JP2004014655A - 半導体製造装置用ヒータモジュール - Google Patents

Abstract

【課題】半導体製造装置の大型化やコスト増を伴うことなく、加熱後のヒータの冷却速度を従来よりも格段に高めることができ、生産性の改善向上に寄与し得るヒータモジュール、及びこれを用いた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】ヒータモジュールは、表面上にウエハを載置して加熱制御するヒータ部１ａと、ヒータ部１ａに対し相対的に移動可能に設けられ、ヒータ部１ａの裏面に当接又は分離してヒータ部１ａとの合計熱容量を変えるためのブロック部３ａとを備えている。ブロック部１ｂの熱容量をヒータ部１ａとブロック部１ｂの合計熱容量の２０％以上とすることで、ヒータ冷却速度を１０℃／分以上にすることができる。
【選択図】　　　図１

Description

【０００１】
本発明は、半導体ウエハを処理する半導体製造装置に用いられ、ウエハの加熱処理と冷却とが可能な半導体製造装置用ヒータモジュール、及びそのヒータモジュールを搭載した半導体製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造プロセスにおいては、ウエハを加熱して処理した後冷却する工程として、コータデベロッパーでのフォトリソグラフィーにおける感光性樹脂の加熱硬化、Ｌｏｗ−ｋ膜のような低誘電率の絶縁膜の加熱焼成、配線や絶縁層形成におけるＣＶＤ膜形成、エッチャー等の工程がある。
【０００３】
従来、これらの工程では、Ａｌ製又はセラミックス製のヒータを用いてウエハの加熱処理を行ってきた。即ち、発熱体を形成したヒータを用い、その表面上にウエハを載置して加熱制御しながら、感光性樹脂の加熱硬化やＬｏｗ−ｋ膜の加熱焼成、あるいはＣＶＤ膜の形成やエッチングなどの処理を行っている。
【０００４】
最近では、これらの工程での生産性を向上させるために、ヒータの加熱後における冷却速度を上げることが必要となってきた。また、被処理物の特性に関しても、ヒータを急冷することにより向上が図られることが多く、特にウエハの大口径化に伴い、冷却速度向上の要求が高まってきている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従来の半導体製造装置用では、ヒータを急冷するために、強制的な液体冷却や空気冷却が採用されていた。即ち、ヒータの裏面などに冷却ブロックを設置し、冷却用の熱媒体として液体や空気を循環させることにより、ヒータから熱を奪って冷却速度を高めていた。
【０００６】
しかしながら、これらの強制的な液体冷却や空気冷却の方式では、熱媒体の循環や放熱のために大規模な装置が必要となるため、半導体製造のコストが増加する原因となっていた。また、ヒータの限られたスペース内では熱媒体の容量を大きくすることができず、ヒータ冷却速度の大幅な向上は困難であった。
【０００７】
本発明は、このような従来の事情に鑑み、半導体製造装置の大型化やコスト増を伴うことなく、加熱後のヒータの冷却速度を従来よりも格段に高めることができ、生産性の改善向上に寄与し得る半導体製造装置用ヒータモジュール、及びこれを用いた半導体製造装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明が提供する半導体製造装置用ヒータモジュールは、表面上にウエハを載置して加熱制御するヒータ部と、ヒータ部に対し相対的に移動可能に設けられ、ヒータ部の裏面に当接又は分離してヒータ部との合計熱容量を変えるためのブロック部とを備えることを特徴とする。特に、前記ブロック部の熱容量が、ヒータ部とブロック部の合計熱容量の２０％以上であることが好ましい。
【０００９】
上記本発明の半導体製造装置用ヒータモジュールは、第１の形態として、加熱時にヒータ部とブロック部が当接していて、冷却時にはブロック部がヒータ部から相対的に移動分離することによりヒータ部の冷却速度を速めることを特徴とするものがある。また、第２の形態として、加熱時にヒータ部とブロック部が分離していて、冷却時にはブロック部とヒータ部が相対的に移動当接し、ブロック部への熱伝導によりヒータ部の冷却速度を速めることを特徴とするものがある。
【００１０】
上記本発明の半導体製造装置用ヒータモジュールでは、前記ヒータ部とブロック部の当接時に、ブロック部がヒータ部に対して真空吸着により固定されることが好ましい。また、前記ヒータ部とブロック部が互いに当接する当接面のうち、少なくともいずれか片方が鏡面であることが好ましい。
【００１１】
また、上記本発明の半導体製造装置用ヒータモジュールでは、前記ブロック部は、半導体製造装置のチャンバー底部に固定されているか、又は移動してチャンバー底部に当接することができる。この場合において、前記チャンバー底部が水冷されていることが好ましい。
【００１２】
上記本発明の半導体製造装置用ヒータモジュールにおいては、前記ヒータ部がセラミックスに発熱体を形成したものであることを特徴とする。前記セラミックスは、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素、炭化珪素、窒化ホウ素からなる群から選ばれた少なくとも１種であることが好ましい。
【００１３】
また、上記本発明の半導体装置用ヒータモジュールにおいては、前記ブロック部が、アルミニウム、マグネシウム、銅、鉄、ステンレス、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素、炭化珪素、窒化ホウ素からなる群から選ばれた少なくとも１種であることが好ましい。
【００１４】
上記本発明の半導体製造装置用ヒータモジュールは、ＣＶＤ装置、エッチャー装置、コータデベロッパー装置、又はＬｏｗ−ｋ焼成装置に用いることを特徴とするものである。
【００１５】
更に、本発明は、上記した本発明の半導体製造装置用ヒータモジュールを搭載したことを特徴とする半導体製造装置を提供するものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】
加熱されたヒータが冷却される際に、その冷却速度を左右するのが熱容量である。ヒータの熱容量が大きいほど冷却速度は遅くなり、逆に熱容量が小さいほど冷却速度は速くなる。冷却速度を上げる目的でヒータの熱容量を小さくする手段として、例えばヒータの厚みを薄くすることが考えられる。
【００１７】
一方、ウエハは均等に加熱される必要があり、従ってヒータのウエハ搭載面には高い均熱性が要求されるため、発熱体で発生した熱はヒータの厚みを利用して全ての方向に均等に広がることが望ましい。しかし、冷却速度を高めるためにヒータの厚みを薄くすると、熱の均等な広がり効果が減少し、ヒータのウエハ搭載面における均熱性が損なわれるという問題が生じる。
【００１８】
これに対して、本発明では、表面上にウエハを載置して加熱制御するヒータ部と共に、このヒータ部の裏面に当接又は分離できるブロック部を、ヒータ部に対して相対的に移動可能に設けてある。このようにヒータ部とブロック部とで構成されたヒータモジュールでは、ブロック部がヒータ部の裏面に当接したときと分離したときとで、ヒータ部とブロック部の合計熱容量を変えることができ、この合計熱容量の変化を利用してヒータ部の均熱性と冷却速度を同時に改善向上させることが可能である。
【００１９】
特に、ブロック部の熱容量をヒータ部とブロック部の合計熱容量の２０％以上とすることによって、ヒータに当接しているブロック部にヒータからより多くの熱を伝達でき、若しくはブロック部を分離したヒータからより多くの熱を周囲に放散することが可能となるため、一層高い冷却速度が期待できる。尚、ブロック部の熱容量が大きいほど、ヒータ部の冷却速度を高めることができる。しかし、ブロック部の熱容量を大きくすると、チャンバーなど装置全体も大きくすることが必要となるので、冷却速度の向上目標と装置全体の経済性を考慮して、ブロック部の熱容量を設計することが必要である。
【００２０】
本発明のヒータモジュールにおける第１の形態の一具体例を図１に示す。このヒータモジュールは、内部に発熱体２を形成したヒータ部１ａと、ヒータ部１ａの裏面側にガイド軸４に沿って上下移動可能に設けたブロック部３ａとを備え、加熱時には、図１（ａ）に示すように、ヒータ部１ａとブロック部３ａが当接している。
【００２１】
このヒータモジュールでは、加熱時にはヒータ部１ａとブロック部３ａが一体となって大きな熱容量のヒータを構成しているが、冷却時には図１（ｂ）に示すように、ブロック部３ａが装置のチャンバー底部５側に下降して、ヒータ部１ａから分離される。従って、冷却時にはヒータ部１ａは独立して小さな熱容量になるので、放熱が促進され、ヒータ部１ａの冷却速度を速めることができる。
【００２２】
また、第２の形態のヒータモジュールとして、例えば図２に示す具体例では、加熱時には図２（ａ）に示すように、ヒータ部１ｂとブロック部３ｂを分離しておき、冷却時に図２（ｂ）に示すように、ブロック部３ｂを上昇させ、固定しているヒータ部１ｂの裏面に当接させる。ブロック部１ｂが当接することにより、ヒータ部１ｂの熱が個別の熱容量を有するブロック部３ｂに伝達されるため、ヒータ部１ｂの冷却速度を速めることができる。
【００２３】
更に、図３に示す第２の形態のヒータモジュールでは、ブロック部３ｃが固定されていて、ヒータ部１ｃがガイド軸４に沿って上下移動する以外は、上記図２のヒータモジュールと同様である。即ち、加熱時には図３（ａ）に示すようにヒータ部１ｃとブロック部３ｃが分離され、冷却時に図３（ｂ）に示すようにヒータ部１ｃを下降させて、チャンバー底部５上のブロック部３ｃに当接させることにより、ヒータ部１ｃの熱をブロック部３ｂに伝達される。
【００２４】
ヒータ部からブロック部への熱の伝達に影響する因子として、ヒータ部とブロック部の当接面における接触抵抗がある。この接触抵抗が大きいとヒータ部からの熱の伝わりに時間がかかるため、ヒータ部の均熱性や冷却速度が影響を受けやすい。そこで、ブロック部の表面又はヒータ部の裏面に貫通孔を形成し、真空ポンプで吸引して両者を真空吸着させることにより、ヒータ部とブロック部の当接面が密着して接触抵抗を大幅に下げることができるため、特に第２の形態のヒータモジュールにおいてヒータ部の冷却速度の向上に有利である。
【００２５】
また、特に第２の形態のヒータモジュールでは、加熱時にヒータ部から分離されているブロック部が、ヒータ部の輻射熱により加熱されやすい。その場合、ヒータ部とブロック部との互いの当接面の両方又は片方を鏡面に加工することにより、ヒータ部からの輻射熱を反射することが可能となる。その結果、加熱時におけるヒータ部とブロック部の間隔を小さくすることが可能となり、チャンバー並びに装置を小型化することができる。
【００２６】
更に、ブロック部に伝達された熱量がそのまま保持されていると、次の冷却時にヒータ部から伝達される熱量を十分吸収できなくなるため、ヒータ部の冷却速度の改善が望めない。そのため、ヒータ部に接触して熱の伝達を受けた後、ブロック部をヒータ部から離してチャンバー底部に接触させ、チャンバー底部へ熱を伝えることによりブロック部をすばやく冷やし、次の冷却に備えることが好ましい。この場合、チャンバー底部を水冷すると、更に次の冷却に備える時間を短くすることができる。
【００２７】
尚、ヒータ部とブロック部を当接させ又は分離させる際には、油圧や空圧を用いることによって、ヒータ部又はブロック部をスムーズに移動させることができるため好ましい。
【００２８】
本発明におけるヒータ部は、アルミニウムなどの金属、又はセラミックスであって良いが、セラミックスに発熱体を形成したものが好ましい。ヒータ部を構成するセラミックスとしては、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素、炭化珪素、窒化ホウ素からなる群から選ばれた少なくとも１種が好ましい。
【００２９】
ヒータ部がセラミックスの場合、ブロック部と当接する際に界面に熱的衝撃と機械的衝撃が加わるため、ヒータ部に割れなどのトラブルが発生する可能性が高い。このため、セラミックスからなるヒータ部の表面、少なくともブロック部との当接面を金属で覆うことにより、これらの衝撃を和らげ、ヒータ部の割れなどを防ぐことができる。
【００３０】
一方、ブロック部としては、熱伝導率が高い金属やセラミックスを用いることができ、例えば、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、ステンレス、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素、炭化珪素、窒化ホウ素が好ましい。
【００３１】
また、ブロック部はヒータ部と同一又は類似の形状であること、その直径がヒータ部の直径の±２５％以内であることが好ましい。尚、上述したように、ブロック部の熱容量は、ヒータ部とブロック部の合計熱容量の２０％以上とすることが好ましい。
【００３２】
従来のヒータの冷却速度は、熱容量が一定のヒータの放熱だけに依存していたため、１℃／分程度が一般的であった。これに対して、本発明のヒータモジュールによれば、ブロック部の熱容量にもよるが、ヒータ部の冷却速度は少なくとも従来の数倍程度に向上する。特に、ブロック部の熱容量をヒータ部とブロック部の合計熱容量の２０％以上に設定すれば、１０℃／分以上の冷却速度を達成でき、生産性を大幅に向上させることが可能となる。また、このような冷却速度の向上によって、ウエハに対しては、薄膜などの密着強度の向上、硬度などの機械特性の向上、エッチング特性などの向上も期待できる。
【００３３】
更に、ヒータを放熱により冷却する場合の冷却速度は表面積に影響され、一般的には側面近傍が中央部と比較して表面積が大きいため温度が低下しやすく、従って冷却時の均熱性が低下しやすい。しかし、本発明によれば、側面からの冷却速度よりも著しく速い速度でヒータ部が冷却され、特に第２の形態のヒータモジュールではブロック部に熱伝導により熱が伝わるため、冷却時の均熱性が大幅に向上する。具体的には、ヒータ部とブロック部の条件を最適化することにより、冷却時にも±１％以下の均熱性を得ることが可能である。
【００３４】
上記した本発明のヒータモジュールは、金属膜又は絶縁膜の形成に用いるＣＶＤ装置、金属膜や絶縁膜のエッチングに用いるエッチャー装置、フォトリソグラフィーにおける感光性樹脂の加熱硬化に用いるコータデベロッパー装置、Ｌｏｗ−ｋ膜などの加熱焼成に用いるＬｏｗ−ｋ焼成装置に用いると、そのヒータ冷却速度の向上効果により特に有効である。
【００３５】
また、本発明のヒータモジュールを用いた半導体製造装置によれば、生産性を高めてコストの低減を図ることができると共に、ウエハなどの被処理物の特性ないし性能にも改善が認められる。
【００３６】
【実施例】
実施例１
下記表１に示すセラミックス材料からなる直径３３５ｍｍ及び肉厚１０ｍｍの円板を２枚用意し、その内の１枚の表面上にＷメタライズによって発熱体を形成した。このセラミックス円板に残り１枚のセラミックス円板を重ね、発熱体を挟み込んでホットプレス装置により加熱加圧接合し、セラミックスのヒータ部を作製した。
【００３７】
また、下記表１に示す各種の金属及びセラミックス材料からなり、上記ヒータ部と同じ直径を有するブロック部を作製した。その際、ブロック部の厚さを変化させることにより、ヒータ部とブロック部の合計熱容量に対するブロック部の熱容量比を、下記表１に示すように変化させた。尚、ブロック部の表面（ヒータ部との当接面）は、全ての試料でラップ加工面とした。
【００３８】
これらのヒータ部とブロック部を用いて、本発明による第１の形態のヒータモジュールを組み立てた。即ち、加熱時にヒータ部とブロック部が当接し、冷却時にはブロック部が下降してヒータ部から分離する構造とした。尚、ブロック部の昇降及びヒータ部への当接固定は油圧又は空圧により、更に試料６のみヒータ部とブロック部を真空吸着により固定した。また、冷却時に分離したヒータ部とブロック部の距離は、全ての試料で２００ｍｍに設定した。
【００３９】
各試料のヒータモジュールについて、ブロック部と当接しているヒータ部に電圧２００Ｖを印加して２００℃まで加熱し、１０分の温度保持した後、その表面（ウエハ搭載面）内９点の温度を測定して、加熱時（２００℃）の均熱性を求めた。その後、ブロック部をヒータ部から分離して下降させ、単独のヒータ部を放熱させて１５０℃までの冷却速度を測定した。その際、上記と同様に表面内９点の温度から、冷却時（１５０℃）の均熱性を求めた。これらの結果を、下記表１に併せて示した。
【００４０】
【表１】

【００４１】
以上の結果から、本発明のヒータモジュールである各試料とも、数℃／分以下の高いヒータ冷却速度が得られ、加熱時及び冷却時の均熱性も±１％以下に維持されることが分る。特に、ブロック部の熱容量比を２０％以下にすれば、優れた均熱性を維持したまま、１０℃／分以上の極めて高いヒータ冷却速度を達成し得ることが分る。
【００４２】
比較例
上記実施例１と同じヒータ部を作製し、その裏面に６０リットル／分の能力を持つＡｌ製の空冷冷却ブロックを固定設置した。尚、この比較例では、ブロック部は使用していない。この従来から使用されているヒータを、２００℃まで加熱し、１０分の温度保持した後、空冷冷却ブロックにより１５０℃まで冷却させた。
【００４３】
その際、実施例１と同様にして、加熱時及び冷却時（１５０℃）の均熱性を求めた。その結果、ヒータ冷却速度は１℃／分であり、均熱性は加熱時が±１．５％及び冷却時が±１．７％であって、上記実施例１における本発明の各試料よりも著しく劣っていた。
【００４４】
実施例２
上記実施例１の試料４と同じヒータ部とブロック部を用いたが、そのＡｌＮ製のヒータ部の裏面、即ちＡｌ製のブロック部との当接面を厚さ０．２ｍｍのＣｕ板で被覆して、ヒータモジュールを組み立てた。
【００４５】
このヒータモジュールについて、実施例１と同様に実験と評価を行った結果、ヒータ冷却速度及び均熱性は実施例１の試料４と同じであった。ただし、実施例１の試料４では５００サイクルでヒータ部の裏面エッジに直径０．１〜０．２ｍｍの欠けが見られたが、本実施例２の試料ではヒータ部に欠けなどは全く認められなかった。
【００４６】
実施例３
上記実施例１の試料４と同じヒータ部とブロック部を用いたが、そのＡｌ製のブロック部の表面、即ちＡｌＮ製のヒータ部との当接面を研磨加工して鏡面に仕上げ、ヒータモジュールを組み立てた。
【００４７】
このヒータモジュールについて、実施例１と同様に実験と評価を行った。ブロック部の表面を鏡面にすることにより、ヒータ部からの輻射熱が反射されてブロック部が吸熱し難くなるため、ヒータ部とブロック部との距離を５０ｍｍに縮めても、ヒータ部とブロック部の距離を２００ｍｍに設定した実施例１の試料４と同じヒータ冷却速度と均熱性が得られた。
【００４８】
実施例４
上記実施例１の試料４と同じヒータ部とブロック部を用いたが、そのブロック部を油圧により昇降可能に設置にして、第２の形態であって図２に示すヒータモジュールを組み立てた。即ち、加熱時にはヒータ部とブロック部が分離し且つブロック部はチャンバー底部に接触して載置され、冷却時にはブロック部が上昇してヒータ部に当接する構造とした。尚、その他の部分は、実施例１の試料４と全く同じである。
【００４９】
ヒータ部を単独で２００℃まで加熱し、１０分の温度保持した後、その表面内９点の温度を測定して、加熱時（２００℃）の均熱性を求めた。その後、ブロック部を上昇させてヒータ部に当接させ、ヒータ部を１５０℃まで冷却させて、冷却速度を測定すし、冷却時（１５０℃）の均熱性を求めた。
【００５０】
その結果、ヒータ冷却速度及び均熱性は、実施例１の試料４と同じであった。ただし、チャンバー底部に接するまで下降したブロック部が室温まで冷却し、次のヒータ冷却の準備が完了するまでの時間は、実施例１の試料４に比べて１／３に短縮された。
【００５１】
実施例５
上記実施例１の試料４と同じヒータ部とブロック部を用いたが、そのヒータ部を油圧により昇降可能に設置にして、第２の形態であって図３に示すヒータモジュールを組み立てた。即ち、加熱時にはヒータ部とブロック部が分離し且つブロック部はチャンバー底部に接触して載置され、冷却時にはヒータ部が下降してヒータ部に当接する構造とした。尚、その他の部分は、実施例１の試料４と全く同じである。
【００５２】
ヒータ部を単独で２００℃まで加熱し、１０分の温度保持した後、その表面内９点の温度を測定して、加熱時（２００℃）の均熱性を求めた。その後、ヒータ部を下降させてブロック部に当接させ、ヒータ部を１５０℃まで冷却させて、冷却速度を測定すし、冷却時（１５０℃）の均熱性を求めた。
【００５３】
その結果、ヒータ冷却速度及び均熱性は、実施例１の試料４と同じであった。ただし、チャンバー底部に常に接触して載置されたブロック部が室温まで冷却し、次のヒータ冷却の準備が完了するまでの時間は、実施例１の試料４に比べて１／３に短縮された。
【００５４】
実施例６
上記実施例４及び比較例と同じヒータモジュールを、Ｌｏｗ−ｋ膜焼成装置内に収納設置して、実際に１２インチＳｉウエハ上に塗布したＬｏｗ−ｋ膜のキュアを実施した。
【００５５】
実施例４のヒータモジュールを用いた焼成装置でキュアしたＬｏｗ−ｋ膜は、比較例のヒータモジュールを用いた焼成装置の場合に比較して、Ｌｏｗ−ｋ膜の密着強度が２０％向上した。また、ヒータの冷却時間は、比較例に比べて１／２５に短縮することができた。
【００５６】
【発明の効果】
本発明によれば、加熱後のヒータの冷却速度を従来よりも数倍以上、望ましくは１０倍以上に高めることができ、生産性の改善向上に寄与し得る半導体製造装置用ヒータモジュールを提供することができる。しかも、このヒータモジュールを用いることにより、半導体製造装置を小型化することができ、コストを大幅に削減することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の形態におけるヒータモジュールの一具体例を示す概略の断面図である。
【図２】本発明の第２の形態におけるヒータモジュールの一具体例を示す概略の断面図である。
【図３】本発明の第２の形態におけるヒータモジュールの別の具体例を示す概略の断面図である。
【符号の説明】
１ａ、１ｂ、１ｃ　　　ヒータ部
２　　　発熱体
３ａ、３ｂ、３ｃ　　　ブロック部
４　　　ガイド軸
５　　　チャンバー底部

Claims (18)

1. 表面上にウエハを載置して加熱制御するヒータ部と、ヒータ部に対し相対的に移動可能に設けられ、ヒータ部の裏面に当接又は分離してヒータ部との合計熱容量を変えるためのブロック部とを備えることを特徴とする半導体製造装置用ヒータモジュール。
2. 前記ブロック部の熱容量が、ヒータ部とブロック部の合計熱容量の２０％以上であることを特徴とする、請求項１に記載の半導体製造装置用ヒータモジュール。
3. 加熱時にヒータ部とブロック部が当接していて、冷却時にはブロック部がヒータ部から相対的に移動分離することによりヒータ部の冷却速度を速めることを特徴とする、請求項１又は２に記載の半導体製造装置用ヒータモジュール。
4. 加熱時にヒータ部とブロック部が分離していて、冷却時にはブロック部とヒータ部が相対的に移動当接し、ブロック部への熱伝導によりヒータ部の冷却速度を速めることを特徴とする、請求項１又は２に記載の半導体製造装置用ヒータモジュール。
5. 前記ヒータ部とブロック部の当接時に、ブロック部がヒータ部に対して真空吸着により固定されることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の半導体製造装置用ヒータモジュール。
6. 前記ヒータ部とブロック部の互いに当接する当接面のうち、少なくともいずれか片方が鏡面であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の半導体製造装置用ヒータモジュール。
7. 前記ブロック部は、半導体製造装置のチャンバー底部に固定されているか、又は移動してチャンバー底部に当接することを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の半導体製造装置用ヒータモジュール。
8. 前記チャンバー底部が水冷されていることを特徴とする、請求項７に記載の半導体製造装置用ヒータモジュール。
9. 前記ヒータ部がセラミックスに発熱体を形成したものであることを特徴とする、請求項第１〜８のいずれかに記載の半導体製造装置用ヒータモジュール。
10. 前記セラミックスが、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素、炭化珪素、窒化ホウ素からなる群から選ばれた少なくとも１種であることを特徴とする、請求項第９に記載の半導体装置用ヒータモジュール。
11. 前記ヒータ部の少なくともブロック部との当接面が金属で覆われていることを特徴とする、請求項第９又は１０に記載の半導体製造装置用ヒータモジュール。
12. 前記ブロック部が、アルミニウム、マグネシウム、銅、鉄、ステンレス、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素、炭化珪素、窒化ホウ素からなる群から選ばれた少なくとも１種であることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれかに記載の半導体製造装置用ヒータモジュール。
13. 前記ブロック部がヒータ部と同一又は類似の形状で、且つ直径がヒータ部の±２５％以内であることを特徴とする、請求項第１〜１２のいずれかに記載の半導体装置用ヒータモジュール。
14. 前記ヒータ部又はブロック部は油圧又は空圧により相対的に移動することを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の半導体製造装置用ヒータモジュール。
15. 前記ヒータ部の冷却速度が１０℃／分以上であることを特徴とする、請求項第１〜４のいずれかに記載の半導体製造装置用ヒータモジュール。
16. 前記ヒータ部に載置したウエハの冷却時における均熱性が±１％以内であることを特徴とする、請求項１〜１５のいずれかに記載の半導体製造装置用ヒータモジュール。
17. ＣＶＤ装置、エッチャー装置、コータデベロッパー装置、又はＬｏｗ−ｋ焼成装置に用いることを特徴とする、請求項１〜１６のいずれかに記載の半導体製造装置用ヒータモジュール。
18. 請求項１〜１７の半導体製造装置用ヒータモジュールを搭載したことを特徴とする半導体製造装置。

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