JP2007165856A - 不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】トンネル絶縁膜上のフローティングゲート電極層,ゲート間絶縁膜,第1,及び第2コントロールゲート電極層及び金属シリサイド膜を備えるメモリセルトランジスタと、高電圧用ゲート絶縁膜21上の高電圧用ゲート電極層51,一部分を開口したゲート間絶縁膜25,第1,及び第2コントロールゲート電極層48,46及び金属シリサイド膜53を備える高電圧トランジスタと、トンネル絶縁膜20上のフローティングゲート電極層50,一部分を開口したゲート間絶縁膜25,第1,及び第2コントロールゲート電極層48,46及び金属シリサイド膜53を備える低電圧トランジスタと、メモリセルトランジスタ,高電圧トランジスタ及び低電圧トランジスタのソース・ドレイン領域上に直接、配置されるライナー絶縁膜27とを備える不揮発性半導体記憶装置。
【選択図】図32
Description
書き込み電圧Vpgm 及び消去電圧Verase等の15V以上の高電圧を発生するために配置された高電圧回路領域内のトランジスタでは、接合リークの増大や接合耐圧、表面耐圧の劣化を回避することが課題となる。又、抵抗素子の抵抗が下がり、素子面積が増えることや高電圧系の周辺回路トランジスタのゲート耐圧の劣化が懸念される。その解決策として、領域を選択した金属サリサイド膜を形成する手法が挙げられるが、その場合、金属サリサイド膜の有無による加工の困難性が増加する。
(全体平面パターンブロック構成)
本発明の第1の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の模式的ブロック構成は、例えば、図64に示すように、半導体チップ110上に配置されたセルアレイ領域120と、高電圧回路領域90と、低電圧回路領域80と、低電圧回路と高電圧回路と抵抗素子領域との混在からなるその他の回路領域100とを備える。高電圧回路領域90はセルアレイ領域120に対して書き込み電圧Vpgm、消去電圧Verase等の電源電圧に比べて相対的に高い電圧パルスを印加するための回路である。低電圧回路領域80はCMOS等の論理回路であり、相対的に高速・低消費電力性能が要求される回路領域である。その他の回路領域100には、特に低電圧回路領域80及び高電圧回路領域90に設定される回路以外の低電圧回路と高電圧回路と基準電圧等を発生するための抵抗素子領域等が配置される。
本発明の第1の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置のメモリセルアレイ130における模式的回路構成は、図66に示すように、NAND型メモリセルアレイの回路構成を備える。
本発明の第1の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置は、図1,図33,図34及び図35(a),(b)に示すように、第1のソース・ドレイン拡散層34,第1のソース・ドレイン拡散層34間の半導体領域上の第1のトンネル絶縁膜20,第1のトンネル絶縁膜20上の第1フローティングゲート電極層50,第1フローティングゲート電極層50上の第1のゲート間絶縁膜25,第1のゲート間絶縁膜25上の第1コントロールゲート電極層48,第1コントロールゲート電極層48上の第2コントロールゲート電極層46,第2コントロールゲート電極層46と電気的に接触する第1の金属シリサイド膜53を備えるメモリセルトランジスタを含むセルアレイ領域120と、セルアレイ領域120の周辺に配置され、第2のソース・ドレイン領域36又は38,第2のソース・ドレイン領域36又は38間の半導体領域上の高電圧用ゲート絶縁膜21,高電圧用ゲート絶縁膜21上の高電圧用ゲート電極層51,高電圧用ゲート電極層51上の一部分を開口した第2のゲート間絶縁膜25,第2のゲート間絶縁膜25上の第3コントロールゲート電極層48,第3コントロールゲート電極層48上の第4コントロールゲート電極層46,第4コントロールゲート電極層46と電気的に接触する第2の金属シリサイド膜53を備える高電圧トランジスタを含む高電圧回路領域90と、セルアレイ領域120の周辺の高電圧回路領域90とは異なる位置に配置され,第3のソース・ドレイン領域36又は38,第3のソース・ドレイン領域36又は38間の半導体領域上の第2のトンネル絶縁膜20,第2のトンネル絶縁膜20上の第2フローティングゲート電極層50,第2フローティングゲート電極層50上の一部分を開口した第3のゲート間絶縁膜25,第3のゲート間絶縁膜25上の第5コントロールゲート電極層48,第5コントロールゲート電極層48上の第6コントロールゲート電極層46,第6コントロールゲート電極層46と電気的に接触する第3の金属シリサイド膜53を備える低電圧トランジスタを含む低電圧回路領域80と、第1のソース・ドレイン領域,第2のソース・ドレイン領域及び第3のソース・ドレイン領域上に直接、配置されるライナー絶縁膜27とを備える。
部に電気的に接触する金属シリサイド膜53とを備える。高電圧用ゲート電極層51と第1コントロールゲート電極層48はゲート間絶縁膜25の開口部を介して電気的に接続される。従って、高電圧用ゲート電極層51,高電圧用ゲート電極層51に接続された第1コントロールゲート電極層48,第1コントロールゲート電極層48上に配置された第2コントロールゲート電極層46,第2コントロールゲート電極層46上に配置された金属シリサイド膜53はいずれも電気的に共通となり、高電圧回路領域90のpMOS高電圧トランジスタのゲート電極となる。
ゲート電極層48上に配置された第2コントロールゲート電極層46と、第2コントロールゲート電極層46の上部に電気的に接触する金属シリサイド膜53とを備える。フローティングゲート電極層50と第1コントロールゲート電極層48はゲート間絶縁膜25の開口部を介して電気的に接続される。従って、フローティングゲート電極層50,フローティングゲート電極層50に接続された第1コントロールゲート電極層48,第1コントロールゲート電極層48上に配置された第2コントロールゲート電極層46,第2コントロールゲート電極層46上に配置された金属シリサイド膜53はいずれも電気的に共通となり、低電圧回路領域80のpMOS高電圧トランジスタのゲート電極となる。
本発明の第1の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置のメモリセルアレイにおける模式的平面パターン構成は、図1に示すように、列方向に延伸する複数の活性領域AA1,AA2,AA3,AA4,AA5,AA6,AA7,AA8,…と、列方向に延伸し, 複数の活性領域AA1,AA2,AA3,AA4,AA5,AA6,AA7,AA8,…を互いに素子分離する素子分離領域(STI)と、行方向に延伸する複数のワード線WL0,WL1,WL2,WL3,…,WLn−3,WLn−2,WLn−1,WLnと、行方向に延伸する選択ゲート線SGS,SGDとを備える。選択ゲート線SGSは、SGDであっても良い。或いは又、選択ゲート線SGDは、SGSであっても良い。更に、選択ゲート線SGS,SGDは、複数本で構成されていても良い。
ビット線コンタクト(CB)プラグ63, ソース/ドレインコンタクト(CS/D)プラグ67及びゲートコンタクト(CG)プラグ69上に、M0メタル層64を形成し、更にM0メタル層64上にビアコンタクト(V1)65を形成して、M1メタル層66に接続する。
(素子構造)
本発明の第2の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置は、図1,図33,図34及び図63(a),(b)に示すように、第1のソース・ドレイン拡散層34,第1のソース・ドレイン拡散層34間の半導体領域上の第1のトンネル絶縁膜20,第1のトンネル絶縁膜20上の第1フローティングゲート電極層50,第1フローティングゲート電極層50上の第1のゲート間絶縁膜25,第1のゲート間絶縁膜25上の第1コントロールゲート電極層48,第1のコントロールゲート電極層48上の第2コントロールゲート電極層46,第2コントロールゲート電極層46と電気的に接触する第1の金属シリサイド膜53を備えるメモリセルトランジスタを含むセルアレイ領域120と、セルアレイ領域120の周辺部において、第1のソース・ドレイン拡散層34が配置される半導体基板表面より低い凹部半導体表面上に配置され,第2のソース・ドレイン領域36又は38,第2のソース・ドレイン領域36又は38間の半導体領域上の高電圧用ゲート絶縁膜21,高電圧用ゲート絶縁膜21上の第2フローティングゲート電極層50,第2フローティングゲート電極層50上の一部分を開口した第2のゲート間絶縁膜25,第2のゲート間絶縁膜25上の第3コントロールゲート電極層48,第3コントロールゲート電極層48上の第4コントロールゲート電極層46,第4コントロールゲート電極層46と電気的に接触する第2の金属シリサイド膜53を備える高電圧トランジスタを含む高電圧回路領域90と、セルアレイ領域120の周辺の高電圧回路領域90とは異なる位置に配置され,第3のソース・ドレイン領域36又は38,第3のソース・ドレイン領域36又は38間の半導体領域上の第2のトンネル絶縁膜20,第2のトンネル絶縁膜20上の第3フローティングゲート電極層50,第3フローティングゲート電極層50上の一部分を開口した第3のゲート間絶縁膜25,第3のゲート間絶縁膜25上の第5コントロールゲート電極層48,第5コントロールゲート電極層48上の第6コントロールゲート電極層46,第6コントロールゲート電極層46と電気的に接触する第3の金属シリサイド膜53を備える低電圧トランジスタを含む低電圧回路領域80と、第1のソース・ドレイン領域,第2のソース・ドレイン領域及び第3のソース・ドレイン領域上に直接配置されるライナー絶縁膜2
7とを備える。高電圧用ゲート絶縁膜21の厚さは第1乃至第2のトンネル絶縁膜20の厚さよりも厚く、かつ高電圧用ゲート絶縁膜21の表面と第1乃至第2のトンネル絶縁膜20の表面は平坦化されている。
2コントロールゲート電極層46と、第2コントロールゲート電極層46の上部に電気的に接触する金属シリサイド膜53とを備える。フローティングゲート電極層50と第1コントロールゲート電極層48はゲート間絶縁膜25の開口部を介して電気的に接続される。従って、フローティングゲート電極層50,フローティングゲート電極層50に接続された第1コントロールゲート電極層48,第1コントロールゲート電極層48上に配置された第2コントロールゲート電極層46,第2コントロールゲート電極層46上に配置された金属シリサイド膜53はいずれも電気的に共通となり、高電圧回路領域90のpMOS高電圧トランジスタのゲート電極となる。
ゲート電極層48上に配置された第2コントロールゲート電極層46と、第2コントロールゲート電極層46の上部に電気的に接触する金属シリサイド膜53とを備える。フローティングゲート電極層50と第1コントロールゲート電極層48はゲート間絶縁膜25の開口部を介して電気的に接続される。従って、フローティングゲート電極層50,フローティングゲート電極層50に接続された第1コントロールゲート電極層48,第1コントロールゲート電極層48上に配置された第2コントロールゲート電極層46,第2コントロールゲート電極層46上に配置された金属シリサイド膜53はいずれも電気的に共通となり、低電圧回路領域80のpMOS低電圧トランジスタのゲート電極となる。
本発明の第2の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置のメモリセルアレイにおける模式的平面パターン構成は、第1の実施の形態と同様に図1に示すように、列方向に延伸する複数の活性領域AA1,AA2,AA3,AA4,AA5,AA6,AA7,AA8,…と、列方向に延伸し, 複数の活性領域AA1,AA2,AA3,AA4,AA5,AA6,AA7,AA8,…を互いに素子分離する素子分離領域(STI)と、行方向に延伸する複数のワード線WL0,WL1,WL2,WL3,…,WLn−3,WLn−2,WLn−1,WLnと、行方向に延伸する選択ゲート線SGS,SGDとを備える。選択ゲート線SGSは、SGDであっても良い。或いは又、選択ゲート線SGDは、SGSであっても良い。更に、選択ゲート線SGS,SGDは、複数本で構成されていても良い。
(AND型回路構成)
本発明の第3の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置のメモリセルアレイ130における模式的回路構成は、図67に示すように、AND型メモリセルアレイの回路構成を備える。
(NOR型回路構成)
本発明の第4の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置のメモリセルアレイ130における模式的回路構成は、図68に示すように、NOR型メモリセルアレイの回路構成を備える。
(2トランジスタ/セル型回路構成)
本発明の第5の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置のメモリセルアレイ130における模式的回路構成は、図69に示すように、2トランジスタ/セル型メモリセルアレイの回路構成を備える。
(3トランジスタ/セル型回路構成)
本発明の第6の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置のメモリセルアレイ130における模式的回路構成は、図70に示すように、3トランジスタ/セル型メモリセルアレイの回路構成を備える。
本発明の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の動作モードは大きく分けると3つ存在する。それぞれページモード、バイトモード及びROM領域を有するEEPROMモードと呼ぶ。
図71は、フラッシュメモリ装置及びシステムの主要構成要素の概略的なブロック図である。図71に示すように、フラッシュメモリシステム142はホストプラットホーム144、及びユニバーサル・シリアル・バス(USB)フラッシュ装置146より構成される。
(適用例2)
一例として、半導体メモリデバイス250を含むメモリカード260は、図72に示すように構成される。半導体メモリデバイス250には、本発明の第1乃至第6の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置が適用可能である。メモリカード260は、図72に示すように、外部デバイス(図示せず)から所定の信号を受信し、或いは外部デバイスへ所定の信号を出力するように動作可能である。
メモリカード260の別の具体例は、図73に示すように、図72のメモリカードの例とは異なり、半導体メモリデバイス250に加えて、更に、半導体メモリデバイス250を制御し、かつ外部デバイスとの間で所定の信号を送受信するコントローラ276を具備している。コントローラ276は、インタフェースユニット(I/F)271,272と、マイクロプロセッサユニット(MPU)273と、バッファRAM274と、及びインタフェースユニット(I/F)272内に含まれるエラー訂正コードユニット(ECC)275とを備える。
更に別のメモリカード260の構成例は、図74に示すように、インタフェースユニット(I/F)271,272、マイクロプロセッサユニット(MPU)273、バッファRAM274、インタフェースユニット(I/F)272に含まれるエラー訂正コードユニット(ECC)275及び半導体メモリデバイス領域501をすべてワンチップ化して、システムLSIチップ507として実現している。このようなシステムLSIチップ507がメモリカード260内に搭載されている。
更に別のメモリカード260の構成例は、図75に示すように、マイクロプロセッサユニット(MPU)273内に半導体メモリデバイス領域501を形成してメモリ混載MPU502を実現し、更にインタフェースユニット(I/F)271,272、バッファRAM274及びインタフェースユニット(I/F)272に含まれるエラー訂正コードユニット(ECC)275をすべてワンチップ化して、システムLSIチップ506として実現している。このようなシステムLSIチップ506がメモリカード260内に搭載されている。
更に別のメモリカード260の構成例は、図76に示すように、図72或いは図73において示された半導体メモリデバイス250に代わり、NAND型フラッシュメモリとバイト型EEPROMで構成されるROM領域を有するEEPROMモードのフラッシュメモリ503を利用している。
図72乃至図76において示されたメモリカード260の適用例としては、図77に示すように、メモリカードホルダ280を想定することができる。メモリカードホルダ280は、本発明の第1乃至第6の実施の形態において詳細に説明された不揮発性半導体記憶装置を半導体メモリデバイス250として備えた、メモリカード260を収容することができる。メモリカードホルダ280は、電子デバイス(図示されていない)に接続され、メモリカード260と電子デバイスとのインタフェースとして動作可能である。メモリカードホルダ280は、図72乃至図76に開示されたメモリカード260内のコントローラ276、マイクロプロセッサユニット(MPU)273、バッファRAM274、エラー訂正コードユニット(ECC)275、インタフェースユニット(I/F)271,272等の複数の機能と共に、様々な機能を実行可能である。
図78を参照して、更に別の適用例を説明する。メモリカード260若しくはメモリカードホルダ280を収容可能な接続装置290について、図78には開示されている。メモリカード260若しくはメモリカードホルダ280の内、いずれかに、半導体メモリデバイス250或いは半導体メモリデバイス領域501、メモリ混載MPU502、ROM領域を有するEEPROMモードのフラッシュメモリ503として、本発明の第1乃至第6の実施の形態において詳細に説明された、不揮発性半導体記憶装置を備えている。メモリカード260或いはメモリカードホルダ280は接続装置290に装着され、しかも電気的に接続される。接続装置290は接続ワイヤ292及びインタフェース回路293を介して、CPU294及びバス295を備えた回路ボード291に接続される。
図79を参照して、別の適用例を説明する。メモリカード260若しくはメモリカードホルダ280の内、いずれかに、半導体メモリデバイス250或いは半導体メモリデバイス領域501、メモリ混載MPU502、ROM領域を有するEEPROMモードのフラッシュメモリ503として、本発明の第1乃至第6の実施の形態において詳細に説明された、不揮発性半導体記憶装置を備えている。メモリカード260或いはメモリカードホルダ280は接続装置290に対して装着され、電気的に接続される。接続装置290は、接続ワイヤ292を介して、パーソナルコンピュータ(PC)350に接続されている。
図80を参照して、別の適用例を説明する。メモリカード260は、半導体メモリデバイス250或いは半導体メモリデバイス領域501、メモリ混載MPU502、ROM領域を有するEEPROMモードのフラッシュメモリ503として、本発明の第1乃至第6の実施の形態において詳細に説明された、不揮発性半導体記憶装置を備えている。このようなメモリカード260をメモリカードホルダ280を内蔵するデジタルカメラ650に適用した例を図80は示している。
(適用例11)
本発明の第1乃至第6の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の別の適用例は、図81及び図85に示すように、半導体メモリデバイス250,ROM410,RAM420及びCPU430から構成されたMPU400と、プレーンターミナル600を含むIC(interface circuit:IC)カード500を構成している。ICカード500はプレーンターミナル600を介して外部デバイスと接続可能である。またプレーンターミナル600はICカード500内において、MPU400に結合される。CPU430は演算部431と制御部432とを含む。制御部432は半導体メモリデバイス250、ROM410及びRAM420に結合されている。MPU400はICカード500の一方の表面上にモールドされ、プレーンターミナル600はICカード500の他方の表面上において形成されることが望ましい。
更に別のICカード500の構成例は、図83に示すように、ROM410,RAM420,CPU430及び半導体メモリデバイス領域501をすべてワンチップ化して、システムLSIチップ508として構成する。このようなシステムLSIチップ508がICカード500内に内蔵されている。図83において、半導体メモリデバイス領域501及びROM410に対して、本発明の第1乃至第6の実施の形態において詳細に説明した不揮発性半導体記憶装置を適用することができる。また、不揮発性半導体記憶装置の動作上、ページモード、バイトモード及び擬似EEROMモードが可能である。
更に別のICカード500の構成例は、図84に示すように、ROM410を半導体メモリデバイス領域501内に内蔵して、全体として、ROM領域を有するEEPROMモードのフラッシュメモリ510を構成する。
更に別のICカード500の構成例は、図85に示すように、図82に示した半導体メモリデバイス250において、ROM410を内蔵して、全体として、ROM領域を有するEEPROMモードのフラッシュメモリ510を構成している。このようなROM領域を有するEEPROMモードのフラッシュメモリ510は、MPU400内に内蔵されている点は、図82と同様である。
上記のように、本発明は第1乃至第6の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
8…パッド絶縁膜
9…LOCOS絶縁膜
10…半導体基板
12,16…pウェル領域
14,18…nウェル領域
20…トンネル絶縁膜
21…高電圧用ゲート絶縁膜
24…ストッパ膜
25…ゲート間絶縁膜
26…ゲート間埋め込み絶縁膜
27…ライナー絶縁膜
28,68…層間絶縁膜
29…バリア絶縁膜
32…n+ソース/ドレイン拡散層
34…nソース/ドレイン拡散層
36…nソース/ドレイン領域
38…pソース/ドレイン領域
40…素子分離領域(STI)
46…第2コントロールゲート電極層
48…第1コントロールゲート電極層
50…フローティングゲート電極層
51…高電圧用ゲート電極層
53…金属シリサイド膜
63…ビット線コンタクト(CB)プラグ
64…M0メタル層
65…ビアコンタクト(V1)
66…M1メタル層
67…ソース/ドレインコンタクト(CS/D)プラグ
69…ゲートコンタクト(CG)プラグ
75…ゲート側壁絶縁膜
80…低電圧回路領域
90…高電圧回路領域
100…その他の回路領域
110…半導体チップ
120…セルアレイ領域
130…メモリセルアレイ
132…NANDセルユニット
134…ANDセルユニット
136…NORセルユニット
140…不揮発性半導体記憶装置
260…メモリカード
500…ICカード
Claims (5)
- 第1のソース・ドレイン領域,前記第1のソース・ドレイン領域間の半導体領域上の第1のトンネル絶縁膜,前記第1のトンネル絶縁膜上の第1フローティングゲート電極層,前記第1フローティングゲート電極層上の第1のゲート間絶縁膜,前記第1のゲート間絶縁膜上の第1コントロールゲート電極層,前記第1コントロールゲート電極層上の第2コントロールゲート電極層,前記第2コントロールゲート電極層と電気的に接触する第1の金属シリサイド膜を備えるメモリセルトランジスタを含むセルアレイ領域と、
前記セルアレイ領域の周辺に配置され、第2のソース・ドレイン領域,前記第2のソース・ドレイン領域間の半導体領域上の高電圧用ゲート絶縁膜,前記高電圧用ゲート絶縁膜上の高電圧用ゲート電極層,前記高電圧用ゲート電極層上の一部分を開口した第2のゲート間絶縁膜,前記第2のゲート間絶縁膜上の第3コントロールゲート電極層,前記第3コントロールゲート電極層上の第4コントロールゲート電極層,前記第4コントロールゲート電極層と電気的に接触する第2の金属シリサイド膜を備える高電圧トランジスタを含む高電圧回路領域と、
前記セルアレイ領域の周辺の前記高電圧回路領域とは異なる位置に配置され,第3のソース・ドレイン領域,前記第3のソース・ドレイン領域間の半導体領域上の第2のトンネル絶縁膜,前記第2のトンネル絶縁膜上の第2フローティングゲート電極層,前記第2フローティングゲート電極層上の一部分を開口した第3のゲート間絶縁膜,前記第3のゲート間絶縁膜上の第5コントロールゲート電極層,前記第5コントロールゲート電極層上の第6コントロールゲート電極層,前記第6コントロールゲート電極層と電気的に接触する第3の金属シリサイド膜を備える低電圧トランジスタを含む低電圧回路領域と、
前記第1のソース・ドレイン領域,前記第2のソース・ドレイン領域及び前記第3のソース・ドレイン領域上に直接、配置されるライナー絶縁膜
とを備えることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 前記第1のソース・ドレイン領域,前記第2のソース・ドレイン領域及び前記第3のソース・ドレイン領域の上に、更に、前記ライナー絶縁膜と一部分において接触するバリア絶縁膜を備えることを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記バリア絶縁膜は、更に、前記第1の金属シリサイド膜,前記第2の金属シリサイド膜,前記第3の金属シリサイド膜上に配置されることを特徴とする請求項2記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記第1乃至第3のソース・ドレイン領域が配置される半導体基板表面から前記バリア絶縁膜までの高さは、前記第1乃至第3のゲート間絶縁膜までの高さよりも高いことを特徴とする請求項2乃至請求項3のいずれか1項に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 第1のソース・ドレイン領域,前記第1のソース・ドレイン領域間の半導体領域上の第1のトンネル絶縁膜,前記第1のトンネル絶縁膜上の第1フローティングゲート電極層,前記第1フローティングゲート電極層上の第1のゲート間絶縁膜,前記第1のゲート間絶縁膜上の第1コントロールゲート電極層,前記第1のコントロールゲート電極層上の第2コントロールゲート電極層,前記第2コントロールゲート電極層と電気的に接触する第1の金属シリサイド膜を備えるメモリセルトランジスタを含むセルアレイ領域と、
前記セルアレイ領域の周辺部において、前記第1のソース・ドレイン領域が配置される半導体基板表面より低い凹部半導体表面上に配置され,第2のソース・ドレイン領域,前記第2のソース・ドレイン領域間の半導体領域上の高電圧用ゲート絶縁膜,前記高電圧用ゲート絶縁膜上の第2フローティングゲート電極層,前記第2フローティングゲート電極層上の一部分を開口した第2のゲート間絶縁膜,前記第2のゲート間絶縁膜上の第3コントロールゲート電極層,前記第3コントロールゲート電極層上の第4コントロールゲート電極層,前記第4コントロールゲート電極層と電気的に接触する第2の金属シリサイド膜を備える高電圧トランジスタを含む高電圧回路領域と、
前記セルアレイ領域の周辺の前記高電圧回路領域とは異なる位置に配置され,第3のソース・ドレイン領域,前記第3のソース・ドレイン領域間の半導体領域上の第2のトンネル絶縁膜,前記第2のトンネル絶縁膜上の第3フローティングゲート電極層,前記第3フローティングゲート電極層上の一部分を開口した第3のゲート間絶縁膜,前記第3のゲート間絶縁膜上の第5コントロールゲート電極層,前記第5コントロールゲート電極層上の第6コントロールゲート電極層,前記第6コントロールゲート電極層と電気的に接触する第3の金属シリサイド膜を備える低電圧トランジスタを含む低電圧回路領域と、
前記第1のソース・ドレイン領域,前記第2のソース・ドレイン領域及び前記第3のソース・ドレイン領域上に直接配置されるライナー絶縁膜
とを備え、前記高電圧用ゲート絶縁膜の厚さは前記第1乃至第2のトンネル絶縁膜の厚さよりも厚く、かつ前記高電圧用ゲート絶縁膜の表面と前記第1乃至第2のトンネル絶縁膜の表面は平坦化されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
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