JP2005051244A - 集積回路の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基層上に第1の電導性ゲートを形成し、第1の電導性ゲートの側壁上に誘電体を形成して第1の電導性ゲートを浮遊ゲートから絶縁し、第1の電導性ゲート上に浮遊ゲートがその一部を有する浮遊ゲート層を形成し、第1の電導性ゲートの少なくとも一部上から浮遊ゲート層を除去し、浮遊ゲート層上に第2の電導性ゲート層を形成して第1の電導性ゲート上に突出する部分を具えた第2の電導性ゲートの少なくとも一部を与え、第2の電導性ゲート層上に層L1を形成して突出部が露出されるが層L1により完全には被覆されないようにし、層L1に対して選択的に部分P1の場所で第2の電導性ゲート層を部分的に除去して第1の電導性ゲートの少なくとも一部から第2の電導性ゲート層を除去し、第1の電導性ゲートの近くにおいて第2の電導性ゲート層上に層L2を形成し、層L2に対して選択的に層L1の少なくとも一部、第2の電導性ゲート層および浮遊ゲート層を除去する。
【選択図】図33
Description
Naruke et al.,"A New Flash−Erase EEPROM Cell with a Sidewall Select−Gate on Its Source Side",IEDM Technical Digest 1989年,pages 603−606
130: 二酸化ケイ素
140: セレクトゲート
160: 浮遊ゲート
170: 制御ゲート
Claims (7)
- 互いに絶縁された第1の電導性ゲートと、第2の電導性ゲートと電導性浮遊ゲートとを有する非揮発性メモリーセルを有した集積回路の製造方法であって、
(a)半導体基層上に第1の電導性ゲートを形成しかつ第1の電導性ゲートの側壁上に誘電体を形成して第1の電導性ゲートを浮遊ゲートから絶縁し、
(b)第1の電導性ゲート上に浮遊ゲートがその一部を有する層(FG層)を形成し、
(c)第1の電導性ゲートの少なくとも一部上からFG層を除去し、
(d)FG層上に層(第2の電導性ゲート層)を形成して第1の電導性ゲート上に突出する部分P1を具えた第2の電導性ゲートの少なくとも一部を与え、
(e)第2の電導性ゲート層上に層L1を形成して突出部P1が露出されるが層L1により完全には被覆されないようにし、
(f)層L1に対して選択的に部分P1の場所で第2の電導性ゲート層を部分的に除去して第1の電導性ゲートの少なくとも一部から第2の電導性ゲート層を除去し、
(g)第1の電導性ゲートの近くにおいて第2の電導性ゲート層上に層L2を形成し、
(h)層L2に対して選択的に層L1の少なくとも一部、第2の電導性ゲート層およびFG層を除去する
ことを特徴とする集積回路の製造方法。 - ステップ(g)に際して、第2の電導性ゲート層を他の材料と反応させて層L2を形成する
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 反応に際して、第2の電導性ゲート層を酸化する
ことを特徴とする請求項2に記載の方法。 - 反応ステップに際して、第2の電導性ゲート層を金属と化学反応せしめついで非反応金属を除去する
ことを特徴とする請求項2に記載の方法。 - さらに第1の電導性ゲートの第1の側において層L1、第2電導性ゲート層およびFG層を除去するがこれと反対の第2の側においては除去しない
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - さらに半導体基層中において第1の電導性ゲートの第2の側において浮遊ゲートの近くでメモリーセルのための第1のソース/ドレイン領域を形成しかつ半導体基層中において第1の電導性ゲートの第1の側において第1の電導性ゲートの近くでメモリーセルのための第2のソース/ドレイン領域を形成する
ことを特徴とする請求項5に記載の方法。 - メモリーセルはメモリーセル列の一部であり、
各メモリーセルは互いに絶縁された第1の電導性ゲート、第2の電導性ゲートおよび浮遊ゲートを有しており、
ステップ(a)に際して1以上の第1の電導性ラインを形成し、
各電導性ラインは各第1の電導性ゲートの少なくとも一部を与え、
浮遊ゲートはFG層の少なくとも一部を有しており、
ステップ(c)に際して各第1の電導性ゲートの少なくとも一部上からFG層を除去し、
第2の電導性ゲート層は各第2の電導性ゲートの少なくとも一部を与え、
ステップ(d)の終りにおいて第2の電導性ゲート層は各第1の電導性ゲート上に突出する部分を有しており、
ステップ(e)の終りにおいて第2の電導性ゲート層は各第1の電導性ゲート上に露出しており、
ステップ(f)に際して各第1の電導性ゲートの少なくとも一部上から第2の電導性ゲート層が部分的に除去され、
ステップ(g)に際して各第1の電導性ゲート近くにおいて第2の電導性ゲート層上に層L2が形成される
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。
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