JP2008016530A - 熱処理装置及び熱処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】熱処理装置10は、基板50を保持する第1主表面20a及びこの第1主表面に対向する第2主表面20bを有しており、基板を加熱する第1加熱手段22を有する第1定盤20と、第1定盤の第2主表面に対向する第1主面30a及びこの第1主面に対向する第2主面30bを有している第2定盤30と、第1定盤の第2主表面と第2定盤の前記第1主面とを接触又は離間自在に昇降させる定盤昇降機構40とを具えている。
【選択図】図1
Description
図1(A)及び(B)を参照して、この例の熱処理装置の構成につき説明する。
図4を参照して、この例の熱処理装置の構成につき説明する。
20:第1定盤(ホットプレート)
20a、60a:第1主表面
20b、60b:第2主表面
22:第1加熱手段
24、34:温度センサ
26、66:基板保持機構(スペーサ)
30:第2定盤
30a:第1主面
30b:第2主面
32:第2加熱手段
40:定盤昇降機構
41:ボールねじ
42:昇降棒
43:プーリー
43a:第1プーリー
43b:第2プーリー
44:断熱部材
44a:第1断熱部材
44b:第2断熱部材
45:プーリーベルト
46:直動機器(リニアガイド)
47:駆動手段(駆動モータ)
48:結合部材(リンクアーム)
50:基板(ウエハ)
50a:表面
50b:裏面
60:還流定盤
62:加熱手段
64:温度センサ
68:還流チャンバ
69:配管
70:攪拌手段
70a:第1攪拌手段
70b:第2攪拌手段
80:還流手段
90:還流媒体
102:第1チャンバ
102a、102aa、102ab:第1吸排気口
102b、102ba、102bb、102bc:第2吸排気口
104:第2チャンバ
104aa、104ab:吸排気口
Claims (12)
- 基板を保持する第1主表面及び当該第1主表面に対向する第2主表面を有しており、前記基板を加熱する第1加熱手段を有する第1定盤と、
前記第1定盤の前記第2主表面に対向する第1主面を有する第2定盤と、
前記第1定盤の前記第2主表面と前記第2定盤の前記第1主面とを接触又は離間自在に昇降させる定盤昇降機構と
を具えていることを特徴とする熱処理装置。 - 前記第2定盤は、前記第1定盤に接触時に前記第1定盤を加熱する第2加熱手段をさらに具えていることを特徴とする請求項1に記載の熱処理装置。
- 前記定盤昇降機構は、前記第2定盤を昇降させる昇降機構であることを特徴とする請求項1又は2に記載の熱処理装置。
- 基板を保持する第1主表面及び当該第1主表面に対向する第2主表面を有しており、前記基板を加熱する第1加熱手段を有する第1定盤、前記第1定盤の前記第2主表面に対向する第1主面を有しており、前記第1定盤を加熱する第2加熱手段を有している第2定盤、前記第1定盤の前記第2主表面と前記第2定盤の前記第1主面とを接触又は離間自在に、前記第2定盤を昇降させる昇降機構とを具えている熱処理装置を準備する工程と、
前記第1定盤の前記第2主表面と前記第2定盤の前記第1主面とを接触させた状態で、前記第1加熱手段及び前記第2加熱手段を動作させて、前記第1定盤を加熱して第1の温度に維持する工程と、
前記第1定盤の前記第1主表面に基板を保持して前記第1の温度で加熱処理を行う工程と
を含むことを特徴とする熱処理方法。 - 前記第1の温度で加熱処理を行った後、前記第1定盤及び前記第2定盤を当該第1の温度よりも低い温度に降温して第2の温度に維持する場合には、
前記第1加熱手段及び前記第2加熱手段の動作を停止する工程と、
前記第1定盤の前記第2主表面と前記第2定盤の前記第1主面とを離間させた状態で降温させた後、前記第1加熱手段及び前記第2加熱手段を動作させて前記第1定盤を前記第2の温度に維持する工程と
をさらに含むことを特徴とする請求項4に記載の熱処理方法。 - 基板を保持する第1主表面及び当該第1主表面に対向する第2主表面を有しており、還流チャンバ、当該還流チャンバに充填されている還流媒体、前記還流チャンバに接続されていて、当該還流媒体を前記還流チャンバ内又は前記還流チャンバ外へと還流させる還流手段と前記基板を加熱する加熱手段を有する還流定盤を具えていることを特徴とする熱処理装置。
- 前記還流媒体を攪拌する攪拌手段であって、前記還流定盤の前記第1主表面に対向して配置される第1攪拌手段及び前記第2主表面に対向して配置される第2攪拌手段を含む前記攪拌手段をさらに具えていることを特徴とする請求項6に記載の熱処理装置。
- 前記還流媒体を、ガリウムとしてあることを特徴とする請求項6又は7に記載の熱処理装置。
- 基板を保持する第1主表面及び当該第1主表面に対向する第2主表面を有しており、還流チャンバ、当該還流チャンバに充填されている還流媒体、前記還流チャンバに接続されていて、当該還流媒体を前記還流チャンバ内又は前記還流チャンバ外へと還流させる還流手段、及び前記基板を加熱する加熱手段を有する還流定盤を具えている熱処理装置を準備する工程と、
前記還流手段を停止させた状態で、前記加熱手段を動作させて、前記還流定盤を加熱して第1の温度に維持する工程と、
前記還流定盤の前記第1主表面に基板を保持して前記第1の温度で加熱処理を行う工程と
を含むことを特徴とする熱処理方法。 - 前記第1の温度で加熱処理を行った後、前記還流定盤を当該第1の温度よりも低い温度に降温して第2の温度に維持する場合には、
前記加熱手段の動作を停止する工程と、
前記還流手段を動作させて降温させた後、前記加熱手段を動作させて前記還流定盤を前記第2の温度に維持する工程と
をさらに含むことを特徴とする請求項9に記載の熱処理方法。 - 前記熱処理装置を準備する工程は、前記還流媒体を攪拌する攪拌手段であって、前記還流定盤の前記第1主表面に対向して配置される第1攪拌手段及び前記第2主表面に対向して配置される第2攪拌手段を含む前記攪拌手段をさらに具えている熱処理装置を準備する工程であり、
前記還流定盤を加熱して第1の温度に維持する工程は、前記攪拌手段を作動させて行う工程であることを特徴とする請求項9に記載の熱処理方法。 - 前記還流媒体を、ガリウムとして行うことを特徴とする請求項9から11のいずれか一項に記載の熱処理方法。
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---|---|---|---|---|
CN106098594A (zh) * | 2016-06-28 | 2016-11-09 | 昆山国显光电有限公司 | 一种基板热处理传送腔室 |
WO2022257734A1 (zh) * | 2021-06-11 | 2022-12-15 | 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 | 基板处理装置 |
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JP2003100856A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-04 | Kyocera Corp | ウェハ支持部材 |
JP2004014655A (ja) * | 2002-06-05 | 2004-01-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造装置用ヒータモジュール |
JP2007250313A (ja) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体、フラットディスプレイパネル製造検査用ヒータユニット及びそれを備えた装置 |
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