JP2004128505A - 不揮発性メモリ装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 不揮発性メモリ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板上に第1領域では第1間隔に配置されて前記第1領域に接した第2領域では前記第1間隔より広い第2間隔に配置される複数個の積層型ゲート構造物が形成される。それぞれの積層型ゲート構造物の両側壁上に低誘電率の絶縁物質で成り立った第1ゲートスペーサが形成される。前記第1間隔を埋め立てるように第1ゲートスペーサ上に段差塗布性が優秀な絶縁物質で成り立った第2ゲートスペーサが形成される。第1ゲートスペーサと第2ゲートスペーサの二重スペーサ構造によってゲートとゲートの間にボイドが発生することを防止することで、後続工程でアクティブ領域がオープンされてその上にシリサイドが形成されることを防止することができる。
【選択図】 図10
【解決手段】 半導体基板上に第1領域では第1間隔に配置されて前記第1領域に接した第2領域では前記第1間隔より広い第2間隔に配置される複数個の積層型ゲート構造物が形成される。それぞれの積層型ゲート構造物の両側壁上に低誘電率の絶縁物質で成り立った第1ゲートスペーサが形成される。前記第1間隔を埋め立てるように第1ゲートスペーサ上に段差塗布性が優秀な絶縁物質で成り立った第2ゲートスペーサが形成される。第1ゲートスペーサと第2ゲートスペーサの二重スペーサ構造によってゲートとゲートの間にボイドが発生することを防止することで、後続工程でアクティブ領域がオープンされてその上にシリサイドが形成されることを防止することができる。
【選択図】 図10
Description
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関するもので、より詳細にはゲートとゲートの間にボイド(void)が形成されることを防止することができる不揮発性メモリ装置及びその製造方法に関するものである。
半導体装置が高集積化になることによって、チップ上に形成されるパターンの大きさが小さくなるだけでなくパターンの間の間隔もますます細くなっている。過去にはポリシリコンがゲート電極及びビットラインのような配線材料で非常に有用な物質であったが、パターンが段々小さくなることによってポリシリコンの比抵抗がとても大きくてRC時間の遅延及びIR電圧降下などが増加した。また、トランジスターのゲート長さの減少によるショート−チャネル効果(short channel effect)及び突き抜け現象(ポンチスルー;punch through)を改善させるためにソース/ドレーン領域の接合深さ(junction depth)を浅く形成しながら同時にソース/ドレーン領域の寄生抵抗、例えば、面抵抗(sheet resistance)及び接触抵抗(contact resistance)を減少させなければならない。
これによって、ゲート及びソース/ドレーン領域の表面にシリサイド(silicide)を形成してゲートの比抵抗及びソース/ドレーン領域の寄生抵抗を減少させることができるサリサイド(自己整合的シリサイド(セルフアラインシリサイド;self−aligned silicide)のことを、サリサイド(salicide)という。)工程が新しい金属化工程で使われている。サリサイド工程というのは、ゲート電極及びソース/ドレーン領域にだけ選択的にシリサイドを形成する工程である。このようなシリサイドは、チタンシリサイド(TiSi2)や旧規則(1970)の亜族方式による族番号での8族シリサイド(PtSi2、PdSi2、CoSi2、及びNiSi2)などの物質によって形成される。
特に、シリコン基板上に形成されたトンネル酸化膜、フローティングゲート、誘電膜及びコントロールゲートを具備する垂直積層型ゲート構造を持つ不揮発性メモリ装置において、デザインルール(rule)が0.1μm級以下にまで縮まることによってワードラインに提供されるコントロールゲートの抵抗を低めるためにサリサイド工程を適用してゲートの上にだけ選択的にコバルトシリサイド(CoSi2)のようなシリサイド層を形成している。
一方、不揮発性メモリ装置のセルトランジスターのソース/ドレーンを低濃度にドーピングされた不純物領域で形成する場合には判読動作(リードオペレーション;read operation)のとき、ON−電流の減少する問題があって、高濃度にドーピングされた不純物領域で形成する場合にはトランジスターの突き抜け現象(ポンチスルー;punch through)マージンが減少されてホット−キャリア効果(hot−carrier effect)の生ずる問題がある。これによって、セルトランジスターのゲート側壁に絶縁物質で成り立ったゲートスペーサを形成した後、前記ゲートスペーサを利用してLDD構造のソース/ドレーン領域を形成する方法が使われている。このとき、前記ゲートスペーサを構成する絶縁物質として通常、一般的にシリコン窒化物(Si3N4)が使われてきた。しかし、デザインルール(rule)が0.12μm以下にまで縮まりながらメモリセル領域でのゲート間隔が細くなることによって、ゲートとゲートの間の寄生キャパシタンスによってカップリング係数(coupling ratio)が低下される問題が生じたし、このような問題を解決するためにシリコン窒化物に比べて誘電率が小さな酸化物でゲートスペーサを形成している。
カップリング係数(C/R)と言うのはプログラム動作のとき、コントロールゲートに印加された電圧(Vcg)によってフローティングゲートにカップリングされる電圧の割合として、カップリング係数が高いほど製品の速度ホット−キャリア効果及び性能が向上する。カップリング係数(C/R)は次のような式である。
前記式(1)で分かるように、カップリング係数を増加させるためにCONO/Ctunnelの比を増加させるか寄生キャパシタンスであるスペーサキャパシタンス(Cspacer)を減少させなければならない。キャパシタンスは誘電率に比例するから、スペーサキャパシタンス(Cspacer)を減少させるためにはスペーサを低誘電率の物質で形成しなければならない。
前記低誘電率の物質を持つスペーサを含む不揮発性メモリ装置に関する例は、特許文献1、特許文献2及び特許文献3に開示されている。
図1及び図2は、酸化物で成り立ったゲートスペーサを使う従来の方法による不揮発性メモリ装置の製造方法を説明するための断面図である。
図1を参照すれば、セル領域と周辺回路領域を持つ半導体基板(10)上にトンネル酸化膜(12)、フローティングゲート(14)、誘電膜(16)及びコントロールゲート(18)で成り立った複数個の積層型ゲート構造物(30)を形成する。このとき、前記フローティングゲート(14)及びコントロールゲート(18)はN型にドーピングされたポリシリコン層で形成して、前記誘電膜(16)は酸化膜/窒化膜/酸化膜が順次に積層されたONO膜で形成する。
前記積層型ゲート構造物(30)及び基板(10)上に化学気相蒸着法(chemical vapor deposition)で酸化膜(20)、例えば、高温酸化膜(HTO)を約1200〜1500Åの厚さに蒸着する。
通常、一般的に、カップリング係数を増加させるためにはフローティングゲート(14)とコントロールゲート(18)によって形成されるキャパシタンス(CONO)を増加させなければならないのに、キャパシタンスは面積に比例するのでフローティングゲート(14)の高さを増加させて誘電膜(16)の面積を拡張させる方法が主に使われている。よって、デザインルールが減少されることによって積層型ゲート構造物(30)の高さが増加しゲート間隔は減るから、ゲートのアスペクト比(aspect ratio)が大きくなるようになる。このように高いゲートアスペクト比を持つ基板(10)上に酸化膜(20)を蒸着すれば、前記酸化膜(20)の段差塗布性(ステップカバレッジ(step coverage))が不良であるからゲートとゲートの間にボイド(22)が形成されて、特にゲート間隔が狭いメモリセル領域でこのようなボイド(22)がひどく発生する。
図2を参照すれば、前記酸化膜(20)を異方性食刻して前記積層型ゲート構造物(30)の両側壁にゲートスペーサ(20a)を形成する。引き続いて、前記ゲートスペーサ(20a)をイオン注入マスクとして利用してソース/ドレーンイオン注入を実施した後、結果物の全面にシリコン窒化物で成り立った阻止層(stopping layer)(24)及び酸化物で成り立った層間絶縁膜(interlayer dielectric(insulating interlayer);ILD)(26)を順次に形成する。
その後、前記阻止層(24)の表面まで層間絶縁膜(26)を化学機械的研磨(chemical mechanical polishing;CMP)工程でとり除いた後、前記コントロールゲート(18)の表面が露出するように層間絶縁膜(26)を乾式食刻工程にてエッチバックする。このとき、セル領域ではボイド(22)によってゲートとゲートの間のアクティブ領域がオープンされる問題が発生する。このようにアクティブ領域がオープンな状態で微粒子(particle)や自然酸化膜をとり除くための洗浄工程を実施すれば、オープンされたアクティブ領域がもっと大きくなるようになる。よって、コバルトのような金属層を蒸着してシリサイデイション(silicidation)反応によってコントロールゲート(18)上にCoSi2のような金属シリサイド層(28)を形成するとき、不均一にオープンされたアクティブ領域の表面にも金属シリサイド層(28)が形成されることでセルトランジスターの特性が劣化される問題が発生する。
大韓民国公開特許2001−4962号公報
大韓民国登録特許第301244号公報
米国特許第6,346,725号明細書
したがって、本発明の一の目的はゲートとゲートの間にボイドが形成されることを防止して後続のシリサイデイション工程のとき、アクティブ領域の表面にシリサイドが形成されることを防止することができる不揮発性メモリ装置を提供することにある。
本発明の他の目的はゲートとゲートの間にボイドが形成されることを防止して後続のシリサイデイション工程のとき、アクティブ領域の表面にシリサイドが形成されることを防止することができる不揮発性メモリ装置の製造方法を提供することにある。
前述した本発明の一の目的を果たすために本発明は、半導体基板と、前記基板の第1領域では第1間隔に配置されて前記第1領域に接した第2領域では前記第1間隔より広い第2間隔に配置される複数個の積層型ゲート構造物と、それぞれの積層型ゲート構造物の両側壁上に形成されて低誘電率の絶縁物質で成り立った第1ゲートスペーサと、前記第1間隔を埋め立てるように前記第1ゲートスペーサ上に形成されて段差塗布性(ステップカバレッジ;step coverage)が優秀な絶縁物質で成り立った第2ゲートスペーサと、を具備することを特徴とする不揮発性メモリ装置を提供する。
望ましくは、前記第1ゲートスペーサは酸化物で形成され、前記第2ゲートスペーサは窒化物で形成されている。
前述した本発明の他の目的を果たすために本発明は、半導体基板の第1領域では第1間隔に配置されて前記第1領域に接した第2領域では前記第1間隔より広い第2間隔に配置される複数個の積層型ゲート構造物を形成する段階と、それぞれの積層型ゲート構造物の両側壁上に低誘電率の絶縁物質で成り立った第1ゲートスペーサを形成する段階と、前記第1間隔を埋め立てるように前記第1ゲートスペーサ上に段差塗布性が優秀な絶縁物質で成り立った第2ゲートスペーサを形成する段階と、を具備することを特徴とする不揮発性メモリ装置の製造方法を提供する。
本発明よれば、ゲートスペーサを誘電率が小さな酸化膜と段差塗布性が優秀な窒化膜の二重スペーサ(dual spacer)で形成することで、ゲートとゲートの間の狭い間隔を前記二重スペーサによって埋め立てる。よって、ゲートとゲートの間にボイドが発生することを防止して後続の層間絶縁膜食刻工程のとき、ゲートとゲートの間のアクティブ領域がオープンされることを防止することができる。
以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施例を詳しく説明する。
図3は本発明の一実施例による不揮発性メモリ装置の平面図で、図4は図3のA−A’線による不揮発性メモリ装置の断面図である。
図3及び図4を参照すれば、セルトランジスターのチャネルとソース/ドレーンが形成されるアクティブ領域(101)がそれぞれフィールド領域によって離隔されてお互いに平行に第1方向に延伸され、第2方向に繰り返されて配列されている。
前記アクティブ領域(101)上にはn個のワードライン(107)が前記第2方向に延伸され、第1方向に繰り返されて配列されており、基板(100)上に順次に形成されたトンネル酸化膜(102)、フローティングゲート(104)、誘電膜(106)及びコントロールゲート(108)で構成された積層型ゲート構造物(110)が形成されている。このように所定間隔で離隔されるワードライン(107)の間の露出したアクティブ領域(101)の表面にはソース/ドレーン領域(図示されていない)が形成されている。
積層型ゲート構造物(110)は、第1領域、例えば、メモリセル領域では第1間隔(S1)に配置され、前記第1領域に接した第2領域、例えば、周辺回路領域では前記第1間隔(S1)より広い第2間隔(S2)に配置されている。
前記積層型ゲート構造物(110)の両側壁には第1スペーサ(112a)及び第2スペーサ(114a)で成り立ったゲートスペーサが形成されている。第1ゲートスペーサ(112a)は低誘電率の絶縁物質、望ましくは高温酸化物のようなCVD−酸化物で形成され、第2ゲートスペーサで(114a)は段差塗布性が優秀な絶縁物質、望ましくはSi3N4のような窒化物で形成されている。
前記第1ゲートスペーサ(112a)は前記第1間隔(S1)内に所定のギャップ(gap)を形成することができる位の厚さ、具体的範囲としては300〜700Åの厚さ、望ましくは約500Å位の厚さに形成されている。
前記第2ゲートスペーサ(114a)はゲートとゲートの間の狭い第1間隔(S1)を埋め立てるように形成され、望ましくは前記第1ゲートスペーサ(112a)に比べて薄い厚さに形成されている。
本発明によれば、ゲートとゲートの間の寄生キャパシタンスによるカップリング係数の減少を防止するためにゲートと直接接触する第1ゲートスペーサ(112a)を低誘電率の酸化物で形成して、前記第1ゲートスペーサ(112a)上にゲートとゲートの間の狭い第1間隔(S1)をボイドなしに埋め立てるように段差塗布性が優秀な窒化物で第2ゲートスペーサ(114a)を形成する。よって、ゲートスペーサの蒸着のとき、ゲートとゲートの間にボイドが発生しないので、シリサイデイション工程のとき、ゲートとゲートの間のアクティブ領域にシリサイド層が形成されることを防止することができる。
図5ないし図10は図3のA−A’線による、不揮発性メモリ装置の製造方法を説明するための断面図である。
図5を参照すれば、シャロートレンチ素子分離(shallow trench isolation;STI)のような素子分離工程を通じて半導体基板(100)をアクティブ領域(図3の符号101)とフィールド領域で区分する。前記フィールド領域は通常のシリコン部分酸化(Local oxidation of silicon;LOCOS)工程で形成することもでき、フローティングゲートとアクティブ領域を同時に形成する自己整合的シャロートレンチ素子分離(セルフアラインシャロートレンチアイソレーション;self−aligned shallow trench isolation;SA−STI)工程で形成することもできる。
前記基板(100)上に熱酸化工程でトンネル酸化膜(すなわち、ゲート酸化膜)(102)を形成する。前記トンネル酸化膜(102)はシリコン酸化膜またはシリコンオキシナイトライド膜で形成する。
前記トンネル酸化膜(102)が形成された結果物上にポリシリコンまたは非晶質シリコンで成り立ったフローティングゲート層を蒸着した後、通常のドーピング方法、例えば、POCl3拡散、イオン注入、またはインサイチュー(その場)ドーピングによって前記フローティングゲート層を高濃度のN型でドーピングさせる。不揮発性メモリセルのフローティングゲートはデータのプログラム及び消去動作のとき、トンネリングソースの役割をはたすから、望ましくは不純物ドーピング均一度が優秀で電極の抵抗調節が容易であるシラン(SiH4)とフォスフィン(PH3)ガスを使って蒸着するインサイチュードープされたポリシリコンでフローティングゲートを形成する。このとき、前記トンネル酸化膜(102)の信頼性を考慮してインサイチュードープされたポリシリコン層の前記トンネル酸化膜(102)に接触される下部膜温度変化によるストレス特性が優秀で相転移(phase transformation)が起きない多結晶相(polycrystalline phase)の構造で形成して、後続工程で形成される誘電膜と接触する上部膜は非晶相(amorphous phase)の構造で形成する。前記下部膜は上部膜の厚さの約20〜50%位の厚さで形成するのが望ましい。
フォトリソグラフィー(photolithography)工程でフィールド領域上のフローティングゲート層をとり除いて隣合うメモリセルのフローティングゲートをお互いに絶縁させた後、結果物上に漏洩電流特性が優秀で誘電率が約3.9であるSiO2膜と約7.0の高い誘電率を持つSi3N4膜が組合されたONO誘電膜(106)を形成する。前記誘電膜(106)は熱酸化工程または化学気相蒸着工程で形成する。
前記誘電膜(106)上にポリシリコンまたは非晶質シリコンで成り立ったコントロールゲート層を形成する。不揮発性メモリセルのコントロールゲートはデータのプログラム及び消去動作のとき、基板の電子をフローティングゲートに移動させるか、フローティングゲート内の電子を基板に移動させるために電圧が印加される層である。よって、前記コントロールゲート層を蒸着するとき、その下部の誘電膜(106)が劣化されることを防止するために、多結晶相のシリコン層を蒸着した後、POCl3やイオン注入によって不純物ドーピングを実施する方法や、非晶相のインサイチュードープされたシリコン層を蒸着した後、熱処理を通じて多結晶相のシリコン層に相転移させる方法で形成する。前記熱処理は炉(furnace)熱処理または急速熱処理(RTA)で実施する。炉熱処理の場合、約600〜950℃の温度で約30分位進行し、急速熱処理は約800〜1100℃の温度で進行するのが望ましい。
フォトリソグラフィー工程で前記コントロールゲート層、誘電膜(106)及びフローティングゲート層を順に乾式食刻することで、トンネル酸化膜(102)、フローティングゲート(104)、誘電膜(106)及びコントロールゲート(108)で構成された積層型ゲート構造物(110)を形成する。前記積層型ゲート構造物(110)は、第1領域、例えば、メモリセル領域では第1間隔(S1)に配置され、前記第1領域に接した第2領域、例えば、周辺回路領域では前記第1間隔(S1)より広い第2間隔(S2)に配置される。
図6を参照すれば、前述したところのようにゲートパターニングを完了した後、トランジスターをLDD(Lightly Doped Drain)構造で作るためのゲートスペーサ形成工程を進行する。
具体的に、前記積層型ゲート構造物(110)及び基板(100)上に低誘電率を持つ絶縁膜、例えば、酸化膜(112)をゲートの間の狭い第1間隔(S1)内に所定のギャップを形成することができる位の厚さ、望ましくは約500Å位の厚さに蒸着する。
図7を参照すれば、前記酸化膜(112)を異方性食刻してそれぞれの積層型ゲート構造物(110)の両側壁上に第1ゲートスペーサ(112a)を形成する。
ここで、前記酸化膜(112)は段差塗布性を改善するために約0.4torr以下の低圧で形成することができる。しかし、このような低圧蒸着は蒸着速度の減少を伴うので、工程のスループット(throughput)を考慮して次のような段階で第1ゲートスペーサ(112a)を形成することができる。
すなわち、基板(100)及び積層型ゲート構造物(110)上に第1酸化膜を正常圧力下で蒸着した後、前記第1酸化膜を異方性食刻してそれぞれの積層型ゲート構造物(110)の両側壁上に第1酸化膜スペーサを形成する。前記基板(100)、積層型ゲート構造物(110)及び第1酸化膜スペーサ上に第2酸化膜を0.4torr以下の低圧で蒸着した後、前記第2酸化膜を異方性食刻して第1酸化膜スペーサ上に第2酸化膜スペーサを形成する。このように第1ゲートスペーサ(112a)を二度の酸化膜蒸着/食刻工程で形成することで、酸化膜の段差塗布性を進めることができる。
図8を参照すれば、前記第1ゲートスペーサ(112a)、積層型ゲート構造物(110)及び基板(100)上に段差塗布性が優秀な絶縁膜、例えば、Si3N4のような窒化膜(114)を前記酸化膜(112)より薄い厚さ、望ましくは約400Åの厚さに蒸着する。
図9を参照すれば、前記窒化膜(114)を異方性食刻して前記第1ゲートスペーサ(112a)上に第2ゲートスペーサ(114a)を形成する。このとき、前記第2ゲートスペーサ(114a)は第1ゲートスペーサ(112a)によって形成された第1間隔(S1)内のギャップを完全に埋め立てる。よって、第1ゲートスペーサ(112a)と第2ゲートスペーサ(114a)のデュアルスペーサ構造によってゲートとゲートの間の狭い第1間隔(S1)にボイドが形成されないので、後続の層間絶縁膜食刻工程のとき、ゲートとゲートの間のアクティブ領域がオープンされることを防止することができる。よって、後続のシリサイデイション工程のとき、前記アクティブ領域上にシリサイド層が形成されないので、トランジスターの特性が劣化されることを防止することができる。
図10を参照すれば、前記第1及び第2ゲートスペーサ(112a、114a)をイオン注入マスクとして利用してソース/ドレーンイオン注入を実施した後、結果物の全面にシリコン窒化物で成り立った阻止層(116)及び酸化物で成り立った層間絶縁膜(ILD)(118)を順次に形成する。
引き続いて、前記阻止層(116)の表面まで層間絶縁膜(118)を化学機械的研磨(CMP)工程でとり除いた後、前記積層型ゲート構造物(110)の表面が露出されるように層間絶縁膜(118)を乾式食刻工程にてエッチバックする。
その後、基板(100)上の微粒子を含めた汚染物またはシリコン領域の表面に生成された自然酸化膜をとり除くための通常の湿式洗浄工程、例えば、フッ酸(hydrofluoric acid;HF)及びSC−1(Standard Cleaning;NH4OHとH2O2及びH2Oが1:4:20の比に混合した有機物)を利用した洗浄工程を実施して、前記基板(100)をRFスポト設備のチャンバに入れる。基板(100)の移動中に再生成されることのある自然酸化膜などをとり除くためにRFプラズマ食刻を実施した後、インサイチューで前記基板(100)の全面に金属層、例えば、コバルト層をスパッタリングによって蒸着する。1次熱処理工程を実施して前記金属層がシリコンと接触されている領域でシリサイド反応を誘発することで、積層型ゲート構造物(110)、すなわちコントロールゲート(108)上に第1相(first phase)の金属シリサイド、例えば、コバルトモノ−シリサイド(CoSi)を形成する。
引き続いて、未反応な金属層を湿式食刻工程でとり除いた後、2次熱処理工程を実施して前記第1相の金属シリサイドを相転移させて第2相(second phase)の金属シリサイド(120)、例えば、低い比抵抗のコバルトダイシリサイド(CoSi2)を形成する。
前述したように本発明によれば、ゲートスペーサを誘電率が小さな酸化膜と段差塗布性が優秀な窒化膜の二重スペーサで形成することで、ゲートとゲートの間の狭い間隔を前記二重スペーサによって埋め立てる。よって、ゲートとゲートの間にボイドが発生することを防止して後続の層間絶縁膜食刻工程のとき、ゲートとゲートの間のアクティブ領域がオープンされてその上にシリサイドが形成されることを防止することができる。
上述したように、本発明の望ましい実施例を参照して説明したが当該技術分野の熟練された当業者なら特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び領域から逸脱しない範囲で本発明を多様に修正及び変更させることができることを理解することができる。
100 半導体基板、
101 アクティブ領域、
102 トンネル酸化膜、
103 フローティングゲート、
104 フローティングゲート、
106 誘電膜、
107 ワイドライン、
108 コントロールゲート、
110 積層型ゲート構造物、
112a 第1ゲートスペーサ、
114a 第2ゲートスペーサ、
116 阻止層、
118 層間絶縁膜、
120 金属シリサイド。
101 アクティブ領域、
102 トンネル酸化膜、
103 フローティングゲート、
104 フローティングゲート、
106 誘電膜、
107 ワイドライン、
108 コントロールゲート、
110 積層型ゲート構造物、
112a 第1ゲートスペーサ、
114a 第2ゲートスペーサ、
116 阻止層、
118 層間絶縁膜、
120 金属シリサイド。
Claims (20)
- 半導体基板と、
前記基板の第1領域では第1間隔に配置されて前記第1領域に接した第2領域では前記第1間隔より広い第2間隔に配置される複数個の積層型ゲート構造物と、
それぞれの積層型ゲート構造物の両側壁上に形成されて、相対的に低い誘電率の絶縁物質で成り立った第1ゲートスペーサと、
前記第1間隔を埋め立てるように前記第1ゲートスペーサ上に形成されて、相対的に高い誘電率を持つ絶縁物質で成り立った第2ゲートスペーサと、を具備することを特徴とする不揮発性メモリ装置。 - 前記第1ゲートスペーサは酸化物で形成され、前記第2ゲートスペーサは窒化物で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記第1ゲートスペーサは、前記第1間隔内に所定のギャップを形成することができる厚さに形成されていることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記第1ゲートスペーサは、500Åの厚さに形成されていることを特徴とする請求項3に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記第2ゲートスペーサは、前記第1ゲートスペーサに比べて薄い厚さに形成されていることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記積層型ゲート構造物は、トンネル酸化膜、フローティングゲート、誘電膜及びコントロールゲートが順次に積層されて形成されていることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ装置。
- ポリシリコンまたは非晶質シリコンで成り立った前記コントロールゲート上に、更にシリサイデイション反応によって形成された金属シリサイド層を含むことを特徴とする請求項6に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記金属シリサイド層は、コバルトシリサイド(CoSi2)、チタンシリサイド(TiSi2)及びニッケルシリサイド(NiSi2)よりなる群から選択されたいずれか一つであることを特徴とする請求項7に記載の不揮発性メモリ装置。
- 半導体基板の第1領域では第1間隔に配置され、前記第1領域に接した第2領域では前記第1間隔より広い第2間隔に配置される複数個の積層型ゲート構造物を形成する段階と、
それぞれの積層型ゲート構造物の両側壁上に相対的に低い誘電率の絶縁物質で成り立った第1ゲートスペーサを形成する段階と、
前記第1間隔を埋め立てるように前記第1ゲートスペーサ上に相対的に高い誘電率を持つ絶縁物質で成り立った第2ゲートスペーサを形成する段階と、を具備することを特徴とする不揮発性メモリ装置の製造方法。 - 前記第1ゲートスペーサは酸化物で形成して前記第2ゲートスペーサは窒化物で形成することを特徴とする請求項9に記載の不揮発性メモリ装置の製造方法。
- 前記第1ゲートスペーサは、前記第1間隔内に所定のギャップを形成することができる厚さで形成することを特徴とする請求項9に記載の不揮発性メモリ装置の製造方法。
- 前記第1ゲートスペーサは、500Åの厚さで形成することを特徴とする請求項11に記載の不揮発性メモリ装置の製造方法。
- 前記第2ゲートスペーサは、前記第1ゲートスペーサに比べて薄い厚さで形成することを特徴とする請求項9に記載の不揮発性メモリ装置の製造方法。
- 前記第1ゲートスペーサは、段差塗布性(ステップカバレッジ;step coverage)を改善するために0.4torr以下の低圧で形成することを特徴とする請求項9に記載の不揮発性メモリ装置の製造方法。
- 前記第1ゲートスペーサを形成する段階は、
前記基板及び積層型ゲート構造物上に第1ゲートスペーサ用第1絶縁膜を蒸着する段階と、
前記第1絶縁膜を異方性食刻してそれぞれの積層型ゲート構造物の両側壁上に前記第1絶縁膜スペーサを形成する段階と、
前記基板、積層型ゲート構造物及び第1絶縁膜スペーサ上に第1ゲートスペーサ用第2絶縁膜を0.4torr以下の低圧で蒸着する段階と、
前記第2絶縁膜を異方性食刻して前記第1絶縁膜スペーサ上に第2絶縁膜スペーサを形成する段階と、を含んで成り立つことを特徴とする請求項9に記載の不揮発性メモリ装置の製造方法。 - 前記積層型ゲート構造物は、トンネル酸化膜、フローティングゲート、誘電膜及びコントロールゲートが順次に積層されて形成されたことを特徴とする請求項9に記載の不揮発性メモリ装置の製造方法。
- ポリシリコンまたは非晶質シリコンで成り立った前記コントロールゲート上に、更にシリサイデイション反応によって形成された金属シリサイド(silicide)層を含むことを特徴とする請求項16に記載の不揮発性メモリ装置の製造方法。
- 前記金属シリサイド層は、コバルトシリサイド(CoSi2)、チタンシリサイド(TiSi2)及びニッケルシリサイド(NiSi2)よりなる群から選択されたいずれか一つで成り立ったことを特徴とする請求項17に記載の不揮発性メモリ装置の製造方法。
- 半導体基板と、
前記基板の第1領域では第1間隔で離隔され、前記第1領域に接した第2領域では前記第1間隔より広い第2間隔で離隔される複数個の積層型ゲート構造物と、
前記積層型ゲート構造物の両側壁上にそれぞれ形成されて、第1誘電率を持つ絶縁物質で成り立った第1ゲートスペーサと、
前記第1間隔を埋め立てるように前記第1ゲートスペーサ上に形成されて、前記第1誘電率より高い第2誘電率を持つ絶縁物質で成り立った第2ゲートスペーサと、を具備することを特徴とする不揮発性メモリ装置。 - 半導体基板の第1領域では第1間隔で離隔され、前記第1領域に接した第2領域では前記第1間隔より広い第2間隔で離隔される複数個の積層型ゲート構造物を形成する段階と、
前記積層型ゲート構造物の両側壁上にそれぞれ第1誘電率を持つ絶縁物質で成り立った第1ゲートスペーサを形成する段階と、
前記第1間隔を埋め立てるように前記第1ゲートスペーサ上に前記第1誘電率より高い第2誘電率を持つ絶縁物質で成り立った第2ゲートスペーサを形成する段階と、を具備することを特徴とする不揮発性メモリ装置の製造方法。
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