JP2002289504A - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置Info
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Abstract
熱処理プレートを設定温度まで迅速に降温させることが
できる熱処理装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 熱処理装置は、ヒートパイプ構造を採用
した熱処理プレート11と、作動液16を加熱するヒー
タ17と、熱処理プレート11を降温させるための冷却
プレート21とを備える。熱処理プレート11を降温さ
せる際には、冷却プレート21に冷却水の供給部32か
ら冷却水が供給され、熱処理プレート11は高速に降温
される。次に、冷却プレート11に圧縮空気の供給部3
1から圧縮空気が供給され、熱処理プレートは低速で降
温される。
Description
液晶表示パネル用ガラス基板あるいは半導体製造装置用
マスク基板等の基板を熱処理プレートにより加熱して処
理する熱処理装置に関する。
製造工程において、基板上に形成されたフォトレジスト
膜の露光処理前の加熱処理(プリベーク処理)や露光後
の加熱処理(ポストエクスポージャベーク処理)、ある
いは、現像後の加熱処理(ポストベーク処理)等に用い
られる。
た内蔵した熱処理プレートを処理室内に備え、この熱処
理プレートの上面に基板を載置した状態で基板を加熱す
る構成となっている。また、例えば実開昭63−193
833号公報に記載されたように、熱処理プレートの上
面より微小高さ突出する球体を配設し、熱処理プレート
上に、いわゆるプロキシミティギャップと称される微小
な間隔を保って基板を近接支持させた状態で、この基板
を加熱するものもある。
されるパターンの特性に応じて種々のフォトレジストが
使用されており、これに対応して熱処理装置における基
板の処理温度も異なっている。このため、熱処理装置に
おける熱処理プレートの温度を任意の温度に調整しうる
構成とすることが好ましい。
設定温度より高い温度に変更するためには、ヒータによ
り熱処理プレートを急速に加熱すればよい。しかしなが
ら、熱処理プレートの温度を直前の設定温度より低い温
度に変更するためには、熱処理プレートをその放熱によ
って冷却せざるを得ないことから、熱処理プレートの温
度を直前の設定温度より低い温度に変更するには長い時
間を要する。
においては、基板の処理温度の種類毎に複数台の熱処理
装置を設置し、基板をその処理温度と対応する熱処理装
置により熱処理する構成をとっている。しかしながら、
このような構成をとった場合においては、多数の熱処理
装置を設置する必要が生じ、その専有面積と設備費用が
増大するという問題が生ずる。
開平11−283896号公報や特開2000−306
796号公報においては、従来の熱処理装置に熱処理プ
レートを冷却するための冷却機構を付設し、熱処理プレ
ートの温度を直前の設定温度より低い温度に変更する際
には、この冷却機構により熱処理プレートを急速に強制
冷却することで、熱処理プレートの温度を直前の設定温
度より低い温度に迅速に変更することができる熱処理装
置が開示されている。
理装置において、冷却機構として、冷却流体の流路内に
圧縮空気等の気体を流入させることにより冷却を行う空
冷方式のものを採用した場合には、熱交換率が悪く、気
体の流量を大きくした場合にも降温速度が非常に遅いと
いう問題がある。
を使用し、この冷却水を冷却流体の流路内に流入させる
ことにより冷却を行う水冷方式を採用することも考えら
れる。しかしながら、水冷方式を採用した場合、冷却流
体の流路内に残存した冷却水が基板の加熱処理時にその
沸点以上の温度まで昇温されて沸騰する。このため、熱
処理プレートの温度が不均一になったり、熱処理プレー
トが振動したりすることにより、基板の処理結果に悪影
響を及ぼす。また、冷却流体の流路を大気と遮断された
密閉構造とした場合、冷却流体の流路内で冷却水が沸騰
したときには、冷却流体の流路内の圧力が急上昇し、爆
発等の危険が生ずる。
れたものであり、基板の処理結果に悪影響を及ぼすこと
なく、熱処理プレートを設定温度まで迅速に降温させる
ことができる熱処理装置を提供することを目的とする。
は、熱処理プレートと、前記熱処理プレートを加熱する
加熱機構とを備え、前記熱処理プレートにより基板を加
熱する熱処理装置であって、冷却流体の流路と、前記流
路に冷却水を供給する冷却水供給手段と、前記流路に気
体を供給する気体供給手段と、から成る熱処理プレート
の降温機構を備えたことを特徴とする。
の発明において、前記冷却水供給手段と前記気体供給手
段とを制御するための制御部を備え、前記制御部は、前
記流路に冷却水を供給した後、前記流路に気体を供給す
る。
の発明において、前記制御部は、前記流路に冷却水を供
給して前記基板保持部の温度を高速に降温させた後、前
記流路に気体を供給して前記基板保持部の温度を低速で
降温させる。
の発明において、前記制御部は、前記流路に冷却水を供
給して前記基板保持部の温度を高速に降温させた後、前
記流路に気体を供給することにより前記流路内に残存す
る冷却水を前記流路内より排出する。
面に基づいて説明する。図1はこの発明の第1実施形態
に係る熱処理装置の側面概要図であり、図2はその平面
概要図である。
用することにより、熱容量を小さくしつつ温度分布の面
内均一性を高めたものであり、中空構造の熱処理プレー
ト11と、この熱処理プレート11の温度を測定するた
めの温度センサ14とを備える。
板Wを載置して熱処理するためのものであり、例えば、
アルミニュウム等の伝熱性が良好な金属材料によって中
空円筒状に形成されている。なお、図示を省略している
が、熱処理プレート11の表面には、アルミナ、マテア
タイト等の低伝熱部材から構成された3個の球体が配設
されている。この球体の上端は、熱処理プレート11の
表面より微小量だけ突出する状態で配設されており、基
板Wと熱処理プレート11の表面との間にいわゆるプロ
キシミティギャップと称される微小間隔を保った状態
で、基板Wを熱処理プレート11の球体上に載置、支持
して、この基板Wを加熱するよう構成されている。
面と直接接触する状態で熱処理プレート11上に載置し
てもよい。
パイプ構造のため減圧されており、その強度を補強する
ため複数本のリム12が形成されている。そして、熱処
理プレート11の内部空間下方には、一対の作動液室1
3が形成されている。この作動液室内13には、水等の
作動液16が貯留されている。また、この作動液室13
内には、作動液16を加熱するためのヒータ17が配設
されている。
駆動により作動液16を加熱することにより、作動液1
6の蒸気が熱処理プレート11の内部空間を移動し、熱
処理プレート11との間で蒸発潜熱の授受を行うことに
より、熱処理プレート11を加熱する構成となってい
る。熱処理プレート11との間で蒸発潜熱の授受を実行
した作動液16の蒸気は、再度、作動液16となって、
作動液室13に回収される。
ジストの種類等に対応して基板Wの熱処理温度を直前の
設定温度より低い温度に変更するためには、熱処理プレ
ート11を急速に強制冷却する必要がある。このため、
この熱処理装置においては、熱処理プレート11の下面
における一対の作動液室13の中央部に、冷却プレート
21が配設されている。なお、冷却プレート21の構成
については、後程詳細に説明する。
電気的構成について説明する。図3は、この発明の第1
実施形態に係る熱処理装置の主要な電気的構成を示すブ
ロック図である。
作プログラムが格納されたROM41と、制御時にデー
タ等が一時的にストアされるRAM42と、論理演算を
実行するCPU43からなる制御部40を備える。制御
部40は、インターフェース44を介して、上述した温
度センサ14、開閉弁33、開閉弁34と接続されてい
る。また、制御部40は、上述したヒータ17を駆動す
るためのヒータ駆動部45と接続されている。
ついて説明する。図4は、冷却プレート21の平面図で
ある。
二枚の金属板を張り合わせた構成を有し、その張り合わ
せ面には冷却流体の流路24が形成されている。この冷
却流体の流路24の一端は流入口22と接続されてお
り、他端は流出口23と接続されている。また、流入口
22から流出口23に至る流路24は、その流路長を長
くするために蛇行状に形成されている。
られた供給配管25は、冷却水の供給部32と、開閉弁
34を介して接続されている。また、この供給配管25
は、冷却用の気体である圧縮空気の供給部31とも、開
閉弁33を介して接続されている。一方、流出口23に
取り付けられた排出配管26は、大気開放されたドレイ
ン35と接続されている。
てもよく、また、その他の冷却媒体を使用してもよい。
おいては、基板Wの熱処理温度を直前の設定温度より低
い温度に変更する際には、冷却流体の流路24中に冷却
水の供給部32から供給された冷却水を流通させること
により、熱処理プレート11を高速に降温させる。熱処
理プレート11の降温に供された冷却水は、大気開放さ
れたドレイン35に排出される。
路24に冷却水が残存していた場合には、冷却流体の流
路24内に残存した冷却水が後続する基板Wの加熱処理
時にその沸点以上の温度まで昇温されて沸騰し、熱処理
プレート11の温度が不均一になったり、熱処理プレー
ト11が振動したりすることにより、基板Wの処理結果
に悪影響を及ぼす。このため、この熱処理装置において
は、冷却流体の流路24に冷却水を供給して熱処理プレ
ート11の温度を高速に降温させた後、この流路24に
圧縮空気の供給部31から供給された圧縮空気を供給す
る構成となっている。
置において、基板Wの熱処理温度を直前の設定温度より
低い新たな設定温度Xに変更する場合の熱処理プレート
11の降温動作について説明する。図5は、この発明の
第1実施形態に係る熱処理プレート11の降温動作を示
すフローチャートである。
Wを熱処理するために設定された設定温度となっている
場合に、引き続いて異なるロットの基板Wを熱処理する
ためにこの熱処理プレート11の温度を設定温度Xに変
更する場合においては、次のような制御動作により、冷
却プレート21を使用して熱処理プレート11の温度を
降温させる。
弁34を開放することにより、冷却水の供給部32から
冷却プレート21における冷却流体の流路24内に冷却
水を供給する(ステップS11)。これにより、熱処理
プレート11が冷却水の作用で急速冷却され、高速に降
温される。
によるヒータ17の加熱制御動作を停止する(ステップ
S12)。すなわち、制御部40からヒータ駆動部45
に指令を出すことにより、ヒータ駆動部45によるヒー
タ17の一切の制御動作を停止させる。
ート11の温度の検出値を制御部40において監視し、
熱処理プレート11の温度が新たな設定温度XよりY1
だけ高い温度となったか否かを判定する(ステップS1
3)。
度XよりY1だけ高い温度となれば、制御部40の制御
で開閉弁34を閉止することにより、冷却水の供給を停
止する(ステップS14)。
で開閉弁33を開放することにより、圧縮空気の供給部
31から冷却プレート21における冷却流体の流路24
内に圧縮空気を供給する(ステップS15)。これによ
り、冷却流体の流路24から冷却水が排出されるととも
に、圧縮空気の作用で処理プレート11が低速で降温さ
れる。
な設定温度XよりY2だけ高い温度となれば、制御部4
0の制御で開閉弁33を閉止することにより、圧縮空気
の供給を停止する(ステップS17)。これにより、熱
処理プレート11は、その放熱のみにより冷却されるこ
とになる。
を待つ(ステップS18)。
ータ駆動部45によるヒータ17の加熱制御動作を開始
する(ステップS19)。すなわち、制御部40からヒ
ータ駆動部45に指令を出すことにより、ヒータ駆動部
45によるヒータ17の制御動作を再開させる。
温度Xとなれば(ステップS20)、降温処理動作を終
了する。
けているのは、次のような理由による。即ち、このよう
な熱処理装置においては、PID制御等を利用したヒー
タ駆動部45を使用し、熱処理プレート11の温度を経
時的に測定することによりヒータ17による加熱動作を
制御することで、熱処理プレート11の温度を設定温度
に整定させている。そして、このときのPID制御等に
使用される各係数等の設定は、熱処理プレート11が通
常の状態で降温するという条件の下に設定されている。
装置のように、熱処理プレート11を冷却水や圧縮空気
により強制的に冷却した場合においては、ヒータ駆動部
45が強制冷却時の降温速度を考慮してヒータ17の制
御を実行するため、新たな設定温度Xに対してオーバシ
ュートが発生するという問題が生ずる。
述した一定のディレイ時間tを設けており、このディレ
イ時間tの間は熱処理プレート11は冷却水や圧縮空気
により強制冷却されていないことから、熱処理プレート
11は通常の状態で降温する。このため、熱処理プレー
ト11の温度変動がオーバシュートを生ずることなく、
速やかに設定温度Xに整定する。
2は、aおよびbを定数としたとき、式Y2=aX+b
により決定することが好ましい。これは、熱処理プレー
ト11を圧縮空気等の気体で降温させる場合には、設定
温度Xが高いほど熱処理プレートの降温速度が速く、そ
の速度は設定温度の一次式に比例することが実験的に認
められているためである。
プレート11の降温速度が、強制冷却の影響を受けた状
態から通常の状態へ移行するために必要な時間に対応す
る時間である。このディレイ時間tは、熱処理プレート
11の熱容量等を考慮して実験的に求めることができ
る。
いては、最初に冷却水を利用して熱処理プレート11を
冷却することから、熱処理プレート11を高速に降温さ
せることができる。しかる後、圧縮空気を利用して熱処
理プレート11を低速で降温させることから、熱処理プ
レート11の降温動作時にオーバシュートを生ずること
なく、速やかに設定温度に整定する。
給されこの流路24内に残存する冷却水は、後で冷却流
体の流路24内に供給される圧縮空気によりこの流路2
4内から排出される。このため、冷却流体の流路24内
に残存した冷却水が基板Wの加熱処理時にその沸点以上
の温度まで昇温されて沸騰するという現象の発生を有効
に防止することができる。
いては、冷却流体の流路24は、大気開放されたドレイ
ン35と接続されている。このため、装置の誤動作等に
より冷却流体の流路24内において冷却水が沸騰した場
合においても、沸騰時の圧力を大気開放されたドレイン
35から排出させることができる。このため、冷却流体
の流路24内の圧力が急上昇して爆発等が生ずるという
危険を未然に回避することが可能となる。
においては、冷却水を利用して熱処理プレート11を高
速に降温させた後、圧縮空気を利用して熱処理プレート
11を低速で降温させる構成を採用しているが、圧縮空
気は冷却流体の流路24内に残存した冷却水を排出する
目的のみに使用してもよい。
処理プレート11の降温動作を示すフローチャートであ
る。
変更する場合においては、先ず、制御部40の制御で開
閉弁34を開放することにより、冷却水の供給部32か
ら冷却プレート21における冷却流体の流路24内に冷
却水を供給する(ステップS21)。これにより、熱処
理プレート11が冷却水の作用で急速冷却され、高速に
降温される。
によるヒータ17の加熱制御動作を停止する(ステップ
S22)。すなわち、制御部40からヒータ駆動部45
に指令を出すことにより、ヒータ駆動部45によるヒー
タ17の一切の制御動作を停止させる。
ート11の温度の検出値を制御部40において監視し、
熱処理プレート11の温度が新たな設定温度XよりY1
だけ高い温度となったか否かを判定する(ステップS2
3)。
度XよりY1だけ高い温度となれば、制御部40の制御
で開閉弁34を閉止することにより、冷却水の供給を停
止する(ステップS24)。
で開閉弁33を開放することにより、圧縮空気の供給部
31から冷却プレート21における冷却流体の流路24
内に圧縮空気を供給する(ステップS25)。この圧縮
空気の供給は、冷却流体の流路24内に残存する冷却水
が排出された時点で停止される。
を待つ(ステップS26)。
ータ駆動部45によるヒータ17の加熱制御動作を開始
する(ステップS27)。すなわち、制御部40からヒ
ータ駆動部45に指令を出すことにより、ヒータ駆動部
45によるヒータ17の制御動作を再開させる。
温度Xとなれば(ステップS28)、降温処理動作を終
了する。
ても、最初に冷却水を利用して熱処理プレート11を冷
却することから、熱処理プレート11を高速に降温させ
ることができる。また、冷却流体の流路24内にに残存
する冷却水を、冷却流体の流路24内に供給される圧縮
空気により排出することから、冷却流体の流路24内に
残存した冷却水が基板Wの加熱処理時にその沸点以上の
温度まで昇温されて沸騰するという現象の発生を有効に
防止することができる。
のディレイ時間tを設けており、このディレイ時間tの
間は熱処理プレート11が通常の状態で降温する構成と
していることから、冷却水のみを使用して熱処理プレー
ト11の降温制御を実行した場合においても、熱処理プ
レート11の温度変動がオーバシュートを生ずることな
く、熱処理プレート11を速やかに設定温度Xに整定さ
せることが可能となる。
冷却水の供給部32と冷却プレート21との間に開閉弁
34を設け、制御部40の制御でこの開閉弁を開閉する
ことにより、冷却プレート21における冷却流体の流路
24に冷却水を供給するか否かを決定し、これにより熱
処理プレート11の降温動作を制御している。しかしな
がら、冷却プレート21における冷却流体の流路24に
供給する冷却水の流量を調整することにより、熱処理プ
レート11の降温動作を制御するようにしてもよい。
理装置の側面概要図であり、図8はその主要な電気的構
成を示すブロック図である。なお、上述した第1、第2
実施形態に係る熱処理装置と同一の部材については、同
一の符号を付して詳細な説明を省略する。
形態に係る開閉弁34にかえて、制御部40の制御によ
り冷却流体の流路24に供給される冷却水の流量を連続
的に調整可能な流量調整弁36を採用している点を除
き、上述した第1、第2実施形態と同様の構成を有す
る。
処理プレート11の降温制御を実行する際には、図5に
示す第1実施形態のステップS11〜ステップS14お
よび図6に示す第2実施形態のステップS21〜ステッ
プS24において、次のような形態で冷却水が供給され
る。
ト11の温度の検出値と設定温度Xとの差ΔTとし、e
を定数としたとき、冷却流体の流路24に供給される冷
却水の流量Qが次の式を満足するように冷却水の流量が
調整される。但し、熱処理プレート11の温度の検出値
と設定温度Xとの差ΔTの値が大きく、流量Qの値が冷
却流体の流路24に供給可能な冷却水の最大流量を超え
た場合には、最大流量で冷却水が供給される。
も、熱処理プレート11の温度変動がオーバシュートを
生ずることなく、熱処理プレート11を速やかに設定温
度Xに整定させることが可能となる。
れも、ヒートパイプ構造を利用した熱処理プレート11
を使用し、ヒータ17または冷却プレート21と熱処理
プレート11との間で蒸発潜熱の授受を行うことにより
熱処理プレート11を加熱または冷却する構成を採用し
ているが、熱処理プレート11を例えば面状のヒータで
直接加熱し、または、熱処理プレート11を冷却プレー
ト21で直接冷却する構成を採用してもよい。すなわ
ち、本発明の加熱機構はヒートパイプ構造に限定されな
い。
ト21との間、または圧縮空気の供給部31に空気の冷
却手段を設けてもよい。
気は乾燥した空気である方がよい。
で化学薬品を使用するものに比べて調達コストが安価で
あるとともに、廃棄処理費用も安価で済む。
れば、冷却流体の流路内に冷却水を供給することから、
熱処理プレートの降温制御時に、冷却水を利用して熱処
理プレートを迅速に降温させることが可能となる。ま
た、冷却流体の流路内に気体を供給することから、この
流路内に冷却水が残存して沸騰することにより基板の処
理結果に悪影響を及ぼすという現象の発生を防止するこ
とが可能となる。
前記流路に冷却水を供給して前記基板保持部の温度を高
速に降温させた後、前記流路に気体を供給して前記基板
保持部の温度を低速で降温させることから、熱処理プレ
ートの降温動作時にオーバシュートを生ずることなく、
熱処理プレートの温度を速やかに設定温度に整定するこ
とが可能となる。
面概要図である。
面概要図である。
要な電気的構成を示すブロック図である。
11の降温動作を示すフローチャートである。
11の降温動作を示すフローチャートである。
面概要図である。
要な電気的構成を示すブロック図である。
Claims (4)
- 【請求項1】 熱処理プレートと、前記熱処理プレート
を加熱する加熱機構とを備え、前記熱処理プレートによ
り基板を加熱する熱処理装置であって、 冷却流体の流路と、 前記流路に冷却水を供給する冷却水供給手段と、 前記流路に気体を供給する気体供給手段と、 から成る熱処理プレートの降温機構を備えたことを特徴
とする熱処理装置。 - 【請求項2】 請求項1に記載の熱処理装置において、 前記冷却水供給手段と前記気体供給手段とを制御するた
めの制御部を備え、 前記制御部は、前記流路に冷却水を供給した後、前記流
路に気体を供給する熱処理装置。 - 【請求項3】 請求項2に記載の熱処理装置において、 前記制御部は、前記流路に冷却水を供給して前記基板保
持部の温度を高速に降温させた後、前記流路に気体を供
給して前記基板保持部の温度を低速で降温させる熱処理
装置。 - 【請求項4】 請求項2に記載の熱処理装置において、 前記制御部は、前記流路に冷却水を供給して前記基板保
持部の温度を高速に降温させた後、前記流路に気体を供
給することにより前記流路内に残存する冷却水を前記流
路内より排出する熱処理装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006222214A (ja) * | 2005-02-09 | 2006-08-24 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4153781B2 (ja) * | 2002-01-31 | 2008-09-24 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理装置および基板処理装置 |
US7195693B2 (en) * | 2002-06-05 | 2007-03-27 | Advanced Thermal Sciences | Lateral temperature equalizing system for large area surfaces during processing |
US7337255B2 (en) * | 2002-06-12 | 2008-02-26 | The Boeing Company | Distributed data handling and processing resources system |
KR100897552B1 (ko) * | 2003-03-14 | 2009-05-15 | 삼성전자주식회사 | 히트 파이프를 이용한 냉각장치가 구비된 베이크 시스템 |
WO2005055291A1 (en) * | 2003-11-26 | 2005-06-16 | Temptronic Corporation | Apparatus and method for reducing electrical noise in a thermally controlled chuck |
CN100411091C (zh) * | 2003-11-26 | 2008-08-13 | 天普桑尼克公司 | 用于降低热控制卡盘中电噪声的装置和方法 |
WO2005074450A2 (en) * | 2004-01-30 | 2005-08-18 | Tokyo Electron Limited | Substrate holder having a fluid gap and method of fabricating the substrate holder |
CN101410953B (zh) * | 2006-03-27 | 2011-04-13 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理方法和装置、半导体装置的制造方法 |
US20070240870A1 (en) * | 2006-04-18 | 2007-10-18 | Daytona Control Co., Ltd. | Temperature control apparatus |
US20080145038A1 (en) * | 2006-12-15 | 2008-06-19 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for heating a substrate |
NL2005208A (en) * | 2009-09-28 | 2011-03-29 | Asml Netherlands Bv | Heat pipe, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
NL2005207A (en) * | 2009-09-28 | 2011-03-29 | Asml Netherlands Bv | Heat pipe, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
GB201118339D0 (en) * | 2011-10-24 | 2011-12-07 | Cambridge Reactor Design Ltd | Heating and cooling apparatus |
US20150228514A1 (en) * | 2014-02-12 | 2015-08-13 | Axcelis Technologies, Inc. | Multi Fluid Cooling System for Large Temperature Range Chuck |
JP7256034B2 (ja) * | 2019-03-04 | 2023-04-11 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置および熱処理方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63193833A (ja) | 1987-02-05 | 1988-08-11 | 本田技研工業株式会社 | 化粧板の製造方法 |
JP3276553B2 (ja) * | 1995-01-19 | 2002-04-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
US5846375A (en) * | 1996-09-26 | 1998-12-08 | Micron Technology, Inc. | Area specific temperature control for electrode plates and chucks used in semiconductor processing equipment |
US6102113A (en) * | 1997-09-16 | 2000-08-15 | B/E Aerospace | Temperature control of individual tools in a cluster tool system |
US6415858B1 (en) * | 1997-12-31 | 2002-07-09 | Temptronic Corporation | Temperature control system for a workpiece chuck |
JP4090104B2 (ja) | 1998-03-31 | 2008-05-28 | 株式会社Sokudo | 基板熱処理装置 |
JP2000306796A (ja) | 1999-04-21 | 2000-11-02 | Komatsu Ltd | 基板温度制御装置 |
JP2000353707A (ja) | 1999-06-10 | 2000-12-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
US6544338B1 (en) * | 2000-02-10 | 2003-04-08 | Novellus Systems, Inc. | Inverted hot plate cure module |
-
2001
- 2001-03-28 JP JP2001091691A patent/JP3973853B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-03-07 US US10/091,427 patent/US6736206B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006222214A (ja) * | 2005-02-09 | 2006-08-24 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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