JP3730899B2 - 押圧加熱ヒーター - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップを基板上に実装する際に用いるダイボンディングヒーター等、被加熱物を押圧加熱する押圧加熱ヒーターに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体ベアチップを基板上に実装する方法として、異方性導電膜(ACF)等の樹脂系の接着材を使用したACF接続方法、またはマルチチップモジュールに用いるようなAu−Si、Au−Sn等の低融点ロウ材を使用したフリップチップ接続法が行われている。
【0003】
例えば、フリップチップ接続法は、多層パッケージ基板上に半導体チップを載置して、その上面からセラミックヒーターを備えた押圧加熱ヒーターで加熱しながら押圧することによって、接合を行っており、この時、両者に備えたハンダバンプ等の接着剤によって接合するとともに、ワイヤリングを行うことができる。
【0004】
ボンディング用ヒーターに求められる特性としては、まず使用する接着材を軟化もしくは溶融するために必要な熱を半導体チップを介してハンダバンプに代表される接着材まで効率よく伝える必要がある。しかし、必要な熱としては、ヒーターの押圧面の温度分布が不均一で、局所的な高温部があると、部分的に半導体チップへ過剰な熱を供給し、半導体チップ自身の損傷もしくは、半導体チップ実装後の信頼性を著しく低下させるため、ヒーターにはその発熱部の均熱性が最も重要である。また、生産効率の点から、所要の温度までの昇温速度が速く、押圧加熱接合後の接着剤が固化するまでの温度降下速度が速いことが重要である。さらに半導体ベアチップを押圧加熱する際には、熱とともに圧力も加えるため押圧加熱ヒーターには、機械的強度や耐磨耗性、あるいは靭性が求められる。
【0005】
このため押圧加熱型ヒーターとしては、熱伝導率の高い窒化アルミニウム質セラミックスを用いた物や機械的強度の優れる窒化珪素質セラミックス質セラミックスを用いたものがある。窒化アルミニウム質セラミックス用いた押圧加熱ヒーターは、窒化アルミニウム質セラミックスを方形体に形成し、押圧加熱面の逆面もしくは内部にAg−Pd、Pt−Pd等の発熱体を厚膜印刷し、焼き付けた後、ガラスカバーペースト等で覆ったものである。
【0006】
しかし、窒化アルミニウム質セラミックス押圧加熱ヒーターは、窒化アルミニウム質セラミックス表面に発熱体を厚膜印刷するため、発熱体と窒化アルミニウム質セラミックスとの密着性が悪く、しかも窒化アルミニウム質セラミックスと厚膜印刷された発熱体との熱膨張差が大きいことから、昇温、降温の熱サイクルを繰り返すうちに発熱体がセラミックスから剥がれ、頻繁に断線を生じるという問題があった。
【0007】
そこで、急速な昇温、降温を行う押圧加熱ヒーターとしては、機械的強度の高い窒化珪素質質セラミックスが使用されることが特開2000−173747号公報に開示されている。窒化珪素質質セラミックスを用いた押圧加熱ヒーターは、窒化珪素質セラミックスを板状に成形し、その上にW、Mo等の高融点金属もしくはその炭化物、珪化物、窒化物により発熱体およびリード部を形成し、もう一枚の板状に成形した窒化珪素質セラミックスを重ねて焼成し、窒化珪素質セラミックスの内部に発熱体、リード部を埋設したものであり、図3に示すようにヒーターへ通電させるためにリード部12の端部に電極取出用のメタライズ部13を有している。この窒化珪素質セラミックスヒーターに用いられる電極部の電極取出用のメタライズ層は耐熱温度が低いために、リード部に冷却フィン14を設けると同時に、ホルダー15の下部に多孔質体を設けリード部を冷却するものである。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、近年、半導体ベアチップの実装後の信頼性向上が望まれ、Au−Au接合等のより高温での実装が要求されている。従来のACFを用いた実装は、400℃以下で押圧加熱ヒーターを用いるが、Au―Au接合では、550℃以上の温度が求められる。このため、ヒーターを550℃〜600℃で使用する場合、冷却フィンでの放熱のみでは、電極部の温度を十分低下させることができない事が判った。
【0009】
また、リード部の温度が変化すると局部的に高温部の高い部分が発生し、均熱性が悪くなり良好なボンディングができなくなるという課題があった。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記問題点に鑑み、鋭意研究の結果、半導体ベアチップの高信頼性を実現するより高温でのAu−Au接合を可能とする窒化珪素質セラミックスヒーターを考案した。
【0011】
すなわち、本発明は、被加熱物を押圧するためのセラミックス製のツールと、該ツールを加熱するためのセラミックスヒーターと、該セラミックスヒーターを保持し、該セラミックスヒーターから発生した熱を主に上記ツール側に伝達させるための断熱材と、これらの部材を統合し他部材に結合する為のベースとからなる押圧加熱ヒーターにおいて、前記セラミックスヒーターは、端部に電極部を備えたリード部を有し、前記断熱材は、その内部に冷却ガス通路を有するとともに前記セラミックスヒーターの電極部まで延長され、前記冷却ガス通路は、その先端に前記セラミックスヒーターの電極部を冷却するための冷却孔を有していることを特徴とするものである。
【0012】
また、前記断熱材が、その発熱部側の電極部近傍でのみ前記リード部に接触し、且つ前記電極部は非接触部とし、前記電極部に対向する部分に冷却孔を設けたことを特徴とするものである。
さらに、前記押圧加熱ヒーターのリード部を冷却する気体の流量が1〜5リットル/分以下であることを特徴とするものである。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図1、2を用いて説明する。図1は全体の斜視図、図2は分解斜視図である。
【0014】
本発明の押圧加熱ヒーターは、発熱体を埋設した窒化珪素質セラミックスヒーター2は、発熱部5と発熱部5から突出した端部に電極部6aをもつリード部6からなり、発熱部5の両側で低熱伝導率セラミックスからなる断熱材3にネジ等で保持し、さらに断熱材3をベース4にネジで保持したものであり、断熱材3は、セラミックスヒーター2の発熱部5から突出したリード部6に合わせるようにリード部6側に同様に突出部3aを形成し、その内部に冷却ガス通路8を形成し、電極部7まで延長され、冷却ガス通路8の先端に電極部6aを冷却するための冷却孔9を形成したものである。
【0015】
前記断熱材3の突出部3aには突起部3bを備え、セラミックスヒーター2のリード部6における電極部6aの発熱部5側でのみ接触しており、電極部6aでは非接触となっている。また、断熱材3に設けられた冷却ガス通路8は、リード部6と接触する突起部3bよりも端部側に冷却孔9を設ける。このため、冷却孔9から噴出したガスは、断熱材3の突起部3bにより、電極部6aのみに流れて選択的に冷却し、リード部6および発熱部5に冷却ガスが当たらない構造となっており、発熱部5からリード部6への熱引きを極めて小さくすることができる。
【0016】
また、電極部6aは、セラミックスヒーター2の発熱部5の均熱性を確保するため、8mm以上離して設置することが望ましい。
【0017】
また、セラミックスヒーター2の発熱抵抗体は、リード部6への熱引きを考慮して、リード部6のとの境界付近の発熱量が大きくなるように設計されている。このためリード部6の温度により熱引きがばらつき、急昇温させた際に前記境界付近に局所的な高温部が発生しやすくなる。本発明のように、電極部6aのみを冷却する構造にすれば、発熱部5に必要以上の局所的な高温部の発生をなくすことができる。
【0018】
電極部6aを冷却するガスの量としては、少なすぎると電極部6aの温度を十分低下させることができず、多すぎるとセラミックスヒーター2の発熱部5からの熱引けが多大となり、発熱部5に局所的な高温部が発生する。このため、電極部6aを冷却するガスの量としては1〜5リットル/分が望ましい。
【0019】
被加熱物と押圧するためのツール1としては、炭化珪素、窒化アルミニウムなどを主成分とする焼結体を用いる。たとえば焼結助剤としてAl2O3、Y2O3、Yb2O3などを焼結助剤として含有させた窒化アルミニウム焼結体を使用することが好ましい。窒化アルミニウムセラミックス製のツール1は、窒化アルミニウム粉末とAl2O3、Y2O3、Yb2O3などの所望の焼結助剤粉末を所望の組成になるように調整して、メタノール、IPAなどの非水系溶媒と混合効率を上げるためのAl2O3製又はSi3N4製のメディアとともにボールミル、振動ミルといった方法で混合し、得られた窒化アルミニウムスラリーを200メッシュ程度のメッシュに通して、メディアからの混入、ボールミル、振動ミルのライニングからの混入を取り去った後に防爆式の乾燥機を用いて120℃程度で24時間程度乾燥し、40メッシュ程度のメッシュに通す。ここで得られた、窒化アルミニウムと所望の焼結助剤の混合された粉末に、さらに、所望の有機バインダーを所望量混合し、スプレードライ法、乾式造粒法、湿式造粒法などの方法により造粒したのち、プレス成形またはCIP成形により所望の形状に加工し、500〜700℃程度の温度で脱脂することにより有機バインダーを飛散させ、得られた成形体を窒素中にて1800℃〜2000℃程度の温度で焼結させた。あるいは直接カーボン型中で成形と焼結を同時に行うホットプレスで焼結させても良い。
【0020】
また、炭化珪素質焼結体を用いる場合、例えば炭化珪素に対し0.2〜4.0重量%の炭化硼素や必要に応じて0.5〜5重量%の希土類元素酸化物を添加して、1900〜2100℃の真空中で焼成する。
【0021】
これらの窒化アルミニウム質焼結体や炭化珪素質焼結体は、熱伝導率が100W/m・K以上で、熱膨張率が6×10-6/℃以下とすることができる。
【0022】
また、セラミックスヒーター2は、窒化珪素、アルミナ、窒化アルミニウムなどを主成分とするセラミックス中に発熱抵抗体を埋設したものを用いることが好ましい。
【0023】
たとえば焼結助剤として、Y2O3、Al2O3、Yb2O3などを焼結助剤として含有した窒化珪素を用いた。セラミックスヒーター2は、窒化珪素粉末とAl2O3、Y2O3、Yb2O3などの所望の焼結助剤粉末を所望の組成になるように調整するか、又は炭化珪素粉末とB、Cなどの所望の焼結助剤粉末を所望の組成になるように調整して、メタノール、IPAなどの非水系溶媒と混合効率を上げるためのAl2O3製又はSi3N4製のメディアとともにボールミル、振動ミルといった方法で混合し、得られたスラリーを200メッシュ程度のメッシュに通して、メディアからの混入、ボールミル、振動ミルのライニングからの混入を取り去った後、防爆式の乾燥機を用いて120℃程度で24時間程度乾燥した後に40メッシュ程度のメッシュに通す。ここで得られた、混合粉末に、スプレードライ法、乾式造粒法、湿式造粒法などの方法により所望の有機バインダーを所望の量だけ混合して、プレス成形、CIP成形して所望の形状を得た後、脱脂工程を500〜700℃程度の温度で行い、有機バインダーを飛散させて得られた成形体を窒素中にて1800℃〜2000℃程度の温度で焼結させることにより窒化珪素製の板を得る。あるいは直接カーボン型中で成形と焼結を同時に行うホットプレスでも窒化珪素製の板を得ても良い。
【0024】
ここで得られた窒化珪素製の板をセラミックスヒーターとする方法を以下に説明する。窒化珪素をセラミックスヒーター2として使用する場合には、その絶縁性から直接窒化珪素に電流を通電するのではなく、窒化珪素の表面または内部に導電性セラミックスあるいは金属からなるW、Mo、WCなどの発熱抵抗体を印刷するなどの方法で形成して、還元雰囲気中などでその発熱体を窒化珪素に後付又は窒化珪素の焼結と同時に焼き付け一体化することにより、セラミックスヒーター2として使用する。この窒化珪素の表面または内部に一体形成された導電性セラミックスあるいは金属からなる発熱抵抗体に電流を通電することにより加熱するには、リード部6の端部で、埋設された発熱抵抗体を露出させ、Ag−Cu−Tiあるいはガラス成分にNiを添加したペーストを塗布し、真空中または、還元雰囲気中で焼付け、電極部6aを形成する。この電極部6aに金属リード線をAg−Cu、Ag、Cuなどのロウ材を用いて真空中又は非酸化性雰囲気中にてロウ付けを行い、このロウ付けされた金属リード線に通電すると良い。
【0025】
このようにして熱伝導率が10W/m・K以上であり、熱膨張率が6×10-6/℃以下のセラミックヒーター2を得ることができる。
【0026】
断熱材3としては、気孔率30%以下のセラミックスが望ましく、5〜30%程度の気孔率を有するムライトセラミックスやムライト−コージェライトセラミックスを用いる。上記気孔率を持った断熱材3は、樹脂性のビーズを生成形体中に分散させて焼成すれば、強度と断熱性を同時に満足する焼結体を得ることができる。また、単に多孔質焼結体とするだけであれば、焼結温度より低い温度で焼成するか、粒径の粗い原料を用いて焼成することにより、多孔質な断熱材とすることができる。気孔率0%の緻密体質のセラミックスとしては、熱伝導率が3W/m・K以下と極めて小さいフッソ金雲母系のセラミックスが望ましい。断熱材3は、研削加工で所望の形状とし、冷却用通路は、超音波加工機で加工を行う。
【0027】
このようにして熱伝導率が3W/m・K以下であり、熱膨張率が6×10-6/℃以下の断熱材3を得ることができる。セラミックヒーター2と断熱材3は、ネジ等で機械的に固定、保持する。用いられるネジは、熱膨張率がセラミックヒーター2より大きく断熱材3より小さいことが望ましい。
【0028】
上記セラミックス製のツール1を除く、各部品を統合し他部材に結合する為のベース4としては、例えばNiの添加量を調整することによって熱膨張係数を6×10-6/℃以下としたノビナイト鋳鉄を使用すれば良い。
【0029】
【実施例】
以下、本発明の実施例を説明する。
【0030】
(実施例1)
まず、本発明の実施の形態で示した方法に従って作製した図1、2に示す本発明のセラミックスヒーター2を用いた接触加熱装置と、図3に示す従来のボンディング用ヒーターの作製方法を説明する。
【0031】
Yb2O3を焼結助剤とする窒化ケイ素粉末をバインダーと混合後にプレス成形し50mm角の窒化珪素成形体を得た後に発熱体としてWCインクを印刷し、もう一つの50mm角の窒化珪素でWCインクを挟み込み、1700〜1800℃でホットプレスを行うことにより、WCを発熱抵抗体として内蔵する窒化珪素質焼結体を得た。これを平面研削盤、超音波加工機を用いて、発熱部は24mm×24mm×2mmtとし、ボルト締め用の穴を両サイドに形成した。さらに電極引き出し用のリード部、真空吸着穴、真空吸着溝を形成して、セラミックスヒーター2とした。
【0032】
断熱材3は熱伝導率が3W/m・K以下であるフッソ金雲母系セラミックスを用い、平面研削盤、超音波加工機で加工する。従来の押圧加熱ヒーターの断熱材は、セラミックヒーター2の発熱部5に合わせる形状とし、本発明での断熱材3は、セラミックヒーター2のリード部6の方向に電極部6aに対向する位置まで延長した突出部3aを形成し、突出部3aの内部に冷却ガス通路8を設けた。さらに、突出部3aでは、セラミックヒーター2の発熱部5から伸びたリード部6には非接触とし、電極部6aの発熱部5側で接触する突起部3bを設け、電極部6aに対向する位置で非接触とし、冷却孔9を設けた。
【0033】
ベース4としてはNiを多く含有した鋳鉄を断熱材3と寸法をあわせるように平面研削盤、超音波加工機で加工して作製した。
【0034】
そして、セラミックヒーター2の発熱部温度を550℃、600℃に設定し、その時の電極部温度とセラミックヒーター2の発熱部5の温度分布(最大温度―最小温度)および最大温度を測定した。
【0035】
結果を表1に示す。
【0036】
【表1】
【0037】
本発明の実施例を表1のNo.3、No.6に示す。No.1、No.2、No.4、No.5は比較のための従来例である。
【0038】
表1からも明らかなように、セラミックヒーター2の発熱部5を550℃、600℃に設定すると従来の冷却フィンと多孔質体から電極部6aを冷却する方法では、リード部6の熱引けが過大となるため、セラミックヒーター2の発熱部5の温度分布が劣化し、局所的な高温部が発生した。
【0039】
これに対し、本発明の押圧加熱ヒーターは、セラミックヒーター2の発熱部5を550℃および600℃に設定しても、セラミックヒーター2の発熱部5の温度分布の劣化もなく、且つ、電極部6aの温度も280℃以下とすることができた。
【0040】
(実施例2)
本発明の実施例を表1のNo.2、No.3、No.6、No.7に示す。No.1、No.4、No.5、No.8は比較のための従来例である。本実施例では、セラミックヒーター2の発熱部温度を550℃、600℃に設定し、電極部6aを冷却する冷却ガスの流量について、その時の電極部温度とセラミックヒーター2の発熱部5の温度分布(最大温度―最小温度)および最大温度を測定した。結果を表2に示す。
【0041】
【表2】
【0042】
表2からも明らかなように、冷却ガスの流量が1リットル/分未満では、冷却効果がなく、電極部6aの温度が280℃を超えた。また、5リットル/分を越える流量では、冷却効果が過大となりセラミックヒーター2の発熱部5の温度分布が劣化し、局所的な高温部が発生しするので好ましくない。
【0043】
これに対し、冷却ガスの流量を1〜5リットル/分にしたNo.2、3、6、7は、良好な温度分布を示した。
【0044】
【発明の効果】
本発明によれば、被加熱物を押圧するためのセラミックス製のツールと、該ツールを加熱するためのセラミックスヒーターと、該セラミックスヒーターを保持し、該セラミックスヒーターから発生した熱を主に上記ツール側に伝達させるための断熱材と、これらの部材を統合し他部材に結合する為のベースとからなる押圧加熱ヒーターにおいて、セラミックスヒーターは、端部に電極部を備えたリード部を有し、断熱材は、その内部に冷却ガス通路を有するとともにセラミックスヒーターの電極部まで延長され、冷却ガス通路は、その先端に前記セラミックスヒーターの電極部を冷却するための冷却孔を有している押圧加熱装置とすることにより、550℃を超える温度においてもセラミックヒーターの温度分布が良好で且つ電極部温度の上昇を防止することができる。
【0045】
また、冷却ガスの流量は、1〜5リットル/分とすることで、さらに冷却効率を高めることができる。
【0046】
これらにより、高温でより信頼性の高い半導体チップの実装が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の押圧加熱ヒーターの斜視図である。
【図2】本発明の押圧加熱ヒーターの分解斜視図である。
【図3】従来の押圧加熱ヒーターの斜視図である。
【符号の説明】
1 ツール
2 セラミックヒーター
3 断熱材
4 ベース
5 発熱部
6 リード部
6a 電極部
8 冷却ガス通路
9 冷却孔
11 発熱部
12 リード部
13 メタライズ層
14 冷却フィン
15 ホルダー
Claims (3)
- 被加熱物を押圧するためのセラミックス製のツールと、該ツールを加熱するためのセラミックスヒーターと、該セラミックスヒーターを保持し、該セラミックスヒーターから発生した熱を主に上記ツール側に伝達させるための断熱材と、これらの部材を統合し他部材に結合する為のベースとからなる押圧加熱ヒーターにおいて、前記セラミックスヒーターは、端部に電極部を備えたリード部を有し、前記断熱材は、その内部に冷却ガス通路を有するとともに前記セラミックスヒーターの電極部まで延長され、前記冷却ガス通路は、その先端に前記セラミックスヒーターの電極部を冷却するための冷却孔を有していることを特徴とする押圧加熱ヒーター。
- 前記断熱材が、前記セラミックスヒーターの電極部近傍の発熱部側でのみ前記リード部に接触し、前記電極部に対向する部分に冷却孔を設けたことを特徴とする請求項1記載の押圧加熱ヒーター。
- 前記電極部を冷却するガスの流量が1〜5リットル/分であることを特徴とする請求項1記載の押圧加熱ヒーター。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001333278A JP3730899B2 (ja) | 2001-10-30 | 2001-10-30 | 押圧加熱ヒーター |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001333278A JP3730899B2 (ja) | 2001-10-30 | 2001-10-30 | 押圧加熱ヒーター |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003142508A JP2003142508A (ja) | 2003-05-16 |
JP3730899B2 true JP3730899B2 (ja) | 2006-01-05 |
Family
ID=19148572
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001333278A Expired - Fee Related JP3730899B2 (ja) | 2001-10-30 | 2001-10-30 | 押圧加熱ヒーター |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3730899B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7335862B2 (en) | 2003-05-30 | 2008-02-26 | Nec Corporation | Resistance heater having a thin-line-shaped resistor |
JP2018060836A (ja) * | 2016-09-30 | 2018-04-12 | デクセリアルズ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
CN115172231B (zh) * | 2022-09-08 | 2022-11-25 | 西北电子装备技术研究所(中国电子科技集团公司第二研究所) | 一种带有气氛保护的快速升降温共晶加热台 |
-
2001
- 2001-10-30 JP JP2001333278A patent/JP3730899B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003142508A (ja) | 2003-05-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040415 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050704 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050712 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050912 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20051004 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051007 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3730899 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091014 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101014 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101014 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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