JP4089966B2 - 押圧加熱ヒーターおよびその加工方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体実装プロセスにおいて、半導体チップを基板上に押圧加熱実装する際に用いるダイボンディングセラミックヒーター等、被加熱物をパルス型押圧加熱する押圧加熱ヒーターに関するものである。
【0002】
【従来技術】
従来、半導体実装プロセスにおいて、半導体チップ等の被加熱物を基板上に押圧加熱する方法として、異方性導電膜(ACF)等の樹脂系の接着材を使用したACF接続方法、またはマルチチップモジュールに用いるようなAu−Si、Au−Sn等の低融点ロウ材を使用したフリップチップ接続法等が用いられている。
【0003】
この熱圧着に用いられる押圧加熱ヒーターとして、例えばフリップチップ接続法を行う場合、図5に示すように、チップのサイズに対応したヘッド21と、このヘッド21を真空吸着によってセラミックヒーター22に固定し、チップを真空吸着によってヘッド21に装着させ、ヘッド21を降下させてチップ上の接合端子と基板上の電極を接触させ、荷重をかけながらチップを加熱してチップ上の接合端子と基板上の電極を熱圧着するものである。
【0004】
この熱圧着に用いられる押圧加熱ヒーターは、チップ等の被加熱物を効率良く、均一に押圧加熱するために、被加熱物を装着するヘッド21の上面21aの平面度及び平行度が極めて重要な因子となる。
【0005】
そこで、特許文献1では、図6に示すように、工具先端部のボンディングツールの先端押圧面14がボンディングツール11の被加熱物を押圧加熱する温度において、周縁部から中心部になだらかに窪んだ凹状面を形成し、その平坦度を被加熱物を加熱する温度において1〜5μmとすることが開示されている。
【0006】
このような手法を用いることにより、半導体チップ全体を均一に加熱することが可能となり、半導体チップを接合するハンダを均等に加熱し、接合の信頼性を高めることができる。
【0007】
【特許文献1】
特開平5−326642号公報
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、被加熱物を押圧加熱する加熱温度はACF接続方法では、200℃〜300℃であり、低融点ロウ材を使用したフリップチップ接続法では、350℃から450℃と加熱温度も接続方法によりさまざまであり、押圧加熱される被加熱物の大きさも各種さまざまである。このため、従来の金属性のボンディングツール11では、金属本体部13に加熱用ヒーター15を内蔵させたものであるため、熱容量が大きく、このため昇温、降温が遅く、タクトタイムが極めて長いと言う欠点を有していた。
【0009】
また、ボンディングツール11の先端押圧面14を加工するために、ボンディングツール11の被加熱物を加熱する温度が変われば、図7に示すように、先端押圧面14を研磨板17により再度加工する必要があった。
【0010】
また、ボンディングツール11の先端押圧面14を加工するために、被加熱物の大きさが変われば、被加熱物の大きさに合わせて、新たにシャンク12を含めたボンディングツール11全体を作製、交換する必要があった。
【0011】
このため近年の、被加熱物の多様化への対応、または、高生産性を実現するため被加熱物の加熱温度変更時の対応等に対して、従来のボンディングツール11では十分な対応ができないという課題があった。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記問題点に鑑み、鋭意研究の結果、被加熱物の多様化および各種さまざまな接続方法おいて、極めて生産性の高い、高精度の実装が可能な押圧加熱ヒーターを考案した。
【0013】
すなわち、本発明の押圧加熱ヒーターは、上面に被加熱物を載置して押圧するためのヘッドと、該ヘッドの下面に当接し、加熱するセラミックヒーターと、該セラミックヒーターを保持するホルダーとからなる押圧加熱ヒーターであって、上記ヘッドの上面または下面が常温において凹状の曲面となっており、その最大深さD1(μm)が、T1/150+L1/15≦D1≦T1/50+L1/10(T1:被加熱物の加熱温度(℃)、L1:ヘッド長手寸法(mm))で規定される範囲内であることを特徴とする。
【0014】
また、本発明の押圧加熱ヒーターは、上面に被加熱物を載置して押圧するためのヘッドと、該ヘッドの下面に当接し、加熱するセラミックヒーターと、該セラミックヒーターを保持するホルダーとからなる押圧加熱ヒーターであって、上記セラミックヒーターのヘッド側の加熱面が常温において凹状の曲面となっており、その最大深さD2(μm)が、T2/140+L2/14≦D2≦T2/47+L2/9.5(T2:セラミックヒーターの加熱温度(℃)、L2:セラミックヒーターの加熱面における長手寸法(mm))で規定される範囲内であることを特徴とする。
【0015】
さらに、本発明の押圧加熱ヒーターの加工方法は、上記ヘッドとなる平板を、被加熱物の加熱温度T1に保持した状態で乾式による平面研削加工を施すことを特徴とする。
【0016】
そして、本発明の押圧加熱ヒーターの加工方法は、上記セラミックヒーターとなる基体を、セラミックヒーターの加熱温度T2に保持した状態で乾式による平面研削加工を施すことを特徴とする。
【0017】
これらにより、被加熱物を載置するヘッドの平面度を確保することが可能となり、高精度の平行度、平面度を保てるため、半導体チップを基板にハンダ付けする際に、全てのハンダを均等に加熱することができるので、高精度の実装が可能となる。
【0018】
さらに、被加熱物の加熱温度および被加熱物の大きさごとに凹状の曲面深さDの形成が可能となり、被加熱物の接続方法の変更および被加熱物の大きさを変更するたびに、先端押圧面の加工、または、新規にボンディングツールを作製する必要がなく、極めて高い稼働率で高い生産性を維持できる。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施形態を、図を用いて説明する。
【0020】
図1は、本発明の押圧加熱ヒーターを示す斜視図であり、図2はその分解斜視図である。
【0021】
本発明の押圧加熱ヒーターは、上面に被加熱物を載置して押圧するためのヘッド1と、該ヘッド1の下面に当接し、加熱するセラミックヒーター2と、該セラミックヒーター2を保持するホルダー3とからなり、ヘッド1は、セラミックホルダー3およびセラミックヒーター2に連通する吸着穴により、真空吸着することによりセラミックヒーター2との着脱を可能とすることができる。この真空吸着は、押圧加熱処理の際にヘッド1が落下して破損することを防止するためである。
【0022】
なお、ヘッド1はセラミックヒーター2とネジにより締結し、着脱可能としても構わない。
【0023】
また、ヘッド1は、セラミックヒーター2からの熱を効率よく伝え、その表面の温度分布を小さくするため、熱伝導率が50W/m・K以上の高熱伝導のセラミックスからなることが好ましく、窒化アルミニウムセラミックス、高熱伝導性炭化硅素質セラミックス、高熱伝導性窒化珪素質セラミックス等からなり、ホルダー3は、押圧加熱ヒーター全体をさらに支持台に固定し、押圧加熱ヒーターから支持体への熱伝導を防止する断熱層として作用するため、熱伝導率が35W/m・K以下の低熱伝導のセラミックスからなることが好ましく、窒化珪素質セラミックス、アルミナ質セラミックス、ムライト質セラミックス等を用いることが好ましい。また、セラミックヒーター2には急速昇温性が要求されているので、中でも高靭性が期待できる窒化珪素質セラミックスが最も好ましい。
【0024】
この押圧加熱ヒーターを用いて半導体チップ等の被加熱物を押圧加熱する際は、ヘッド1を下方側にし、チップを真空吸着によってヘッド1の上面に装着させ、ヘッド1を基板上に降下させてチップ上の接合端子と基板上の電極を接触させ、荷重をかけながらチップを加熱してチップ上の接合端子と基板上の電極を熱圧着するものである。
【0025】
このため、セラミックホルダー3、セラミックヒーター2、ヘッド1を常温で組み立てた際は、これらの寸法は同じで反りは発生しないが、セラミックヒーター2を発熱させた場合、ヘッド1はセラミックヒーター2の形状に倣って変形し、セラミックヒーター2側の変形がヘッド1に転写されることとなる。
【0026】
これは、ヘッド1がセラミックヒーター2とほぼ同等の温度に加熱されるのに対し、ホルダー3は押圧加熱ヒーターから支持体への熱伝導を防止する断熱層として機能しているため、セラミックヒーター2より低い温度に保持されており、セラミクヒーター2とホルダー3の温度差により、温度が高いセラミックヒーター2側が凸になるような反りが発生する。これがヘッド1に転写されてヘッド1が凸に反ることになる。
【0027】
ここで、本発明の押圧加熱ヒーターの第1の実施形態として、図3(a1)、(b)および図4(a)、(b)に示すように、上記ヘッド1の上面1aまたは下面1bが常温において凹状の曲面となっており、その最大深さD1(μm)が、下記の式
T1/150+L1/15≦D1≦T1/50+L1/10
(T1:被加熱物の加熱温度(℃)、L1:ヘッドの長手寸法(mm))
で規定される範囲内であることを特徴とする。
【0028】
これによって、半導体チップ等の実装時にセラミックヒーター2が発熱し、押圧加熱ヒーターに温度分布が生じても、ヘッド1の平面度、平行度を高精度に保ち、被加熱物に均一に熱、力が加わり、高精度な実装を可能とするものである。
【0029】
上記被加熱物の加熱温度T1とは、使用時と同様に加熱させた状態でヘッド1の上面1aにおける中心点の温度であり、例えば非接触型の温度測定器であるサーモビュア(日本電子データム社製・JTG−7200)等で測定する。
【0030】
また、上記ヘッド1の長手寸法L1とは、凹状の曲面を有する面の長手寸法であり、図3(a1)に示すように上面1aが曲面の場合には、上面1aの長手寸法を、図3(b)に示すように下面1bが曲面の場合には、下面1bの長手寸法を示すものである。
【0031】
この押圧加熱ヒーターは、セラミックヒーター2の加熱温度を高くすればするほど、ホルダー3とヘッド1との温度差によりヘッド1部分が余計に膨張するため、この膨張を吸収するようにヘッド1の表面が凸になるように反りが発生する。また、ヘッド1の上面1aの長手方向の寸法L1を長くすれば長くするほど、上記のように、押圧加熱ヒーターおよびホルダー3との温度差によるヘッド1の膨張寸法が大きくなるので、ヘッド1に生じる反りが大きくなる。
【0032】
そこで、被加熱物の加熱温度T1(℃)、ヘッドの長手寸法L1(mm)の値を考慮し、温度T1とヘッド長手方向寸法L1を種々変更してセラミックヒーター2を加熱した状態でヘッド1の表面を研削し、室温(20℃)まで冷却した後、ヘッド1の反り量を測定し、その結果を基に前記凹状の曲面の深さD1を上記範囲内にするために、経験的に求めることで各定数を決めた上記式によってヘッド1の形状を規定することで、図4(a)、(b)に示すように常温におけるヘッド1、セラミックヒーター2の状態から、加熱時においてヘッド1の上面が平坦となり、ヘッド1の長手寸法Lが大きい程、凹状の曲面の最大深さD1を大きく、また加熱温度T1が高い程、凹状の曲面の最大深さD1は大きくすることで、ヘッド1の大きさ、セラミックヒーター2の加熱温度を考慮したヘッド1を得ることができるものである。
【0033】
また、ヘッド1の曲面形状は、図3(a1)に示すように、ヘッド1の長手方向の両端の2点X、Yと、その中心から上記式で求めた最大深さD1だけヘッド1の内部に入った点Zの3点を通る円で形成される滑らかな円筒面とすることが好ましく、加熱時のヘッド1の熱変形を吸収し、ヘッド1の平面度が高精度に確保され、被加熱物を均一に圧着して高精度な実装が可能となる。
【0034】
例えば、被加熱物の長手寸法が30mmの場合、これをACF接続法により押圧加熱する場合、ヘッド1の長手寸法L1と被加熱物の長手寸法が同一であるため、L1は30mm、加熱温度T1は250℃となり、上式によってヘッド1に形成される凹状の曲面の最大深さD1は1.67〜8μmとなる。また、接続方法がフリップチップ接続法で接続温度が450℃の場合は、上式によりヘッド1に形成される凹状の曲面の最大深さD1は3〜12μmとなる。
【0035】
また、ヘッド1の上面1aを凹状の曲面とする場合、図4(a)に示すように、常温ではヘッド1とセラミックヒーター2との間に隙間はなく、ヘッド1の上面1aに凹状の曲面が形成されており、セラミックヒーター2を発熱させた場合、ホルダー3は熱伝導率が低いため、セラミックヒーター2のホルダー3側の面が反りによる伸びを制限するように引っ張られるため、セラミックヒーター2の加熱面2aが凸状に反るのに対し、ヘッド1は何の応力も掛からない状態でセラミックヒーター2と密着しているために反りが発生し、これによりヘッド1の上面1aが平坦になる。
【0036】
また、ヘッド1の下面1bを凹状の曲面とする場合、図4(b)に示すように、常温ではヘッド1とセラミックヒーター2との間に隙間があるが、セラミックヒーター2を発熱させると、上記同様にセラミックヒーター2の加熱面2aが凸状に反るため、この反りによってヘッド1の下面1bと密着するようになる。
【0037】
なお、この凹状の曲面は、図3(a1)に示すように平板状の場合や、図3(a2)に示すようにその両端にセラミックヒーター2に固定するネジ穴を有する形状でもよく、この場合、ヘッドの長手寸法L1は、被加熱物と接する面の長手寸法L1となる。
【0038】
次いで、本発明の第2の実施形態について、図3(c)、図4(c)を用いて説明する。
【0039】
本発明の押圧加熱ヒーターでは、上記セラミックヒーター2のヘッド1側の加熱面2aが常温において凹状の曲面となっており、その最大深さD2(μm)が、
T2/140+L2/14≦D2≦T2/47+L2/9.5
(T2:セラミックヒーターの加熱温度(℃)、L2:セラミックヒーターの加熱面における長手寸法(mm))
で規定される範囲内であることを特徴とする。
【0040】
これによって、第1の実施形態と同様に、半導体チップ等の実装時にセラミックヒーター2が発熱し、押圧加熱ヒーターに温度分布が生じても、ヘッド1の平面度、平行度を高精度に保ち、被加熱物に均一に熱、力が加わり、高精度な実装を可能とするものである。
【0041】
上記セラミックヒーターの加熱温度T2とは、使用時と同様に加熱させた状態でセラミックヒーター2の加熱面2aの中心の温度であり、非接触型の温度測定器であるサーモビュア(日本電子データム社製・JTG−7200)等で測定する。なお、中心に吸着穴がある場合にはその周囲の温度を測定する。
【0042】
また、上記セラミックヒーター2の長手寸法L2とは、図3(c)に示すようにその加熱面2aの長手寸法である。
【0043】
この押圧加熱ヒーターは、上述の第1の実施形態のヘッド1と同様に、セラミックヒーター2の加熱温度T2を高くすればするほど、熱伝導率の低いホルダー3側に比べヘッド1側に熱が伝わりやすく、ホルダー3とセラミックヒーター2との温度差によりセラミックヒーター2が余計に膨張するため、この膨張を吸収するようにセラミックヒーター2の表面が凸になるように反りが発生する。また、セラミックヒーター2のヘッド1と接触する側の長手方向の寸法L2を長くすれば長くするほど、上記のように、押圧加熱ヒーターおよびホルダー3との温度差によるセラミックヒーター2の膨張寸法が大きくなるので、セラミックヒーター2に生じる反りが大きくなる。そして、その結果、セラミックヒーター2の上に設置したヘッド1にその反りが転写されて、ヘッドが反ってしまう。
【0044】
そこで、上記式によってセラミックヒーター2の加熱面2aの形状を規定することで、図4(c)に示すように、常温ではヘッド1の下面1bとセラミックヒーター2の加熱面2aとの間に隙間があり、セラミックヒーター2を発熱させた場合、押圧加熱ヒーター設置部およびホルダー3は温度が上がらないのに対し、セラミックヒーター2は温度が上がるため膨張し、押圧加熱ヒーター設置部およびホルダー3の固定部の寸法よりセラミックヒーター2の寸法が大きくなるため、セラミックヒーター2のヘッド1側が凸になるように反りが発生する。これに対し、セラミックヒーター2の上に隙間2aを有して設置されているので、セラミックヒーター2の膨張は影響せずに自由膨張し、セラミックヒーター2の反りにより隙間2aが埋まるようにセラミックヒーター2の加熱面2aの中心が平坦となり、ヘッド1の下面1bとセラミックヒーター2の加熱面2aが密着してヘッド1の上面1aの平面度も高精度に保持して効率良く被加熱物を押圧加熱することができる。
【0045】
通常、上記ヘッド1としては被加熱物を載置する上面1aの温度を均一にするため、50W/m・K以上の高熱伝導性の材料が使用され、特に窒化アルミニウムからなるものが多用されている。ところが、高熱伝導性のセラミックスは、熱伝導率を大きくするために、熱伝導の障害となる粒界層を小さくするように磁器の粒径を粒成長させるようにしている。このため、磁器の引張強度が600MPa以下に低下するので、加工時にクラックや欠けが発生しやすいという問題があった。特に、ヘッド1の反りを矯正するために、ヘッド1を加熱しながらヘッド1の表面を水による冷却なしに平面研削する場合、加工部の温度が高くなり局部的に温度の高い部分が生成するので、窒化アルミニウムを用いた場合、このような部分の温度差により発生する引張応力により磁器にクラックが発生し易くなるという課題があることが判った。
【0046】
これに対し、セラミックヒーター2は、基体に発熱抵抗体を埋設してなり、その基体として急速昇温に耐える強度と靭性を有する、窒化珪素や炭化珪素のような引張応力が800MPa以上と高強度の材料を用いている。そのため、セラミックヒーター2の加熱面2aに上記凹状の曲面を加工する際にクラックや欠けの発生を防止することができる。
【0047】
セラミックヒーター2の加熱温度毎に上記のような凹部1aを形成したセラミックヒーター2を準備すれば、ヘッド1の加工必要なくボンディング処理ができるようになる。
【0048】
なお、前記ヘッド1の加工の場合、ヘッド1にセラミックヒーター2の反りが転写されたものなので、ポアソン比等の影響により若干ヘッド1の反りが緩和されるので、セラミックヒーター2に形成する凹部1aは、ヘッド1の場合より少し大きな値となる。
【0049】
次いで、上述の第1の実施形態におけるヘッド1の製造方法について説明する。
【0050】
先ず、図4(a)に示すようにヘッド1の上面1aに凹状の曲面を加工する場合は、例えば窒化アルミニウムセラミックスから成る場合、窒化アルミニウムに対し希土類元素酸化物やCaOを0.5〜10重量%添加した材料を十分混合し、プレス成形により平板状に加工し1700〜2000℃で焼成して、例えば長手寸法35mm、幅10mmのヘッド1となる平板を作製する。
【0051】
この平板の上面の長手寸法、即ち、ヘッド1の上面1aの長手寸法L1をノギス等の測定器を用いて測定する。
【0052】
次いで、この平板をセラミックヒーター2の加熱面にセットし、真空吸着させた後、セラミックヒーター2を実際に押圧加熱する際の加熱温度まで発熱させ、押圧加熱ヒーター全体の温度が飽和する段階となった時点で、上記ヘッド1となる平板の中心における加熱温度T1を測定する。
【0053】
そして、この加熱温度T1に保持したまま乾式による平面研削盤で平板の上面を平面加工することで上記式によって算出した最大深さD1の範囲内となるよう凹状の曲面を加工することができる。
【0054】
このように、加熱温度T1に保持したまま乾式による平面研削盤で平板の上面を平面加工することによって、上記式を満たす凹状の曲面を精度よく加工することができ、乾式研削のためにヘッド1の加工面の荒れを防ぐことができる。
【0055】
なお、乾式による平面研削に用いた砥石は、湿式研削に用いる砥石より、集中度を2倍程度上げ、脱粒し易いビトリファイドのボンドで作製することが好ましく、このような砥石を選定することで、湿式での加工と同様の面粗さが確保される。
【0056】
また、ヘッド1の上面1aは、その表面粗さがRaで1.0μm以下、さらに好ましくは0.5μm以下とすることが好ましい。これにより、被加熱物側への熱伝導を良好にすることができる。
【0057】
また、このような方法で上記式を満たすヘッド1を被加熱物の大きさ、加熱温度T1によって種々用意しておくことで、被加熱物の多様化に対し、ヘッド1の脱着だけで対応することが可能となり、被加熱物の大きさによってヘッド1をその都度研磨する必要は無くなる。また、圧着の接続方法の変更による被加熱物の加熱温度T1の変更に対しても、同様に、ヘッド1の脱着だけで対応可能となる。
【0058】
次いで、図4(b)に示すようにヘッド1の下面1bに凹状の曲面を加工する場合は、ヘッド1の下面が上向きになるように台板に固定し、ヘッド1の使用温度T1とヘッド1の被加熱物側の長手寸法L1を上記式に代入して求めたD1に従いヘッド1の表面をNC研削盤により曲面加工する。
【0059】
または、予め被加熱物の大きさからヘッド1の長手寸法L1を決め、常温において湿式のNC研削盤にて加工する。
【0060】
次いで、上述の第2の実施形態におけるセラミックヒーター2の製造方法について説明する。
【0061】
先ず、基体として、窒化珪素、アルミナ、窒化アルミニウムなどを主成分として、焼結助剤として、Y2O3、Al2O3、Yb2O3等の所望の焼結助剤粉末を所望の組成になるように調整するか、又は炭化珪素粉末とB、Cなどの所望の焼結助剤粉末を所望の組成になるように調整して、メタノール、IPAなどの非水系溶媒と混合効率を上げるためのアルミナ製又は窒化珪素製のメディアとともにボールミル、振動ミルといった方法で混合し、スラリーを作製する。そして得られたスラリーを200メッシュ程度のメッシュに通して、メディアからの混入、ボールミル、振動ミルのライニングからの混入を取り去った後、防爆式の乾燥機を用いて120℃程度で24時間乾燥し、その後に40メッシュ程度のメッシュに通す。ここで得られた、混合粉末に、スプレードライ法、乾式造粒法、湿式造粒法などの方法により所望の有機バインダーを所望の量だけ混合して原料粉末を得る。
【0062】
次いで、この原料粉末をプレス成形、CIP成形して所望の形状に形成し、次に窒化珪素の表面に導電性セラミックスあるいは金属からなるW、Mo、WCなどの発熱抵抗体を印刷、転写等の方法で形成したのち、必要に応じて上に別のプレス成形体で覆い、さらに脱脂工程を500〜700℃程度の温度で行って有機バインダーを飛散させ、得られた成形体を窒素中にて1700℃〜2000℃程度の温度で焼結させることにより窒化珪素製の板を得る。あるいは直接カーボン型中で成形と焼結を同時に行うホットプレスにより窒化珪素製の板を得てもよい。
【0063】
そして、得られたセラミックヒーター2の加熱面2aを、セラミックヒーター2の加熱温度T2に保持した状態で保持し、上記式によって求めた最大深さD2に範囲になるように、ヘッド1の加工と同様に乾式による平面研削加工を施すことが好ましい。これにより、セラミックヒーター2の加熱面2aに凹状の曲面を容易に加工することができる。
【0064】
このようにして得られた窒化珪素の表面または内部に一体形成された導電性セラミックスあるいは金属からなる発熱抵抗体に電流を通電することにより、セラミックヒーター2を発熱させることができる。
【0065】
また、上記ヘッド1やセラミックヒーター2としては、金属に較べて剛性の高いセラミックスを用いることで、これらの部品を小型化できるので、全体の熱容量を小さくすることが可能となり、ハンダ付けの温度変更に対する応答性を向上させることができる。
【0066】
【実施例】
(実施例1)
まず、本発明の実施の形態で示した方法に従って、図1に示す本発明の押圧加熱ヒーターを作製した。
【0067】
先ず、図3(a1)、(b)に示すヘッドを作製するため、窒化アルミニウムセラミックスから成る場合、窒化アルミニウムに対し希土類元素酸化物やCaOを0.5〜10重量%添加した材料を十分混合し、プレス成形により平板状に加工し1700〜2000℃で焼成して、35mm×7mm×3mmおよび25mm×7mm×3mmの2種類の平板を作製した。
【0068】
セラミックヒーター2は、窒化珪素を主成分としYb2O3を7重量%、SiO2を2重量%、Al2O3を0.7重量%混合した原料を用いて、これらの粉末をバインダーと混合後にプレス成形し40mm角の窒化珪素成形体を得た後に発熱抵抗体としてWCインクを印刷し、その上にもう一つの40mm角の窒化珪素を重ねてWCインクを挟み込み、1730℃でホットプレスを行うことにより、WCを発熱抵抗体として内蔵する窒化珪素質焼結体を得た。これを、平面研削盤を用いて、加熱部21はヘッド1の大きさに合わせて35mm×7mm×2mmおよび25mm×7mm×2mmとし、リード部22を加熱部22の中央から形成し、T字状のセラミックヒーター2とした。
【0069】
なお、加熱部22の加熱面2aの平面度は1μm以下である。
【0070】
ホルダー3としては、熱伝導率が30W/m・K以下の窒化珪素質セラミックスを用いた。セラミックヒーター2とヘッド1を一体化させるため、ホルダー3に7mm幅の溝を平面研削盤により設け、ここにセラミックヒーター2を配し、焼結助剤を界面に塗布したのち1700℃で熱処理して一体化させた。
【0071】
その後、セラミックヒーター2とヘッド1の当接面を平面研削加工し、ホルダー3とセラミックヒーター2を連通する吸着穴を、超音波加工機を用いて直径1mmの吸着用穴を形成し、ヘッド1のセラミックヒーター2側の接触面にH型に長手方向18mmの中央部分に幅1.5mm×深さ0.5mmの溝を形成して、真空吸着によりヘッド1を脱着可能とした。
【0072】
ヘッド2の被加熱物の加熱温度として、250℃、350℃となるように加熱し、押圧加熱ヒーター全体の温度が飽和した段階で、ヘッド1となる平板の上面に乾式による平面研削盤で上記平板の上面または下面を表1に示す如く最大深さD1を有するように凹状の曲面を加工した。なお、加熱温度T1の測定は非接触型の温度測定器であるサーモビュア(日本電子データム社製・JTG−7200)等で測定する。
【0073】
なお、乾式による平面研削に用いた砥石は、湿式に用いる砥石より、集中度を2倍程度上げ、脱粒し易いビトリファイドのボンドで作製した。
【0074】
また、ヘッド1の下面1bに上面1aと同様な凹状の曲面を常温において、NC平面研削盤により、表1に示す最大深さD1を有するように曲面加工を行う。
【0075】
そして、各形状のヘッド1を備えた押圧加熱ヒーターを用いて、被加熱物として半導体チップを実装した後の実装歩留まりを評価した。なお、実装歩留まりの評価方法については、実装した半導体チップを回路チェック装置に設置し、それぞれの回路が正常にボンディングされているかどうかを確認し、ひとつでも回路が接続されていないものはNGとして評価した。
【0076】
また、加熱温度T1におけるヘッド1の上面の平面度を拡散反射型のレーザー変位測定機にて平面度を評価した。
【0077】
拡散型レーザー変位測定機を用いて、平面度を測定する場合は、熱の影響を防ぐ為に、耐熱性のある石英ガラス等で遮熱することが望ましい。
【0078】
結果を表1に示す。
【0079】
【表1】
【0080】
表1に示すように、凹状の曲面をヘッド1の上面に付けたもので、D1がT1/150+L1/15で規定される値より小さいNo.1、7、13、18、およびD1がT1/50+L1/10で規定される値より大きいNo.6、12、17、22は、加熱温度T1でのヘッド1の平面度が5.0μmを越えてしまい、実装後の歩留まりが80%未満になることが判った。
【0081】
これに対し、D1が本発明の請求範囲内であるT1/150+L1/15からT1/50+L1/10で規定されるNo.2〜5、8〜11、14〜16、19〜21は、加熱温度T1でのヘッド1の平面度が3.0μm以下となり、実装歩留まりが80%以上となることが判った。
【0082】
また、凹状の曲面をヘッド1の下面付けたもので、D1がT1/150+L1/15で規定される値より小さいNo.23、29、およびD1がT1/50+L1/10で規定される値より大きいNo.28、34は、加熱温度T1でのヘッド1の平面度が5.0μmを越えてしまい、実装後の歩留まりが80%未満になることが判った。
【0083】
これに対し、D1が本発明の請求範囲内であるT1/150+L1/15からT1/50+L1/10で規定されるNo.24〜27、30〜33は、加熱温度T1でのヘッド1の平面度が3.0μm以下となり、実装歩留まりが80%以上となることが判った。
【0084】
(実施例2)
次いで、図3(c)に示すようにセラミックヒーター2の加熱面2aに凹状の曲面を加工する。
【0085】
ヘッド1は、実施例1と同様な材質で形成し、35mm×7mm×3mmおよび25mm×7mm×3mmの平板状とした。
【0086】
セラミックヒーター2として、加熱面2aをセラミックヒーター2の加熱温度T2に保持した状態で保持し、表2に示す如く深さD2になるように、ヘッド1の加工と同様に乾式による平面研削加工を施した。
【0087】
そして、実施例1のヘッドと同様に、押圧加熱ヒーターを作製して同様の評価を行った。
【0088】
結果を表2に示す。
【0089】
【表2】
【0090】
表2に示すように、凹状の曲面をセラミックヒーター2の加熱面2aに付けたもので、D2がT2/140+L2/14で規定される値より小さいNo.1、7、13、18、およびD2がT2/47+L2/9.5で規定される値より大きいNo.6、12、17、22は、加熱温度T1でのヘッド1の平面度が5.0μmを越えてしまい、実装後の歩留まりが80%未満になることが判った。
【0091】
これに対し、D2が本発明の請求範囲内であるT2/140+L2/14からT2/47+L2/9.5で規定されるNo.2〜5、8〜11、14〜16、19〜21は、加熱温度T1でのヘッド1の平面度が3.0μm以下となり、実装歩留まりが80%以上となることが判った。
【0092】
【発明の効果】
本発明の押圧加熱ヒーターは、上面に被加熱物を載置して押圧するためのヘッドと、該ヘッドの下面に当接し、加熱するセラミックヒーターと、該セラミックヒーターを保持するホルダーとからなる押圧加熱ヒーターであって、上記ヘッドの上面または下面が常温において凹状の曲面となっており、その最大深さD1(μm)が、T1/150+L1/15≦D1≦T2/50+L1/10(T1:被加熱物の加熱温度(℃)、L1:ヘッド長手寸法(mm))で規定される範囲内とすることにより、加熱温度におけるヘッド1の平面度を確保しすることが可能となり、高精度実装が実現された。また、実装歩留まりも向上し、生産性も向上した。
【0093】
さらに、上面に被加熱物を載置して押圧するためのヘッドと、該ヘッドの下面に当接し、加熱するセラミックヒーターと、該セラミックヒーターを保持するホルダーとからなる押圧加熱ヒーターであって、上記セラミックヒーターのヘッド側の加熱面が常温において凹状の曲面となっており、その最大深さD2(μm)が、T2/140+L2/14≦D2≦T2/47+L2/9.5(T2:セラミックヒーターの加熱温度(℃)、L1:セラミックヒーターの加熱面における長手寸法(mm))で規定される範囲内とすることにより、加熱温度におけるヘッド1の平面度を確保し高精度実装が可能となり、高精度実装が実現された。また、実装歩留まりも向上し、生産性も向上した。
【0094】
さらに、上記ヘッドとなるセラミック体へ凹状の曲面を形成する手段が、上記ヘッドとなる平板を、被加熱物の加熱温度T1に保持した状態で乾式による平面研削加工を施すことを特徴とする押圧加熱ヒーターの加工方法、または、上記セラミックヒーターとなる基体を、セラミックヒーターの加熱温度T2に保持した状態で乾式による平面研削加工を施すことを特徴とする押圧加熱ヒーターの加工方法である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の押圧加熱ヒーターを示す斜視図である。
【図2】本発明の押圧加熱ヒーターの分解斜視図である。
【図3】(a1)〜(b)は、本発明の押圧加熱ヒーターにおけるヘッドを示す斜視図であり、(c)はセラミックヒーターを示す斜視図である。
【図4】本発明の押圧加熱ヒーターにおけるヘッドおよびセラミックヒーターの常温、加熱中の種々の例を示す平面図である。
【図5】押圧加熱ヒーターを用いた押圧加熱装置を示す平面図である。
【図6】従来の押圧加熱ヒーターにおけるボンディングツールを示す平面図である。
【図7】図6の押圧加熱ヒーターの先端押圧面の加工例を示す平面図である。
【符号の説明】
1:ヘッド
1a:上面
1b:下面
2:セラミックヒーター
2a:加熱面
21:加熱部
22:リード部
3:ホルダー
11:ボンディングツール
12:シャンク
13:金属本体部
14:先端押圧面
15:加熱用ヒーター
16:熱電対
17:研磨板
Claims (4)
- 上面に被加熱物を載置して押圧するためのヘッドと、該ヘッドの下面に当接し、加熱するセラミックヒーターと、該セラミックヒーターを保持するホルダーとからなる押圧加熱ヒーターであって、上記ヘッドの上面または下面が常温において凹状の曲面となっており、その最大深さD1(μm)が、T1/150+L1/15≦D1≦T1/50+L1/10(T1:被加熱物の加熱温度(℃)、L1:ヘッド長手寸法(mm))で規定される範囲内であることを特徴とする押圧加熱ヒーター。
- 上面に被加熱物を載置して押圧するためのヘッドと、該ヘッドの下面に当接し、加熱するセラミックヒーターと、該セラミックヒーターを保持するホルダーとからなる押圧加熱ヒーターであって、上記セラミックヒーターのヘッド側の加熱面が常温において凹状の曲面となっており、その最大深さD2(μm)が、T2/140+L2/14≦D2≦T2/47+L2/9.5(T2:セラミックヒーターの加熱温度(℃)、L2:セラミックヒーターの加熱面における長手寸法(mm))で規定される範囲内であることを特徴とする押圧加熱ヒーター。
- 請求項1に記載の押圧加熱ヒーターの加工方法であって、上記ヘッドとなる平板を、被加熱物の加熱温度T1に保持した状態で乾式による平面研削加工を施すことを特徴とする押圧加熱ヒーターの加工方法。
- 請求項2に記載の押圧加熱ヒーターの加工方法であって、上記セラミックヒーターとなる基体を、セラミックヒーターの加熱温度T2に保持した状態で乾式による平面研削加工を施すことを特徴とする押圧加熱ヒーターの加工方法。
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