JP2007036093A - ウェハ保持体及びウェハ保持体を備えたウェハプローバ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 チャックトップ2と支持体4とを有するウェハ保持体1において、支持体4はチャックトップ2と接触する円管部42と円管部42を支える台座部41とからなる。チャックトップ2の厚みを1としたとき、円管部42の厚みが0.1〜5.0、且つ台座部41の厚みが0.5〜10.0である。円管部42と台座部41の間又は円管部42とチャックトップ2との間に柱状体43を有するときは、柱状体43と円管部42の厚みの合計は、チャックトップ2の厚みを1としたとき、0.1以上5.0以下である。
【選択図】 図3
Description
純度99.5%のシリコンと炭化ケイ素の複合体(Si−SiC)からなり、直径310mm、厚み10mmの基板を用意した。このSi−SiC基板のウェハ載置面に、ウェハを真空チャックするための同心円状の溝と貫通孔を形成し、更にそのウェハ載置面にニッケルメッキを施してチャックトップ導体層を形成した。その後、チャックトップ導体層を研磨加工し、全体の反り量を10μmとし、表面粗さをRaで0.02μmに仕上げて、チャックトップとした。
外径310mm、厚み60mmの円柱状のムライト−アルミナ複合体を準備し、その表面に直径290mm、深さ30mmの座繰り加工を施して有底円管形状とすることによって、厚み30mmの円管部と厚み30mmの台座部が一体不可分の試料9の支持体を形成した。
直径10mm、厚み5mmのムライト−アルミナ複合体の柱状体を16個準備した。これら16個の柱状体を、上記実施例2で作製したものと同型の支持体とチャックトップとの間に、図5に示すように均等に載置して、試料10の支持体とした。
2 チャックトップ
3 チャックトップ導体層
4 支持体
41 台座部
42 円管部
43 柱状体
44 貫通孔
5 空隙
6 発熱体
61 抵抗発熱体
62 絶縁体
7 支持棒
8 電極線
9 冷却モジュール
10 昇降手段
11 変形防止用基板
Claims (5)
- ウェハを載置・固定するチャックトップと、チャックトップを支持する支持体とを有するウェハ保持体において、前記支持体はチャックトップと接触する円管部と円管部を支える台座部とからなり、前記チャックトップの厚みを1としたとき、円管部の厚みが0.1以上5.0以下であり、且つ台座部の厚みが0.5以上10.0以下であることを特徴とするウェハ保持体。
- 前記円管部と前記台座部とが一体に形成されていることを特徴とする、請求項1に記載のウェハ保持体。
- 前記円管部と前記台座部の間又は前記円管部と前記チャックトップとの間に柱状体を有し、該柱状体と円管部の厚みの合計は、前記チャックトップの厚みを1としたとき、0.1以上5.0以下であることを特徴とする、請求項1又は2に記載のウェハ保持体。
- 請求項1〜3のいずれかに記載のウェハ保持体を備えることを特徴とするウェハプローバ用ヒータユニット。
- 請求項4に記載のヒータユニットを備えたウェハプローバ。
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