JP2008091376A - 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理装置の用力供給装置及び基板処理装置の用力供給方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】被処理基板を熱処理部に移動自在に構成され被処理基板に対して温調自在に構成された温調機構70を各々備えた熱処理装置HPを複数積層して構成された熱処理装置ブロックを複数具備した基板処理装置であって、前記熱処理装置ブロックHPB毎に供給される所定の温度に設定された冷却液を供給する冷却液供給機構81と、この冷却液供給機構81より供給される冷却液は分岐され1つの熱処理装置ブロック内の複数の熱処理部HPの温調機構70に各々冷却液を供給する供給機構99と、温調機構側から熱処理部側に向かって気体の流れを形成する排気口を熱処理部の温調機構の対抗する側に少なくとも1つ具備し構成された排気機構と、を具備する。
【選択図】図14
Description
反射防止膜形成装置HB・塗布処理装置COT・現像処理装置DEVに対して配管110により気体が供給されるが、反射防止膜形成装置HBまたは/及び塗布処理装置COTの構成については図18に示すように、装置内に半導体ウエハWを保持し回転させる回転体140を備え、その回転体140の周囲を囲むカップ141を備えている。このカップ141の上部に配管110から供給された気体をカップ141方向に送出する垂直方向の幅H9を有する気体供給装置142が設けられている。また、気体供給装置142には、ダウンフローを高い精度で流出させる整流機構143を有している。また、気体供給装置142とカップ141の上面位置との間の距離はH10の距離に構成されている。
まず、未処理の半導体ウエハWを複数枚収納したカセットCはカセットユニット部CUのカセット載置部U1に作業員又はカセット搬送ロボットにより配置される。この後、基板搬入出機構部U2の基板搬出入機構2によりカセットCから一枚毎半導体ウエハWは搬出され、基板搬出入機構2にて一旦半導体ウエハWは位置合わせされた後、半導体ウエハWはプロセスユニット部PUの基板受渡部8に引き渡される。
W;半導体ウエハ(基板)
CU;カセットユニット部
IFU;インターフェイスユニット部
PU;プロセスユニット部
HB;反射防止膜形成装置(液処理装置)
COT;塗布処理装置(液処理装置)
DEV;現像処理装置(液処理装置)
HP;熱処理装置(熱処理装置)
AD;疎水化処理装置(熱処理装置)
COL;温調処理装置(熱処理装置)
8,9;基板受渡部
11;アーム
10;基板搬送機構
TR1,TR2;基板搬送機構
16;搬入出口
20,21;基板受渡ステーション
36;熱制御機構
70;温調機構
71;加熱機構
202;ノズル移動機構
100,120,170,171;用力装置
Claims (12)
- 被処理基板を熱処理部に移動自在に構成され前記被処理基板に対して温調自在に構成された温調機構を各々備えた熱処理装置を複数積層して構成された熱処理装置ブロックを複数具備した基板処理装置であって、前記熱処理装置ブロック毎に供給される所定の温度に設定された冷却液を供給する冷却液供給機構と、この冷却液供給機構より供給される冷却液は分岐され1つの熱処理装置ブロック内の複数の熱処理部の温調機構に各々冷却液を供給する供給機構と、前記温調機構側から熱処理部側に向かって気体の流れを形成する排気口を熱処理部の温調機構の対抗する側に少なくとも1つ具備し構成された排気機構と、を具備したことを特徴とする基板処理装置。
- 被処理基板を熱処理部に移動自在に構成され前記被処理基板に対して温調自在に構成された温調機構を各々備えた熱処理装置を複数積層して構成された熱処理装置ブロックを複数具備及び被処理基板に対して所定の液を供給して同一の処理を行う液処理装置を水平方向或いは垂直方向に複数配置して構成された液処理装置ブロックを複数具備した基板処理装置であって、前記熱処理装置ブロック毎に供給される所定の温度に設定された冷却液を供給する冷却液供給機構と、この冷却液供給機構より供給される冷却液は分岐され1つの熱処理装置ブロック内の複数の熱処理部の温調機構に各々冷却液を供給する液供給機構と、前記液処理装置ブロック毎に供給される所定の温度と湿度に設定された気体を供給する気体供給機構と、この気体供給機構より供給される気体は分岐され1つの液処理装置ブロック内の液処理装置に各々気体を供給する気体供給機構と、を具備したことを特徴とする基板処理装置。
- 被処理基板を熱処理部に移動自在に構成され前記被処理基板に対して温調自在に構成された温調機構を各々備えた熱処理装置を複数積層して構成された熱処理装置ブロックを複数具備した基板処理装置の基板処理方法であって、前記熱処理装置ブロック毎に所定の温度に設定された冷却液を供給する工程と、冷却液を分岐し1つの熱処理装置ブロック内の複数の熱処理部の温調機構に各々冷却液を供給する工程と、前記熱処理装置ブロック毎に供給された冷却液を前記熱処理装置ブロック毎に回収する工程と前記温調機構側から熱処理部側に向かって気体の流れを形成する工程と、を具備したことを特徴とする基板処理方法。
- 被処理基板を熱処理部に移動自在に構成され前記被処理基板に対して温調自在に構成された温調機構を各々備えた熱処理装置を複数積層して構成された熱処理装置ブロックを複数具備及び被処理基板に対して所定の液を供給して同一の処理を行う液処理装置を水平方向或いは垂直方向に複数配置して構成された液処理装置ブロックを複数具備した基板処理装置の基板処理方法であって、前記熱処理装置ブロック毎に供給される所定の温度に設定された冷却液を供給する工程と、この供給された冷却液を分岐し1つの熱処理装置ブロック内の複数の熱処理部の温調機構に各々冷却液を供給する工程と、前記液処理装置ブロック毎に供給される所定の温度と湿度に設定された気体を供給する工程と、この供給された気体を分岐し1つの液処理装置ブロック内の液処理装置に各々気体を供給する工程と、前記温調機構側から熱処理部側に向かって気体の流れを形成する工程と、を具備したことを特徴とする基板処理方法。
- 被処理基板を熱処理部に移動自在に構成され前記被処理基板に対して温調自在に構成された温調機構を各々備えた熱処理装置を複数積層して構成された熱処理装置ブロックを複数具備した基板処理装置に対して用力を供給する用力供給装置であって、前記熱処理装置ブロック毎に供給される所定の温度に設定された冷却液を供給する冷却液供給機構と、これら複数の冷却液供給機構により前記熱処理装置ブロック毎に供給された冷却液を前記熱処理装置ブロック毎に回収する冷却液回収機構と、前記温調機構側から熱処理部側に向かって気体の流れを形成する排気口を熱処理部の温調機構の対抗する側に少なくとも1つの配置と、を具備したことを特徴とする基板処理装置の用力供給装置。
- 被処理基板を熱処理部に移動自在に構成され前記被処理基板に対して温調自在に構成された温調機構を各々備えた熱処理装置を複数積層して構成された熱処理装置ブロックを複数具備した基板処理装置に対して用力を供給する用力供給装置であって、前記熱処理装置ブロック毎に供給される所定の温度に設定された冷却液を供給する第1の冷却液供給機構と、これら複数の冷却液供給機構により前記熱処理装置ブロック毎に供給された冷却液を前記熱処理装置ブロック毎に回収する冷却液回収機構と、この冷却液回収機構にて回収される冷却液または/及び前記第1の冷却液供給機構にて供給する冷却液の温度を検出する検出機構と、この検出機構にて各熱処理装置ブロックの冷却液の温度が少なくとも1つの冷却液ラインの冷却液が所定の範囲の温度でない場合に前記第1の冷却液供給機構からの冷却液の供給を第2の冷却液供給機構に切り替える切替機構と、前記温調機構側から熱処理部側に向かって気体の流れを形成する排気口を熱処理部の温調機構の対抗する側に少なくとも1つ具備し構成された排気機構と、を具備したことを特徴とする基板処理装置の用力供給装置。
- 被処理基板に対して所定の液を供給して同一の処理を行う液処理装置を水平方向或いは垂直方向に複数配置して構成された液処理装置ブロックを複数積層或いは水平方向に併設して具備した基板処理装置に対して所定の温度及び湿度に設定された気体を供給する用力供給装置であって、各液処理装置ブロック毎に前記気体を排出する複数の排出機構と、これら複数の排出機構に対して一括して気体を供給する第1の空間部と、この第1の空間部の気体に気体を通流自在に構成され気体に対し所定の湿度に設定するための湿度調整機構を備えた第2の空間部と、前記第1及び第2の空間部に気体を実質的に送り込む送風機構と、この送風機構の回転機構の中心位置より実質的に下方向に配置され気体を所定の温度に設定する熱機構を備えた第3の空間部と、この熱機構の下方位置に設けられ気体を所定の温度に冷却する冷却機構を備えた第4の空間部と、前記冷却機構と熱機構との間に設けられ気体を通流自在に構成された通流部と、を具備し、前記冷却機構の幅は通流部の幅より大きく設定されていることを特徴とする基板処理装置の用力供給装置。
- 被処理基板に対して所定の液を供給して同一の処理を行う液処理装置を水平方向或いは垂直方向に複数配置して構成された液処理装置ブロックを複数積層或いは水平方向に併設して具備した基板処理装置に対して所定の温度及び湿度に設定された気体を供給する用力供給装置であって、各液処理装置ブロック毎に前記気体を排出する複数の排出機構と、これら複数の排出機構に対して一括して気体を供給する第1の空間部と、この第1の空間部の気体に気体を通流自在に構成され気体に対し所定の湿度に設定するための湿度調整機構を備えた第2の空間部と、前記第1及び第2の空間部に気体を実質的に送り込む送風機構と、この送風機構の回転機構の中心位置より実質的に下方向に配置され気体を所定の温度に設定する熱機構を備えた第3の空間部と、この熱機構の下方位置に設けられ気体を所定の温度に冷却する冷却機構を備えた第4の空間部と、前記冷却機構と熱機構との間に設けられ気体を通流自在に構成され前記冷却機構の幅より少ない幅を有する通流部と、この通流部の下方の前記冷却機構備えられ前記通流部方向に伸びる冷却板と、この冷却板の側方より気体を装置内に気体を導入する気体導入機構と、を具備し、前記冷却機構の幅は通流部の幅より大きく設定されていることを特徴とする基板処理装置の用力供給装置。
- 請求項5から請求項8のいずれかに記載の用力供給装置と接続自在に構成された基板処理装置。
- 請求項5から請求項8のいずれかに記載の用力供給装置からの気体または/及び冷却液を使用して被処理基板を処理する基板処理方法。
- 被処理基板を熱処理部に移動自在に構成され前記被処理基板に対して温調自在に構成された温調機構を各々備えた熱処理装置を複数積層して構成された熱処理装置ブロックを複数具備した基板処理装置に対して用力を供給する用力供給方法であって、前記熱処理装置ブロック毎に供給される所定の温度に設定された冷却液を供給する工程と、熱処理装置ブロック毎に供給された冷却液を前記熱処理装置ブロック毎に回収する工程と、熱処理装置ブロック毎に回収された冷却液または/及び熱処理装置ブロック毎に供給される冷却液の温度を検出する工程と、前記温調機構側から熱処理部側に向かって気体の流れを形成する工程と、を具備したことを特徴とする基板処理装置の用力供給方法。
- 被処理基板を熱処理部に移動自在に構成され前記被処理基板に対して温調自在に構成された温調機構を各々備えた熱処理装置を複数積層して構成された熱処理装置ブロックを複数具備した基板処理装置に対して用力を供給する用力供給方法であって、前記熱処理装置ブロック毎に供給される所定の温度に設定された冷却液を供給する工程と、熱処理装置ブロック毎に供給された冷却液を前記熱処理装置ブロック毎に回収する工程と、熱処理装置ブロック毎に回収された冷却液または/及び熱処理装置ブロック毎に供給される冷却液の温度を検出する工程と、所定の温度の範囲に冷却液の温度がない場合に前記の冷却液を供給ラインとは異なる供給ラインに一括して切り替える工程と、前記温調機構側から熱処理部側に向かって気体の流れを形成する工程と、を具備したことを特徴とする基板処理装置の用力供給方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008091378A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Token Kin | 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理装置の用力供給装置及び基板処理装置の用力供給方法 |
JP2012160751A (ja) * | 2012-04-02 | 2012-08-23 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理装置の用力供給装置及び基板処理装置の用力供給方法 |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4999415B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2012-08-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理装置の用力供給装置及び基板処理装置の用力供給方法 |
JP5006122B2 (ja) * | 2007-06-29 | 2012-08-22 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP5318403B2 (ja) | 2007-11-30 | 2013-10-16 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP5128918B2 (ja) | 2007-11-30 | 2013-01-23 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
KR100892756B1 (ko) * | 2007-12-27 | 2009-04-15 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 이송 방법 |
JP5179170B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2013-04-10 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP5001828B2 (ja) | 2007-12-28 | 2012-08-15 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP6123740B2 (ja) * | 2014-06-17 | 2017-05-10 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置の製造ライン及び半導体装置の製造方法 |
KR101659317B1 (ko) * | 2014-12-18 | 2016-09-23 | 멜콘 주식회사 | 유체 공급 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 시스템 |
DE102015218572A1 (de) * | 2015-09-28 | 2017-03-30 | Zf Friedrichshafen Ag | Getriebe für ein Kraftfahrzeug |
JP6748524B2 (ja) * | 2015-09-30 | 2020-09-02 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
US10345718B2 (en) * | 2017-05-17 | 2019-07-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Pattern forming method and apparatus for lithography |
WO2019146456A1 (ja) * | 2018-01-26 | 2019-08-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP7221594B2 (ja) * | 2018-03-26 | 2023-02-14 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP7314634B2 (ja) * | 2019-06-11 | 2023-07-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布装置及び塗布方法 |
KR102659599B1 (ko) | 2022-11-15 | 2024-04-23 | 멜콘 주식회사 | 기체 온습도 제어 장치, 유체 공급 장치 및 기판 처리 시스템 |
KR102622458B1 (ko) | 2022-11-15 | 2024-01-09 | 멜콘 주식회사 | 기판 처리 시스템의 장애 검출 시스템 및 장애 검출 방법 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11224127A (ja) * | 1998-02-06 | 1999-08-17 | Komatsu Ltd | 温度制御装置 |
JPH11329926A (ja) * | 1998-05-11 | 1999-11-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板冷却装置および基板冷却方法 |
JP2002246284A (ja) * | 2001-02-14 | 2002-08-30 | Tokyo Electron Ltd | 温湿度調整装置及び基板処理方法 |
JP2003347186A (ja) * | 2002-05-23 | 2003-12-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2008091378A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Token Kin | 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理装置の用力供給装置及び基板処理装置の用力供給方法 |
Family Cites Families (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR0129664B1 (ko) | 1988-03-09 | 1998-04-06 | 고다까 토시오 | 도포 설비 |
US5620560A (en) * | 1994-10-05 | 1997-04-15 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for heat-treating substrate |
JP3276553B2 (ja) | 1995-01-19 | 2002-04-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
US6002987A (en) * | 1996-03-26 | 1999-12-14 | Nikon Corporation | Methods to control the environment and exposure apparatus |
EP0951054B1 (en) * | 1996-11-28 | 2008-08-13 | Nikon Corporation | Aligner and method for exposure |
US6575737B1 (en) * | 1997-06-04 | 2003-06-10 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for improved substrate handling |
US6248168B1 (en) * | 1997-12-15 | 2001-06-19 | Tokyo Electron Limited | Spin coating apparatus including aging unit and solvent replacement unit |
JP2000150360A (ja) * | 1998-11-05 | 2000-05-30 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
WO2001003168A1 (fr) | 1999-07-02 | 2001-01-11 | Tokyo Electron Limited | Installation de fabrication de semi-conducteurs |
US6354832B1 (en) * | 1999-07-28 | 2002-03-12 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
US6474986B2 (en) * | 1999-08-11 | 2002-11-05 | Tokyo Electron Limited | Hot plate cooling method and heat processing apparatus |
US6450805B1 (en) * | 1999-08-11 | 2002-09-17 | Tokyo Electron Limited | Hot plate cooling method and heat processing apparatus |
US6402400B1 (en) * | 1999-10-06 | 2002-06-11 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
JP3624127B2 (ja) | 1999-12-09 | 2005-03-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
KR100701578B1 (ko) * | 2000-02-01 | 2007-04-02 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
JP3556882B2 (ja) * | 2000-05-10 | 2004-08-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布現像処理システム |
JP3535457B2 (ja) * | 2000-09-11 | 2004-06-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の熱処理装置 |
JP2002270485A (ja) | 2001-03-08 | 2002-09-20 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置および温調システム |
JP3825277B2 (ja) * | 2001-05-25 | 2006-09-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱処理装置 |
JP2003077906A (ja) | 2001-09-04 | 2003-03-14 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び処理システム |
JP4274736B2 (ja) * | 2002-03-28 | 2009-06-10 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
KR100935291B1 (ko) | 2002-11-28 | 2010-01-06 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 시스템 및 도포 현상 장치 |
KR100534024B1 (ko) | 2003-03-13 | 2005-12-07 | 세메스 주식회사 | 반도체 소자 제조용 베이크 장비 및 베이킹 방법 |
KR101728664B1 (ko) * | 2003-05-28 | 2017-05-02 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
WO2004108252A1 (ja) * | 2003-06-03 | 2004-12-16 | Nikon Corporation | フィルタ装置及び露光装置並びにデバイスの製造方法 |
KR20040106045A (ko) | 2003-06-10 | 2004-12-17 | 한국디엔에스 주식회사 | 기판 베이크 장치 및 그 방법 |
JP4280159B2 (ja) * | 2003-12-12 | 2009-06-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP4271095B2 (ja) * | 2004-07-15 | 2009-06-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板加熱装置及び基板加熱方法 |
KR100583970B1 (ko) * | 2004-11-15 | 2006-05-26 | 삼성전자주식회사 | 습식 세정장치의 온조기 |
JP4955976B2 (ja) * | 2005-01-21 | 2012-06-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置及びその方法 |
JP4459831B2 (ja) | 2005-02-01 | 2010-04-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置 |
JP4414909B2 (ja) * | 2005-02-14 | 2010-02-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置 |
JP4414910B2 (ja) | 2005-02-17 | 2010-02-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体製造装置及び半導体製造方法 |
JP4566035B2 (ja) * | 2005-03-11 | 2010-10-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置及びその方法 |
JP4421501B2 (ja) * | 2005-03-25 | 2010-02-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱装置、塗布、現像装置及び加熱方法 |
US20070132976A1 (en) * | 2005-03-31 | 2007-06-14 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
JP4716362B2 (ja) * | 2005-06-07 | 2011-07-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム及び基板処理方法 |
JP4606355B2 (ja) * | 2006-03-14 | 2011-01-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置、熱処理方法及び記憶媒体 |
US20080011713A1 (en) * | 2006-07-14 | 2008-01-17 | Yoshitake Ito | Substrate processing apparatus, substrate processing method and substrate manufacturing method |
JP4999415B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2012-08-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理装置の用力供給装置及び基板処理装置の用力供給方法 |
JP2008186865A (ja) * | 2007-01-26 | 2008-08-14 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
-
2006
- 2006-09-29 JP JP2006267190A patent/JP4999415B2/ja active Active
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2007
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- 2007-02-06 US US11/702,561 patent/US20080078526A1/en not_active Abandoned
-
2010
- 2010-03-22 US US12/659,783 patent/US8591224B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11224127A (ja) * | 1998-02-06 | 1999-08-17 | Komatsu Ltd | 温度制御装置 |
JPH11329926A (ja) * | 1998-05-11 | 1999-11-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板冷却装置および基板冷却方法 |
JP2002246284A (ja) * | 2001-02-14 | 2002-08-30 | Tokyo Electron Ltd | 温湿度調整装置及び基板処理方法 |
JP2003347186A (ja) * | 2002-05-23 | 2003-12-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2008091378A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Token Kin | 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理装置の用力供給装置及び基板処理装置の用力供給方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008091378A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Token Kin | 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理装置の用力供給装置及び基板処理装置の用力供給方法 |
JP2012160751A (ja) * | 2012-04-02 | 2012-08-23 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理装置の用力供給装置及び基板処理装置の用力供給方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20080030434A (ko) | 2008-04-04 |
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