JPH11224127A - 温度制御装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】被温度制御対象物の温度を急激に変化させる場
合に該被温度制御対象物が載置されるプレートに生じる
歪を極力少なくし、温度を変化させる過渡状態において
も被温度制御対象物を一様かつ迅速に温度制御する。 【解決手段】液体タンク１３に格納される温度流体は冷
却部１４によって一定の温度に保持され、この温度流体
は、ポンプ１１、大流量バルブ６あるいは小流量バルブ
７、及び流入孔５ａを介して冷却室４に流入し、温度流
体は間隙ｄが形成する空気層、ヒータ２を介して、加熱
されたウェハ１の熱を吸収する。この熱を吸収した温度
流体は流出孔５ｂ、圧力調整弁１０を介して液体タンク
１３に再流入する。冷却室４に閉じこめられた温度流体
は、ヒータ２によるウェハ１の加熱時に同時に加熱され
ており、流体タンク１３の温度流体を用いてウェハ１を
冷却する初期期間で、コントローラ１５は、当初小流量
バルブ７を開にし、冷却室４に流入する温度流体の流量
を少なく設定し、その後小流量バルブ７を閉にするとと
もに、大流量バルブ６を開にする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ウェハ等の被温度
制御対象物を温度制御する温度制御装置に関し、特に、
ウェハを載置するプレートの歪を少なくして被温度制御
対象物を温度制御する温度制御装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から、半導体製造工程には、ウェハ
に塗布したレジスト膜に残存する溶剤を取り除くための
加熱工程（プリベーキング）や、エッチング前にレジス
トと基板との密着を容易にするための加熱工程（ポスト
ベーキング）や、加熱したウェハを室温レベルに冷却す
るクーリング工程などが含まれ、これらの工程の際に、
ウェハをより効率よくかつ高精度に温度制御することが
スループットを向上させる上で重要であり、このための
各種の温度制御が行われている。

【０００３】そして、このような温度制御を行う際、従
来、ウェハを載置して該ウェハを加熱する加熱プレート
と該ウェハを冷却する冷却プレートとを別々に設け、上
述した温度サイクルにおけるベーキング工程からクーリ
ング工程に移行する場合や、クーリング工程からベーキ
ング工程に移行する場合には、ウェハを加熱プレートか
ら冷却プレートに搬送したり、冷却プレートから加熱プ
レートに搬送したりしていたので、半導体製造工程全体
に時間がかかるとともに、ウェハの温度を精密に制御す
ることができなかった。

【０００４】そこで、図７（ａ）に示すような冷却・加
熱プレート５１を設け、この冷却・加熱プレート５１内
に加熱時は高温の温度流体を流入させて、この冷却・加
熱プレート５１に載置されたウェハを５０を加熱し、そ
の後の冷却時には低温の温度流体を冷却・加熱プレート
５１内に切替流入させることにより加熱されたウェハ５
０を冷却する温度制御装置が考えられている。すなわ
ち、１つの温度プレートによって１つのウェハに対する
加熱、冷却を移動させずに行う温度制御装置がある。

【０００５】この冷却・加熱プレート５１によってウェ
ハ５０を加熱あるいは冷却する機構は、例えば、１２０
℃に加熱されたウェハを２０℃に冷却する場合、２０℃
に設定された温度流体を冷却・加熱プレート５１内に流
入させ、冷却・加熱プレート５１上面とウェハ５１との
間における０．１ｍｍ程度の間隙空間を熱伝導体とし
て、温度流体がウェハ５１からの熱を吸収することによ
って行われる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、温度流
体を用いてウェハが載置されるプレートの温度を上昇さ
せたり、下降させたりする場合、特に温度を急激に変化
させる場合、プレートが部分的に膨張あるいは収縮する
ため、一時的にプレートに歪が生じる。

【０００７】例えば、図７（ｂ）に示すように、１２０
℃に加熱された冷却・加熱プレート５１に２０℃の温度
流体を冷却・加熱プレート５１の周縁部５２から中心部
５３に向かって流して冷却・加熱プレート５１を冷却す
る場合、冷却・加熱プレート５１の周縁部５２は急激に
冷却されるため、周縁部５２と中心部５３との間に温度
差が生じるとともに、冷却・加熱プレート５１の上面に
比して下面の温度の方が低くなるため、冷却・加熱プレ
ート５１はその中心部５３が上に凸の形状に変形する。

【０００８】このような冷却・加熱プレート５１の変形
は、０．１ｍｍの一様な間隙空間であった冷却・加熱プ
レート５１とウェハ５０との間隙を不均一にするため、
冷却・加熱プレート５１とウェハ５０との間における熱
伝導量も不均一になり、結果として、ウェハ５０全体に
対する温度制御を高精度に行うことができないことにな
る。

【０００９】ウェハ５０全体に対する温度制御を精度高
くできないことは、ウェハ５０上に塗布されるレジスト
膜の溶媒等の揮発を一様に行うことができなくなること
を意味し、結果としてレジスト膜の膜厚を均一にするこ
とができなくなるという問題点があった。

【００１０】このレジスト膜の膜厚のばらつきは、露光
処理を行う際の焦点距離が一致しなくなることを意味
し、精度の高い露光処理を困難にする。

【００１１】一方、半導体製造工程では、加熱、冷却の
繰り返し処理を迅速に行って効率的な処理を行いたいと
いう要求がある。

【００１２】そこで、本発明は、かかる問題点を除去
し、被温度制御対象物の温度を急激に変化させる場合に
該被温度制御対象物が載置されるプレートに生じる歪を
極力少なくし、温度を変化させる過渡状態においても被
温度制御対象物を一様かつ迅速に温度制御することがで
きる温度制御装置を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段および効果】第１の発明
は、所定の設定温度に調整された温度流体を温度制御室
に循環させ、該温度制御室との熱伝導によって被温度制
御対象物の温度を制御する温度制御装置において、前記
温度制御室に流入される前記温度流体の流量を可変にす
るバルブと、前記被温度制御対象物の温度を急激に変化
させる温度流体の供給開始時又は温度流体の切替時に、
前記バルブを流れる温度流体の流量を少なくする制御を
行うバルブ制御手段とを具備したことを特徴とする。

【００１４】これにより、被温度制御対象物の温度を急
激に変化させる場合に該被温度制御対象物が載置される
プレートに生じる歪を極力少なくし、温度を変化させる
過渡状態においても被温度制御対象物を一様かつ迅速に
温度制御することができる。

【００１５】第２の発明は、第１の発明において、前記
バルブは、流量の異なる複数の固定バルブが並列接続さ
れたバルブであることを特徴とする。

【００１６】従って、簡易な構成及び制御で、第１の発
明と同様な効果を奏する。

【００１７】第３の発明は、所定の設定温度に調整され
た温度流体を温度制御室に循環させ、該温度制御室との
熱伝導によって被温度制御対象物の温度を制御する温度
制御装置において、前記温度制御室に流入される前記温
度流体の流量を一定にする定流量バルブと、前記定流量
バルブからの温度流体を前記温度制御室に流入させる流
入管と前記温度流体を前記温度制御室から流出させる流
出管との間をバイパスして前記温度流体を分岐するバイ
パス管と、前記バイパス管の途中に設けられた開閉バル
ブと、前記被温度制御対象物の温度を急激に変化させる
場合、前記開閉バルブを開に制御するバルブ制御手段と
を具備したことを特徴とする。

【００１８】これにより、第１の発明と同様な効果を奏
するとともに、大流量、微小流量ともに一定流量に固定
できる。つまり、複数の温度制御室を同じ条件にするこ
とができる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。

【００２０】図１は、本発明の第１の実施の形態である
温度制御装置の構成を示す図である。図１において、ウ
ェハ１はヒータ２の上部に載置され、ウェハ１とヒータ
２とはシム３によって一様な間隙ｄを有し、この間隙ｄ
の空気層を介してウェハ１とヒータ２との間の熱伝導が
行われる。ウェハ１は、周知のとおり円盤形状であり、
ヒータ２は、このウェハ１の形状より大きな円形表面を
もつ。

【００２１】ヒータ２は、図示しない電熱線がその表面
に一様に形成され、ヒータ２を均一に加熱できるように
なっている。このヒータ２の加熱は、コントローラ１５
内のヒータコントローラ１６によって電力制御される。
従って、ウェハ１を加熱する場合には、ヒータコントロ
ーラ１６の電力制御によって行われる。

【００２２】一方、ウェハ１を冷却する場合、流体タン
ク１３において貯えられ、所定の温度に調整された低温
の温度流体を冷却室４に流入することによって行われ
る。

【００２３】すなわち、流体タンク１３に貯えられた温
度流体は、後述するコントローラ１５による大流量バル
ブ６及び小流量バルブ７の開閉制御により、流入孔５ａ
を介して冷却室４に流入する。冷却室４に流入した温度
流体は、間隙ｄの大気、ヒータ２を介してウェハ１から
熱を奪い、流出孔５ｂ、逆止弁１０を介して流体タンク
１３に戻される。ここで、ヒータ２は、薄い板状部材あ
るいは薄膜で構成され、冷却室４と面的に密着してい
る。

【００２４】このままにしておくと、液体タンク１３内
の温度流体は温度上昇してしまい、所定の温度に維持す
ることができないため、チルトポンプ１２及び冷却部１
４によって流体タンク１３内の温度流体を冷却する。こ
の冷却部１４による冷却制御は、コントローラ１５によ
って制御され、一定の温度に維持される。

【００２５】なお、圧力調整弁９は、大流量バルブ６及
び小流量バルブ７による流量変化に追随させるべく、ポ
ンプ１１によって汲み上げられた温度流体を流体タンク
１３にリークさせている。また、逆止弁１０は、温度流
体の逆流を防止するために設けられている。

【００２６】コントローラ１５は、上述したようにヒー
タコントローラ１６を介してヒータ２への電力制御を行
うとともに、大流量バルブ６及び小流量バルブ７を開閉
する電磁弁の開閉制御を行う他、図示しないが、ポンプ
１１の開閉制御、チルトポンプ１２及び冷却部１４の制
御による液体タンク１３内の温度を所定の温度に設定、
保持する制御等温度制御装置全体の制御を行う。もちろ
ん、ポンプ１１あるいはチルトポンプ１２等の制御は、
コントローラ１５から独立した閉じた系で制御するよう
にしてもよい。

【００２７】このコントローラ１５による制御は、図２
に示すような温度サイクルを実行するために行い、ウェ
ハ１は、２０℃の室温から１２０℃の目標温度までヒー
タ２によって加熱され、所定時間目標温度に保持される
ベーキングを行い、その後冷却室４に２０℃の温度流体
を流入させることにより、ウェハ１を１２０℃から２０
℃に冷却するクーリングを行う。もちろん、図２に示す
温度サイクルは一例であり、ウェハ１をヒータ１に載置
したままで、各種の温度に対するための加熱、冷却処理
を繰り返し行うことができる。

【００２８】ここで、コントローラ１５は、ウェハ１と
の熱交換に遅延が生じることを考慮して、ベーキングス
タート時点の所定時間ｔ１前にヒータ２に通電させ、ク
ーリングスタート時点の所定時間前ｔ２前に大流量バル
ブ６及び小流量バルブ７の開閉制御、実際には大流量バ
ルブ６を閉じたまま、小流量バルブ７を開く制御を行
う。

【００２９】すなわち、１２０℃のウェハ１を２０℃に
クーリングする場合、冷却室４内の温度流体にもヒータ
２から熱が伝達され、温度流体は、ほほ１２０℃に近い
温度になっており、この冷却室４に２０℃の温度流体が
急激かつ大量に流入孔５ａから流入すると、冷却室４の
外側が急激に温度降下し、流出孔５ｂに近い中央部との
間に温度差が生じる。この結果、冷却室４は、ヒータ２
とともに、図７（ｃ）に示すような歪が生じ、ウェハ１
の表面を一様にクーリングさせることができず、ウェハ
１にレジスト膜を形成している場合、レジストの溶媒が
一様に揮発せず、ウェハ１表面のレジスト膜の膜厚が不
均一になる。このため、コントローラ１５は、クーリン
グ時に図３に示すバルブ制御を行う。

【００３０】図３において、コントローラ１５は、クー
リングスタート前におけるバルブオン（以下、冷却開始
という）時に、大流量バルブ６を閉じたまま、小流量バ
ルブ７を閉から開にする制御を行う。大流量バルブ６の
みを開にすると、冷却室４に流入する流量は大流量であ
り、小流量バルブ７のみを開にすると、冷却室４に流入
する流量は小流量である。従って、冷却開始時から所定
時間、ここでは数十秒の間は小流量の温度流体が流入す
ることになり、冷却室４内の温度差が緩和されることに
なる。その後、コントローラ１５は、小流量バルブ７を
閉にするとともに、大流量バルブ６を開にする制御を行
う。これにより、冷却室４に流入する温度流体の流量
は、大流量となり、この流量は、クーリング期間におけ
る標準流量である。なお、小流量バルブ７を閉にすると
ともに大流量バルブ６を開にするタイミングは、冷却さ
れる相対温度、ここでは１２０℃から２０℃に冷却され
るので、１００℃の相対温度の１／４の温度下降があっ
た時点に設定するのが好適である。すなわち、ウェハ１
が９５℃になったときにバルブ切替を行うとよい。これ
は、図２に示す温度曲線において、ウェハ１が、クーリ
ングスタート時点における１２０℃から９５℃になるま
での時間に対する温度勾配が急激であるからである。

【００３１】この結果、図３（ｂ）に示すように、ウェ
ハ１の最大歪変位量は、２つのピーク点Ｐ１，Ｐ２に分
散され、温度流体の流量を変化させない従来のクーリン
グにおけるピーク点Ｐの値より小さな値となる。また、
バルブの切替時以降においては、標準流量の温度流体に
よってクーリングされるため、ウェハ１のクーリングの
迅速性を大幅に損なうこともない。

【００３２】ここで、冷却開始後に標準流量よりも少な
い小流量の温度流体で冷却室を冷却する意味について詳
細に検討すると、まず、冷却室４の周縁部には多数の流
入孔５ａが設けられるとともに冷却室４の中心部には一
つの流出孔５ｂが設けられるので、この多数の流入孔５
ａから流入した温度流体は一つの流出孔５ｂに向かって
流れ込む。従って、温度流体は、冷却室４の周縁部から
中心部に向かって流れるに従い、流速を増し、この流速
の増大により、中心部では熱伝達率が増大することにな
る。この結果、冷却時の過渡状態では、中心部は周縁部
に比して熱を奪いやすくなる。一方、冷却室４内は温度
流体の流量を減少させるために薄い方がよく、通常数ｍ
ｍ程度の厚さが限界であり、この薄さのため、冷却室４
の周辺部から中心部に向かって流れる温度流体は、熱を
吸収しつつ流れるため、中心部に向かうに従って、温度
が上昇することになる。従って、冷却室４の冷却時間を
短くするために大流量の温度流体を冷却室４に流すと、
周縁部に対する中心部方向の熱伝導率が非常に大きくな
り、周縁部に対する中心部方向の温度流体自体の温度上
昇を超え、過渡状態における中心部は周縁部に対して温
度が低くなる。

【００３３】この過渡状態における中心部と周縁部との
温度勾配は、過渡状態における冷却室４の歪を形成する
要因になるため、この温度勾配を小さくする必要があ
る。この温度勾配を小さくするには、周縁部に対する中
心部の熱伝導率を小さくし、温度流体自体の温度上昇を
大きくすればよいので、温度流体の流量を小さくするこ
とが考えられる。

【００３４】ところが、温度流体の流量を非常に小さく
すると、冷却にかかる時間が長くなり、半導体製造工程
全体の時間に影響を及ぼす。

【００３５】このため、上述したように、冷却開始時は
小流量の温度流体を冷却室４に供給し、一定時間経過
後、大流量の温度流体を冷却室に供給する。この一定時
間とは、上述したように温度管理の重要な範囲としての
高温側２５％域であるので、冷却開始時から高温側２５
％域以内では小流量に設定し、高温側２５％域を過ぎた
時点で大流量に切り替えると好適である。

【００３６】なお、上述した第１の実施の形態では、冷
却当初においては小流量バルブ７を開にし、その後大流
量バルブ６を開にする切替制御を行うようにしている
が、これに限らず、大流量バルブ６に代えて小流量バル
ブ７を設置し、小流量バルブをクーリング期間は常時開
にし、冷却開始後所定期間経過した時点で大流量バルブ
６に代えて設置した小流量バルブ７を開にするようにし
てもよい。

【００３７】さらに、上述した第１の実施の形態では、
大流量バルブ６と小流量バルブ７との２つの固定バルブ
を並列接続した形態をとっているが、これに限らず、複
数の固定バルブを並列接続した形態をとってもよい。こ
の場合、並列接続された複数のバルブを、冷却開始後の
所定期間内の時間経過に伴い順次開にする制御を行うよ
うにすると、さらに最大歪変位量のピーク点が分散され
ることになる。

【００３８】また、上述した第１の実施の形態では、ウ
ェハ１のベーキング用にヒータ２を用いているが、ベー
キング及びクーリングの温度制御を全て温度流体を用い
て制御してもよい。すなわち、ヒータ２の代わりに、１
２０℃の温度流体を冷却室４に切替流入させる。もちろ
ん、この場合、流体タンク１３とは別個に１２０℃の温
度流体を保持する流体タンク等のクーリングに必要な構
成の他に、２０℃の温度流体と１２０℃の温度流体との
切替を行う切替弁、配管等の構成が必要になる。なお、
冷却室４は、共用することができる。また、この場合、
ベーキング当初は、クーリング当初と同様に温度勾配が
大きいので、冷却開始後の所定期間と同様に、ベーキン
グ当初、冷却室４に流入する１２０℃の温度流体の流量
を少なくすることにより、ベーキング当初におけるウェ
ハ１の歪を少なくすることができる。

【００３９】また、上述した第１の実施の形態では、１
つのウェハ１に対する温度制御を行うものであったが、
ウェハ１を載置するヒータ２及び冷却室４を複数設け、
並列接続することにより、同時に複数のウェハ１の温度
制御を同一に行うことができる。この場合、大流量バル
ブ６及び小流量バルブ７の構成は共有することができ、
効率的である。

【００４０】次に、図４及び図５を参照して、第２の発
明の実施の形態について説明する。

【００４１】図４は、第２の発明の実施の形態である温
度制御装置の構成を示す図であり、この温度制御装置の
構成は、図１に示す温度制御装置の構成における大流量
バルブ６及び小流量バルブ７の並列接続の構成に代わっ
て、可変バルブ３０を適用した構成が異なり、その他の
構成は、図１に示す温度制御装置と同じである。

【００４２】可変バルブ３０は、モータバルブ等で実現
され、コントローラ１５の制御によって温度流体の流量
を可変にすることができる。

【００４３】この可変バルブ３０は、コントローラ１５
により図５（ａ）に示すような流量制御がなされる。す
なわち、冷却開始時は非常に少量の流量に制御し、その
後時間の経過とともに順次流量を増大し、冷却開始後の
所定期間に標準流量になるように制御する。なお、図５
（ａ）では冷却開始時に少量の温度流体を流すようにし
ているが、冷却開始時の流量をゼロに設定してもよい。

【００４４】図５（ｂ）の実線４０に示す流量制御を行
った場合の最大歪変位量の時間変化は、図５（ｂ）の実
線４１に示すように、冷却開始時から標準流量とした流
量制御（破線２０）を行った場合の最大歪変位量の時間
変化（破線２２）に比べて、かなり歪が少ない時間変化
となり、最大歪変位量の極大量もピーク点Ｐからピーク
点Ｐ３に減少している。

【００４５】なお、図５に示す冷却開始時から所定期間
の流量制御は、時間に比例した流量としているが、これ
に限らず、最大歪変位量のピーク点Ｐ３の値をさらに減
少させるように、時間の経過とともに変化する特性曲線
としてもよい。

【００４６】次に、図６を参照して、第３の発明の実施
の形態について説明する。第３の発明の実施の形態で
は、ウェハ１を載置するヒータ２及び冷却室４を複数設
け、これらを並列接続した構成にしているとともに、図
１に示す温度制御装置の構成における大流量バルブ６及
び小流量バルブ７の構成あるいは図４に示す温度制御装
置の構成における可変バルブ３０の構成に代わって、電
磁弁４０ａ，４０ｂ、定流量バルブ４１ａ，４１ｂ、流
入管４２ａ，４２ｂと流出管４３ａ，４３ｂとの間をそ
れぞれリークさせるバイパス管４４ａ，４４ｂ、及びバ
イパス管４４ａ，４４ｂの開閉を制御する電磁弁４５
ａ，４５ｂを設けた構成としていることが、第１及び第
２の発明の実施の形態の構成と異なり、その他の構成
は、第１及び第２の発明の実施の形態と同じである。ま
た、複数構成に関しては、主として、ウェハ１を載置す
るヒータ２及び冷却室４からなる被制御系Ａが並列に付
加された構成であるとも言える。

【００４７】電磁弁４０ａ，４０ｂは、コントローラ１
５によって開閉制御され、被制御系Ａの単位を動作させ
る場合に開になり、動作させない場合に閉にされる。し
たがって、例えば被制御系Ａのみを動作させる場合に
は、電磁弁４０ａが閉となり、電磁弁４０ｂが開とな
る。これにより、各被制御系を独立に温度制御すること
ができる。

【００４８】定流量バルブ４１ａ，４１ｂも、コントロ
ーラ１５によって開閉制御され、開のときは、流入管４
２ａ，４２ｂを流れる温度流体の流入量を一定量にす
る。この一定量とは上述した標準流量である。

【００４９】定流量バルブ４１ａ，４１ｂと流入孔５ａ
との間の流入管４２ａ，４２ｂと、流出管４３ａ，４３
ｂとの間には、それぞれバイパス管４４ａ，４４ｂが接
続される。また、バイパス管４４ａ，４４ｂの途中に
は、バイパス管４４ａ，４４ｂを介した温度流体の流通
の開閉を行う電磁弁４５ａ，４５ｂが設けられている。
従って、電磁弁４５ａ，４５ｂが開の時は、定流量バル
ブ４１ａ，４１ｂからの温度流体がバイパス管４４ａ，
４４ｂに分岐して流れることにより、温度流体の冷却室
４への流入が小流量となる。

【００５０】このため、冷却開始時に電磁弁４５ａ，４
５ｂを開にすることにより、冷却室４への温度流体の流
量が小流量に制御され、その後、電磁弁４５ａ，４５ｂ
を閉にすることにより、図３（ａ）に示すように、冷却
室への温度流体の流量を大流量（標準流量）に制御する
ことができ、図３（ｂ）に示すように、最大歪変位量を
少なくすることができる。

【００５１】この場合、電磁弁４５ａ，４５ｂによって
流入管４２ａ，４２ｂの抵抗に応じた流体がリークする
ので、電磁弁４０ａ，４０ｂを介した温度流体の流量
は、一定流量となる。

【００５２】なお、上述した第１から第３の発明の実施
の形態を適宜組み合わせたものとしてもよい。例えば、
第１あるいは第２の発明の実施の形態を第３の発明の実
施の形態に示すような複数の被制御系をもつ並列構成に
し、この際、各被制御系における流入管の入り口に電磁
弁４０ａ，４０ｂを設けるようにしてもよい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態である温度制御装置
の構成を示す図である。

【図２】ウェハの加熱及び冷却の温度サイクルを示す図
である。

【図３】図１に示す温度制御装置の流量制御と最大歪変
位量の変化を示す図である。

【図４】本発明の第２の実施の形態である温度制御装置
の構成を示す図である。

【図５】図４に示す温度制御装置の流量制御と最大歪変
位量の変化を示す図である。

【図６】本発明の第３の実施の形態である温度制御装置
の構成を示す図である。

【図７】冷却時における冷却・加熱プレートの歪を示す
図である。

【符号の説明】

１…ウェハ ２…ヒータ ３…シム ４…冷却室 ５ａ
…流入孔 ５ｂ…流出孔 ６…大流量バルブ ７…小流量バルブ
９…圧力調整弁 １０…逆止弁 １１…ポンプ １２…チルトポンプ １
３…流体タンク １４…冷却部 １５…コントローラ １６…ヒータコン
トローラ ｄ…間隙（空気層）

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 所定の設定温度に調整された温度流体を
   温度制御室に循環させ、該温度制御室との熱伝導によっ
   て被温度制御対象物の温度を制御する温度制御装置にお
   いて、 前記温度制御室に流入される前記温度流体の流量を変化
   させるためのバルブと、 前記被温度制御対象物の温度を急激に変化させる場合、
   前記バルブを流れる温度流体の流量を制御するバルブ制
   御手段とを具備したことを特徴とする温度制御装置。
2. 【請求項２】 前記バルブは、 流量の異なる複数の固定バルブが並列接続されたバルブ
   であることを特徴とする請求項１に記載の温度制御装
   置。
3. 【請求項３】 所定の設定温度に調整された温度流体を
   温度制御室に循環させ、該温度制御室との熱伝導によっ
   て被温度制御対象物の温度を制御する温度制御装置にお
   いて、 前記温度制御室に流入される前記温度流体の流量を一定
   にする定流量バルブと、 前記定流量バルブからの温度流体を前記温度制御室に流
   入させる流入管と前記温度流体を前記温度制御室から流
   出させる流出管との間をバイパスして前記温度流体を分
   岐するバイパス管と、 前記バイパス管の途中に設けられた開閉バルブと、 前記被温度制御対象物の温度を急激に変化させる場合、
   前記開閉バルブを開に制御するバルブ制御手段とを具備
   したことを特徴とする温度制御装置。