基づき、白金族金属の０．１〜１０００ｐｐｍ、好ましくは白金族金属の０．５〜１００ｐｐｍ、より好ましくは白金族金属の１〜２５ｐｐｍを提供するに充分な量である。硬化の速度は、白金族金属が１ｐｐｍ以下ではとても遅くなる。白金族金属の１００ｐｐｍ以上の使用は、硬化速度において目に見えるほどの増加は無い結果となり、それゆえ不経済である。
【００４０】
前記光活性ヒドロシリル化触媒を調製する方法は、当該技術分野で良く知られている。例えば、白金（II）β−ジケトネート等の調製方法はGuo等により報告されている（Chemistry of materials, 1998, 10, 531-536）。（轗−シクロペンタジエニル）トリアルキル白金錯体等の調製方法は米国特許第4,510,094号で開示されている。トリアゼン酸化遷移金属錯体等は米国特許第5,496,961号で開示されている。及び（轗−ジオレフィン）（σ−アリール）白金錯体等は米国特許第4,530,879号で教示されている。
【００４１】
前記成分（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）の混合は室温で硬化し始めてもよい。より長い作業時間（working time)又は「可使時間（ポットライフ）」を得るために、周囲条件下での触媒の活性は、本発明のシリコーン組成物に好適な抑制剤の添加により遅延又は抑制させることができる。白金触媒抑制剤は、室温で本シリコーン組成物の硬化を遅延するが、昇温ではその組成物を硬化することを邪魔しない。好適な白金触媒抑制剤は、３−メチル−３−ペンテン−１−イン及び３，５−ジメチル−３−ヘキセン−１−インの様な色々な「エン−イン」系、３，５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール、１−エチニル−１−シクロヘキサノール及び２−フェニル−３−ブチン−２−オールの様なアセチレンアルコール、良く知られているジアルキル、ジアルケニル及びジアルコキシアルキルフマル酸とマレイン酸の様なマレイン酸及びフマル酸、及びシクロビニルシロキサンを含む。アセチレンアルコールは、本発明のシリコーン組成物において好まれた種類の抑制剤を構成する。
【００４２】
本シリコーン組成物において、白金触媒抑制剤の濃度は、昇温したとき硬化することを邪魔すること又は過度に遅延することが無く、室温で組成物の硬化を遅延することに充分な量である。この濃度は、使用した特定の抑制剤、ヒドロシリル化触媒の種類及び濃度、及び有機水素ポリシロキサンの種類に依存し広範に変化する。
【００４３】
白金族金属のモルあたり抑制剤の１モルと同じくらい低い抑制剤濃度は、いくらかの実施例中において満足な保存安定性と硬化速度をもたらすであろう。他の実施例において、白金族金属のモルあたり抑制剤の５００モルまで又はそれ以上のモルの抑制剤濃度が要求され得る。与えられたシリコン組成物における特定の抑制剤に関する最適濃度は慣例の実験によりたやすく決定されることができる。
【００４４】
本発明のシリコーン組成物は、追加の成分も含むことができる。但し、その成分は、本発明の方法において組成物の光パターニング(photopatterning)又は硬化に反対の影響を及ぼさない限り含むことができる。追加の成分の例は、粘着促進剤、溶媒、無機増量剤、光増感剤及び界面活性剤を含むが、この限りではない。
【００４５】
本発明のシリコーン組成物は、組成物の粘度を低くするため及び調製、取り扱い及び組成物の応用を促進するために少なくとも一つの有機溶媒の適量をさらに含むことができる。好適な溶媒の例は、１〜約２０の炭素原子を有する飽和炭化水素、キシレン及びメシチレンの様な芳香炭化水素、ミネラルスピリット、炭化水素ハロゲン化物(halohydrocarbons)、エステル、ケトン、直鎖、分枝及び環状ポリジメチルシロキサンの様なシリコーン流体、及びそのような溶媒の混合物を含むがこの限りではない。本シリコーン組成物における特定の溶媒の最大濃度は慣例の実験により容易に決定されることができる。
【００４６】
本発明のシリコーン組成物は、単一部分において成分（Ａ）から（Ｃ）までを含む一部分組成物でもよく、又代わりに、二つ若しくはそれ以上の部分において成分（Ａ）から（Ｃ）までを含む多部分組成物であることもできる。多部分組成物において、成分（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、もし抑制剤もまた存在しなければ同じ部分には典型的に存在しない。例えば、多部分シリコーン組成物は、成分（Ａ）の部分と成分（Ｂ）の部分を含有する第一部と成分（Ａ）の残余部分と成分（Ｃ）の全部を含有する第二部を含むことができる。
【００４７】
本発明の一部分シリコーン組成物は、上記したような定まった割合において、室温で溶媒の助けの有り又は無しで（Ａ）から（Ｃ）までの成分といかなる任意の成分を組合わせることにより典型的に調製される。もしシリコーン組成物が直ちに使用されるべきなら、色々な成分の追加の順序は重大では無いけれども、ヒドロシリル化触媒は組成物の早すぎる硬化を防ぐために約３０度以下の温度で最後に加えられるのが好ましい。また、本発明の多部分シリコーン組成物は、各部分に関して示した特定の成分を組合わせることにより調製されることもできる。
【００４８】
本発明による好ましい半導体パッケージは図２に示される。明らかにするために単一のボンドパッドを有するウェーハーの一部分のみが示された。図２で示されたように、半導体パッケージは、少なくとも一つの集積回路（示していない）を含む活性表面を有する半導体ウェーハー１０を含む。この中で各集積回路は多数のボンドパッド２０、ボンドパッドを除いてウェーハーの活性表面を覆っている硬化したシリコーン層３０、各ボンドパッド２０に付いた近位の端及びシリコーン層３０の表面の上に位置している遠位の端を有する金属トレース４０、各トレース４０の遠位の端に付いたはんだ隆起５０、ボンドパッド２０、シリコーン層３０及び金属トレース４０を覆っているはんだマスク６０を有する。
【００４９】
金属トレースは、ＩＣ上の周辺のボンドパッドを領域配列形状(area array configuration)にリルート(reroute)又は再配置する。トレースは電気伝導金属又は合金を含む。金属の例は、クロム、チタン、銅、金及びニッケルを含む。好ましくは、金属トレースは、チタン／ニッケル／銅の三層系から成る。ここでチタンは粘着層、ニッケルは拡散障壁、銅は主要なトレース金属である。好ましくは、はんだマスクは、本発明のシリコーン組成物の硬化した製品である。本発明のシリコーン組成物のない前記のウェーハーレベル設計は、当該技術分野で良く知られている。例えば、Kang等は、応力緩和層としての修正ポリイミド、ベンゾシクロブテンから成るはんだマスク、及び金属ランナー及びはんだボールからなる再配置ネットワークを含有するウェーハーレベルでのチップスケールパッケージを報告している（Electronic Components and Technology Conference Proceeding, 2000, 87-92)
【００５０】
本発明による半導体パッケージの調製方法は下記の段階を含む。
（i）フィルムを形成するために半導体ウェーハーの活性表面にシリコーン組成物を適用する段階。この中で、活性表面は少なくとも一つの集積回路を含み、各集積回路は多数のボンドパッドを有する。そして、シリコーン組成物は下記を含む。
（Ａ）一分子あたり平均少なくとも２つのシリコンに結合したアルケニル基を含有する有機ポリシロキサン。
（Ｂ）組成物を硬化するのに充分な濃度において、一分子あたり平均少なくとも２つのシリコンに結合した水素原子を含有する有機シリコン化合物。
（Ｃ）光活性ヒドロシリル化触媒の触媒量。
（ii）各ボンドパッドの少なくとも一部を覆っている無露光領域及び活性表面の残部を覆っている露光領域を有する部分的に露光したフィルムを製造する為に１５０〜８００ｎｍの波長を有する放射光にフィルムの一部をさらす段階。
（iii）露光領域が現像溶媒に実質的に不溶解となり、そして無露光領域が現像溶媒に溶解できるようになる時間のあいだ、部分的に露光したフィルムを加熱する段階。
（iv）現像溶媒で加熱したフィルムの無露光領域を除去して、パターン化フィルムを形成する段階。
（v）硬化したシリコーン層を形成するのに充分な時間のあいだ、パターン化フィルムを加熱する段階。
【００５１】
シリコーン組成物は、スピンコーティング、ディッピング、スプレイング若しくはスクリーンプリンティングのようないかなる従来の方法でも使い、半導体ウェーハーの活性表面に適用されることができる。好ましくは、シリコーン組成物は５〜６０秒の間に５００〜６０００ｒｐｍの速度でスピンコーティングすることにより適用される。スピンコーティング法で適用されたシリコーン組成物の量は、典型的に０．１〜５ｍＬである。スピン速度、スピン時間及びシリコーン組成物の量は、０．１〜２００μｍの厚さを有する硬化したシリコーンフィルム(段階 v)を製造するために調製されることができる。
【００５２】
シリコーン組成物が溶媒を含むとき、その方法はフィルムから溶媒の少なくとも一部を除去することをさらに含む。好ましくは、溶媒は１〜５分の間に５０〜１５０℃の温度でフィルムを加熱することにより除去される。より好ましくは、溶媒は２〜４分の間に８０〜１２０℃の温度でフィルムを加熱することにより除去される。
【００５３】
結果として生じたシリコーンフィルムの一部分は、各ボンドパッドの少なくとも一部を覆っている無露光領域及びウェーハーの活性表面の残部を覆っている露光領域を有する部分的に露光したフィルムを製造する為に放射光にさらされる。ウェーハーが刻んだライン(scribe line)をさらに含む時、ラインの上に重なっているシリコーン組成物は典型的に放射光にさらされない。典型的に使用される光源は、中間圧水銀アークランプ(medium pressure mercury-arc lamp)である。放射光の波長は、典型的に１５０〜８００ｎｍであり、好ましくは２５０〜４５０ｎｍである。放射光の線量は、典型的に０．１〜５，０００ｍＪ／ｃｍ2であり、好ましくは２５０〜１，３００ｍＪ／ｃｍ2である。フィルムの選択された領域は、像のパターンを有するフォトマスクを通して放射光にさらされる。
【００５４】
部分的に露光フィルムは、放射光にさらされた領域（「露光領域」）が現像溶媒中において実質的に溶解できないような時間の間で加熱される。前の放射光にさらされていない領域（「無露光領域」）は現像溶媒中において溶解できる。「実質的に溶解できない」の語は、シリコーンフィルムの露光領域が、現像溶媒中においてウェーハーの基礎となっている活性表面が露出される程度まで、溶解により除去されないことを意味する。「溶解できる」の語は、シリコーンフィルムの無露光領域が、現像溶媒中においてウェーハーの基礎となっている活性表面が露出される程度まで、溶解により除去されることを意味する。部分的に露光したフィルムは、０．１〜１０分の間、５０〜２５０℃の温度で典型的に加熱され、好ましくは１〜５分の間、１００〜２００℃の温度で加熱され、より好ましくは２〜４分の間、１３５〜１６５℃の温度で加熱される。部分的に露光したフィルムは、ホットプレート又はオーブンの様な従来の装置の使用により加熱されることができる。
【００５５】
加熱したフィルムの無露光領域は、パターン化フィルムから現像溶媒を用いて除去される。現像溶媒は有機溶媒であり、これは加熱したフィルムの無露光領域が少なくとも部分的に溶解でき、及び露光領域が本質的に溶解できない。現像溶媒は３〜２０の炭素原子を典型的に有する。現像溶媒の例は、メチルイソブチルケトン及びメチルペンチルケトンの様なケトン、ｎ−ブチルエーテル及びポリエチレングリコールモノメチルエーテルの様なエーテル、エチルアセテート及びγ−ブチロールアクトンの様なエステル、ノナン、デカリン及びドデカンの様な脂肪族炭化水素、及びメシチレン、キシレン及びトルエンの様な芳香族炭化水素を含む。現像溶媒は、吹きつけ(spraying)、液浸(immersion)及びプーリング(pooling)を含むいかなる従来の方法によっても適用されることができる。好ましくは、現像溶媒は固定したウェーハーの上に溶媒のたまり(pool)を形成することにより適用され、それからウェーハーをスピン乾燥する。現像溶媒は、室温〜１００℃の温度で典型的に使用される。けれども、特定の温度は、溶媒の化学特性、溶媒の沸点、パターン形成の望んだ速度、及び該光パターニングプロセスに求められる分解能に依存するであろう。
【００５６】
パターン化フィルムは、硬化したシリコーン層を形成するのに充分な時間の量のあいだ、それから加熱される。典型的に、パターン化フィルムは、酸化又は分解が無く、シリコーンにおいて最高の架橋結合密度を達成するためのあいだ加熱される。パターン化フィルムは１〜３００分の間、５０〜３００℃の温度で典型的に加熱され、好ましくは１０〜１２０分の間、７５〜２７５℃の温度で加熱され、より好ましくは２０〜６０分の間、２００〜２５０℃の温度で加熱される。パターン化フィルムは、ホットプレート又はオーブンのような従来の装置の使用により加熱されることができる。
【００５７】
本方法（図２参照）の好ましい実施形態において、プロセスは、各ボンドパッド２０に付いた近位の端及びシリコーン層３０の表面の上に位置している遠位の端を有する金属トレース４０を形成すること、ボンドパッド２０、シリコーン層３０及び金属トレース４０を覆っているはんだマスク６０を適用すること（この中で各トレース４０の遠位の端の少なくとも一部は、はんだマスク６０を離れている）、及び各トレース４０の遠位の端の上のはんだ隆起を形成すること、をさらに含む。結果として生じた半導体パッケージは、例えば従来のウェーハー鋸の使用により、個々のＩＣチップに分割されることが出来る。
【００５８】
金属トレースは、例えばKang等により報告されたように、従来のスパッタリング、リソグラフィー及び電気メッキ技術の使用により形成されることが出来る(Electronic Components and Technology Conference, 200, 87-92)。好ましくは、はんだマスクはパッケージの表面に本発明のシリコーン組成物を適用すること、及びその組成物に金属トレースの遠位の端の上のはんだバンプ（solder bump）に開口部を生ずるために光パターニングすること、により形成される。
【００５９】
代わりに、プロセスは各ボンドパッドにバネ接点を付けること、及びパッケージを個々のＩＣチップに分割すること、をさらに含むことが出来る。バネ接点の例と半導体装置にバネ接点を取り付ける方法は当該技術分野でよく知られており、Chang等により米国特許第6,168,974号で例示されている。
【００６０】
逆に、プロセスはパッケージを個々のＩＣチップに分割すること、及び各チップをリードフレーム(leadframe)パッケージの中に組立てること、をさらに含むことができる。組立てプロセスは各チップをリードフレームに付けること、各チップ上のボンドパッドをリードフレーム上のリードに接続すること（通常ワイヤーボンディング）、及びハウジングと一緒の部分に封をすること、及び成形コンパウンドで組立て品を内部に閉じ込めること、を典型的に含む。ＤＩＰ、ＳＨ−ＤＩＰ、ＳＫ−ＤＩＰ、ＳＬ−ＤＩＰ、ＳＩＰ、ＺＩＰ、ＰＧＡ、ＳＯ、ＳＯＰ、ＬＣＣ、ＰＬＣＣ、及びＳＯＪの様なリードフレームパッケージの組立て方法は、当該技術分野でよく知られている。
【００６１】
他方では、プロセスはパッケージを個々のＩＣチップに分割すること、及び各チップをBall Grid Array（ＢＧＡ）パッケージの中に組立てること、をさらに含む。ＢＧＡパッケージに組立てる方法は、当該技術分野でよく知られている。
【００６２】
パターン化フィルムは、フィルムを成形するためにシリコーン組成物を基盤の表面に適用すること、表面の一部を覆っている無露光領域と表面の残部を覆っている露光領域を有する部分的に露光したフィルムを製造するために１５０〜８００ｎｍの波長を有する放射光にフィルムの一部をさらすこと、露光領域が現像溶媒中において実質的に溶解できず、且つ無露光領域は現像溶媒中において溶解できるような時間の間で部分的に露光したフィルムを加熱すること、及び硬化したシリコーン層を形成するのに充分な時間のあいだでパターン化フィルムを加熱すること、により製造されることも出来る。
好適な基盤には、アルミニウム、銀、銅、鉄及びそれらの合金の様な金属；シリコン；紙、木材、革及び織物の様な多孔物質；ポリエチレン及びポリプロピレンの様なポリオレフィン；ポリテトラフルオロエチレン及びポリビニルフルオリドの様なフルオロカーボンポリマー；ポリスチレン；ナイロンの様なポリアミド；ポリエステル及びアクリル性ポリマー；着色表面；セラミックス；ガラス及びガラス繊維布が含まれるがこの限りではない。
【００６３】
本発明の半導体パッケージは、広範の温度にわたり良好な熱的安定性及び良好な耐環境性を示す。さらに、本発明の半導体パッケージは、ＩＣそれ自身よりわずかに大きいだけのサイズを有する個々のチップに分割されることができる。従来のＩＣパッケージよりもより軽く、より小さく及びより薄い、これら「チップスケールパッケージ」は、高密度応用に理想的に適している。
【００６４】
本発明の半導体パッケージの調製方法は、生産能力の高い製造プロセスに達することができる。重要なことは、その方法はウェーハー上で全ＩＣの同時包装を提供する。その上、その方法は従来のウェーハー製作技術（例：コーティング、露光、現像、硬化）及び装置を使用する。さらに、その方法は光パターン可能なシリコーン組成物を使用し、その結果、光パターン可能でないポリマー組成物の使用を伴う付加的プロセスを不要にする。最後に、本発明のプロセスは高解像能を有する。つまりそのプロセスは、ウェーハー上にフォトマスクからシリコーン層に良好な限界寸法を保持して像を転写することを意味する。
【００６５】
本発明の半導体パッケージは、個々のＩＣチップパッケージを調製することに使用されることができる。チップパッケージはプリント配線基盤を製作するのに有用であり、計算機、電話機、テレビ、大型コンピュータ及びパーソナルコンピュータの様な電子機器の中に組み込まれることができる。
【実施例】
【００６６】
下記の実施例は、本発明のシリコーン組成物を光パターニングする方法をより説明するように示されたが、添付の請求の範囲に言及されている本発明を限定するものとして考慮されるのではなく、別に特記しない限り、実施例中で報告した全ての部分及びパーセンテージは、重量によるものである。下記の方法及び物質は実施例中で使用された。
【００６７】
シリコーンフィルムの照射は、３６５±２ｎｍ（Ｉライン）に中心がある直径４インチの干渉フィルターを備え、及び１０±２ｎｍの半値幅を有するＯＡＩ７インチ中間圧水銀放射光ランプ(medium pressure mercury projection lamp)を使用することで実行された(Optics Automation Instrumentation, Milpitas, CA)。放射線量（ｍＪ／ｃｍ2）は、Ｉラインに対して基準化した国際光ラジオメーターを使うことで測定された。
【００６８】
シリコンウェーハー上の硬化したシリコーンフィルムの厚さは、Tencor P-11 surface profilometer(KLA Tencor, Milpitas, CA)を使用することで決定された。フィルム厚さは、ウェーハーのコートした表面とコートされてない表面の間の段差で測定された。厚さについて報告した値は、ミクロン単位で表し、同じウェーハーの異なる領域で行った３回の測定の平均で表す。
【００６９】
フィルム保持は、パーセント表示で表し、式：
フィルム保持（％）＝ｔ2／ｔ1×１００
により計算された。ここで、ｔ2は以下の実施例における方法により製造した硬化したパターンドシリコーンフィルムの厚さであり、ｔ1は、ＵＶ露光の段階、露光後加熱及び現像（ｎ−ブチルエーテルで処理）を除く以外は、同様の方法の使用により調製したシリコーンフィルムの厚さである。後者の場合において、パターンドしてない硬化したシリコーンフィルムの一部は、ウェーハー表面を露出させるために除去される。厚さ測定は上記で述べたようにして実行された。
【００７０】
光パターニングプロセスの分解能は、フォトマスクにおける２５０μ円口径（実例１〜３）又は４０μ円口径（実例４〜３３）に対応するシリコーンフィルムにおける地形(feature)の大きさを測定することにより決定された。測定は、Image Pro Plus像分析ソフトウェア（Silver Spring, MD)を使用することを経由したデジタル化顕微鏡写真で行われた。分解能について報告した値は、ミクロン単位で表し、同じウェーハーの異なる地形で行った４回の測定の平均で表す。
【００７１】
樹脂：本質的にＣＨ2＝ＣＨ（ＣＨ3）2ＳｉＯ1/2単位、（ＣＨ3）3ＳｉＯ1/2単位及びＳｉＯ4/2単位からなる有機ポリシロキサン樹脂であり、この中でＳｉＯ4/2単位に結合したＣＨ2＝ＣＨ（ＣＨ3）2ＳｉＯ1/2単位と（ＣＨ3）3ＳｉＯ1/2単位のモル比は約０．７であり、その樹脂は約２２，０００の重量平均モル重量と約５の多分散性(polidispersity)を有し、及びビニル基の約５．５モルパーセント（１．８重量％）を含有する。
【００７２】
架橋剤：一分子あたり平均９２のジメチルシロキサン単位と６のメチル水素シロキサン単位を有するトリメチルシロキシ末端ポリ（ジメチルシロキサン／メチル水素シロキサン）の８８％；シリコンに結合した水素原子約の０．０８％；ジメチルメチル水素シクロシロキサンの４％；オクタメチルシクロテトラシロキサンの４％；デカメチルシクロペンタシロキサンの３％及びジメチルシクロシロキサン（Ｄ６又はそれ以上）の１％からなる混合物。
【００７３】
シリコーン基部(base)：樹脂の６１．３２％；一分子あたり平均１００のジメチルシロキサン単位と９のメチル水素シロキサン単位を有するトリメチルシロキシ末端ポリ（ジメチルシロキサン／メチル水素シロキサン）の８８％、及び約シリコンに結合した水素原子の０．１１％、ジメチルメチル水素シクロシロキサンの５％、オクタメチルシクロテトラシロキサンの３％、デカメチルペンタシロキサンの２％、メチル水素シクロシロキサンの１％及びジメチルシクロシロキサンＤ６又はそれ以上）の０．８％を含有する混合物の２２．０９％；一分子あたり平均３のジメチルシロキサン単位と５のメチル水素シロキサンを有し、シリコンに結合した水素原子の０．８％を含有するトリメチルシロキシ末端ポリ（ジメチルシロキサン／メチル水素シロキサン）の２．３３％；及びミシチレンの１４．２７％からなる混合物。シリコーン基部は、密封した琥珀色ボトルで保存された。
【００７４】
触媒Ａ〜Ｅを調製するために使用された白金（II）アセチルアセトネートは、Stream Chemicals(Newburyport, MA)から得られた。その物質は１４０℃の温度及び４ｍｍＨｇの圧で昇華することにより精製された。
【００７５】
触媒Ａ：メシチレン中で白金（II）アセチルアセトネートの０．０５％からなる混合物。
【００７６】
触媒Ｂ：メシチレン中で白金（II）アセチルアセトネートの０．１０％からなる混合物。
【００７７】
触媒Ｃ：メシチレン中で白金（II）アセチルアセトネートの０．１５％からなる混合物。
【００７８】
触媒Ｄ：メシチレン中で白金（II）アセチルアセトネートの０．２０％からなる混合物。
【００７９】
触媒Ｃ：メシチレン中で白金（II）アセチルアセトネートの０．２５％からなる混合物。
【００８０】
メシチレン：Ａ．Ｃ．Ｓ．試薬グレード
【００８１】
（実施例１−３）
樹脂（４６．８４部）、架橋剤４２．１６部及びメシチレン１０．１２部を、琥珀色ボトル中で混合した。触媒Ｄ（０．８９部）は混合物に加えられ、混合は室温で０．５時間続けられた。その混合物は、直列に１０μｍと５μｍのナイロン膜を含むステンレススチール缶(stainless steel canister)を通すことにより、それのあと圧力濾過された（１３８〜２７６ｋＰａ窒素）。シリコーン組成物（濾液）は、アルミニウム箔で包まれた密閉ポリエチレンボトルの中に−１５℃で使用する前に保存された。
【００８２】
各例１〜３において、室温のシリコーン組成物（約２．５ｇ）は、１００ｍｍシリコンウェーハーに適用され、回転により薄いフィルムにした（５００ｒｐｍで１０秒間、続いて３０００ｒｐｍで３０秒間）。コートされたウェーハーは殆んどの溶媒を除去するために２分間１１０℃でホットプレート上で加熱された。フィルムは、２５０μｍ円開口を有し、フィルムと近くで接触しているフォトマスクを通して、Ｉライン放射光（３６５ｎｍ）にそのあとさらされた。ウェーハーは、表１に明記した温度及び時間の条件下においてホットプレート上でそのあと加熱された。ウェーハーは室温まで放冷され、スピンコーター（spin coater)の上に装置された。ウェーハーのコートした表面は、ノナンであふれていて、２分間室温で静置された。ウェーハーはそのあとスピンドライされ（５００ｒｐｍで１０秒間、続いて３０００ｒｐｍで３０秒間）、２５０℃で３０分間オーブンの中に置かれ、室温まで放冷される。各ウェーハーのフィルム厚さ、フィルム保持及び分解能値は、表１の中で報告される。
【００８３】
【表１】
【００８４】
（実施例４−３３）
各実施例４〜３４において、シリコーン組成物は、表２の中で明記した触媒とシリコーン基材を下記の手順により混合することにより調製された。シリコーン基材（９９．１５部）と触媒の０．８５部は琥珀色ボトルの中で化合され、室温で０．５時間混合した。混合物は、直列に１０μｍと５μｍのナイロン膜を含むステンレススチール缶を通すことによりそのあと圧力濾過された（１３８〜２７６ｋＰａ窒素）。シリコーン組成物（濾液）は、アルミニウム箔で包まれた密閉ポリエチレンボトルの中に−１５℃で使用する前に保存された。
【００８５】
室温のシリコーン組成物のサンプル（約２．５ｇ）は、１００ｍｍシリコンウェーハーに適用され、回転によりと薄いフィルムにした（５００ｒｐｍで１０秒間、続いて３０００ｒｐｍで３０秒間）。コートされたウェーハーは殆んどの溶媒を除去するために２分間１１０℃でホットプレート上で加熱された。フィルムは、４０μｍ円開口を有し、フィルムと近くで接触しているフォトマスクを通して、Ｉライン放射光（３６５ｎｍ）にそのあとさらされた。ウェーハーは、表２に明記した温度及び時間の条件下においてホットプレート上でそのあと加熱された。ウェーハーは室温まで放冷され、スピンコーター（spin coater)の上に装置された。ウェーハーのコートした表面は、ｎ−ブチルエーテルであふれていて、２分間室温で静置された。ウェーハーはそのあとスピンドライされ（５００ｒｐｍで１０秒間、続いて３０００ｒｐｍで３０秒間）、２５０℃で３０分間オーブンの中に置かれ、室温まで放冷された。各ウェーハーのフィルム厚さ、フィルム保持及び分解能値は、表２の中で報告される。
【００８６】
【表２】
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】本発明による半導体パッケージの横断面図
【図２】各ボンドパッドに接着した金属トレースをさらに含む本発明による半導体パッケージの横断面図
【０００１】
本発明は半導体パッケージ、さらに詳しくは硬化したシリコーン層を含むウェーハーレベルの半導体パッケージに関する。また本発明は半導体パッケージの調製方法にも関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路（ＩＣ）チップ又はダイス(dice)は、一般的にプリント配線基盤（ＰＷＢ）上での組み立ての前にパッケージされる。そのパッケージには、相互接続（電気とシグナル伝達）、機械的あるいは環境的保護及び熱放散を含む多くの重要な機能がある。加えて、そのパッケージは、その接続をＩＣチップ上の狭いピッチ（ボンドパッド間の中央間の間隔）からプリント回路基盤製造業者により要求された比較的幅広いピッチまで拡げる（spread apart）ための仕組みとしての機能を果たす。
【０００３】
電子パッケージングの激しい競争市場において、作動要因、処理量、コスト及び信頼性がパッケージング技術に重大な影響を有する。パッケージングは個々のＩＣチップで通常行われるけれども、ウェーハーレベル（即ち、ウェーハーから個々のチップの個別化前）でＩＣをパッケージする方法を開発することに興味が増大している。ウェーハーレベルでのパッケージングは、潜在的に個々のチップパッケージングよりも多くの処理量、高い信頼性及び低コストを達成できる。
【０００４】
ＩＣパッケージの信頼性は、しばしばダイとパッケージ基盤の間又はパッケージとＰＷＢの間の相互接続要素（例：はんだ接合、ボンドワイヤ）の欠陥により限定される。そのような欠陥は、しばしばシリコンダイ、基盤とＰＷＢ物質間の熱膨張率（ＣＴＥ）の違いのためであるので、半導体パッケージで熱的に誘導された応力を最小にする多種のアプローチが報告されてきた。例えばCagan等による米国特許第5,171,716号では、１５０℃以下のガラス転移温度を有する応力緩和層(stress-relief layer)を含む半導体装置を開示している。
【０００５】
Kang等は、応力緩和層として高CTE／率誘電体ポリマーを含むウェハーレベルでのチップスケールパッケージ教示している（Electronic Components and Technology Conference Proceeding, 2000, 87-92)。
【０００６】
Strandjord等は応力緩和 (stress-buffer)の為の一マスクプロセス及び感光性のベンゾシクロブテンを使う表面処理応用(passivation application)を教示している(IEMT/IMC Symposium Proceeding 1997, 261-266)。
【０００７】
米国特許第6,103,552号は、ウェーハースケールでのパッケージングのためのプロセス及びパッケージを開示している。そのプロセスはチップの表面上にポリイミド、シリコンエラストマー又はベンゾシクロブテンのような重合物質の層を沈積することを含む。さらに第6,103,552号特許は、ポリマーの温度膨張率がパッケージにおける金属鋲(stud)の温度膨張率に調和するように小さくあるべきで、その結果、金属鋲-ポリマー界面での局所応力が最小となることをさらに教示している。
【０００８】
半導体パッケージングへの前記のようなアプローチは、ある範囲の熱特性を有するパッケージを提供するけれども、優れた熱安定性を有する半導体パッケージが引き続き求められている。
【０００９】
本発明は、下記を含む半導体パッケージに向けられるものである：
各集積回路が多数のボンドパッドを有する、少なくとも一つの集積回路を含む活性表面を有する半導体ウェーハーと、
活性表面を覆っている硬化したシリコーン層を含む。但し、各ボンドパッドの少なくとも一部は、シリコーン層により覆われていない。シリコーン層は下記の段階を含む方法により調製される。
（i）フィルムを形成するために活性表面にシリコーン組成物を適用する段階。シリコーン組成物は下記を含む。
（Ａ）一分子あたり平均少なくとも２つのシリコンに結合したアルケニル基を含有する有機ポリシロキサン。
（Ｂ）組成物を硬化するのに充分な濃度において、一分子あたり平均少なくとも２つのシリコンに結合した水素原子を含有する有機シリコン化合物。
（Ｃ）光活性ヒドロシリル化触媒の触媒量。
（ii）各ボンドパッドの少なくとも一部を覆っている無露光領域及び活性表面の残部を覆っている露光領域を有する部分的に露光したフィルムを製造する為に１５０〜８００ｎｍの波長を有する放射光にフィルムの一部をさらす段階。
（iii）露光領域が現像溶媒に実質的に不溶解となり、そして無露光領域が現像溶媒に溶解できるようになる時間のあいだ、部分的に露光したフィルムを加熱する段階。
（iv）現像溶媒で加熱したフィルムの無露光領域を除去して、パターン化フィルムを形成する段階。
（v）硬化したシリコーン層を形成するのに充分な時間のあいだ、パターン化フィルムを加熱する段階。
【００１０】
本発明は半導体パッケージを調製する方法にもさらに向けられる。その方法は下記の段階を含む。
（i）フィルムを形成するために半導体ウェーハーの活性表面にシリコン組成物を適用する段階。この中で、活性表面は少なくとも一つの集積回路を含み、各集積回路は多数のボンドパッドを有する。シリコーン組成物は下記を含む。
（Ａ）一分子あたり平均少なくとも２つのシリコンに結合したアルケニル基を含有する有機ポリシロキサン。
（Ｂ）組成物を硬化するのに充分な濃度において、一分子あたり平均少なくとも２つのシリコンに結合した水素原子を含有する有機シリコン化合物。
（Ｃ）光活性ヒドロシリル化触媒の触媒量。
（ii）各ボンドパッドの少なくとも一部を覆っている無露光領域及び活性表面の残部を覆っている露光領域を有する部分的に露光したフィルムを製造する為に１５０〜８００ｎｍの波長を有する放射光にフィルムの一部をさらす段階。
（iii）露光領域が現像溶媒に実質的に不溶解となり、そして無露光領域が現像溶媒に溶解できるようになる時間の量の間の部分的に露光フィルムを加熱する段階。
（iv）現像溶媒で加熱したフィルムの無露光領域を除去して、パターン化フィルムを形成する段階。
（v）硬化したシリコーン層を形成するのに充分な時間のあいだ、パターン化フィルムを加熱する段階。
【００１１】
本発明の半導体パッケージは、広範の温度にわたる良好な熱的安定性及び良好な耐環境性(environmental resistance)を示す。またこの半導体パッケージはウェーハー上の全ＩＣの同時試験も可能にする。さらに、個々のチップは、ＩＣそれ自身よりわずかに大きいだけのサイズを有する各チップにウェーハーレベル半導体パッケージから単一化（分離）されることもできる。従来のＩＣパッケージよりもより軽く、より小さく及びより薄い、これら「チップスケールパッケージ」は、高密度(high-density)応用に理想的に適している。
【００１２】
本発明の半導体パッケージの調製方法は、生産能力の高い製造プロセスに達することができる。重要なことは、その方法はウェーハー上で全ＩＣの同時パッケージングを提供する。その上、その方法は従来のウェーハー製作技術（例：コーティング、露光、現像、硬化）及び装置を使用する。さらに、その方法は光パターン可能な(photopatternable)シリコーン組成物を使用し、その結果、光パターン可能でない(non-photopatternable)ポリマー組成物の使用を伴う付加的プロセスを不要にする。最後に、本発明のプロセスは高解像能を有する。つまりそのプロセスは、ウェーハー上にフォトマスクからシリコーン層に良好な限界寸法(critical demention)を保持して像(image)を転写することを意味する。
【００１３】
本発明の半導体パッケージは、個々のＩＣチップパッケージを調製するために使用されることができる。チップパッケージはプリント配線基盤を製作するのに有用であり、計算機、電話機、テレビ、大型コンピュータ及びパーソナルコンピュータの様な電子機器の中に組み込まれることができる。
【００１４】
本発明のこれら及び他の特徴、状況及び利用は下記の記述、付帯した請求項及び添付図と関連してより理解されるものとなる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明による半導体パッケージは図１で示される。明確にする為に、単一のボンドパッドを有するウェーハーの一部のみが示される。半導体パッケージは、少なくとも１つの集積回路（示されてはいない）を含む活性表面を有する半導体ウェーハー１０を含む。その中で各集積回路は、多数のボンドパッド２０、及びウェーハーの活性表面を覆っている硬化したシリコーン層３０を有し、各ボンドパッドの少なくとも一部は、シリコーン層で覆われていない。
【００１６】
半導体ウェーハー１０は、シリコン及びガリウムヒ素のような半導体物質を含む。半導体ウェーハーの活性表面は、少なくとも一つ、典型的には１００以上のＩＣを含む。ＩＣの例は、ＤＲＡＭ、ＦＬＡＳＨ及びＬＯＧＩＣ装置を含むがこの限りではない。各ＩＣは多数のボンドパッド２０（即ちI/O terminal）を有し、通常ＩＣの周辺上に位置する。集積回路当たりのボンドパッドの数は、回路の複雑さに依存して約４〜２０００の範囲に及ぶことができる。ボンドパッド２０は電気伝導金属、典型的にはアルミニウム、銅又はそれらの合金から作られる。好ましくは、半導体ウェーハー１０は、ウェーハーがそれに沿って個々のチップに切り取られ得るように、ストリート(street)又は刻んだ線(scribe line)をさらに含む。半導体ウェーハー上の集積回路の製作方法は、当該技術分野で良く知られている。
【００１７】
硬化したシリコーン層３０の厚さは、典型的に０．１〜２００μｍであり、好ましくは１〜５０μｍ、より好ましくは５〜２５μｍである。硬化したシリコーン層３０は、（Ａ）一分子あたり平均少なくとも２つのシリコンに結合したアルケニル基を含有する有機ポリシロキサン、（Ｂ）組成物を硬化するのに充分な濃度において、一分子あたり平均少なくとも２つのシリコンに結合した水素原子を含有する有機シリコン化合物及び（Ｃ）光活性ヒドロシリル化触媒の触媒量、を含んでいるシリコーン組成物を使用することで調製される。
【００１８】
成分（Ａ）は、一分子あたり平均少なくとも２つのシリコンに結合したアルケニル基を含有する、少なくとも１つの有機ポリシロキサンである。有機ポリシロキサンは、直鎖、分枝又は樹脂構造を有することができる。有機ポリシロキサンは、ホモポリマー、共重合体であり得る。アルケニル基は２〜約１０までの炭素原子を典型的に有し、ビニル、アリール、ブテニル、ヘキセニルにより例示されるがその限りではない。有機ポリシロキサン中のアルケニル基は、末端、懸垂(pendant)又は末端と懸垂位置の両方に位置してもよい。有機ポリシロキサン中のその余のシリコンに結合した有機基は、脂肪族不飽和の無い一価の炭化水素及び一価のハロゲン化炭化水素基から独立して選択される。これら一価基は、１〜約２０の炭素原子を典型的に有し、好ましくは１〜１０の炭素原子を有し、メチル、エチル、プロピル、ペンチル、オクチル、ウンデシル及びオクタデシルの様なアルキル、シクロヘキシルの様なシクロアルキル、フェニル、トリル、キシリル、ベンジル及び２−フェニルエチルの様なアリール及び３，３，３−トリフルオロプロピル，３−クロロプロピル及びジクロロフェニルの様なハロゲン化炭化水素基により例示されるがこの限りではない。好ましくは、有機ポリシロキサン中の脂肪族不飽和の無い有機基の少なくとも５０％、より好ましくは少なくとも８０％はメチルである。
【００１９】
２５℃での有機ポリシロキサンの粘度は、分子量及び構造で変化し、典型的には０．００１〜１００，０００Ｐａ・Ｓ、好ましくは０．０１〜１０，０００Ｐａ・Ｓ、より好ましくは０．０１〜１，０００Ｐａ・Ｓである。
【００２０】
シリコーン組成物中で有用な有機ポリシロキサンの例は下記式を有するポリジ有機シロキサンを含むがこの限りではない。
ViMe2SiO(Me2SiO)aSiMe2Vi、
ViMe2SiO(Me2SiO)0.25a(MePhSiO)0.75aSiMe2Vi、
ViMe2SiO(Me2SiO)0.95a(Ph2SiO)0.05aSiMe2Vi、
ViMe2SiO(Me2SiO)0.98a(MeViSiO)0.02aSiMe2Vi、
Me3SiO(Me2SiO)0.95a(MeViSiO)0.05aSiMe3及び
PhMeViSiO(Me2SiO)aSiPhMeVi
式中、Ｍｅ、Ｖｉ及びＰｈは、それぞれメチル、ビニル、フェニルを意味し、ポリジ有機シロキサンの粘度が０．００１〜１００，０００Ｐａ・Ｓであるような値を有する。
【００２１】
シリコーン組成物における使用に適した有機ポリシロキサンの調製方法、例えば対応する有機ハロシランの加水分解及び縮合、又は環状ポリジ有機シロキサンの平衡のような方法は、当該技術分野で良く知られている。
【００２２】
有機ポリシロキサン樹脂の例は、本質的にＲ1 3ＳｉＯ1/2単位及びＳｉＯ4/2を含有するＭＱ樹脂、本質的にＲ1ＳｉＯ3/2単位及びＲ1 2ＳｉＯ2/2を含有するＴＤ樹脂、本質的にＲ1 3ＳｉＯ1/2単位及びＲ1ＳｉＯ3/2単位を含有するＭＴ樹脂及び本質的にＲ1 3ＳｉＯ1/2単位、Ｒ1ＳｉＯ3/2単位及びＲ1 2ＳｉＯ2/2単位を含有するＭＴＤ樹脂を含む。ここで各Ｒ1は一価炭化水素及び一価ハロゲン化炭化水素基から独立して選択される。Ｒ1により表された一価基は、１〜約２０の炭素原子を典型的に有し、より好ましくは１〜約１０の炭素原子を有する。一価基の例はメチル、エチル、プロピル、ペンチル、オクチル、ウンデシル及びオクタデシルの様なアルキル、シクロヘキシルの様なシクロアルキル、ビニル、アリール、ブテニル及びヘキサニルの様なアルケニル、フェニル、トリル、キシリル、ベンジル及び２−フェニルエチルの様なアリール及び３，３，３−トリフルオロプロピル，３−クロロプロピル及びジクロロフェニルの様なハロゲン化炭化水素基を含むがこの限りではない。有機ポリシロキサン樹脂中で、好ましくは少なくとも３分の１、より好ましくは本質的に全てのＲ1基はメチルである。好まれた有機ポリシロキサン樹脂は、本質的に（ＣＨ3）3ＳｉＯ1/2シロキサン単位とＳｉＯ4/2を含有する。この中で（ＣＨ3）3ＳｉＯ1/2単位とＳｉＯ4/2単位のモル比は０．６〜１．９である。
【００２３】
好ましくは、有機ポリシロキサン樹脂は、アルケニル基を平均約３〜３０モルパーセント含む。その樹脂中のアルケニル基のモルパーセントは、樹脂中におけるアルケニル含有シロキサン単位のモル数と樹脂中のシロキサン単位のモル数の比で、１００を掛けることによりここで定義される。
【００２４】
有機ポリシロキサン樹脂は、当該技術分野で良く知られた方法により調製されることができる。好ましくは、その樹脂は、Daudt等のシリカヒドロゾルキャッピング（capping）プロセスにより製造された樹脂共重合体を、少なくとも一種のアルケニル含有末端保護試薬を用いて処理することにより調製される。Daudt等の方法は米国特許第2,676,182号で開示され、本発明における使用に適した有機ポリシロキサン樹脂を製造する方法は、これによりその内容を援用して本明細書の一部とする。
【００２５】
簡単に言うと、Daudt等の方法は酸条件下でトリメチルクロロシランのようなトリ有機シラン、ヘキサメチルジシロキサンのようなシロキサン又はそれらの混合物とシリカヒドロゾルが反応させ、Ｍ及びＱ単位を有する共重合体を回収することを含む。結果として生じた共重合体は、ヒドロキシル基の重量の約２〜５パーセントを一般に含有する。
【００２６】
シリコンに結合したヒドロキシル基の重量で２パーセント未満を典型的に含有する有機ポリシロキサン樹脂は、Daudt等の製品とアルケニル含有末端保護試薬、又はアルケニル含有末端保護試薬と脂肪族不飽和の無い末端保護試薬との混合物が最終製品においてアルケニル基を３〜３０モルパーセント提供するのに充分な量の中で反応することにより調製され得る。末端保護試薬の例としては、シラザン、シロキサン及びシランを含むがこの限りではない。好適な末端保護試薬は当該技術分野で知られ、Blizzard等による米国特許第4,584,355号、Blizzard等による米国特許第4,591,622号、Homan等による米国特許第4,585,836号で例示されており、これによりその内容を援用して本明細書の一部とする。単一の末端保護試薬又はそのような試薬の混合物は、有機ポリシロキサン樹脂を調製するために使用されることができる。
【００２７】
成分（Ａ）は、単一の有機ポリシロキサン、又は少なくとも一つの次の特性：構造、粘度、平均分子量、シロキサン単位及び配列が異なる二つまたはそれ以上の有機ポリシロキサンを含む混合物であり得る。
【００２８】
成分（Ｂ）は、一分子あたり平均少なくとも２つのシリコンに結合した水素原子を含有している少なくとも１つの有機シリコン組成物である。成分（Ａ）における一分子あたりのアルケニル基の平均数と成分（Ｂ）における一分子あたりのシリコンに結合した水素原子の平均数の合計が４よりも大きい時、架橋結合が起こることが一概に理解されている。有機水素ポリシロキサンの中のシリコンに結合した水素原子は、末端、懸垂又は末端と懸垂位置の両方に位置され得る。
【００２９】
有機シリコン組成物は有機シラン又は有機水素シロキサンであり得る。有機シランはモノシラン、ジシラン、トリシラン又はポリシランである。同様に、有機水素シロキサンはジシロキサン、トリシロキサン又はポリシロキサンである。好ましくは、有機シリコン組成物は有機水素シロキサンであり、より好ましくは有機シリコン組成物は有機水素ポリシロキサンである。有機シリコン組成物の構造は直鎖、分枝、環状又は樹脂状である。好ましくは、有機シリコン組成物において有機基の少なくとも５０パーセントがメチルである。
【００３０】
有機シランの例は、ジフェニルシラン及び２−クロロエチルシランの様なモノシラン、１，４−ビス（ジメチルシリル）ベンゼン、ビス［（ｐ−ジメチルシリル）フェニル］エーテル及び１，４−ジメチルジシリルエタンの様なジシラン、１，３，５−トリス（ジメチルシリル）ベンゼン及び１，３，５−トリメチル−１，３，５−トリシランの様なトリシラン及びポリ（メチルシリレン）フェニレン及びポリ（メチルシリレン）メチレンの様なポリシランを含むが、この限りではない。
【００３１】
有機水素シロキサンの例は、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン及び１，１，３，３−テトラフェニルジシロキサンの様なジシロキサン、フェニルトリス（ジメチルシロキシ）シラン及び１，３，５−トリメチルシクロトリシロキサンの様なトリシロキサン、及びトリメチルシロキシ末端ポリ（メチル水素シロキサン）、ジメチル水素シロキシ末端ポリ（メチル水素シロキサン）及び本質的にＨ（ＣＨ3）2ＳｉＯ1/2単位、（ＣＨ3）3ＳｉＯ1/2単位及びＳｉＯ4/2単位からなる樹脂の様なポリシロキサンを含むが、この限りではない。
【００３２】
成分（Ｂ）は、単一の有機シリコン組成物又は次の特性：構造、粘度、平均分子量、シロキサン単位及び配列が異なる二つまたはそれ以上の有機シリコン組成物である。
【００３３】
本発明のシリコーン組成物における成分（Ｂ）の濃度は、組成物を硬化（架橋結合）するために充分な量である。成分（Ｂ）の正確な量は、所望の効果の程度に依存し、それは一概に成分（Ｂ）におけるシリコンに結合した水素原子のモル数と成分（Ａ）におけるアルケニル基のモル数の比が増加するにつれて増加する。典型的に、成分（Ｂ）の濃度は、成分（Ａ）中のアルケニル基当たり０．５〜３のシリコンに結合した水素原子が提供されることで充分である。好ましくは、成分（Ｂ）の濃度は成分（Ａ）中のアルケニル基当たり０．７〜１．２のシリコンに結合した水素原子が提供されることで充分である。
【００３４】
シリコンに結合した水素原子を含有している有機シリコン組成物の調製方法は、当該技術分野で良く知られている。例えば、有機ポリシランは、炭化水素溶媒中においてナトリウム又はリチウム金属の存在下、クロロシランと反応することによって調製され得る（ウルツ反応）。有機ポリシロキサンは有機ハロシランの加水分解及び縮合により調製されることができる。
【００３５】
成分（Ａ）と（Ｂ）の相溶性を確実にするために、各成分中の支配的な有機基が好ましくは同じである。好ましくはこの基はメチルである。
【００３６】
成分（Ｃ）は光活性ヒドロシリル化触媒である。光活性ヒドロシリル化触媒は、１５０〜８００ｎｍの波長を有する放射光にさらすこと及びその後の加熱により、成分（Ａ）と成分（Ｂ）のヒドロシリル化の触媒作用を引き起こすことができるいかなるヒドロシリル化触媒であることができる。白金族金属は、白金、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、オスミウム及びイリジウムを含む。好ましくは、白金族金属は白金であり、ヒドロシリル化反応においてその高活性に拠っている。本発明のシリコン組成物における使用に関して特定の光活性なヒドロシリル化触媒の適否は、下記実施例節でその方法を使用している慣例の実験によりすぐに決定されることができる。
【００３７】
光活性ヒドロシリル化触媒の例は、白金（II）ビス（２，４−ペンタンジオエート）、白金（II）ビス（２，４−ヘキサンジオエート）、白金（II）ビス（２，４−ヘプタンジオエート）、白金（II）ビス（１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタンジオエート）の様な白金（II）β−ジケトネート錯体、（Ｃｐ）トリメチル白金、（Ｃｐ）エチルジメチル白金、（Ｃｐ）トリエチル白金、（クロロ−Ｃｐ）トリメチル白金及び（トリメチルシリル−Ｃｐ）トリメチル白金の様な（轗−シクロペンタジエニル）鳥アルキル白金錯体（ここでＣｐはシクロペンタジエニルを表す。）、Ｐｔ［Ｃ6Ｈ5ＮＮＮＯＣＨ3］4、Ｐｔ［ｐ−ＣＮ−Ｃ6Ｈ4ＮＮＮＯＣ6Ｈ11］4、Ｐｔ［ｐ−Ｈ3ＣＯＣ6Ｈ4ＮＮＮＯＣ6Ｈ11］4、Ｐｔ［ｐ−ＣＨ3（ＣＨ2）x−Ｃ6Ｈ4ＮＮＮＯＣＨ3］4、１，５−シクロオクタジエンＰｔ［ｐ−ＣＮ−Ｃ6Ｈ4ＮＮＮＯＣ6Ｈ11］2、１，５−シクロオクタジエンＰｔ［ｐ−ＣＨ3Ｏ−Ｃ6Ｈ4ＮＮＮＯＣＨ3］2、［（Ｃ6Ｈ5）3Ｐ］Ｒｈ［ｐ−ＣＮ−Ｃ6Ｈ4ＮＮＮＯＣ6Ｈ11］及びＰｄ［ｐ−ＣＨ3（ＣＨ2）x−Ｃ6Ｈ4ＮＮＮＯＣＨ3］2の様なトリアゼン酸化遷移金属錯体（ここでｘは１、３、５、１１又は１７である。）、（轗4−１，５−シクロオクタジエニル）ジフェニル白金、（轗4−１，３，５，７−シクロオクタテトラエニル）ジフェニル白金、（轗4−２，５−ノボラジエニル）ジフェニル白金、（轗4−１，５−シクロオクタジエニル）ビス−（４−ジメチルアミノフェニル）白金、（轗4−１，５−シクロオクタジエニル）ビス−（４−アセチルフェニル）白金及び（轗4−１，５−シクロオクタジエニル）ビス−（４−トリフルオロメチルフェニル白金の様な（轗−ジオレフィン）（σ−アリール）白金錯体を含むが、この限りではない。好ましくは、光活性ヒドロシリル化触媒はＰｔ（II）β−ジケトネート錯体であり、より好ましくはその触媒は白金（II）ビス（２，４−ペンタンジオエート）である。
【００３８】
成分（Ｃ）は単一の光活性ヒドロシリル化触媒、又は二つまたはそれ以上のそのような触媒を含む混合物であり得る。
【００３９】
成分（Ｃ）の濃度は、下記で記述した方法において放射光にさらすこと及び熱により成分（Ａ）と（Ｂ）の付加反応に触媒反応を及ぼすことに充分な量である。成分（Ｃ）の濃度は、典型的には、成分（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）の全体量に基づき、白金族金属の０．１〜１０００ｐｐｍ、好ましくは白金族金属の０．５〜１００ｐｐｍ、より好ましくは白金族金属の１〜２５ｐｐｍを提供するに充分な量である。硬化の速度は、白金族金属が１ｐｐｍ以下ではとても遅くなる。白金族金属の１００ｐｐｍ以上の使用は、硬化速度において目に見えるほどの増加は無い結果となり、それゆえ不経済である。
【００４０】
前記光活性ヒドロシリル化触媒を調製する方法は、当該技術分野で良く知られている。例えば、白金（II）β−ジケトネート等の調製方法はGuo等により報告されている（Chemistry of materials, 1998, 10, 531-536）。（轗−シクロペンタジエニル）トリアルキル白金錯体等の調製方法は米国特許第4,510,094号で開示されている。トリアゼン酸化遷移金属錯体等は米国特許第5,496,961号で開示されている。及び（轗−ジオレフィン）（σ−アリール）白金錯体等は米国特許第4,530,879号で教示されている。
【００４１】
前記成分（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）の混合は室温で硬化し始めてもよい。より長い作業時間（working time)又は「可使時間（ポットライフ）」を得るために、周囲条件下での触媒の活性は、本発明のシリコーン組成物に好適な抑制剤の添加により遅延又は抑制させることができる。白金触媒抑制剤は、室温で本シリコーン組成物の硬化を遅延するが、昇温ではその組成物を硬化することを邪魔しない。好適な白金触媒抑制剤は、３−メチル−３−ペンテン−１−イン及び３，５−ジメチル−３−ヘキセン−１−インの様な色々な「エン−イン」系、３，５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール、１−エチニル−１−シクロヘキサノール及び２−フェニル−３−ブチン−２−オールの様なアセチレンアルコール、良く知られているジアルキル、ジアルケニル及びジアルコキシアルキルフマル酸とマレイン酸の様なマレイン酸及びフマル酸、及びシクロビニルシロキサンを含む。アセチレンアルコールは、本発明のシリコーン組成物において好まれた種類の抑制剤を構成する。
【００４２】
本シリコーン組成物において、白金触媒抑制剤の濃度は、昇温したとき硬化することを邪魔すること又は過度に遅延することが無く、室温で組成物の硬化を遅延することに充分な量である。この濃度は、使用した特定の抑制剤、ヒドロシリル化触媒の種類及び濃度、及び有機水素ポリシロキサンの種類に依存し広範に変化する。
【００４３】
白金族金属のモルあたり抑制剤の１モルと同じくらい低い抑制剤濃度は、いくらかの実施例中において満足な保存安定性と硬化速度をもたらすであろう。他の実施例において、白金族金属のモルあたり抑制剤の５００モルまで又はそれ以上のモルの抑制剤濃度が要求され得る。与えられたシリコン組成物における特定の抑制剤に関する最適濃度は慣例の実験によりたやすく決定されることができる。
【００４４】
本発明のシリコーン組成物は、追加の成分も含むことができる。但し、その成分は、本発明の方法において組成物の光パターニング(photopatterning)又は硬化に反対の影響を及ぼさない限り含むことができる。追加の成分の例は、粘着促進剤、溶媒、無機増量剤、光増感剤及び界面活性剤を含むが、この限りではない。
【００４５】
本発明のシリコーン組成物は、組成物の粘度を低くするため及び調製、取り扱い及び組成物の応用を促進するために少なくとも一つの有機溶媒の適量をさらに含むことができる。好適な溶媒の例は、１〜約２０の炭素原子を有する飽和炭化水素、キシレン及びメシチレンの様な芳香炭化水素、ミネラルスピリット、炭化水素ハロゲン化物(halohydrocarbons)、エステル、ケトン、直鎖、分枝及び環状ポリジメチルシロキサンの様なシリコーン流体、及びそのような溶媒の混合物を含むがこの限りではない。本シリコーン組成物における特定の溶媒の最大濃度は慣例の実験により容易に決定されることができる。
【００４６】
本発明のシリコーン組成物は、単一部分において成分（Ａ）から（Ｃ）までを含む一部分組成物でもよく、又代わりに、二つ若しくはそれ以上の部分において成分（Ａ）から（Ｃ）までを含む多部分組成物であることもできる。多部分組成物において、成分（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、もし抑制剤もまた存在しなければ同じ部分には典型的に存在しない。例えば、多部分シリコーン組成物は、成分（Ａ）の部分と成分（Ｂ）の部分を含有する第一部と成分（Ａ）の残余部分と成分（Ｃ）の全部を含有する第二部を含むことができる。
【００４７】
本発明の一部分シリコーン組成物は、上記したような定まった割合において、室温で溶媒の助けの有り又は無しで（Ａ）から（Ｃ）までの成分といかなる任意の成分を組合わせることにより典型的に調製される。もしシリコーン組成物が直ちに使用されるべきなら、色々な成分の追加の順序は重大では無いけれども、ヒドロシリル化触媒は組成物の早すぎる硬化を防ぐために約３０度以下の温度で最後に加えられるのが好ましい。また、本発明の多部分シリコーン組成物は、各部分に関して示した特定の成分を組合わせることにより調製されることもできる。
【００４８】
本発明による好ましい半導体パッケージは図２に示される。明らかにするために単一のボンドパッドを有するウェーハーの一部分のみが示された。図２で示されたように、半導体パッケージは、少なくとも一つの集積回路（示していない）を含む活性表面を有する半導体ウェーハー１０を含む。この中で各集積回路は多数のボンドパッド２０、ボンドパッドを除いてウェーハーの活性表面を覆っている硬化したシリコーン層３０、各ボンドパッド２０に付いた近位の端及びシリコーン層３０の表面の上に位置している遠位の端を有する金属トレース４０、各トレース４０の遠位の端に付いたはんだ隆起５０、ボンドパッド２０、シリコーン層３０及び金属トレース４０を覆っているはんだマスク６０を有する。
【００４９】
金属トレースは、ＩＣ上の周辺のボンドパッドを領域配列形状(area array configuration)にリルート(reroute)又は再配置する。トレースは電気伝導金属又は合金を含む。金属の例は、クロム、チタン、銅、金及びニッケルを含む。好ましくは、金属トレースは、チタン／ニッケル／銅の三層系から成る。ここでチタンは粘着層、ニッケルは拡散障壁、銅は主要なトレース金属である。好ましくは、はんだマスクは、本発明のシリコーン組成物の硬化した製品である。本発明のシリコーン組成物のない前記のウェーハーレベル設計は、当該技術分野で良く知られている。例えば、Kang等は、応力緩和層としての修正ポリイミド、ベンゾシクロブテンから成るはんだマスク、及び金属ランナー及びはんだボールからなる再配置ネットワークを含有するウェーハーレベルでのチップスケールパッケージを報告している（Electronic Components and Technology Conference Proceeding, 2000, 87-92)
【００５０】
本発明による半導体パッケージの調製方法は下記の段階を含む。
（i）フィルムを形成するために半導体ウェーハーの活性表面にシリコーン組成物を適用する段階。この中で、活性表面は少なくとも一つの集積回路を含み、各集積回路は多数のボンドパッドを有する。そして、シリコーン組成物は下記を含む。
（Ａ）一分子あたり平均少なくとも２つのシリコンに結合したアルケニル基を含有する有機ポリシロキサン。
（Ｂ）組成物を硬化するのに充分な濃度において、一分子あたり平均少なくとも２つのシリコンに結合した水素原子を含有する有機シリコン化合物。
（Ｃ）光活性ヒドロシリル化触媒の触媒量。
（ii）各ボンドパッドの少なくとも一部を覆っている無露光領域及び活性表面の残部を覆っている露光領域を有する部分的に露光したフィルムを製造する為に１５０〜８００ｎｍの波長を有する放射光にフィルムの一部をさらす段階。
（iii）露光領域が現像溶媒に実質的に不溶解となり、そして無露光領域が現像溶媒に溶解できるようになる時間のあいだ、部分的に露光したフィルムを加熱する段階。
（iv）現像溶媒で加熱したフィルムの無露光領域を除去して、パターン化フィルムを形成する段階。
（v）硬化したシリコーン層を形成するのに充分な時間のあいだ、パターン化フィルムを加熱する段階。
【００５１】
シリコーン組成物は、スピンコーティング、ディッピング、スプレイング若しくはスクリーンプリンティングのようないかなる従来の方法でも使い、半導体ウェーハーの活性表面に適用されることができる。好ましくは、シリコーン組成物は５〜６０秒の間に５００〜６０００ｒｐｍの速度でスピンコーティングすることにより適用される。スピンコーティング法で適用されたシリコーン組成物の量は、典型的に０．１〜５ｍＬである。スピン速度、スピン時間及びシリコーン組成物の量は、０．１〜２００μｍの厚さを有する硬化したシリコーンフィルム(段階 v)を製造するために調製されることができる。
【００５２】
シリコーン組成物が溶媒を含むとき、その方法はフィルムから溶媒の少なくとも一部を除去することをさらに含む。好ましくは、溶媒は１〜５分の間に５０〜１５０℃の温度でフィルムを加熱することにより除去される。より好ましくは、溶媒は２〜４分の間に８０〜１２０℃の温度でフィルムを加熱することにより除去される。
【００５３】
結果として生じたシリコーンフィルムの一部分は、各ボンドパッドの少なくとも一部を覆っている無露光領域及びウェーハーの活性表面の残部を覆っている露光領域を有する部分的に露光したフィルムを製造する為に放射光にさらされる。ウェーハーが刻んだライン(scribe line)をさらに含む時、ラインの上に重なっているシリコーン組成物は典型的に放射光にさらされない。典型的に使用される光源は、中間圧水銀アークランプ(medium pressure mercury-arc lamp)である。放射光の波長は、典型的に１５０〜８００ｎｍであり、好ましくは２５０〜４５０ｎｍである。放射光の線量は、典型的に０．１〜５，０００ｍＪ／ｃｍ2であり、好ましくは２５０〜１，３００ｍＪ／ｃｍ2である。フィルムの選択された領域は、像のパターンを有するフォトマスクを通して放射光にさらされる。
【００５４】
部分的に露光フィルムは、放射光にさらされた領域（「露光領域」）が現像溶媒中において実質的に溶解できないような時間の間で加熱される。前の放射光にさらされていない領域（「無露光領域」）は現像溶媒中において溶解できる。「実質的に溶解できない」の語は、シリコーンフィルムの露光領域が、現像溶媒中においてウェーハーの基礎となっている活性表面が露出される程度まで、溶解により除去されないことを意味する。「溶解できる」の語は、シリコーンフィルムの無露光領域が、現像溶媒中においてウェーハーの基礎となっている活性表面が露出される程度まで、溶解により除去されることを意味する。部分的に露光したフィルムは、０．１〜１０分の間、５０〜２５０℃の温度で典型的に加熱され、好ましくは１〜５分の間、１００〜２００℃の温度で加熱され、より好ましくは２〜４分の間、１３５〜１６５℃の温度で加熱される。部分的に露光したフィルムは、ホットプレート又はオーブンの様な従来の装置の使用により加熱されることができる。
【００５５】
加熱したフィルムの無露光領域は、パターン化フィルムから現像溶媒を用いて除去される。現像溶媒は有機溶媒であり、これは加熱したフィルムの無露光領域が少なくとも部分的に溶解でき、及び露光領域が本質的に溶解できない。現像溶媒は３〜２０の炭素原子を典型的に有する。現像溶媒の例は、メチルイソブチルケトン及びメチルペンチルケトンの様なケトン、ｎ−ブチルエーテル及びポリエチレングリコールモノメチルエーテルの様なエーテル、エチルアセテート及びγ−ブチロールアクトンの様なエステル、ノナン、デカリン及びドデカンの様な脂肪族炭化水素、及びメシチレン、キシレン及びトルエンの様な芳香族炭化水素を含む。現像溶媒は、吹きつけ(spraying)、液浸(immersion)及びプーリング(pooling)を含むいかなる従来の方法によっても適用されることができる。好ましくは、現像溶媒は固定したウェーハーの上に溶媒のたまり(pool)を形成することにより適用され、それからウェーハーをスピン乾燥する。現像溶媒は、室温〜１００℃の温度で典型的に使用される。けれども、特定の温度は、溶媒の化学特性、溶媒の沸点、パターン形成の望んだ速度、及び該光パターニングプロセスに求められる分解能に依存するであろう。
【００５６】
パターン化フィルムは、硬化したシリコーン層を形成するのに充分な時間の量のあいだ、それから加熱される。典型的に、パターン化フィルムは、酸化又は分解が無く、シリコーンにおいて最高の架橋結合密度を達成するためのあいだ加熱される。パターン化フィルムは１〜３００分の間、５０〜３００℃の温度で典型的に加熱され、好ましくは１０〜１２０分の間、７５〜２７５℃の温度で加熱され、より好ましくは２０〜６０分の間、２００〜２５０℃の温度で加熱される。パターン化フィルムは、ホットプレート又はオーブンのような従来の装置の使用により加熱されることができる。
【００５７】
本方法（図２参照）の好ましい実施形態において、プロセスは、各ボンドパッド２０に付いた近位の端及びシリコーン層３０の表面の上に位置している遠位の端を有する金属トレース４０を形成すること、ボンドパッド２０、シリコーン層３０及び金属トレース４０を覆っているはんだマスク６０を適用すること（この中で各トレース４０の遠位の端の少なくとも一部は、はんだマスク６０を離れている）、及び各トレース４０の遠位の端の上のはんだ隆起を形成すること、をさらに含む。結果として生じた半導体パッケージは、例えば従来のウェーハー鋸の使用により、個々のＩＣチップに分割されることが出来る。
【００５８】
金属トレースは、例えばKang等により報告されたように、従来のスパッタリング、リソグラフィー及び電気メッキ技術の使用により形成されることが出来る(Electronic Components and Technology Conference, 200, 87-92)。好ましくは、はんだマスクはパッケージの表面に本発明のシリコーン組成物を適用すること、及びその組成物に金属トレースの遠位の端の上のはんだバンプ（solder bump）に開口部を生ずるために光パターニングすること、により形成される。
【００５９】
代わりに、プロセスは各ボンドパッドにバネ接点を付けること、及びパッケージを個々のＩＣチップに分割すること、をさらに含むことが出来る。バネ接点の例と半導体装置にバネ接点を取り付ける方法は当該技術分野でよく知られており、Chang等により米国特許第6,168,974号で例示されている。
【００６０】
逆に、プロセスはパッケージを個々のＩＣチップに分割すること、及び各チップをリードフレーム(leadframe)パッケージの中に組立てること、をさらに含むことができる。組立てプロセスは各チップをリードフレームに付けること、各チップ上のボンドパッドをリードフレーム上のリードに接続すること（通常ワイヤーボンディング）、及びハウジングと一緒の部分に封をすること、及び成形コンパウンドで組立て品を内部に閉じ込めること、を典型的に含む。ＤＩＰ、ＳＨ−ＤＩＰ、ＳＫ−ＤＩＰ、ＳＬ−ＤＩＰ、ＳＩＰ、ＺＩＰ、ＰＧＡ、ＳＯ、ＳＯＰ、ＬＣＣ、ＰＬＣＣ、及びＳＯＪの様なリードフレームパッケージの組立て方法は、当該技術分野でよく知られている。
【００６１】
他方では、プロセスはパッケージを個々のＩＣチップに分割すること、及び各チップをBall Grid Array（ＢＧＡ）パッケージの中に組立てること、をさらに含む。ＢＧＡパッケージに組立てる方法は、当該技術分野でよく知られている。
【００６２】
パターン化フィルムは、フィルムを成形するためにシリコーン組成物を基盤の表面に適用すること、表面の一部を覆っている無露光領域と表面の残部を覆っている露光領域を有する部分的に露光したフィルムを製造するために１５０〜８００ｎｍの波長を有する放射光にフィルムの一部をさらすこと、露光領域が現像溶媒中において実質的に溶解できず、且つ無露光領域は現像溶媒中において溶解できるような時間の間で部分的に露光したフィルムを加熱すること、及び硬化したシリコーン層を形成するのに充分な時間のあいだでパターン化フィルムを加熱すること、により製造されることも出来る。
好適な基盤には、アルミニウム、銀、銅、鉄及びそれらの合金の様な金属；シリコン；紙、木材、革及び織物の様な多孔物質；ポリエチレン及びポリプロピレンの様なポリオレフィン；ポリテトラフルオロエチレン及びポリビニルフルオリドの様なフルオロカーボンポリマー；ポリスチレン；ナイロンの様なポリアミド；ポリエステル及びアクリル性ポリマー；着色表面；セラミックス；ガラス及びガラス繊維布が含まれるがこの限りではない。
【００６３】
本発明の半導体パッケージは、広範の温度にわたり良好な熱的安定性及び良好な耐環境性を示す。さらに、本発明の半導体パッケージは、ＩＣそれ自身よりわずかに大きいだけのサイズを有する個々のチップに分割されることができる。従来のＩＣパッケージよりもより軽く、より小さく及びより薄い、これら「チップスケールパッケージ」は、高密度応用に理想的に適している。
【００６４】
本発明の半導体パッケージの調製方法は、生産能力の高い製造プロセスに達することができる。重要なことは、その方法はウェーハー上で全ＩＣの同時包装を提供する。その上、その方法は従来のウェーハー製作技術（例：コーティング、露光、現像、硬化）及び装置を使用する。さらに、その方法は光パターン可能なシリコーン組成物を使用し、その結果、光パターン可能でないポリマー組成物の使用を伴う付加的プロセスを不要にする。最後に、本発明のプロセスは高解像能を有する。つまりそのプロセスは、ウェーハー上にフォトマスクからシリコーン層に良好な限界寸法を保持して像を転写することを意味する。
【００６５】
本発明の半導体パッケージは、個々のＩＣチップパッケージを調製することに使用されることができる。チップパッケージはプリント配線基盤を製作するのに有用であり、計算機、電話機、テレビ、大型コンピュータ及びパーソナルコンピュータの様な電子機器の中に組み込まれることができる。
【実施例】
【００６６】
下記の実施例は、本発明のシリコーン組成物を光パターニングする方法をより説明するように示されたが、添付の請求の範囲に言及されている本発明を限定するものとして考慮されるのではなく、別に特記しない限り、実施例中で報告した全ての部分及びパーセンテージは、重量によるものである。下記の方法及び物質は実施例中で使用された。
【００６７】
シリコーンフィルムの照射は、３６５±２ｎｍ（Ｉライン）に中心がある直径４インチの干渉フィルターを備え、及び１０±２ｎｍの半値幅を有するＯＡＩ７インチ中間圧水銀放射光ランプ(medium pressure mercury projection lamp)を使用することで実行された(Optics Automation Instrumentation, Milpitas, CA)。放射線量（ｍＪ／ｃｍ2）は、Ｉラインに対して基準化した国際光ラジオメーターを使うことで測定された。
【００６８】
シリコンウェーハー上の硬化したシリコーンフィルムの厚さは、Tencor P-11 surface profilometer(KLA Tencor, Milpitas, CA)を使用することで決定された。フィルム厚さは、ウェーハーのコートした表面とコートされてない表面の間の段差で測定された。厚さについて報告した値は、ミクロン単位で表し、同じウェーハーの異なる領域で行った３回の測定の平均で表す。
【００６９】
フィルム保持は、パーセント表示で表し、式：
フィルム保持（％）＝ｔ2／ｔ1×１００
により計算された。ここで、ｔ2は以下の実施例における方法により製造した硬化したパターンドシリコーンフィルムの厚さであり、ｔ1は、ＵＶ露光の段階、露光後加熱及び現像（ｎ−ブチルエーテルで処理）を除く以外は、同様の方法の使用により調製したシリコーンフィルムの厚さである。後者の場合において、パターンドしてない硬化したシリコーンフィルムの一部は、ウェーハー表面を露出させるために除去される。厚さ測定は上記で述べたようにして実行された。
【００７０】
光パターニングプロセスの分解能は、フォトマスクにおける２５０μ円口径（実例１〜３）又は４０μ円口径（実例４〜３３）に対応するシリコーンフィルムにおける地形(feature)の大きさを測定することにより決定された。測定は、Image Pro Plus像分析ソフトウェア（Silver Spring, MD)を使用することを経由したデジタル化顕微鏡写真で行われた。分解能について報告した値は、ミクロン単位で表し、同じウェーハーの異なる地形で行った４回の測定の平均で表す。
【００７１】
樹脂：本質的にＣＨ2＝ＣＨ（ＣＨ3）2ＳｉＯ1/2単位、（ＣＨ3）3ＳｉＯ1/2単位及びＳｉＯ4/2単位からなる有機ポリシロキサン樹脂であり、この中でＳｉＯ4/2単位に結合したＣＨ2＝ＣＨ（ＣＨ3）2ＳｉＯ1/2単位と（ＣＨ3）3ＳｉＯ1/2単位のモル比は約０．７であり、その樹脂は約２２，０００の重量平均モル重量と約５の多分散性(polidispersity)を有し、及びビニル基の約５．５モルパーセント（１．８重量％）を含有する。
【００７２】
架橋剤：一分子あたり平均９２のジメチルシロキサン単位と６のメチル水素シロキサン単位を有するトリメチルシロキシ末端ポリ（ジメチルシロキサン／メチル水素シロキサン）の８８％；シリコンに結合した水素原子約の０．０８％；ジメチルメチル水素シクロシロキサンの４％；オクタメチルシクロテトラシロキサンの４％；デカメチルシクロペンタシロキサンの３％及びジメチルシクロシロキサン（Ｄ６又はそれ以上）の１％からなる混合物。
【００７３】
シリコーン基部(base)：樹脂の６１．３２％；一分子あたり平均１００のジメチルシロキサン単位と９のメチル水素シロキサン単位を有するトリメチルシロキシ末端ポリ（ジメチルシロキサン／メチル水素シロキサン）の８８％、及び約シリコンに結合した水素原子の０．１１％、ジメチルメチル水素シクロシロキサンの５％、オクタメチルシクロテトラシロキサンの３％、デカメチルペンタシロキサンの２％、メチル水素シクロシロキサンの１％及びジメチルシクロシロキサンＤ６又はそれ以上）の０．８％を含有する混合物の２２．０９％；一分子あたり平均３のジメチルシロキサン単位と５のメチル水素シロキサンを有し、シリコンに結合した水素原子の０．８％を含有するトリメチルシロキシ末端ポリ（ジメチルシロキサン／メチル水素シロキサン）の２．３３％；及びミシチレンの１４．２７％からなる混合物。シリコーン基部は、密封した琥珀色ボトルで保存された。
【００７４】
触媒Ａ〜Ｅを調製するために使用された白金（II）アセチルアセトネートは、Stream Chemicals(Newburyport, MA)から得られた。その物質は１４０℃の温度及び４ｍｍＨｇの圧で昇華することにより精製された。
【００７５】
触媒Ａ：メシチレン中で白金（II）アセチルアセトネートの０．０５％からなる混合物。
【００７６】
触媒Ｂ：メシチレン中で白金（II）アセチルアセトネートの０．１０％からなる混合物。
【００７７】
触媒Ｃ：メシチレン中で白金（II）アセチルアセトネートの０．１５％からなる混合物。
【００７８】
触媒Ｄ：メシチレン中で白金（II）アセチルアセトネートの０．２０％からなる混合物。
【００７９】
触媒Ｃ：メシチレン中で白金（II）アセチルアセトネートの０．２５％からなる混合物。
【００８０】
メシチレン：Ａ．Ｃ．Ｓ．試薬グレード
【００８１】
（実施例１−３）
樹脂（４６．８４部）、架橋剤４２．１６部及びメシチレン１０．１２部を、琥珀色ボトル中で混合した。触媒Ｄ（０．８９部）は混合物に加えられ、混合は室温で０．５時間続けられた。その混合物は、直列に１０μｍと５μｍのナイロン膜を含むステンレススチール缶(stainless steel canister)を通すことにより、それのあと圧力濾過された（１３８〜２７６ｋＰａ窒素）。シリコーン組成物（濾液）は、アルミニウム箔で包まれた密閉ポリエチレンボトルの中に−１５℃で使用する前に保存された。
【００８２】
各例１〜３において、室温のシリコーン組成物（約２．５ｇ）は、１００ｍｍシリコンウェーハーに適用され、回転により薄いフィルムにした（５００ｒｐｍで１０秒間、続いて３０００ｒｐｍで３０秒間）。コートされたウェーハーは殆んどの溶媒を除去するために２分間１１０℃でホットプレート上で加熱された。フィルムは、２５０μｍ円開口を有し、フィルムと近くで接触しているフォトマスクを通して、Ｉライン放射光（３６５ｎｍ）にそのあとさらされた。ウェーハーは、表１に明記した温度及び時間の条件下においてホットプレート上でそのあと加熱された。ウェーハーは室温まで放冷され、スピンコーター（spin coater)の上に装置された。ウェーハーのコートした表面は、ノナンであふれていて、２分間室温で静置された。ウェーハーはそのあとスピンドライされ（５００ｒｐｍで１０秒間、続いて３０００ｒｐｍで３０秒間）、２５０℃で３０分間オーブンの中に置かれ、室温まで放冷される。各ウェーハーのフィルム厚さ、フィルム保持及び分解能値は、表１の中で報告される。
【００８３】
【表１】
（実施例４−３３）
各実施例４〜３４において、シリコーン組成物は、表２の中で明記した触媒とシリコーン基材を下記の手順により混合することにより調製された。シリコーン基材（９９．１５部）と触媒の０．８５部は琥珀色ボトルの中で化合され、室温で０．５時間混合した。混合物は、直列に１０μｍと５μｍのナイロン膜を含むステンレススチール缶を通すことによりそのあと圧力濾過された（１３８〜２７６ｋＰａ窒素）。シリコーン組成物（濾液）は、アルミニウム箔で包まれた密閉ポリエチレンボトルの中に−１５℃で使用する前に保存された。
【００８５】
室温のシリコーン組成物のサンプル（約２．５ｇ）は、１００ｍｍシリコンウェーハーに適用され、回転によりと薄いフィルムにした（５００ｒｐｍで１０秒間、続いて３０００ｒｐｍで３０秒間）。コートされたウェーハーは殆んどの溶媒を除去するために２分間１１０℃でホットプレート上で加熱された。フィルムは、４０μｍ円開口を有し、フィルムと近くで接触しているフォトマスクを通して、Ｉライン放射光（３６５ｎｍ）にそのあとさらされた。ウェーハーは、表２に明記した温度及び時間の条件下においてホットプレート上でそのあと加熱された。ウェーハーは室温まで放冷され、スピンコーター（spin coater)の上に装置された。ウェーハーのコートした表面は、ｎ−ブチルエーテルであふれていて、２分間室温で静置された。ウェーハーはそのあとスピンドライされ（５００ｒｐｍで１０秒間、続いて３０００ｒｐｍで３０秒間）、２５０℃で３０分間オーブンの中に置かれ、室温まで放冷された。各ウェーハーのフィルム厚さ、フィルム保持及び分解能値は、表２の中で報告される。
【００８６】
【表２】
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】本発明による半導体パッケージの横断面図
【図２】各ボンドパッドに接着した金属トレースをさらに含む本発明による半導体パッケージの横断面図
Claims (10)
- （i）フィルムを形成するために基盤の表面に、
（Ａ）一分子あたり平均少なくとも２つのシリコンに結合したアルケニル基を含有する有機ポリシロキサンと、
（Ｂ）組成物を硬化するのに充分な濃度において、一分子あたり平均少なくとも２つのシリコンに結合した水素原子を含有する有機シリコン化合物と、
（Ｃ）光活性ヒドロシリル化触媒の触媒量と、
を含むシリコーン組成物を適用する段階と、
（ii）表面の一部を覆っている無露光領域及び表面の残部を覆っている露光領域を有する部分的に露光したフィルムを製造する為に１５０〜８００ｎｍの波長を有する放射光にフィルムの一部をさらす段階と、
（iii）露光領域が現像溶媒に実質的に不溶解となり、そして無露光領域が現像溶媒に溶解できるようになる時間のあいだ、部分的に露光したフィルムを加熱する段階と、
（iv）現像溶媒で加熱したフィルムの無露光領域を除去して、パターン化フィルムを形成する段階と、
（v）硬化したシリコーン層を形成するのに充分な時間のあいだ、パターン化フィルムを加熱する段階と、
により特徴付けられた、パターン化フィルムを製造する方法。 - 基盤は半導体ウェーハーを含み、表面は半導体ウェーハーの活性表面を含み、活性表面は少なくとも一つの集積回路を含み、各集積回路は多数のボンドパッドを有する請求項１に記載の方法。
- ウェーハーがストリートをさらに含む請求項２に記載の方法。
- 硬化したシリコーン層の厚さが１〜５０μｍである請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
- 成分（Ａ）が本質的にＲ1 3ＳｉＯ1/2シロキサン単位とＳｉＯ4/2シロキサン単位からなる有機ポリシロキサン樹脂であり、各Ｒ1は一価炭化水素及び一価ハロゲン化炭化水素基から独立して選択され、有機ポリシロキサン樹脂におけるＳｉＯ4/2単位に対するＲ1 3ＳｉＯ1/2単位のモル比が０．６〜１．９である請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
- 成分（Ｂ）が有機水素ポリシロキサンである請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
- 成分（Ｂ）の濃度が成分（Ａ）中のアルケニル基あたり０．７〜１．２のシリコンに結合した水素原子を提供するに充分である請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
- 光活性触媒が白金（II）βジケトネートである請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
- シリコーン組成物が、さらに有機溶媒を含む請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
- 請求項２〜９のいずれか一項に記載の方法により調製された半導体パッケージ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/789,083 US6617674B2 (en) | 2001-02-20 | 2001-02-20 | Semiconductor package and method of preparing same |
| PCT/US2002/001263 WO2002067292A2 (en) | 2001-02-20 | 2002-01-17 | Semiconductor package and method of preparing same |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004530288A true JP2004530288A (ja) | 2004-09-30 |
| JP2004530288A5 JP2004530288A5 (ja) | 2008-06-05 |
| JP4226905B2 JP4226905B2 (ja) | 2009-02-18 |
Family
ID=25146536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002566524A Expired - Lifetime JP4226905B2 (ja) | 2001-02-20 | 2002-01-17 | 半導体パッケージおよびその調製方法 |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6617674B2 (ja) |
| EP (1) | EP1362364B1 (ja) |
| JP (1) | JP4226905B2 (ja) |
| KR (1) | KR100813821B1 (ja) |
| CN (3) | CN101581880B (ja) |
| AT (1) | ATE494629T1 (ja) |
| AU (1) | AU2002248357A1 (ja) |
| CA (1) | CA2438126A1 (ja) |
| DE (1) | DE60238823D1 (ja) |
| TW (1) | TW563210B (ja) |
| WO (2) | WO2002067292A2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004152883A (ja) * | 2002-10-29 | 2004-05-27 | Shinko Electric Ind Co Ltd | キャパシタ素子及びこの製造方法、半導体装置用基板、並びに半導体装置 |
| JP2004152884A (ja) * | 2002-10-29 | 2004-05-27 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置用基板及びこの製造方法、並びに半導体装置 |
| JP2009501091A (ja) * | 2005-06-02 | 2009-01-15 | ダウ・コーニング・コーポレイション | ナノパターニング方法、硬化されたレジストフィルム及び該レジストフィルムを含有する物品 |
| JP2009533531A (ja) * | 2006-04-11 | 2009-09-17 | ダウ コーニング コーポレイシヨン | 低熱変形シリコーン複合体モールド |
| JP4654200B2 (ja) * | 2003-11-17 | 2011-03-16 | ダウ・コーニング・コーポレイション | 硬化されたシリコーン樹脂基材のエンボス加工方法 |
| JP2013540872A (ja) * | 2010-10-29 | 2013-11-07 | ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフト | 光架橋性の非常に透明なシリコーン混合物 |
| JP2013241597A (ja) * | 2005-06-14 | 2013-12-05 | Dow Corning Corp | 強化シリコーン樹脂フィルム及びそれらを調製する方法 |
| JP2018507290A (ja) * | 2015-02-03 | 2018-03-15 | ダウ コーニング コーポレーションＤｏｗ Ｃｏｒｎｉｎｇ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 硬化性シリコーン配合物及び関連する硬化生成物、方法、物品、並びにデバイス |
Families Citing this family (43)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6617674B2 (en) * | 2001-02-20 | 2003-09-09 | Dow Corning Corporation | Semiconductor package and method of preparing same |
| DE10144467B4 (de) * | 2001-09-10 | 2006-07-27 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Sensorbauteil und Verfahren zu seiner Herstellung |
| US6836023B2 (en) * | 2002-04-17 | 2004-12-28 | Fairchild Semiconductor Corporation | Structure of integrated trace of chip package |
| US6905904B2 (en) | 2002-06-24 | 2005-06-14 | Dow Corning Corporation | Planar optical waveguide assembly and method of preparing same |
| US6907176B2 (en) | 2002-06-24 | 2005-06-14 | Dow Corning Corporation | Planar optical waveguide assembly and method of preparing same |
| US7145229B2 (en) * | 2002-11-14 | 2006-12-05 | The Regents Of The University Of California | Silicone metalization |
| US20040102022A1 (en) * | 2002-11-22 | 2004-05-27 | Tongbi Jiang | Methods of fabricating integrated circuitry |
| US20070160936A1 (en) * | 2003-06-23 | 2007-07-12 | Gardner Geoffrey B | Adhesion method using gray-scale photolithography |
| DE10394275T5 (de) * | 2003-07-28 | 2006-06-22 | Dow Corning Corp., Midland | Verfahren zur Ätzung einer Siliconschicht in Musterform |
| DE102004005562A1 (de) * | 2004-02-03 | 2005-08-25 | Kettenbach Gmbh & Co. Kg | Über Hydrosilylierungs-Reaktion additionsvernetzende Zweikomponenten-Dentalmaterial mit starren und/oder voluminösen Gruppen sowie mit hoher Biegefestigkeit und E-Modul |
| US7208344B2 (en) * | 2004-03-31 | 2007-04-24 | Aptos Corporation | Wafer level mounting frame for ball grid array packaging, and method of making and using the same |
| DE102004036573A1 (de) * | 2004-07-28 | 2006-03-23 | Ge Bayer Silicones Gmbh & Co. Kg | Verwendung lichtaktivierbarer, härtbarer Silikonzusammensetzungen zur Herstellung von dickwandigen Formartikeln oder dickwandigen Beschichtungen |
| EP2653923A1 (en) | 2004-08-11 | 2013-10-23 | Dow Corning Corporation | Method for forming semipermeable membranes for sensor applications using photopolymerizable silicone materials |
| DE602005009971D1 (de) * | 2004-11-19 | 2008-11-06 | Dow Corning | Zusammensetzung aus organohydrogenpolysiloxanharz und silizium |
| WO2006088645A1 (en) * | 2005-02-16 | 2006-08-24 | Dow Corning Corporation | Reinforced silicone resin film and method of preparing same |
| US8092910B2 (en) * | 2005-02-16 | 2012-01-10 | Dow Corning Toray Co., Ltd. | Reinforced silicone resin film and method of preparing same |
| WO2006093639A1 (en) * | 2005-03-01 | 2006-09-08 | Dow Corning Corporation | Temporary wafer bonding method for semiconductor processing |
| JP2006303452A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-11-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP4055015B2 (ja) * | 2005-04-04 | 2008-03-05 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| WO2007018756A1 (en) | 2005-08-04 | 2007-02-15 | Dow Corning Corporation | Reinforced silicone resin film and method of preparing same |
| KR100647483B1 (ko) * | 2005-08-19 | 2006-11-23 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지의 배선 구조물 및 이의 제조 방법, 이를이용한 웨이퍼 레벨 패키지 및 이의 제조 방법 |
| ATE517947T1 (de) | 2005-12-21 | 2011-08-15 | Dow Corning | Silikonharzfilm, herstellungsverfahren dafür und nanomaterialgefüllte silikonzusammensetzung |
| EP1973964B1 (en) | 2006-01-19 | 2011-07-06 | Dow Corning Corporation | Silicone resin film, method of preparing same, and nanomaterial-filled silicone compositon |
| ATE516331T1 (de) * | 2006-02-02 | 2011-07-15 | Dow Corning | Silikonharzfilm, herstellungsverfahren dafür und mit nanomaterial gefüllte silikonzusammensetzung |
| US7449785B2 (en) * | 2006-02-06 | 2008-11-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Solder bump on a semiconductor substrate |
| US8084097B2 (en) * | 2006-02-20 | 2011-12-27 | Dow Corning Corporation | Silicone resin film, method of preparing same, and nanomaterial-filled silicone composition |
| JP2007258317A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2007266191A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Nec Electronics Corp | ウェハ処理方法 |
| CN101461057A (zh) * | 2006-06-05 | 2009-06-17 | 陶氏康宁公司 | 电子组件及其制备方法 |
| WO2008021125A2 (en) * | 2006-08-14 | 2008-02-21 | Dow Corning Corporation | Method of preparing a patterned film with a developing solvent |
| US7538021B2 (en) * | 2006-09-20 | 2009-05-26 | Intel Corporation | Removing dry film resist residues using hydrolyzable membranes |
| SG175559A1 (en) * | 2006-09-25 | 2011-11-28 | Advanced Tech Materials | Compositions and methods for the removal of photoresist for a wafer rework application |
| EP2117835A1 (en) | 2007-02-22 | 2009-11-18 | Dow Corning Corporation | Reinforced silicone resin films |
| EP2117836B1 (en) | 2007-02-22 | 2012-11-07 | Dow Corning Corporation | Reinforced silicone resin films |
| US7834449B2 (en) * | 2007-04-30 | 2010-11-16 | Broadcom Corporation | Highly reliable low cost structure for wafer-level ball grid array packaging |
| KR20100017500A (ko) * | 2007-05-01 | 2010-02-16 | 다우 코닝 코포레이션 | 나노물질-충전된 실리콘 조성물 및 강화 실리콘 수지 필름 |
| US7872347B2 (en) * | 2007-08-09 | 2011-01-18 | Broadcom Corporation | Larger than die size wafer-level redistribution packaging process |
| US8017246B2 (en) * | 2007-11-08 | 2011-09-13 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Silicone resin for protecting a light transmitting surface of an optoelectronic device |
| US20100264522A1 (en) * | 2009-04-20 | 2010-10-21 | Chien-Pin Chen | Semiconductor device having at least one bump without overlapping specific pad or directly contacting specific pad |
| US8643164B2 (en) * | 2009-06-11 | 2014-02-04 | Broadcom Corporation | Package-on-package technology for fan-out wafer-level packaging |
| WO2011100030A1 (en) | 2010-02-12 | 2011-08-18 | Dow Corning Corporation | Temporary wafer bonding method for semiconductor processing |
| TW201601358A (zh) * | 2014-06-19 | 2016-01-01 | 道康寧公司 | 用於晶圓級ｚ軸熱中介層的可光圖案化聚矽氧 |
| TWI678551B (zh) | 2015-07-28 | 2019-12-01 | 美商道康寧公司 | 智慧型光學材料、配方、方法、用途、物品、及裝置 |
Family Cites Families (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1369989A (en) | 1970-11-27 | 1974-10-09 | Dow Corning Ltd | Organopolysiloxane elastomers |
| US3723497A (en) | 1971-11-19 | 1973-03-27 | Dow Corning | Silicone compositions catalyzed with platinum ii diacetylacetonate |
| US4064027A (en) | 1973-09-28 | 1977-12-20 | Dow Corning Corporation | UV curable composition |
| DE2736499C2 (de) | 1977-08-12 | 1990-03-29 | Wacker-Chemie GmbH, 8000 München | Verfahren zum Herstellen von klebrige Stoffe abweisenden Überzügen |
| JPS5987840A (ja) | 1982-11-10 | 1984-05-21 | Toray Silicone Co Ltd | 半導体装置 |
| FR2597110A1 (fr) | 1986-04-14 | 1987-10-16 | Rhone Poulenc Multi Tech | Composition organopolysiloxane, potentiellement reticulable et utilisable notamment en microlithographie, et son procede d'application |
| US5045918A (en) | 1986-12-19 | 1991-09-03 | North American Philips Corp. | Semiconductor device with reduced packaging stress |
| US5171716A (en) | 1986-12-19 | 1992-12-15 | North American Philips Corp. | Method of manufacturing semiconductor device with reduced packaging stress |
| US5145886A (en) | 1988-05-19 | 1992-09-08 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Radiation activated hydrosilation reaction |
| US5091103A (en) * | 1990-05-01 | 1992-02-25 | Alicia Dean | Photoresist stripper |
| KR950002874B1 (ko) | 1990-06-25 | 1995-03-27 | 마쯔시다덴시고오교오 가부시기가이샤 | 광 또는 방사선감응성 조성물과 패턴형성방법과 포토마스크의 제조방법 및 반도체 |
| US5679977A (en) * | 1990-09-24 | 1997-10-21 | Tessera, Inc. | Semiconductor chip assemblies, methods of making same and components for same |
| US5678301A (en) * | 1991-06-04 | 1997-10-21 | Micron Technology, Inc. | Method for forming an interconnect for testing unpackaged semiconductor dice |
| US5290397A (en) * | 1992-08-21 | 1994-03-01 | Cornell Research Foundation, Inc. | Bilayer resist and process for preparing same |
| US5854302A (en) * | 1993-04-29 | 1998-12-29 | The Dow Chemical Company | Partially polymerized divinylsiloxane linked bisbenzocyclobutene resins and methods for making said resins |
| US5834339A (en) * | 1996-03-07 | 1998-11-10 | Tessera, Inc. | Methods for providing void-free layers for semiconductor assemblies |
| US6211572B1 (en) * | 1995-10-31 | 2001-04-03 | Tessera, Inc. | Semiconductor chip package with fan-in leads |
| US6284563B1 (en) | 1995-10-31 | 2001-09-04 | Tessera, Inc. | Method of making compliant microelectronic assemblies |
| CN1178230A (zh) * | 1996-07-30 | 1998-04-08 | 日本化药株式会社 | 半导体封装用环氧树脂液体组合物 |
| JP3639088B2 (ja) * | 1997-06-06 | 2005-04-13 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置及び配線テープ |
| CN1244038A (zh) * | 1998-08-04 | 2000-02-09 | 长兴化学工业股份有限公司 | 半导体封装用树脂组合物 |
| US6103552A (en) | 1998-08-10 | 2000-08-15 | Lin; Mou-Shiung | Wafer scale packaging scheme |
| JP4174174B2 (ja) * | 2000-09-19 | 2008-10-29 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置およびその製造方法並びに半導体装置実装構造体 |
| US6617674B2 (en) * | 2001-02-20 | 2003-09-09 | Dow Corning Corporation | Semiconductor package and method of preparing same |
-
2001
- 2001-02-20 US US09/789,083 patent/US6617674B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-01-17 AT AT02717346T patent/ATE494629T1/de not_active IP Right Cessation
- 2002-01-17 CN CN2009101456222A patent/CN101581880B/zh not_active Expired - Lifetime
- 2002-01-17 WO PCT/US2002/001263 patent/WO2002067292A2/en active Application Filing
- 2002-01-17 EP EP02717346A patent/EP1362364B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-01-17 CA CA002438126A patent/CA2438126A1/en not_active Abandoned
- 2002-01-17 AU AU2002248357A patent/AU2002248357A1/en not_active Abandoned
- 2002-01-17 CN CNA028052404A patent/CN1514954A/zh active Pending
- 2002-01-17 JP JP2002566524A patent/JP4226905B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2002-01-17 DE DE60238823T patent/DE60238823D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-01-17 KR KR1020037010941A patent/KR100813821B1/ko active IP Right Grant
- 2002-01-25 TW TW091101261A patent/TW563210B/zh not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-07-28 CN CNA038269651A patent/CN1820230A/zh active Pending
- 2003-07-28 WO PCT/US2003/023601 patent/WO2005017627A1/en active Application Filing
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004152883A (ja) * | 2002-10-29 | 2004-05-27 | Shinko Electric Ind Co Ltd | キャパシタ素子及びこの製造方法、半導体装置用基板、並びに半導体装置 |
| JP2004152884A (ja) * | 2002-10-29 | 2004-05-27 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置用基板及びこの製造方法、並びに半導体装置 |
| JP4654200B2 (ja) * | 2003-11-17 | 2011-03-16 | ダウ・コーニング・コーポレイション | 硬化されたシリコーン樹脂基材のエンボス加工方法 |
| JP2009501091A (ja) * | 2005-06-02 | 2009-01-15 | ダウ・コーニング・コーポレイション | ナノパターニング方法、硬化されたレジストフィルム及び該レジストフィルムを含有する物品 |
| JP4834866B2 (ja) * | 2005-06-02 | 2011-12-14 | ダウ・コーニング・コーポレイション | ナノパターニング方法、硬化されたレジストフィルム及び該レジストフィルムを含有する物品 |
| JP2013241597A (ja) * | 2005-06-14 | 2013-12-05 | Dow Corning Corp | 強化シリコーン樹脂フィルム及びそれらを調製する方法 |
| JP2009533531A (ja) * | 2006-04-11 | 2009-09-17 | ダウ コーニング コーポレイシヨン | 低熱変形シリコーン複合体モールド |
| KR101358066B1 (ko) * | 2006-04-11 | 2014-02-06 | 다우 코닝 코포레이션 | 열변형이 적은 실리콘 복합 모울드 |
| JP2013540872A (ja) * | 2010-10-29 | 2013-11-07 | ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフト | 光架橋性の非常に透明なシリコーン混合物 |
| JP2018507290A (ja) * | 2015-02-03 | 2018-03-15 | ダウ コーニング コーポレーションＤｏｗ Ｃｏｒｎｉｎｇ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 硬化性シリコーン配合物及び関連する硬化生成物、方法、物品、並びにデバイス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101581880A (zh) | 2009-11-18 |
| CN1820230A (zh) | 2006-08-16 |
| CN1514954A (zh) | 2004-07-21 |
| KR20030080012A (ko) | 2003-10-10 |
| CA2438126A1 (en) | 2002-08-29 |
| CN101581880B (zh) | 2011-12-14 |
| TW563210B (en) | 2003-11-21 |
| WO2005017627A1 (en) | 2005-02-24 |
| AU2002248357A1 (en) | 2002-09-04 |
| ATE494629T1 (de) | 2011-01-15 |
| EP1362364B1 (en) | 2011-01-05 |
| WO2002067292A2 (en) | 2002-08-29 |
| WO2002067292A3 (en) | 2002-12-19 |
| EP1362364A2 (en) | 2003-11-19 |
| KR100813821B1 (ko) | 2008-03-17 |
| DE60238823D1 (de) | 2011-02-17 |
| JP4226905B2 (ja) | 2009-02-18 |
| US6617674B2 (en) | 2003-09-09 |
| US20020158317A1 (en) | 2002-10-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4226905B2 (ja) | 半導体パッケージおよびその調製方法 | |
| US8486615B2 (en) | Photopolymerizable silicone materials forming semipermeable membranes for sensor applications | |
| JP2005531029A5 (ja) | ||
| EP1523525B1 (en) | Planar optical waveguide assembly and method of preparing same | |
| KR101067056B1 (ko) | 감광성 수지 조성물, 절연막, 보호막 및 전자기기 | |
| JP2017518647A (ja) | ウェハレベルｚ軸サーマルインターポーザ用の光パターン化可能シリコーン | |
| JPS60147732A (ja) | オルガノシリコン組成物 | |
| EP1636653B1 (en) | Adhesion method using gray-scale photolithography | |
| US7517808B2 (en) | Method for forming and removing a patterned silicone film | |
| EP2052292B1 (en) | Method of preparing a patterned film with a developing solvent |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050117 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071225 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080325 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080401 |
|
| A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20080409 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20081028 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081127 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111205 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4226905 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111205 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121205 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121205 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131205 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |